Эквивалентный коэффициент затухания

Обычно "kg (а) называют эквивалентным коэффициентом затухания, а kg а)— эквивалентным коэффициентом упругости, саму же линейную колебательную систему, описываемую уравнением (84), — эквивалентной системой. Сравнивая уравнения [c.71]

Эквивалентная (эффективная) частота свободных колебаний 81, 200 Эквивалентный декремент колебаний 81 Эквивалентный коэффициент затухания 7i [c.351]

Принято называть функцию Fi эквивалентной линейной силой, к эквивалентным коэффициентом затухания, эквивалентным коэффициентом упругости. [c.63]

Режим работы проводникового экрана зависит от соотношения между толщиной его стенки di и эквивалентной глубиной проникновения поля. Если di < Sd, то коэффициент затухания проводникового экрана прямоугольной, цилиндрической и сферической форм равен [c.151]

Коэффициент затухания поперечных волн V в низколегированных сталях строительных конструкций мало варьирует в зависимости от марки стали и в среднем составляет 0,015+0,003 Нп/см на частоте 1,8 МГц 0,017 0,005 НП/ см на частоте 2,5 МГц и 0,03 0,01 На/см на частоте 5 МГц. Использование этих значений позволяет измерять эквивалентный размер дефектов по АРД-диаграммам с достаточной точностью. [c.63]

При параллельном соединении демпфирующих элементов коэффициенты затухания складываются, а при последовательном— складываются величины, обратные коэффициентам затухания. При последовательном соединении двух демпфирующих и двух упругих элементов формулы для суммарного (эквивалентного) демпфирования и жесткости имеют вид [c.11]

Метод пригоден только для контроля поверхностного сдоя толщиной, соизмеримой с длиной рэлеевской волны. Его применение особенно целесообразно в случае, когда форма изделия не позволяет использовать эхо-метод или метод сквозного прозвучивания, когда коэффициент затухания или толщина изделия слишком велики. При определении упругой анизотропии он имеет преимущества по сравнению с другими методами, так как ультразвуковая волна распространяется вдоль поверхности, что эквивалентно смещению отраженного луча. Кроме того, нет необходимости преобразователи для возбуждения сдвиговых волн приклеивать к изделию, и процесс контроля можно автоматизировать. [c.291]

Отсюда определяется величина коэффициента я для соответствующего линейного затухания, эквивалентного в смысле рассеяния энергии заданному. [c.468]

Рис. 3.9. Частотная зависимость е при разных затуханиях (а, б) и коэффициента потерь г" (в) диэлектрика с резонансной поляризацией при различных параметрах эквивалентного осциллятора

Таким образом, коэффициент резонансного увеличения для случая прохождения через резонанс уменьшается на 47% соответственно этому величина амплитуды полученной выше силы Р2 уменьшается до 1,3 /С (вместо 2,5 /С). Следовательно, в приведенном примере эквивалентная статическая сила для пружин при прохождении через резонанс не намного больше, чем в рабочем режиме. В таких случаях можно путем введения в систему соответствующего затухания добиться, чтобы эквивалентная статическая сила для пружин при прохождении через резонанс была не больше, чем в рабочем режиме, т. е. чтобы пружины могли рассчитываться только на рабочий режим машины, что целесообразно с экономической точки зрения. [c.56]

Активное сопротивление Я сварочного контура импульсу сварочного тока, индуктивность Ь контура и емкость С батареи конденсаторов, а также коэффициент трансформации п и напряжение Усо являются важнейшими параметрами, определяющими технологические возможности КМ. Знание этих параметров необходимо при расчете различных элементов силовой части, в том числе сварочного трансформатора, тиристоров, а также при проверке этих параметров в эксплуатации. Для определения индуктивности и активного сопротивления КМ существуют различные методы. Один из них — опыт короткого замыкания сварочного контура, проведенный при пониженном питающем сварочный трансформатор напряжении частотой 50 Гц, после чего активное сопротивление пересчитывается с учетом частоты, эквивалентной импульсу сварочного тока. Другой — отыскание параметров контура по декременту колебаний. Для этого снимается осциллограмма тока разряда, по ней определяется декремент затуханий и производятся соответствующие вычисления. Вычисления получаются проще, а результаты более точными, когда формулы процессов, происходящих в цепи разряда, выражаются в функции параметра р [12]. В этом случае можно легко определять Я, I, С-параметры даже в случае апериодического разряда. [c.52]

При резонансной частоте резонатора, равной сор = проводимость системы обратится в нуль препятствие станет эквивалентным жесткой стенке. При этом резонатор будет совершать интенсивные колебания будет наблюдаться резонанс. Строго говоря, при такой частоте вообще нет установившегося решения — амплитуда колебаний нарастает безгранично. Но если предположить, как всегда в таких случаях, что имеется малое трение, то решение имеется передняя стенка резонатора будет почти неподвижна, а масса будет совершать колебания тем большей амплитуды, чем меньше трение. При достаточно малом затухании такой резонатор дает хорошее приближение к абсолютно жесткой стенке для резонансной частоты, так что гармоническая волна этой частоты, падающая на резонатор, будет отражаться с коэффициентом отражения, весьма близким к -f 1. [c.153]

Необходимо разобраться еще в одном вопросе как учесть неизбежное затухание колебаний осциллятора Физические причины, приводящие к затуханию излучения и связанному с ним уши-рению спектральной линии, были обсуждены выше (см. гл.1). Они сводятся к потере энергии вследствие излучения, к столкновениям, тушащим колебания осцилляторов, и к хаотическому тепловому движению атомов эффект Доплера). При феноменологическом описании можно объединить все эти разнородные процессы, вводя убывающую во времени амплитуду затухающей волны (что эквивалентно использованию комплексного показателя преломления). При составлении уравнения движения осциллирующего электрона для учета затухания нужно ввести тормозящую силу. Запишем ее в виде -gr, где g — некий коэффициент частное от его деления на массу электрона обозначают у и называют коэффициентом затухания. [c.140]

Итак, в первом приближении колебания иссл дуемой нелинейной колебатглыюй системы и некоторой линейной колебательной системы, обладающей коэффициентом затухания kg (а) и коэффициентом упругости kg а), эквивалентны (с точностью до величин порядка малости е ). [c.71]

Метод пригоден только для контроля поверхностного слоя толщинох порядка длины релеевской волны. Его применение особенно целесообразно в случае, когда геометрия изделия не позволяет использовать эхо-метод илп метод сквозного прозвучиваиия, когда коэффициент затухания пли толщина пзделпя слишком велики. Прп определении упругой анизотроппи он пмеет преимущества по сравнению с другими методами, так как ультразвуковая волна распространяется вдоль поверхности, что эквивалентно смещению отраженного луча. [c.253]

В последние годы были достигнуты определенные успехи в разработке способа измереиия площади дефектов поковок н проката. В работе И. Н. Ермолова были рассмотрены некоторые наиболее важные для практики случаи акустического тракта пмпз льсного эхо-дефектоскопа и предложен достаточно точный и удобный метод оценки площади плоских дефектов [2]. Этот. метод базируется на экспери.ментальном измерении макси--мальной амплитуды и.мпульса, отраженного от дефекта, и коэффициента затухания ультразвука в. материале изделия. Подставляя указанные величины в теоретически найденную зависимость, или пользуясь номограммами [3], можно найти площадь плоского дефекта, поверхность которого параллельна плоскости искателя дефектоскопа. Если же форма дефекта значительно отличается от плоской, то можно найти эквивалентный радиус дефекта, т. е. радиус дефекта дископодобной формы, соосно расположенного на таком же расстоянии от поверхности изделия, что и естественный дефект. Общим для описанных. методов 128 [c.128]

Можно добавить несколько слов о затухании поверхностных волн вообще. Затухание волн Ценнека или волн Вейля — Нортона (разд. 17.31) вызывается потерями на джоулево тепло в не-ндеальном проводнике. Для эквивалентных волн на поверхности диэлектрика (Отт) экспоненциального коэффициента затухания не получено. Поверхностные волны, рассматриваемые в настоящих разделах, затухают по совершенно иной причине. Огибая поверхность, они непрерывно рассеивают энергию в направлении вперед по касательной к поверхности. Это рассеивание можно [c.429]

Найденное периодическое решение является всегда устойчивым. Это вытекает из того, что с возрастанием амплитуды колебаний, как следует из рис. 6.22, б, происходит уменьшение эквивалентного коэффициента упругости редуктора (6.136), что приводит в районе нисходяш,ей ветви функции Р ( х э) к ее росту (рис. 6.23). В резуль тате равенство (6.139) превраш,ается в неравенство, соответствую ш,ее получению устойчивости замкнутой системы и затуханию про цессов в ней. Это вызывает уменьшение амплитуды колебаний, т. е восстановление существовавшего режима. Обратная картина [c.218]

