Электропроводность кристаллов в слабом электриче

Другие эффекты, связанные е разогревом электронов, 1) В сильном электрич. поле электропроводность полупроводников кубич. сингонии становится анизотропной даже в отсутствие магн. поля (в слабых полях она изотропна). Это связаио преим. с разной заселённостью Г. э. долин зоны проводимости. 2) Изменяются коэфф. диффузии и спектральная плотность флуктуаций тока (см- Флуктуации электрические) возникает анизотропия этих величин даже при изотропной зависимости энергии электронов от квазиимпульса (характеристики шума, измеренные вдоль и поперёк тока, разные). 3 Наблюдается эмиссия Г. э. в вакуум из ненагретых полупроводников. 4) Возникает эдс при однородной темп-ре кристалла, но неоднородном разогреве электронов. [c.520]

Анизотропия подвпзкности не нарушает симметрии равновесных электрич., маге., эл.-механич. и др, свойств кристалла, т. к. они определяются суммарным вкладом всех эквивалентных долин. Напр., в кристаллах кубич, сингоции электропроводность и постоянная Холла в слабых полях изотропны. [c.158]

Р. 3. проявляются в зависимости от d кинетич. коэф. (электропроводности, теплопроводности и др,), описывающих линейный отклик тела на внеш. воздействия (электрич. ноле, градиент темп-ры. и др.), приложенные в плоскости пластины либо вдоль оси проволоки или нитевидного кристалла. Эта зависимость обусловлена рассеянием квазичастиц границей образца. При столкновении с поверхностью импульсы падаюпцей на поверхность квазичастицы (р) и отражённой от поверхности (р ) могут быть строго скоррелированы (зеркальное отражение от идеально гладкой бездефектной поверхности) либо частично скоррелированы иля корреляция полностью отсутствует (диффузное отражение). Если на поверхности адсорбированы примесные атомы либо поверхность слабо шероховата (дефекты), то столкновения квазичастиц с поверхностью описываются угл. распределением импульсов отражённых электронов [c.244]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...