Инжекционная люминесценция

Излучение, возникающее при рекомбинации электронов и дырок, которые появляются в результате прямого смещения на переходе, известно как инжекционная люминесценция. Свет в процессе распространения по полупроводнику рождает электронно-дырочную пару, в результате чего происходит поглощение фотона. Если же к полупроводнику приложено электрическое напряжение, электроны и дырки будут разнесены в пространстве и можно заметить изменение электрического тока, если полупроводник включен в соответствующую схему. Здесь будут описаны свойства полупроводниковых материалов, которые могут быть использованы для генерации или детектирования света. [c.192]

Одним из результатов рекомбинации может явиться рождение фотона вследствие инжекционной люминесценции. Рассмотрим этот процесс более тщательно, чтобы понять принцип действия источников оптического излучения. [c.203]

Эффективность инжекционной люминесценции зависит от преобладания прямой зона — зонной излучательной рекомбинации над другими механизмами рекомбинации, показанными на рис. 8.1. Это реализуется в прямозонном материале. [c.238]

Инжекционная люминесценция, обусловленная излучательной рекомбинацией, есть результат спонтанных зона-зонных электронных переходов. В присутствии электромагнитного излучения с подходящей длиной волны могут также наблюдаться индуцированные переходы между электронными состояниями. При переходе между состояниями с энергией 61 и ег >63) излучение имеет частоту /2, = — г )/к, т. е. в свободном пространстве > 21 — — 61), где/1 — постоянная Планка. При взаимодействии излучения с атомом, находящимся в нижнем энергетическом состоянии, может произойти поглощение кванта излучения п атом перейдет на верхний уровень. Когда во взаимодействии участвует атом, находящийся в верхнем энергетическом состоянии, вместо спонтанного излучения может произойти излучение индуцированного кванта. Вследствие этого при наличии излучения уменьшается среднее время жизни возбужденного состояния. Любой квант индуцированного излучения имеет одинаковую частоту и фазу с индуцирующим. Они когерентны. [c.265]

Внешнее напряжение V понижает потенциальный баркр на границе р- и п-областеИ и сетдает условия для инжекции электронов в р-область и дырок в п- область. Возникающее излучение называется поэтому инжекционной люминесценцией. [c.219]

Оптический источник для оптоволоконной системы связи должен иметь высокую энергетическую яркость в узкой полосе частот в диапазоне длин волн 0,8. .. 1,7 мк.м, выходное излучение должно легко модулироваться, площадь излучающей поверхности не должна быть больше сердцевины волокна, угловое распределение излучения должно быть по возможности, согласовано с волокном. Обычно от опгических источников добиваются максимальной мощности излучения и светового потока Важными параметрами являются коэффициент полезного действия, стоимость и надежность прибора и стабильность выходной мощности (медленный дрейф и высокочастотные флуктуации). Полупроводниковые источники, излучающие свет из р-л-перехода в процессе инжекционной люминесценции, удовлетворяют этим требованиям лучше, чем какие-либо другие. [c.190]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...