Приближенный расчет может быть осуществлен методом, аналогичным использованному в 14.3. При этом следует учесть взаимное влияние параллельных сторон смещенных ромбов, которое проявляется в изменении коэффициента затухания и некотором изменении эквивалентного волнового сопротивления. Пусть I 1 нав =1 1 нав+ 1 нав — погонное нэведенное сопротивление, т. е. приходящееся на единицу длины. Эквивалентное волновое сопротивление антенны [c.296]

Оценка эквивалентной площади 5экв с помощью АРД-диаграмм заключается в измерении аттенюатором дефектоскопа отношения или разности Адеф амплитуд опорного сигнала и сигнала от обнаруженного дефекта. В данном случае нужно знать коэффициент затухания ультразвука. На АРД-диаграмме с учетом затухания находят такую кривую, на которой расположена точка с абсциссой, равной расстоянию до дефекта, и с ординатой, отстоящей от опорного сигнала на величину Ддеф. [c.132]

Уравнение (4-65) аналогично уравнению (4-15), представляющему собой передаточную функцию системы, содержащей двухъемкостный объект, в котором нагрузка приложена между двумя емкостями. Решение для случая слабо демпфированной системы [уравнение (4-17)] и характерные кривые, приведенные на рис, 4-6, указывают на то, что максимальное отклонение, вызванное возмущением по нагрузке, может в несколько раз превышать новое установившееся значение, если Тпза велико по сравнению с Т [Гизм эквивалентно Тх в уравнении (4-16) и на рис. 4-6]. Измеренное перерегулирование меньше удвоенного установившегося значения, так как уравнение для 0пзм/ л имеет тот же вид, что и для случая изменения заданного значения. Когда инерция измерительного устройства и инерция объекта одинаковы и коэффициент усиления регулятора выбран таким образом, что декремент затухания равен 0,25, соответствующие уравнения для единичного ступенчатого возмущения по нагрузке имеют вид-. [c.116]

Для назначения параметров рабочей клети и привода прокатного стана устанавливается влияние его конструкции на динамические нагрузки. Численные расчеты проведены на вычислительной машине для различных вариантов. Изменение жесткости Л1ШИН привода при прочих постоянных параметрах эквивалентно изменению собственной частоты системы. Необходимо учитывать возможность резонанса, чтобы избежать многократных перегрузок (табл. 8). Для четырехвалкового планетарного стана, когда Т = 0,07 сек и время обжатия равно 0,03 сек, собственную частоту системы следует выбирать в пределах 110—150 Мсек, что конструктивно достижимо. В этом случае коэффициент динамичности не превышает 1,2. При значительном декременте затухания б = = 0,4 4-0,5 увеличение жесткости системы является допустимым. [c.191]

Схемы усилителей на лампе, биполярном и полевом транзисторах показаны на р.ис. 1.16. Частичное подключение входного контура в схеме, рис. 1.16,6 выполнено для согласования входного сопротивления усилителя с эквивалентным сопротивлением контура. Уменьшение коэффициента включения цепи базы транзистора в контур улучшает его избирательность за счет уменьшения шунтирования контура. Выходной контур связан с коллекторной г епью транзистора через катушку связи, число витков которой определяется допустимым затуханием, вносимым выходным сопротивлением транзибтора в контур. Входное сопротивление полевого транзистора велике и не вносит дополнительного затухания в контур. Диоды типа Д106 обеспечивают защиту затвора транзистора от пробоя высоковольтным потенциалом в результате всевозможных наводок. [c.27]

Чтобы достичь высокого значения параметра ДГ, необходимо использовать широкополосный недисперсионный преобразователь совместно с дисперсионным. Как следует из характеристики, представленной на рис. 9.3, которую можио получить из модели эквивалентной схемы, увеличение ширины полосы выше определенного значения приводит к увеличению вносимого затухания, особенно для подложек с низким коэффициентом электромеханической связи. Возрастание параметра ВТ у фильтра для сжатия сигналов (рис. 9.1,6) вызывает уменьшение динамического диапазона. [c.423]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...