Критическое затухание

Сплошной линией обозначены также перемещения, полученные при помощи точного решения основного дифференциального уравнения в предположении, что до момента t = О система была невозмущенной. В показанном примере было принято, что период собственных колебаний системы равен Тр 2 и что в системе есть критическое затухание. [c.198]

Из уравнения следует, что при отрицательном Р можно увеличить степень затухания колебательной системы ЭДВ, а р, при котором будут подавлены собственные колебания подвижной системы возбудителя, т. е. колебания на частоте <0,, j р , определяют из условия достижения критического затухания [c.273]

Величины коэффициентов критического затухания, соответствующие первой и второй собственным частотам, = MAi, Xah = здесь и Лд соответствуют собственным [c.66]

Для вычисления критического затухания обратимся к равенству (5.31), разложив в нем os а (t) в ряд и сохранив в разложении только первые два члена [c.210]

Основное внимание при моделировании было обращено на определение критического затухания в системе, при котором происходит динамическая потеря устойчивости. Интенсивность внешних флюктуаций с нормальным законом распределения % (t), которая создавалась блоком шума ЭФ-109, приданным к станции Электрон , оставалась постоянной для всех испытаний. Меняли [c.223]

Через 8n= a/h)6n выражено начальное несовершенство формы в долях от толщины стенки, а р — параметр затухания, определяемый как доля критического затухания при колебаниях по симметричной или изгибной форме. Кроме того, поскольку для критической формы выпучивания > 1, коэффициент /г — /з +4) для простоты можно заменить на пЦп — 2). [c.31]

Таким образом, чтобы определить величину критического затухания необходимо из уравнения (5.34) опреде- [c.197]

Отсюда следует, что положение равновесия является всегда устойчивым. Если во втором уравнении пренебречь членом Lf] по сравнению с остальными членами, то система будет описываться уравнениями второго порядка. Критическое затухание в системе осуществляется при следующем соотношении параметров [c.457]

В новых нормах демпфирующие свойства основания учитываются коэффициентами g, представляющими собой долю критического затухания и определяемыми по формулам [c.59]

Рис. 23. Влияние силы сопротивления обрабатываемой среды на размах колебаний вибромолота и внедрение рабочего инструмента 0,13 = 0,5 со = = 20 /се/с г = 1 сухое и вязкое трение соответствуют данным машины ВР-25 и приблизительно эквиваленты 0,1 критического затухания

Когда V r мало по сравнению с колебания являются слабо затухающими. При VjP, равном о, говорят, что движение происходит с критическим затуханием. Из уравнения (5) следует, что в этом случае частота oi равна нулю, и в решении (7) мы заменяем [c.105]

Критическое затухание. Исходя из решения для свободных колебаний с затуханием [уравнение (7)], покажите, что для критического затухания решение имеет вид [c.145]

Критическое затухание 105, 145 Коэффициент жесткости 22, 86 [c.523]

Когда С = 1, это условие называется условием критического затухания (критического демпфирования), тогда рещение уравнения принимает вид [c.33]

В случае = 1 (критическое затухание) переходная функция будет [c.63]

Теперь рассмотрим случай, когда частота турбулентных пульсаций жидкости соответствует одной из частот собственных колебаний поверхности пузырька (4. 2. 3) для п 2. Так как затухание собственных колебаний поверхности пузырька очень мало, газовые пузырьки в этом случае будут быстро деформироваться и дробиться. Приравнивая характеристическую частоту турбулентных пульсаций каждой такой резонансной частоте, получим выражение, позволяющее определить критические значения критерия Уе, соответствующие условиям резонанса. В общем случае для моды собственных колебаний и-го порядка из (4. 2. 1) и (4. 2. 5) следует выражение для критического значения е в виде [c.133]

