Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

[<< Стр.]    [Стр. >>]

Зависимость коэффициента усиления и фазовой скорости рэлеевской волны от дрейфового поля и параметров кристалла (кривые усиления). На рис. 3.15, а, б изображены кривые усиления рэлеевской волны в кристалле GaAs, рассчитанные на основе дисперсионного уравнения (3.114). Подвижность электронов [х считалась равной 4000 В“1-см -с“  Т = 300 К, фактор ловушек / был принят равным единице. При этом связь   и ?о (в кВ) давалась следующим простым соотношением:   = 1—14 Е -Кривые рассчитаны для двух случаев: сод = оо (рис.3.15, а) и сод = со (рис. 3.15, б). В каждом из случаев рассчитан ряд кривых, соответствующих разным значениям отношения сос/о) электропроводности кристалла к частоте. Для сравнения на рис. 3.16, а, б приведены кри-

[<< Стр.]    [Стр. >>]

ПОИСК



Зависимость коэффициента усиления и фазовой скорости рэлеевской волны от дрейфового поля и параметров кристалла (кривые усиления). На рис. 3.15, а, б изображены кривые усиления рэлеевской волны в кристалле GaAs, рассчитанные на основе дисперсионного уравнения (3.114). Подвижность электронов [х считалась равной 4000 В“1-см -с“ Т = 300 К, фактор ловушек / был принят равным единице. При этом связь и ?о (в кВ) давалась следующим простым соотношением: = 1—14 Е -Кривые рассчитаны для двух случаев: сод = оо (рис.3.15, а) и сод = со (рис. 3.15, б). В каждом из случаев рассчитан ряд кривых, соответствующих разным значениям отношения сос/о) электропроводности кристалла к частоте. Для сравнения на рис. 3.16, а, б приведены кри-

[Выходные данные]

© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте