Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Дефекты в пленках

МВ/см. В полях, больших 10 МВ/см, величина тока увеличивалась сильнее, чем следовало бы из зависимости (2.1). В области полей <6 МВ/см величина тока, протекающего через МДП-структуры, также превышает значения, полученные из зависимости (2.1), что объясняется влиянием дефектов в пленке двуокиси кремния.  [c.119]

Для определения сплошности покрытий используют высокочастотные дефектоскопы ЭД-4 и ЭД-5. На измерении электросопротивления между токопроводящей основой и контактными щетками основан электроконтактный дефектоскоп типа ЛКД-1. Наличие дефекта в пленке определяется по звуковому сигналу и стрелочному индикатору.  [c.110]


Однако эти методы ускоренных испытаний приводят к получению весьма приближенных данных по защитным свойствам смазок, так как очень часто коррозия начинает развиваться в местах расположения дефектов в пленке (непокрытые участки, проникновение электролита под смазку с боковых сторон, скопление воздушных пузырей в смазке и др.).  [c.237]

Образцы с покрытиями подсушивают сначала 15 мин на воздухе, затем 45—50 мин в сушильном шкафу при 70—100°С. С помощью индикаторной головки измеряют толщину образцов с покрытием в нескольких точках рабочей части образца (по диагонали) торцы образцов и дефекты в пленке изолируют обмазкой, содержащей 100 частей церезина, 200 частей канифоли и 200 частей битума.  [c.260]

Но и в средних условиях эксплуатации очень малые молекулы воды (ее диаметр 3-10 л1=0,3 ммк) благодаря своей подвижности и способности быстро растворять в себе углекислый газ, сернистые и другие соединения из воздуха легко находят микропоры и дефекты в пленке, проникают под нее и со временем разрушают защищаемую радиодеталь, вызывая неожиданный выход ее из строя.  [c.84]

Дефекты при получении полимерных пленок. В процессе получения полимерных пленок независимо от способа их получения возможно наличие дефектов в пленке.  [c.161]

Определение сплошности лакокрасочных покрытий проводится с использованием высокочастотных дефектоскопов ЭД-4 и ЭД-5. На измерении электрического сопротивления между токопроводящей основой и контактными щетками основан принцип действия электроконтактного дефектоскопа ЛКД-1. Наличие дефекта в пленке покрытия фиксируют звуковой сигнал и стрелочный индикатор.  [c.145]

Дефектоскоп ЭД-5 представляет собой прибор со световым индикатором, сигнализирующим об обнаружении дефектов в пленках. Если в пленке имеются дефекты, то при соприкосновении с покрытием ярко вспыхивает неоновая лампочка щупа.  [c.205]

Электрическая прочность. Хорошие диэлектрики, как правило, показывают высокие значения и электрической прочности, или пробивного напряжения, которые у покрытий достигают 50— 80 МВ/м, Электрическая прочность, однако, в большой степени зависит от качества покрытия. Наличие слабых мест и дефектов в пленках сильно снижает их электрическую прочность.  [c.133]

Предварительное воздействие газообразным кислородом облегчает последующее пассивирование в растворе. Последующее пассивирование есть как бы только залечивание дефектов в пленке, полученной при химическом газовом окислении. Таким образом, несомненна значительная общность явлений химического окисления в газовой атмосфере и пассивирования в окислительных растворах.  [c.177]

Условие />3т выполняется уже при малых временах при повышенных температурах, когда падение концентрации избыточных дефектов в пленке окисла происходит довольно быстро. При промежуточных температурах наблюдается сложная кинетическая кривая, описываемая уравнением (9), которая только при очень больших временах переходит в параболу со смещенными координатами.  [c.23]


Исследование структуры пленок в процессе их роста позволило определить основные источники дефектов в пленках. К ним относятся следующие.  [c.335]

Коррозионно-механические трещины постепенно зарождаются на металлической поверхности под влиянием локализации анодного процесса и растягивающих напряжений в отдельных ее участках неоднородностях структуры металла, дефектах защитной пленки, поверхностных дефектах (царапины, риски, риски от обработки, трещины и др.).  [c.333]

Г1 — иоры Ш — шлаковые включения В — вольфрамовые включения Р — разностенность О — ослабление корня шва См — смещение кромок размер дефекта — наибольший размер дефекта на пленке, мм.  [c.119]

Распределения плотности состояний в пленках аморфного кремния, не содержащих (а-51) и содержащих (а-5 Н) водород, показаны на рис. 5, в. Сравнивая этот рисунок с рис. 4, г, можно увидеть, что даже в аморфном кремнии, содержащем водород, хвосты валентной зоны, зоны проводимости, а также зона разрешенных состояний в середине запрещенной зоны перекрывают друг друга, образуя непрерывное по энергии распределение локализованных состояний в запрещенной зоне. Однако плотность этих состояний во много раз меньше плотности локализованных состояний аморфного кремния, не содержащего водород. В аморфном кремнии, содержащем водород, плотность состояний примесных (донорных или акцепторных) уровней в запреш,енной зоне выше, чем обусловленных дефектами. В этом случае электрофизические свойства пленок аморфного кремния определяются видом и количеством введенной примеси.  [c.14]

Опыт показывает, что наиболее действенным методом борьбы с этим эффектом является создание двухфазной (многофазной) системы, одна фаза которой обеспечивает собственно защиту, а вторая, значительно более легкоплавкая, заполняет микротрещины, обеспечивая залечивание дефектов. В указанном аспекте развиваются два направления создания многофазной структуры 1) в собственно покрытии [1, 2] 2) не в покрытии, а в образующейся окисной пленке [3]. Эту структуру можно реализовать, вводя в покрытие элементы-модификаторы, окислы которых образуют с кремнеземом эвтектики, либо твердые растворы с пониженной температурой ликвидуса. Например, введение  [c.4]

При действии растягивающих напряжений, уровень которых меньше предела текучести титанового сплава при определенной температуре, возникновение дефектов в оксидной пленке возможно лишь в том случае, если толщина оксидного слоя становится больше некоторого критического значения. Чем выше напряжение, тем при меньших толщинах пленки должны возникать в ней дефекты. Вместе с тем чем выше температура, тем быстрее достигается критическая толщина оксидной пленки. После возникновения микроразрушений в оксидном слое возможно протекание электрохимических реакций, близких к реакциям при коррозионном растрескивании в водных растворах, и химических реакциях, возникающих при контакте титана с солями  [c.76]

Продолжительность инкубационного периода связана с временем, необходимым для образования оксидных пленок критической толщины. Термоциклирование, связанное со снижением температуры до 20°С, приводит к появлению низкотемпературных пленок в местах дефектов, а также к обратимости водородной хрупкости. Рост оксидных пленок в концентраторах напряжений способствует возникновению в пленках контактных напряжений сжатия, исключающих появление трещин.  [c.77]

ЭТОЙ развертки соответствует определенному положению преобразователя на линии сканирования или определенному углу его поворота. Информация об амплитуде сигнала дается изменением яркости строки. Развертка типа С соответствует орто-графическому изображению, аналогичному фотографии на рентгеновской пленке. Оно представляет расположение дефектов в плане.  [c.394]

Диэлектрик с ловушками. В запрещенной зоне диэлектрика часто существуют локальные уровни, созданные примесными атомами или дефектами решетки, которые могут захватывать электроны, инжектированные в пленку, и удерживать их там до тех пор, пока они не будут выброшены в зону проводимости за счет тепловой энергии кристалла. Если через б обозначить отношение времени пребывания электронов в зоне проводимости, когда они могут участвовать в формировании тока, к полному времени пребывания их в диэлектрике, то силу тока в диэлектрике при наличии ловушек можно определить, умножив (10.14) на б  [c.281]


Известные сравнительно давно пленки аморф Ного кремния не имели, однако, какого-либо серьезного практического применения, что было обусловлено в первую очередь невозможностью управления их свойствами, поскольку образование некристаллической трехмерной сетки атомов приводит к возникновению большого количества разрывов связей между атомами в тех местах, где расстояния между ними существенно превышают длину химической связи. Такие разрывы, называемые точечными дефектами (рис. 5, а), вызывают появление в запрещенной зоне дополнительных локализованных состояний. Поскольку количество (концентрация) точечных дефектов в пленках аморфного кремния велико, велика и плотность создаваемых ими локализованных состояний в запрещенной зоне.  [c.13]

Содержащиеся в a-Si H атомы водорода образуют конфигурации типа sSi-H, =Si-H2, -Si-Нз- Соотношение этих конфигураций в пленке в значительной степени зависит от условий выращивания. Полная концентрация водорода в пленках a-Si H, полученных в плазме тлеющего разряда, колеблется в пределах 7...12% (ат.). При нагреве пленок до температур, превышающих 300 °С, происходит частичная потеря водорода. Оборванные связи в a-Si H могут находиться в трех зарядовых состояниях нейтральном, положительном и отрицательном. При этом в нелегированных пленках концентрация заряженных дефектов в 3-4 раза больше, чем концентрация нейтральных. При введении в пленки атомов германия, углерода или азота картина дефектообразования существенно усложняется за счет появления оборванных связей между атомами различных элементов, образующих материал. При этом концентрация дефектов в пленке возрастает с увеличением содержания третьего элемента.  [c.102]

Void — Пора. (1) Усадочная раковина, возникающая в отливках или сварных соединениях во время затвердевания. (2) Термин, обычно применяемый к покраске, чтобы описать пористость и дефекты в пленке.  [c.1070]

Анодные кривые титана в щели и объеме раствора свидетельствуют о значительно более высокой склонности титана к щелевой коррозии по сравнению с коррозией в объеме раствора. Общий вид анодной кривой титана в объеме раствора типичен для анодного поведения легкопассивирующихся металлов в растворах хлоридов и характеризуется потенциалом питтингообразования, равным 1,15 В. Однако по кривым изменения тока во времени видно, что уже при потенциале -(-0,7 В появляются всплески тока, свидетельствующие о зарождении дефектов в пленке, которые в условиях анодной поляризации могут залечиваться вплоть до потенциала пробоя.  [c.51]

Вопрос (Уоддамс). В течение 1950—1951 гг. Эванс и его сотрудники в Кэмбридже доказали влияние ионных дефектов в пленках из окиси железа на их способность вступать в химические реакции. В частности, было показано, что пассивные пленки содержали в себе минимум анионных дефектов. В какой мере Коломбье полагает, что легирующие элементы и элементы, входящие в состав примесей, влияют на концентрацию этих дефектов в окисных пленках на нержавеющей стали и воздействуют на их защитные свойства До сих пор не было опуб-182  [c.182]

Износ лакокрасочных покрытий при. малых давлениях наступает после индукционного периода т д, связанного с накоплением дефектов в пленке. Продолжительность т ,,д, износ и время полного изнашива-  [c.75]

Дальнейшее развитие коррозионных трещин происходит в результате совместного действия трех основных факторов, которые дополняют друг друга 1) электрохимического—неоднородности структуры металла, дефекты защитных пленок, дно коицентра-  [c.334]

Абсолютная чувствительность метода определяется размером минимального дефекта, обнаруживаемого при контроле и выражаемого в миллиметрах. О т п о с и т с л ь и а я чувствительность представляет собой отношение минимального размера выявляемого дефекта в нанравлении нросвечивания к толщине зондируемого элемента и выражается в процентах. Согласно ГОСТ 7512—82 абсолютная чувствительность контроля может быть вдвое меньше числового значения минимального дефекта, который требуется выявить в процессе просвечиваиия. Результаты исследований показывают, что чувствительность контроля тем выше, чем меньню энергия излучения. Чувствительность пленки зависит от условий ее изготовления и фотообработки, а также от жесткости излучения наилучшая чувствительность при = 60. ..80 кэВ.  [c.116]

Механизм КРН латуней был предметом многих исследований. Сплавы высокой чистоты и монокристаллы а-латуни также растрескиваются под напряжением в атмосфере NH3 [27]. В под-тверждение электрохимического механизма показано, что в растворах NH4OH потенциалы границ зерен поликристаллической латуни имеют более отрицательные значения, чем сами зерна. В растворах Fe lg, где коррозионное растрескивание не происходит, не наблюдается и подобного распределения потенциала [28]. Согласно другой точке зрения, на латуни образуется хрупкая оксидная пленка, которая под напряжением постоянно растрескивается, а обнажившийся подлежащий металл подвергается дальнейшему окислению [29, 30]. Возможно также, что структурные дефекты в области границ зерен напряженных медных сплавов способствуют адсорбции комплексов ионов меди с последующим ослаблением металлических связей (растрескивание под действием адсорбции). В соответствии с этим предположением, ионы Вг и С1 действуют как ингибиторы, вытесняя с поверхности комплекс металла (конкурирующая адсорбция).  [c.338]

Введением в сплав легирующих элементов улучшают защитные свойства образующейся оксидной пленки в результате уменьшения числа дефектов в решетке окисла, по которым осуществляется диффузия реагентов (в основном кислорода) или образование высокозащитных двойных (смешанных) окислов, легирующук компонента с основным металлом типа шпинели (Fe rgOi на хромистых сталях  [c.29]

Полированный образец (см. рис. 7.8) устанавливается в вакуумную камеру и нагревается в вакууме пропусканием электрического тока до заданной температуры, контролируемой приваренной к образцу термопарой. В необходимый момент времени в камеру напускается строго дозированная порция воздуха. Под воздействием кислорода на поверхности образца образуется окисная пленка. Ее толш ина зависит от величины поверхностной энергии, которая, в, свою очередь, зависит от кристаллографической ориентации поверхности и плотности дефектов. В результате толщина окисной пленки скачкообразно изменяется при переходе от одного зерна к другому. Регулированием объема вводимого воздуха можно добиться, чтобы толщина пленки не превосходила величины, необходимой для интер--ференции света в видимом диапазоне. Тогда при скачкообразной смене поверхностной ориентации изменяется цвет на участках.  [c.182]


В структуре не наблюдали фрагментов окисной пленки. Тем не менее вполне вероятно, что они не видны из-за большого количества дефектов в структуре. Дифракционная картина, полученная с участка размером 0,5мкм (рис. 1.326 ), представляет собой размытые концентрические окружности. Это свидетельствует о большеугловых разориентировках в сильнодеформированной структуре и значительных внутренних напряжениях. Рефлексы на окружностях связаны с дифракцией на кристаллической решетке Fe.  [c.49]

Четкость снимка — нерезкость изображения определяется воздействием геометрической нерезкости, возникающей из-за неточечности источников излучения, фокусного расстояния (расстояния от источника излучения до изделия), расстояния пленки от изделия, расположения дефекта в изделии, внутренней нерезкости детекторов (пленок, экранов), зернистости изображения, зависящих от свойств детекторов и фотообработки.  [c.19]

Как уже указывалось, внутренние напряжения в пленке передаются подложке через касательные напряжения, действующие у краев пленки, в местах возникновения трещин, на границах окон и ступенек и в других дефектах. Величина этих напряжений определяется упругой силой F = TjjH bh, возникающей в растянутой пленке, и для пленки единичной ширины Ь = 1) растет пропорционально толщине пленки h. Касательные напряжения стремятся оборвать адгезионную связь Ста и отслоить пленку от подложки. Чтобы такого отслаивания не происходило и пленка удерживалась на подложке, необходимо выполнить условие  [c.86]


Смотреть страницы где упоминается термин Дефекты в пленках : [c.116]    [c.775]    [c.215]    [c.246]    [c.26]    [c.72]    [c.372]    [c.370]    [c.398]    [c.136]    [c.372]    [c.170]    [c.103]    [c.153]    [c.3]    [c.19]   
Защита от коррозии старения и биоповреждений машин оборудования и сооружений Т2 (1987) -- [ c.389 ]



ПОИСК



Дефекты оксидные пленки

Дефекты пассивной пленки на магнии

Дефекты пленок покрытий

Дефекты полимерных пленок

Технология генерирования структурных дефектов и фоновых примесей цри эпитаксиальном выращивании пленок кремния



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте