Время жизни излучательное

ОСНОВНОГО состояния запрещены по спину. Однако согласно принципу Франка — Кондона можно ожидать, что сечение возбуждения уровня 0 = 0 С-состояния будет больше, чем сечение возбуждения уровня 0 = 0 В-состояния. Действительно, положение минимума потенциальной кривой В-состояния сдвинуто в область, соответствующую большему межъядерному расстоянию, чем в случае С-состояния. Время жизни (излучательное) С-со- [c.380]

Время жизни излучательное 102 [c.546]

В качестве заключительного комментария к этому разделу мы вновь подчеркнем, что полученные нами результаты справедливы лишь тогда, когда можно считать, что уровень 1 является пустым. Это выполняется в случае, когда tj т, где Т) — время жизни уровня 1. Если tj сравнимо с т, то предыдущие уравнения необходимо видоизменить. Особенно простой случай реализуется тогда, когда время жизни %2i (излучательное плюс безызлучательное) перехода 2->1 равно полному времени жизни уровня 2 (т. е. T2g->-oo). В этом случае после несколько утомительных, но простых вычислений можно показать, что выражения (5.26), (5.29а), (5.30) и (5.33) остаются справедливыми, в то время как соотношение (5.27) в рамках приближения N -С Nt принимает вид [c.249]

Когда метастабильные атомы содержатся в газе, находящемся при низком давлении в объеме с подходящими размерами, время жизни обычно не определяется вероятностью запрещенных излучательных переходов. Наиболее важные механизмы деактивации следующие [c.277]

Время жизни носителей. Время жизни г — время, характеризующее экспоненциальный спад неравновесной концентрации носителей в результате их рекомбинации. Существуют следующие механизмы рекомбинации излучательный (энергия рекомбинирующей пары электрон — дырка излучается в виде фотона), фонон-ный (энергия пары передается решетке), ударный (энергия пары передается третьей частице). [c.341]

Прямые экспериментальные исследования скоростей МБР в стеклах и кристаллах обычно построены на том, что наблюдаемое время жизни -го возбужденного уровня РЗ-иона т,- определяется суммой двух видов релаксаций с этого уровня — излучательной и безызлучательной [c.46]

I предиссоциации, включая нарушение правила спина А5=0. Из-за этого нарушения время жизни %i больше по крайней мере в 10 раз, чем если бы выполнялось правило А5 = О и имелся бы фактически случай II предиссоциации. Для того чтобы протекали реакции (IV,28), первичный ион должен иметь, конечно, достаточный запас колебательной энергии. Этот запас колебательной энергии получается, вероятно, из первоначального электронного возбуждения исходного иона, за которым следует излучательный переход в основное состояние. Непосредственное образование маловероятно из-за действия принципа Франка — Кондона, так как межъядерные расстояния и углы в основных состояниях данных ионов очень сходны с параметрами нейтральных молекул. [c.485]

Рассмотрим большой однородный полупроводниковый кристалл, в котором отсутствуют неоднородные токи, так что уравнение непрерывности для избыточных электронов и р дырок не зависит от пространственных координат. В равновесном состоянии в 1 см полупроводника содержится электронов и р дырок, а в неравновесном Пд -(- Пе электронов и Ро + ДЫрОК. ВеЛИЧИНЫ Ио, Ри и Пе достаточно малы, так что величины Ер, Рп и Р находятся внутри запрещенной зоны и лежат на расстоянии в несколько кТ от ее границ (как и в случае, изображенном на фиг. 16.3.1). Показать, что излучательное время жизни Тд избыточных носителей пропорционально величине п р Кп + Ри + п ). Решить уравнение для убывания числа носителей после прекращения вызванной извне генерации (использовать обозначение Тдо для времени жизни в пределе слабого возмущения, когда достаточно мало). Показать, что сколь угодно большое отклонение от равновесия должно затухать до значения, соответствующего слабому возмущению, за время Тдо- [c.415]