Таким образом, в условиях ограниченной ползучести материала и геометрической нелинейности удается установить предел длительной устойчивости <7 кр и критическую деформацию 0кр (или Акр). Так как ползучесть ограниченная, при q<.q Kp и t x> система переходит из положения М в положение М (рис. 16.14), где деформация 0< 0кр. Система устойчива на бесконечном интервале времени. Если q>q Kp, несмотря на затухание скорости ползучести, характерное смещение фермы за конечное время достигает критического значения 0кр (или Акр) и создаются условия для потери устойчивости. Тогда при ( кр 9кр в условиях ограниченной ползучести является правомерной постановка вопроса об определении критического времени кр, необходимого для достижения критической деформации. [c.364]

При р = (0о коэффициент затухания называют критическим. В этом случае [см. (46.8)] период колебаний обращается в бесконечность. Это значит, что система, выведенная из положения равновесия, будет медленно возвращаться в него, расходуя почти всю потенциальную энергию на преодоление трения. Такое движение системы называют апериодическим. [c.185]

Следовательно, критическое значение коэффициента затухания определяет границу между колебательным и апериодическим движениями системы. При апериодическом движении, если в (46.2) с1д /с1/>0, система приближается к положению равновесия, не переходя через него (рис. 148 кривая 1). При 6л /с1/<0 система переходит один раз через положение равновесия и, удалившись от него, в дальнейшем движении вновь приближается к положению равновесия (рис. 148 кривая 2). [c.185]

Рис. 2.4. Фазовый портрет линейной системы с затуханием меньше критического.

Вообще перспективными,с точки зрения практического использования, можно считать только те сверхпроводники, которые имеют высокие значения обеих критических величин - температуры и магнитной индукции. Такими свойствами обладают только сверхпроводники 2 рода (см. табл. 2.1), что дало возможность применять эти материалы как для производства сверхпроводниковых электромагнитов, создающих сильные магнитные поля, так и для других практических целей создания электрических машин, трансформаторов и других устройств малых массы и габаритов и с высоким к. п. д. кабельных линий для передачи весьма больших мощностей на произвольно большие расстояния волноводов с особо малым затуханием накопителей энергии и пр. Ряд устройств памяти и управления основывается на переходе сверхпроводника в сверхпроводящее или нормальное состояние при изменении магнитной индукции (или соответственно тока) или температуры. [c.25]

Влияние наклепа проявляется в изменении таких свойств и характеристик, как ползучесть, внутреннее трение и затухание, релаксационные явления, фазовые превращения, критические температуры хрупкости. [c.29]

Вспомним, что когда критический шар урана плавится (см. рис. 19), превращаясь в тонкий слой вещества с большей площадью поверхности, чем у шара, то возросшая утечка нейтронов с этой поверхности приводит к затуханию цепной ядерной реакции. Но когда расщепляющееся вещество находится в газообразном состоянии, при сжатии можно не только уменьшить площадь его поверхности (и таким образом снизить утечку нейтронов), но и увеличить его плотность, то есть увеличить количество расщепляющихся ядер, а также нейтронов, генерируемых в единице объема. Очевидно, что должен существовать критический объем для данной (довольно большой) массы расщепляющегося газа если газ сжат до объема, меньше критического, утечка нейтронов с его поверхности будет отставать от скорости [c.68]

Формула (6. 24а) показывает, что на критических режимах коэффициент затухания от внутреннего трения не зависит. [c.203]

Таким образом, чтобы определить величину критического затухания PoKpi необходимо из уравнения (5.30) определить яр,- (t), а затем вычислить среднее значение функции h (t) os (2т з,- — г]), однако уравнение (5.30) не имеет точного решения. В работе [81 ] рассмотрены аналогичные уравнения для некоторых частных видов функции h (t) и т] ( ). Воспользуемся методами этой работы. [c.208]

Если учесть влияние демпфирования, характеризуемое коэффициентом затухания й//г (где k — коэффициент затухания йк—так называемое критическое затухание, равное й = 2тшср), то при заданном отношении т 1гпс, например, равном 1/25, можно построить график, показанный на рис. 4-2. [c.187]

На фазовой плоскости ф, ф существует единственное состояние равновесия ф = 0, ф = Е ( = onst), которое, как нетрудно убедиться, всегда устойчиво. Критическое затухание, при котором система находится на границе между режимами колебательных и апериодических движений, осуществляется при следующих соотношениях параметров [c.455]

В случае, когда Ъ = 2Уас критическое затухание), решение дифференциального уравнения (2.6) имеет вид [c.44]

Методы сканирования волнового сопротивления спиновых магнитодиэлектрических покрытий на металлической подложке, в том числе и планера летательных аппаратов, используют информационные эффекты зависимости недиссипативных и диссипативных затуханий электромагнитного поля поверхностной медленной электромагнитной волны от величины ранее не применяющиеся именно в слоях покрытий толщиной не обеспечивающей критическое затухание падающей электромагнитной волны. [c.122]

Критическая круговая часюта, при которой амплитуда вынужденных колебаний достигает максимума, уменьшается с увеличением коэффициента затухания. Величины тлк ч - рс, гоже при этом уменьшаются. [c.461]

В измерительных приборах при всяком резком изменении измеряемой величины обычно возникают собственные колебания около нового положения равновесия. Если трение в приборе мало, то колебания эти затухали бы очень медленно. Приходилось бы долго ждать, пока прибор установится в новом положении и можно будет произвести отсчет. Поэтому в измерительных приборах обычно искусственно увеличивают затухание колебаний при помощи специальных демпферов — механических или электромагнитных. Простейшим является воздушный демпфер — легкий поршенек, соединенный с подвижной системой прибора и движущийся в трубочке (без трения о стенки, чтобы не было застоя ). Сопротивление воздуха при движении поршенька делает прибор апериодическим. Сопротивление это не должно быть очень большим, так как тогда оно очень замедлит движение системы к новому положению равновесия. Наи-аыгоднейшим является такое сопротивление, при котором движение системы из колебательного превращается в апериодическое (6 = 2 /йт), т. е. когда трение равно критическому. [c.601]

Согласно общепринятой теории устойчивости, основанной на методе малых возмущений, предполагается, что ламинарное течение подвергается воздействию каких-то малых возмущений, вызванных, например, шероховатостью стенки или неравномерностью внешнего течения. Эта теория устанавливает, при каких условиях затухают или нарастают со временем эти возмущения. При этом затухание означает, что ламинарное течение устойчиво и, наоборот, нарастание соответствует неустойчивости, характеризуемой теоретическим значением критического числа Рейнольдса Reкp. В его определении и заключается основная задача теории устойчивости ламинарного пограничного слоя. Оценка этого числа позволяет сделать вывод о характере движения в таком слое. Если достигнутые числа Рейнольдса меньше критического, то появляющиеся возмущения затухают, а при более высоких нарастают. [c.94]

Устройства ввода и вывода обрабатываемого продукта должны обеспечивать безопасную и эффективную работу установки. В рассматриваемой установке используются запредельные аттенюаторы, имеющие вид прямоугольных волноводов с размерами стенок, меньшими критических для данной частоты. При сечении аттенюатора 228 X 190 мм и затухании 70 дБ длина его должна быть не менее 1000 мм. Утечка энергии не превышает 2—3 мкВт/см на расстоянии 150 мм от отверстия аттенюатора. [c.308]

Толщину покрытия в настоящее время контролируют традиционными металлографическими способами с помощью обычного ол тического и электронного микроскопов, автоматического анализа тора изображения типа микровидеомат фирмы Оптон (ФРГ) и методом отпечатка индикатора на приборе Виккерса. В послед-i ние годы все больше применяют неразрушающие методы контроля с использованием вихревых токов (резонансный), термо-ЭДС, распространения и затухания квазиповерхностной волны (метод критического угла Рэлея ), [c.44]

Для критического аиериодического решения Y(t) =е A t + + Ai) показатель затухания определится из кубического уравнения [c.9]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...