Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Вероятность потенциальная

В индивидуальный фонд необходимо включать не менее одного приема из каждой классификационной группы (см. табл. 19.1). При этом особое предпочтение следует отдавать приемам преобразования по аналогии (группа 14). Всего из межотраслевого фонда отбирается от 50 до 100 приемов. Большинство из них с позиций логического анализа и экспертных оценок должны иметь значительные потенциальные возможности по улучшению интересующего класса ТС или технологических процессов. Кроме того, до 20 % отобранных приемов должны, наоборот, содержать наименее вероятные потенциальные возможности, поскольку такие приемы нередко обеспечивают нахождение наиболее оригинальных и эффективных ТР. Отобранные из межотраслевого фонда приемы желательно отредактировать и конкретизировать с ориентацией на рассматриваемый класс объектов.  [c.272]


Ион, перемещающийся через решетку, должен преодолеть потенциальный барьер V, существующий между двумя соседними междоузлиями (рис, 28). При отсутствии поля вероятность того, что ион пройдет за единицу времени из одного междоузлия в соседнее, равна  [c.52]

В присутствии поля F потенциальный барьер снижается и вероятность становится равной  [c.53]

Наиболее вероятное место расположения этих включений — зоны упругого искажения кристаллических решеток и места скопления дефектов физического строения, так как эти зоны обладают повышенным уровнем потенциальной энергии. Сосредоточение в них примесей приводит к снижению внутренней энергии и повышению степени равновесности всей системы. Иными словами, движущая сила образования сегрегаций имеет термодинамическую основу.  [c.464]

Классификация частоты отказов приведена в табл. 2.5. Частота отказов характеризуется цифрой от I до 10. При выборе квалификационного номера следует учитывать вероятность того, что потенциальные причины отказа будут иметь место, что они не будут обнаружены существующей системой контроля.  [c.73]

Любая сварная аппаратура, формируемая в реальных условиях изготовления, неизбежно претерпевает изменения, связанные с накоплением дефектов, снижающих в той или иной степени надежности аппарата. Главной причиной появления дефекта является отклонение рабочего параметра от его нормативного значения, задаваемого, как правило, обоснованным допуском. То есть любое несоответствие контролируемого параметра качества регламентированным нормам можно рассматривать как дефект. Выход параметра за пределы регламентированного допуска обусловлен целым рядом случайных и неслучайных, факторов. Дефект, не выявленный при изготовлении аппарата, является потенциальным очагом отказа, а вероятность отказа зависит от размеров дефекта, условий его подрастания при эксплуатации и степени опасно-  [c.126]

Энергия активации является важнейшим кинетическим параметром, характеризуемый изменением потенциальной энергии реагентов, при образовании из них одного моля активированных комплексов. Вопросу об активированном состоянии большое внимание уделяется в теории абсолютных скоростей реакции. В соответствии с этой теорией любой процесс, протекающий во времени независимо от среды (газ, жидкость, твердое тело), в которой он протекает, характеризуется тем, что начальная конфигурация расположения атомов переходит в конечную, через промежуточную (переходную) конфигурацию расположения атомов, которая является критической для данного процесса и по достижении которого имеется большая вероятность завершения процесса реакции. Активированным комплексом называют промежуточные критические конфигурации расположения атомов. Прочность межатомной связи в активированном комплексе ниже чем в исходном веществе. Кроме того природа межатомной связи в комплексе также может быть иной, чем в исходном состоянии.  [c.191]


По классическим представлениям а-частица с кинетической энергией меньшей высоты потенциального барьера Уд, не может проникнуть из области 1 в область III. Однако, согласно положениям квантовой механики, частица, находящаяся на уровне (SJ, и движущаяся в направлении СВ , имеет вероятность просочиться сквозь потенциальный барьер (имеет место туннельный эффект ).  [c.229]

Поскольку уравнение (VI.38) соответствует довольно грубой модели а-распада, не учитывающей несферичности ядра и исполь-зуюш,ей упрощенные представления о потенциале ядра в области г < Rd, то попытки его точного решения мало оправданы. Поэтому для выяснения зависимости вероятности а-распада от энергии вылетающей а-частицы достаточно вычислить вероятность прохождения а-частицы через потенциальный барьер, используя из квантовой механики результат задачи о прозрачности потенциального барьера.  [c.230]

Эффективное сечение ядерной реакции под действием протонов при малых энергиях мало, но очень быстро возрастает с ростом энергии, так как вероятность проникновения через потенциальный барьер растет с ростом энергии налетающего протона. Сечение реакции подчиняется формуле Брейта—Вигнера  [c.284]

Второе ядро А 2, находящееся в поле ядра А , имеет небольшую вероятность туннельно пройти через потенциальный барьер и  [c.325]

Энергия относительного движения ядер может быть увеличена путем повышения температуры. Поэтому повышение температуры приводит к быстрому возрастанию вероятности туннельного сближения ядер Ai и Л2. Сущность ядерных реакций слияния в том и состоит, что оголенные атомные ядра за счет своей кинетической энергии при столкновении преодолевают потенциальный барьер и подходят друг к другу на такое близкое расстояние что под действием ядерных сил сцепления они сливаются в единую систему — новое, более сложное ядро. Поскольку необходимая для слияния ядер кинетическая энергия подводится к ним как тепловая энергия, то такие ядерные реакции и называются термоядерными реакциями слияния (синтеза).  [c.325]

Пусть частица массы т движется слева направо, имея кинетическую энергию Т < Vo- Спрашивается, какова вероятность того, что частица проникнет через потенциальный барьер Vo  [c.126]

Полученная выше величина коэффициента прозрачности потенциального барьера D имеет физический смысл вероятности для а-частицы пройти через потенциальный барьер. Для того чтобы связать эту величину с экспериментально определяемым значением постоянной распада X, надо учесть вероятность образования а-частицы внутри ядра (в зависимости от его свойств) и скорость ее движения. Это приводит к соотношению  [c.134]

В этом случае, согласно классической механике, частица вообще не может Попасть в атомное ядро. Однако в соответствии с квантовой механикой частица с Г < Вк имеет некоторую конечную вероятность пройти через потенциальный барьер туннельным переходом.  [c.433]

Вероятность туннельного перехода, или, как ее иначе называют, прозрачность потенциального барьера, дается формулой  [c.433]

При Т < Вк заряженная частица попадает в ядро при помощи туннельного перехода, вероятность которого для случая I = О определяется прозрачностью потенциального кулоновского барьера  [c.452]

Ангармонический характер колебаний обычно учитывают в разложении потенциальной энергии [см. (6.72)] ангармоническим членом gx . Вводя в разложение потенциальной энергии ангармонические члены, мы тем самым учитываем наличие в реальной ситуации взаимодействия между модами колебаний, которое проще всего описать как рассеяние фононов друг на друге. Вероятность рассеяния фононов моды (кь Ш]), характеризуемых волновым вектором ki и частотой oi при учете в потенциальной энергии ангармонического члена gx , зависит от процессов, которые включают взаимодействия трех мод. Например, энергия мод (к,, aii) и (кг, (02) может перейти за счет взаимодействия в моду (кз, шз). Этот процесс может протекать и в обратном направлении — энергия моды (кз, шз) может перейти в энергию мод (к,, toi) и (кг, шг) или энергия моды (ki, oi)—в энергию мод (кз, (02) и (кз, з). Таким образом, рассеяние фононов на фононах сопровождается рон<дени-ем и исчезновением фононов — либо два фонона превращаются в один, либо один фонон распадается на два (рис. 6.14).  [c.188]


Предположим, что движение иона может происходить лишь в ограниченной области. Пусть зависимость потенциальной энергии иона от расстояния в этой области имеет вид, показанный на рис. 8.5. Ион, находящийся в равновесном положении /, может перескочить в другое равновесное положение 2, находящееся на расстоянии S от первого, если в какой-то момент его энергия превысит Uo- Поскольку вероятность переброса равна exp[—f/o/(i B )], число частиц в единичном объеме, преодолевающих барьер в направлении X за 1с, составит  [c.284]

Наложение внешнего однородного поля вдоль оси л изменяет зависимость U(x). Потенциальная энергия иона в этом поле должна изменяться с расстоянием линейно. Таким образом, кривая V (х) представляет собой результат наложения зависимости, изображенной на рис. 8.5, и наклонной прямой (рис. 8.6). Из рис. 8.6 следует, что вероятность перескока иона из положения / в положение 2 увеличивается, а вероятность обратных перескоков уменьшается. Это происходит потому, что за счет наложения поля потенциальный барьер в первом случае уменьшается на AL/, а во-втором — увеличивается на AU. Если заряд иона равен е, то AU= =еЕд/2. Естественно, что число перескоков в единичное время в направлении J- 2 теперь больше, чем в обратном направлении. В результате этого в диэлектрике устанавливается асимметричное распределение зарядов, т. е. создается некоторый дипольный момент.  [c.285]