Инжекционная люминесценция, обусловленная излучательной рекомбинацией, есть результат спонтанных зона-зонных электронных переходов. В присутствии электромагнитного излучения с подходящей длиной волны могут также наблюдаться индуцированные переходы между электронными состояниями. При переходе между состояниями с энергией 61 и ег >63) излучение имеет частоту /2, = — г )/к, т. е. в свободном пространстве > 21 — — 61), где/1 — постоянная Планка. При взаимодействии излучения с атомом, находящимся в нижнем энергетическом состоянии, может произойти поглощение кванта излучения п атом перейдет на верхний уровень. Когда во взаимодействии участвует атом, находящийся в верхнем энергетическом состоянии, вместо спонтанного излучения может произойти излучение индуцированного кванта. Вследствие этого при наличии излучения уменьшается среднее время жизни возбужденного состояния. Любой квант индуцированного излучения имеет одинаковую частоту и фазу с индуцирующим. Они когерентны. [c.265]

Для германия и кремния изоэлектронными примесями являются элементы из IVA подгруппы — РЬ, Sn и С. Примеси подобного рода не изменяют концентрацию носителей заряда, однако могут влиять на времена жизни свободных носителей заряда и вносить вклад в излучательную рекомбинацию. [c.130]

Здесь — интегральное (по спектру) сечение излучения, Т21 — излучательное время жизни резонансного уровня. Коэф- [c.418]

В процессе релаксации возможны излучательные переходы с квазиуровней, и в спектре люминесценции наблюдаются максимумы, разделённые интервалами nh i Q. Поскольку процессы LO-релаксации идут весьма быстро (т 10 11—10 с), интенсивность Г. л. обычно очень мала. Самый низкий уровень акситона, достигаемый при LO-релаксации, имеет значительно большее время жизни, т, к. дальнейшая релаксация возможна лишь с участием акустич. фопонов и идёт значительно медленнее. Поэтому Г. л. с нижнего уровня существенно интенсивнее, чем с более высоких (горячих) уровней экситона. [c.517]

Видно, что спонтанное излучательное время жизни достаточно просто связано с интегральным сечением перехода. Соотношение (2.117) особенно полезно, когда трудно измерить Тспонт, что имеет место для переходов с очень низким квантовым выходом [c.66]

Излучательное время жизни Тспонт очень невелико (всего несколько наносекунд), что обусловлено большой величиной матричного элемента дипольного момента ji. Поскольку feir. как правило, значительно больше ( 100 не), наибольшее число молекул из состояния 5i будет релаксировать за счет флуоресценции. Поэтому квантовый выход флуоресценции (число испущенных за счет флуоресценции фотонов, деленное на число атомов, переведенных в состояние 5i) близок к единице. Действительно, для квантового выхода [см. (2.126)] имеем [c.391]

В то же время из выражения (2,116) находим, что (при Av = 0) 1/стт(0)Avq. На частотах УФ- и ВУФ-диапазонов при умеренных давлениях можно считать, что ширина линии Avo определяется доплеровским уширением. Следовательно [см, (2,78)], Avo Vo, поэтому dPno /dV увеличивается как (если положить Vp л Vo). При более высоких частотах, соответствующих рентгеновскому диапазону, ширина линии определяется естественным уширением, так как излучательное время жизни становится очень коротким (порядка фемтосекунд). В этом случае Avo Vq и dP JdV увеличивается как v . Таким образом, если мы, к примеру, перейдем из зеленой области (Х = 500 нм) всего лишь в мягкий рентген (X л 10 нм), то длина волны уменьшится в 50 раз, а dP op dV увеличится на несколько порядков С практической точки зрения заметим, что многослойные диэлектрические зеркала в рентгеновской области обладают большими потерями и трудны в изготовлении. Основная проблема состоит в том, что в этом диапазоне разница в показателях преломления различных материалов оказывается очень малой. Поэтому для получения приемлемых коэффициентов отражения необходимо использовать большое число (сотни) диэлектрических слоев, а рассеяние света на столь большом числе поверхностей раздела приводит к очень большим потерям. Поэтому до сих пор рентгеновские лазеры работают без зеркал в режиме УСИ (усиленное спонтанное излучение), [c.434]

Излучательные переходы имеют обратную закономерность чем больше расстояние между анергет ичесюими уровнями, тем более они вероятны и тем мень> ше их время. Исключение составляют так называемые запрещенные оптические переходы, совершающиеся между уровнями с одинаковой четностью. Для таких переходов время жизни оказывается значительно большим (10" с), чем время разрешенных оптических переходов (10 8 с), и существенно меняется для различных типов кристаллов. [c.20]

Суммирование в (1.17) проводится по всем излучательным переходам из начального состояния 1(5, L)J). Эта сумма определяет и излучательное время жизни терма 1(5, )/), равное [c.25]

В принципе световое и вообще электромагнитное поле содержит все возможные длины волн, направления распространения и на правления поляризации. Но главное назначение лазера как прибора состоит в генерации света с определенными характеристиками. Первый этап селекции, а именно по частоте, достигается выбором лазерного материала. Частота V испускаемого света определяется формулой Бора Ну = и нач — конечн и фиксируется выбором уровней энергии активной среды. Разумеется, линии оптических переходов не являются резкими, а по различным причинам уширены. Причиной уширения могут быть конечные времена жизни уровней вследствие излучательных переходов или столкновений, неоднородность кристаллических полей и т. д. Для дальнейшей селекции частот используются оптические резонаторы. В простейшем СВЧ-резонаторе, стенки которого имеют бесконечно высокую проводимость, могут существовать стоячие волны с дискретными частотами. Эти волны являются собственными модами резонатора. Когда ученые пытались распространить принцип мазера на оптическую область спектра, было не ясно, будут ли вообще моды у резонатора, образованного двумя зеркалами и не имеющего боковых стенок (рис. 3.1). Вследствие дифракции и потерь на пропускание в зеркалах в таком открытом резонаторе не может длительно существовать стационарное поле. Оказалось, однако, что представление о типах колебаний (модах) с успехом может быть применено и к открытому резонатору. Первое доказательство было дано с помощью компьютерных вычислений. Фокс и Ли рассмотрели систему двух плоских параллельных зеркал и задали начальное распределение поля на одном из зеркал. Затем они исследовали распространение излучения и его отражение. После первых шагов начальное световое поле рассеивалось и его амплитуда уменьшалась. Однако после, скажем, 50 двойных проходов мода поля приобретала некую окончательную форму и ее амплитуда понижалась в одно и тоже число раз при каждом отражении (с постоянным коэффициентом отражения. Стало ясно, как обобщить понятие моды на случай открытого резонатора. Это такая конфигурация поля, которая не изменяется [c.64]

В то же время для межзонных переходов с возбуждением экситона, у которого излучательное и безызлучательное времена жизни сопоставимы и величины гр vi А имеют один порядок, введение Osqw нецелесообразно (подробнее об экситонных оптических спектрах см. п. 3.5). [c.40]

Температурное уширение квазилиний обусловливается изменением упругих постоянных, ангармонизмом колебаний, неадиабатичностью и зависимостью силы осциллятора электронного перехода от колебаний. Последний фактор уменьшает время жизни электронного состояния и соответственно уширяет линии по сравнению с первоначальной радиационной шириной. Изменение упругих постоянных (точнее, та часть его, которая приводит к перепутыванию нормальных координат кристаллических колебаний, т. е. к изменению осей системы нормальных координат кристаллических колебаний ири электронном переходе) и ангармонизм колебаний (точнее, ангармонические члены связи между колебаниями, обусловливающие релаксацию) приводят к температурным уширениям, которые можно для наглядности сопоставить временам колебательной релаксации. Характерные времена колебательной релаксации меньше электронных времен кизни в 10 —10 раз уже для разрешенных излучательных электронных переходов. Поэтому увшрения, обусловленные изменением упругих постоянных и ангармонизмом, играют обычно преобладающую роль. [c.26]

Максимизация выходной мощности непрерывного лазера. Максимальная выходная мощность лазера, как и мощность любого другого генератора, развивается при оптимальном подборе выходной нагрузки (для лазера роль последней играют излучательные потери через выходное зеркало). Таким образом, оптимизации подлежит коэффициент пропускания Т = 1 — R (R — коэффициент отражения) выходного зеркала и, следовательно, изл)Д1ательное время жизни фотона в резонаторе лазера г . [c.20]

Величина С в приведенном выше выражении определяется матричным элементом перехода между зонами, плотностью состояний и т. д. Поэтому при заданных объемных плотностях свободных носителей от значения С зависит, будет ли излучательное время жизни Тл большой или малой величиной. Преобразуя выражение (16.4.6), можно записать излучательное время жизни в виде [c.417]

Действие уменьшения т,, при постоянной т иллюстрируется рис. 8.14. Необходимо по возможности уменьшить излучательное время жизни т . При этом возрастает как квантовая эффективность на низких частотах модуляции, так и высокочастотная граница. Соотношения (8.4.13) и (8.4.14) показывают, что уменьшения т , т. е. увеличения Лвнут/т. можно добиться, увеличивая степень легирования и уровень инжекции. Ограничение обусловлено тем, что при значительных уровнях легирования уменьшается безызлучательное время жизни и падает [c.236]

К электрически неактивным примесям в полупроводниках относятся изоэлектронные примеси. Довольно часто электрически неактивными примесями в полупроводниках бывают такие примеси, как водород, кислород, азот, а также примеси некоторых элементов, размещающиеся в междоузлиях кристаллической рещетки полупроводника. Примеси подобного рода не изменяют концентрацию носителей заряда, однако могут влиять на времена жизни свободных носителей заряда и вносить вклад в излучательную рекомбинацию. [c.120]

Приме.чания — температура приемника излучения ф — температура фона е — излучательная (поглощательная) способность чувствительного слоя приемника а =5,67-10 8 Вт-м -К" — постоянная закона Стефана — Больцмана А — площадь чувствительного слоя А—1,38 10 Вт-с К — постоянная Больцмана с — теплоемкость приемника —постоянная тепловых потерь приемника в окружающую среду f — частота модуляции Л=6,62-10 з Вт с — постоянная Планка е—К —заряд электрона 0 — установившееся значение тока в цепн — время жизни носителей N — общее число носителей в зоне проводимости а — подвижность носителей а, р, А постоянные коэффициенты для конкретного типа приемника V—оптическая частота излучения V — напряжение питания приемника v — монохроматический поток излучения. [c.37]

Излучательные К. ц. могут быть спонтанными, не зависящими от внеш. воздействий на квант, систему (спонтанное испускание фотона), и вынужденными, происходящими под действием внеш. эл.-магн. излучения резонансной [удовлетворяющей соотношению ( )] частоты V (поглощение и вынужденное испускание фотона). Из-за спонтанного испускания квант, система может находиться на возбуждённом уровне энергии ё с лишь нек-рое кон. время, а затем скачкообразно переходит на к.-н. более низкий зфовень. Ср. продолжительность Тд пребывания системы на возбуждённом уровне ё наз. временем жизни на уров-н е. Чем меньше тем больше вероятность перехода системы в состояние с низшей энергией. Величина 1/т , определяющая ср- число фотонов, испускаемых одной ч-цей (атомом, молекулой) в 1 с, наз. вероятностью спонтанного испусканйя с уровня ё -Для вынужденного К. п. число переходов пропорц. плотности излучения резонансной частоты V, т. е. энергии фотонов частоты V, находящихся в [c.277]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...