При выводе выражения (17.1) использованы также некоторые"другие приближения как физического, так и математического характера, но они менее суш ественны, чем уже упомянутые. Вильсон [11 (стр. 254) отмечает Выражение для AF (т. е. для изменения потенциальной энергии при смещении иона), несомненно, является не вполне точным, поскольку ионы должны до некоторой степени деформироваться... возможно, что грубый характер приближения, сделанного при рассмотрении взаимодействий между электронами проводимости и колебаниями решетки, является причиной того, что эта теория не в состоянии объяснить сверхпроводимость. Хотя вероятно, что для объяснения явления сверхпроводимости необходимо привлечь некоторые новые физические принципы, все же вполне возможно, что существующие трудности имеют скорее математический, чем физический, характер. Так же как тщательный анализ уравнения состояния газа приводит к выводу о возможности существования жидкой фазы, более точное математическое толкование проблемы взаимодействия приведет и к объяснению сверхпроводимости... необходима более совершенная и более общая теория взаимодействия между электронами и решеткой ).  [c.188]

Вероятность деления ядра (в капельной модели) при малых энергиях возбуждения , 6 МэВ связывалась с проницаемостью потенциального барьера, зависимость которого от деформации ядра б вблизи вершины предполагалась примерно параболической  [c.1088]

На интервале (О, а) потенциальную энергию можно принять равной нулю, а вне этого интервала она обращается в бесконечность. Вследствие этого частица при своем движении не может выйти за пределы (О, а), или, как говорят, она находится в потенциальной яме. Поскольку вероятность нахождения частицы вне потенциальной бесконечно глубокой ямы равна нулю, волновая функция Р вне интервала (О, а) равна нулю. Так как она непрерывна, то равна нулю в точках X = а, X = Q. Таким образом, для Ч (.v) получаем следующие граничные условия  [c.165]

Найдем связь между постоянной распада X и коэффициентом прохождения D. Двигаясь в ядре, а-частица сталкивается со стенками потенциального барьера. Вероятность проникнуть через потенциальный барьер при одном столкновении равна D. В еди-  [c.184]

Можно считать, что захваченная ядром а-частица находится в потенциальной яме. Считая, что радиус ядра равен 1,4- 10 м, а высота потенциального барьера на поверхности ядра составляет 4 МэВ, определить отнесенную к I с вероятность выхода а-частицы из ядра при ее энергии 1 и 2 МэВ.  [c.185]

Потенциальные ямы (см. рис. 95), описывающие колебательные уровни энергии молекулы, сдвинутся друг относительно друга при различных электронных состояниях. Потенциальная яма, соответствующая более возбужденному электронному состоянию, сдвинута вправо относительно потенциальной ямы, относящейся к менее возбужденному электронному состоянию, поскольку возбуждение молекулы подводит ее ближе к диссоциации и, следовательно, сопровождается увеличением расстояния Ло между ядрами. На рис. 97 показаны энергии электронных и колебательных уровней в зависимости от Л. На каждом из колебательных уровней в потенциальных ямах распределение плотности вероятности для соответствую-  [c.325]

На рис. 98, в изображена ситуация, когда вертикальная линия из основного состояния молекулы с и = О пересекает потенциальную кривую возбужденного состояния в точке, которой не соответствует никакое связанное состояние. Это означает, что электронный переход с большой вероятностью сопровождается диссоциацией молекулы.  [c.327]

Кристаллическую решетку образуют воображаемые линии и плоскости, проходящие через точки пространства, в которых располагаются ионы металла. Более правильно эти точки определить как центры наиболее вероятного расположения ионов, так как те не остаются неподвижными, а колеблются около этих центров. Последние обычно называют узлами кристаллической решетки. Наиболее распространенными типами таких решеток металлов являются кубическая объемноцентрированная (рис. 115, а), кубическая гранецентрированная (рис. 115, б) и гексагональная плотно-упакованная (рис. 115, в). В них атомы находятся в устойчивом равновесии и обладают минимальной потенциальной энергией.  [c.113]

Наличие электрического поля F снижает потенциальный барьер U на l2qaF, если q — заряд иона, перемещающегося в направлении поля, и а — расстояние между соседними междоузлиями. Тогда вероятность прохождения иона в направлении поля из одного междоузлия в следующее равна  [c.52]

Для перехода в раствор поверхностный катион металла должен преодолеть лишь энергетический барьер Qa (рис. 107, кривая 1—2), причем Qa < Ссольв, Т. е. этот процесс является значительно более вероятным. Разность уровней потенциальных энергий в точках / и 2, равная Л, отвечает работе процесса перехода 1 г-иона металла в раствор. Для перехода из раствора в металл находящийся в растворе сольватированный катион должен преодолеть энергетический барьер (рис. 107, кривая 2—/), причем Qk > Qa, т. е. этот процесс (катодный) является менее вероятным, чем первый (анодный).  [c.152]


Соотношение энергия — время жизни при а-распаде. Атомные ядра с массовым числом А > 208 испытывают спонтанные ядерные превращения и испускают а-частицу. Вокруг ядра для а-частицы существует потенциальный барьер определенной формы, например представленной на рисунке 30. Если принять, что внутри ядра находится а-частйца в виде готового образования, обладающего энергией S, а выход ее из ядра сводится к туннельному прохождению через потенциальный барьер, то вероятность W проникновения а-частицы сквозь потенциальный барьер составляет  [c.89]

Реакции под действием протонов, дейтронов н других заряженных частиц отличаются от реакций под действием нейтронов прежде всего тем, что для них существует потенциальный барьер ядра и частица должна преодолеть это сильное кулоновское отталкивание. Поэтому, только обладая большой энергией, заряженные частицы в состоянии подойти близко к ядру и вызвать ядериую реакцию. В случае легких ядер энергия налетающей заряженной частицы может быть меньшей, так как при этом появляется вероятность захвата частицы ядром в результате туннельного перехода. Протоны могут вызвать реакции (р, у), (р, п) и (р, а).  [c.284]

Вероятность сиолтаниого деления определяется прозрачностью потенциального барьера для осколков, которая может  [c.396]

Таким образом, нуклоны дейтона имеют заметную вероятность находиться за пределами потенциальной ямы, так что в среднем они находятся на ее краях. На рис. 12 схематически показано, как это можно себе представить для ямы типа Вудса— Саксона. Из-за этой особенности дейтон часто называют рыхлым ядром.  [c.26]

Если потенциальные кривые, между которыми происходят электронно-колебательные переходы, заданы, возникает вопрос, какие из этих переходов наиболее вероятны. Ответ на этот вопрос дает принцип Франка — Кондона, согласно которому при электронном переходе скорость движения ядер молекулы и их положение не меняются. Принцип Франка — Кондона является приближенным, так как скорость движения электронов молекулы хотя и намного больще скорости движения ядер, но все же есть конечная величина.  [c.244]

При колебании молекула больще всего времени проводит в точках наибольшего отклонения, т. е. в точках пересечения потенциальной кривой с уровнем, так как в этих точках скорость движения наименьщая, в них колебательное движение меняет свое направление на обратное. Таким образом, вероятнее всего найти молекулу в этих точках.  [c.244]

В области низких температур электроны и дырки, локализованные на диекретных уровнях, м огут перемещаться по кристаллу лишь путем прыжков (перескоков) с одного уровня на другой. Для преодоления потенциального барьера, разделяющего примесные атомы, требуется энергия активации. В случае малой концентрации примесных атомов расстояния между ними получаются большими, а поэтому вероятность перескока оказывается небольшой и значения подвижности (скорость дрейфа носителей заряда в электрическом поле с напряженностью 100 В/м) также очень малы. Прыжковую проводимость можно обнаружить лишь при настолько низких температурах, что концентрация свободных носителей заряда становится совсем небольшой (но при Т = 0 тепловая активация невозможна). Представление об изолированных атомах примеси оправдано лишь в том случае, если не перекрываются ни их силовые поля, ни волновые функции электронов, локализованных на этих уровнях.  [c.120]

Однако квантовая механика приводит к заклиэчению, что в случае Е < E q сущесп вует определенная вероятность проникновения частицы через потенциальный барьер из области / в область III. а для Е> E q существует определенная вероятность отражения частицы от потенциального барьера. Явление проникновения частицы через потенциальный барьер называют туннельным эффектом. Он имеет большое значение в некоторых физических процессах.  [c.180]

Отметим, что введенная проницаемость совпадает с рассчитываемой в гл. VI, 3 вероятностью проникновенйя а-части-цы через потенциальный барьер в процессе радиоактивного а-распада ядра. Влияние кулонов-ского отталкивания или, что то же самое, кулоновского барьера приводит к тому, что сечение экзотермической реакции при низких энергиях вместо того, чтобы расти по закону I/o , быстро стремится к нулю (рис. 4.6, а). Аналогично ведет себя и сечение эндотермической реакции с участием заряженной частицы (рис. 4.6, б). Необходимость преодоления кулоновского барьера является основной причиной трудности осуществления термоядерных реакций (см. гл. XI, 4).  [c.131]


Смотреть страницы где упоминается термин Вероятность потенциальная : [c.89]    [c.157]    [c.298]    [c.199]    [c.173]    [c.1102]    [c.1102]    [c.66]    [c.121]    [c.325]    [c.327]    [c.129]   
Приборы для неразрушающего контроля материалов и изделий том 1 (1986) -- [ c.35 , c.36 ]



ПОИСК



Вероятности. Стр Вероятность

Вероятность



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте