Схема планарная

Широкое применение для измерения электрических характеристик объекта контроля нашли односторонние емкостные накладные датчики [3, 4]. На рисунке 1.1 показана расчетная схема планарного преобразователя с охранным электродом. [c.9]

Рис. 1.1. Расчетная схема планарного преобразователя с охранным электродом

Планарная машинная графика рассматривает задачи, которые ориентированы на конкретного пользователя. Задачи планарной машинной графики решают обычно по схеме намечают графические объекты, являющиеся для данного класса задач стандартными (непроизводными) разрабатывают алгоритмы и программы объединения непроизводных объектов в некоторые составные объекты, являющиеся результатом решения задачи. [c.158]

Рис. 3.11. Электрическая схема ИС (а) и последовательность формирования топологии полупроводниковой ИС ао планарно-эпитаксиальной технологии (б)

Электроизоляционные неорганические пленки применяются не только как диэлектрик пленочных конденсаторов, но и как разделительная изоляция в пленочных активных приборах, например в планарных триодах, и изоляция соединений элементов в интегральных схемах. В активных приборах изоляция должна обеспечивать малые токи утечки и низкий tg б в криогенных приборах, кроме того, необходимо сохранение этих свойств в широком интервале температур от комнатной до температуры жидкого гелия. Изоляция соединений должна обладать малой емкостью с тем, чтобы уменьшить паразитные емкости. Во всех [c.262]

Транзисторы. Для создания на полупроводниковой пластине транзисторов применяются планарная и планарно-эпитаксиальная топологии, используемые также для изготовления отдельных современных транзисторов. Различие в характеристиках транзисторов полупроводниковых микросхем и отдельных транзисторов может быть обусловлено свойствами изолирующей области, в которой находится транзистор на пластине твердой схемы. [c.700]

В конструкции соединительного монтажа печатных плат выделяют следующие основные элементы токопроводящий рисунок наружных поверхностей печатной платы (внешних слоев) и внутренних слоев проводимости, межслойные переходы, сквозные отверстия и иногда навесные токопроводящие шины. Рисунок токопроводящих слоев печатных плат состоит из контактных площадок и печатных проводников различной ширины. Различают планарные контактные площадки прямоугольной формы для монтажа планарных выводов элементов и контактные площадки металлизированных сквозных отверстий для монтажа жестких штыревых выводов элементов. Печатные проводники предназначены либо для электрического соединения элементов согласно электрической схеме соединений ячейки (имеют нерегулярную структуру и проектируются индивидуально), либо для разводки на плате цепей специального назначения — заземления, питания и др. (являются стандартными для плат определенного типоразмера и часто имеют регулярную структуру). В многослойных печатных платах цепи заземления и питания обычно размещаются в одном (внутреннем) слое и подключаются к контактным площадкам путем соединения с соответствующими металлизированными [c.177]

Использование эпитаксиальных пленок в электронной промышленности позволило существенно улучшить характеристики туннельных и лазерных диодов, разработать технологию получения транзисторов с высоким коэффициентом усиления на высоких частотах, мощных и высоковольтных транзисторов. На применении эпитаксиальных слоев основано производство таких приборов, как планарные полевые транзисторы, выполненные на структуре металл-окисел-полупроводник с изоляцией У-образными канавками (У-МОП). Эпитаксиальные структуры также используются для улучшения характеристик памяти с произвольным доступом и комплементарных интегральных МОП-схем. Новые перспективы в технике открыло применение эпитаксиальных гетероструктур, создание которых другими методами затруднено, в полупроводниковых приборах (например, для изготовления инжекционных лазеров). Кроме того, эпитаксия дает возможность получения многослойных структур со свойствами каждого слоя, практически не зависящими от свойств предыдущего слоя. Это открывает широкие возможности для разработки качественно новых типов электронных приборов. [c.322]

Из указанных методов в настоящее время наиболее известным и щироко применяемым является метод напыления в планарных магнетронных распылительных системах, принципиальная схема которых приведена на [c.471]

Приведенный выше метод составления дуальных схем пригоден для планарных цепей, т, е. таких, которые могут быть изображены на плос- [c.286]

В полупроводниковой (твердой) схеме все элементы формируются в объеме и на поверхности подложки полупроводниковые схемы создаются по так называемой планарной технологии, объединяющей методы фотолитографии и локальной диффузии, осуществляемой с помощью масок. [c.150]

При конструировании схем к их топологическому чертежу предъявляется требование получения, либо плоского изображения схем, либо плоского изображения частей схем. В этой связи возникает задача определения планарности графа. [c.211]

Основное преимущество всех описанных моделей — адекватное задание в смысле планарности. Доказано, что если один из описанных графов схемы планарен, то планарна и представляемая им схема. [c.219]

Оказывается, возникающие проблемы могут быть достаточно просто решены, если от принципиальных схем механизмов перейти к их изображениям в виде специальных графов размещения. При этом процесс исследования геометрической совместности схем заменяется анализом планарности графов [24, 23], отображающих только те свойства схем, которые являются существенными для размещения механизма в пространстве. Если при анализе графов окажется, что они планарны, то делается вывод о геометрической совместности соответствующей схемы. В противном случае, механизм не может быть размещен в пространстве без пересечения звеньев. [c.176]

Гетеролазеры и гетерофотоприём-н и к и, используемые в сочетании с плёночными полупроводниковыми Болиоводами, могут выполняться на основе единой Г. и на общей полупроводниковой подложке объединяться (интегрироваться) в оптич. схему (методами планарной технологии). Для управления условиями генерации и распространения света часто используются сложные Г., активный слой к-рых состоит из неск. слоев постоянного или плавно изменяющегося состава с соответствующим изменением Sg. Помимо локализации света в пределах одного или неск, слоёв в плоскости ГП, при создании интегрально-оптнч. схем возникает необходимость дополнит, локализации световых потоков в плоскости волноводных слоёв (в плоскости ГП). Такие волноводы наз. полосковыми и создаются изменением либо состава и свойств полупроводника в плоскости ВОЛ1ГОВОДНОГО слоя, либо толщины слоёв, Встраивание гетеролазера в волноводную схему осуществляется с помощью оптического резонатора, образуемого периодич, модуляцией толщины волноводного слоя. При определ. выборе периода модуляции благодаря дифракции в волноводе возникает волна, бегущая в обратном направлении. В результате формируется распределённое отражение света (см. Интегральная оптика). [c.449]

Для формирования требуемой конфигурации отд. планарных элементов и составленных из пих оптич. интегральных узлов применяется гл. обр. фотолитография. Для создания монолитных схем И. о. используются полупроводниковые соединения АШВ и твёрдые растворы на их основе. Монокристаллы диэлектриков, так же как н иыобат и танталат лития,. широко используются для ИЗГОТОИЛОШ1Я ра.эл. типов интегрально-оптических модуляторов, дефлетсторов, переключателей, акустооптич. устройств обработки информации и т. д. [c.154]

В настоящее время достаточно ясно сформировались две тенденции, два подхода к конструированию управляемых устройств. Первая из них основана на применении преимущественно планарной технологии микрополосковых линий, опирающейся на классические решения с тщательной проработкой вопросов проектирования н синтеза [10]. Вторая тенденция базируется на использовании так называемых объемншх интегральных схем (ОИС) — сложных полосковых структур, таящих в себе богатые функциональные возможности [4, 6]. Надо отметить, что критерий оценки сложная нли простая для полосковых линий в большей мере относится не к конструкции и технологии их производства, а в основном к методам расчета параметров. При этом все еще велика роль экспериментальной отработки устройств в процессе их создания. Отсюда также ясно, что в практике проектирования приобретают большое значение обоснованные н экспериментально проверенные модели полосковых структур н устройств на их основе. [c.3]

В технике СВЧ используются диэлектрические материалы различного типа полимеры, слоистые пластики, ситаллы, ерамика, монокристаллы. Диапазон технического применения этих материалов весьма широ,к. В настоящем параграфе, однако, рассматриваются только такие диэлектрики, которые существенно уменьшают габариты СВЧ-электронных схем, т. е. диэлектрики с высокой диэлектрической проницаемостью (е>30). Эффект миниатюризации основан на гом, что длина электромагнитной волны в диэлектрике сокращается в j/ е раз, при этом планарные размеры микросхемы СВЧ уменьшаются соответственио в Е раз. Диэлектрики с высокой проницаемостью применяются в технике СВЧ в качестве диэлектрических резонаторов, подложек микросхем, фильтровых конденсаторов, нелинейных и управляющих элементов и др. Очевидно, такие диэлектрики во много.м определяют развитие СВЧ-микроэлектроники [31]. [c.88]

Как при изготовлении собственно волноводных структур, так и при оформлении систем управляющих электродов используются различные виды микролитографических процессов, разработанных и широко применяемых в классической планарной технологии полупроводниковых интегральных схем. Применение сложных ге-теропереходных структур на основе полупроводников А В , таких, как тройные системы арсенид галлия-алюминия или четверные ар-сенид-фосфид галлия-индия, позволило создать первые варианты [c.219]

Резюмируя, можно полностью согласиться с утверждением [96], что интегрально-оптические корреляторы с временным интегрированием могут быть успешно применены для корреляционной обработки достаточно широкополосных сигналов с длительностью от единиц до сотен миллисекунд, широко используемых в локации, связи, телевидении, научном приборостроении. Оптимальной является обработка потока сигналов при объединении функциональных элементов процесса на одной подложке. Примером осуществимости технологии может служить работа [103], в которой описан широкополосный брэгговский дефлектор, использующий оптические волноводы на кремниевой подложке. Понятно, что использованные технологические приемы разрешают создание и более сложного по архитектуре планарного акустооптического процессора. Схема устройства приведена на рис. 7.10. Как видно из рисунка, брэгговская ячейка сформирована из четырех слоев (SiOg, 51зЫ4, SiOg, ZnO), последовательно наращенных на кремниевую подложку. В качестве волновода используется слой нитрида кремния, в [c.228]

Переходя к анализу второго из указанных случаев, когда = О, а = а(г,<), отметим, что здесь векторный потенциал а является чисто поперечным ((Лу а = д р/ сЫ) = 0), а сдвиговая напряженность X = -9a/( ai) обусловлена временнбй зависимостью векторного потенциала. При этом знак перед слагаемым А А = -а совпадает с наблюдающимся в случае сверхпроводника, помещенного в магнитное поле. В результате анализ вязко-упругого поведения конденсированной среды сводится к стандартному исследованию схемы Гинзбурга—Ландау [214]. Так оказывается, что устойчивое смешанное состояние может быть реализовано только в хрупких материалах, где выполняется условие к 2 . Поскольку вектор сдвига х является полярным, а не аксиальным, то в отличие от структуры, появляющейся в поле поворота это состояние имеет планарную симметрию. Образующаяся в результате ламинарная структура представляет чередование неупорядоченных областей размером а и упорядоченных протяженностью х А в окрестности неупорядоченных областей ж А величина смещения имеет намного большее значение, чем на периферии (в центре упорядоченной фазы). Легко ви- [c.238]

Элементы, устанавливаемые на печатных платах, различаются габаритами, числом и типом выводов, их расположением. Элементы могут иметь корпуса различных конструкций или бескор-пусное исполнение. Корпуса бывают с плоскими (планарными) или штыревыми выводами. Минимальное расстояние между выводами, как правило, постоянно. Наиболее распространен шаг расположения выводов, равный 1,25 мм для планарных и 2,5 мм для штыревых. К элементам относятся также соединители для подключения внешних цепей к электрической схеме печатной платы. Соединители размещаются у краев печатных плат и содержат планарные или сквозные контактные площадки, к которым припаиваются металлические лепестки, соединенные с контактами вилки разъема, устанавливаемого на печатной плате. [c.177]

Алгоритмы размещения элементов, учитывающие последующую однослойную реализацию соединений, включают исследование возможности расположения соединений на плоскости без пересечений. Эта задача связана с анализом планарности модели схемы соединений, выделением максимальной планарной части схемы, формированием плоской укладки соединений модели схемы с по- [c.184]

Топологическая модель применяется при выполнении планаризации схемы. Особенностью топологических моделей является представление электрических цепей графом типа звезда , в котором вершины соответствуют данной цепи и связанным с ней выродам, а ребра — соединениям (сигнальные ребра) (рис. 7.25, а, б). Элементы представляются графами, в которых вершины соответствуют элементу и его выводам (рис. 7.26, а), а ребра отражают взаимосвязи между элементом и выводами (структурные ребра) (рис. 7.26, б). Структурные ребра между выводами элемента отражают порядок следования выводов элемента. Возможны и другие представления элемента, например только совокупностью его выводов (рис. 7.26, б). Чтобы отразить возможность проведения соединения на площади элемента, вводятся фиктивные (структурные) вершины ь/ и иг на рис. 7.26, в). Плана-ризация топологической модели схемы проводится с помощью хорошо отработанных алгоритмов планаризации графов [1]. В случае непланарности определяется минимальное число ребер, при удалении которых модель становится планарной. [c.184]

Трассировка соединений в однослойных печатных платах для планарных моделей схем осложняется метрически.ми ограничениями, поэтому ее целесообразно проводить итерационно предварительная трассировка переразмещение (сдвиг элементов, поворот элементов) окончательная трассировка. Непосредственная реализа- [c.184]

Топологические методы трассировки дают хорошие результаты при проектировании многослойных плат. Развитие этих методов связано с анализом приемов ручной трассировки. Так, конструктор на первом этапе создает эскиз размещения трасс, определяя их взаимное положение, затем фиксирует трассы, причем на любом этапе трассировки он может снимать отдельные мешающие трассы и размещать их заново. Топологический метод (подход) при трассировке включает этапы построения модели схемы соединений анализа планарности схемы и определения ее плоской укладки построения топологической модели слоя многослойной платы определения топологической и геометрической укладок модели схемы на модели слоя. Топологическая модель слоя описывает укладку схемы [c.191]

По мере перемещения в правый нижний угол классификационной схемы на рис. 10.34 доля оптических элементов увеличивается до тех пор, пока не получается чисто оптическая архитектура. Прнмер оптического компьютера с разбиением на мелкие структурные элементы и сильной связью между элементами показан на рис. 10.36. Хотя никто еще не построил подобный компьютер, технически возможно создать систему, состоящую из 1 миллиона параллельных каналов. Это отнюдь не означает, что система включала бы конфигурацию обязательно из 1 миллиона узлов, так как такая конфигурация не подразумевает, что планарная матрица логических элементов, обозначенная как матрица вентилей, имела бы именно один логический элемент на канал. Вместо этого несколько логических элементов следовало бы соединить посредством среды межэлементных соединений, что позволило бы образовать элемент процессора. Например, квадратная матрица пХл логических элементов (вентилей) может содержать блок арифметической логики, несколько регистров и, возможно, несколько устройств кэш-памяти (быстродействующей буферной памяти большой емкости). Пример структуры указанного типа представлен на рис. 10.37, где для отдельных элементов двумерного ПМС были обозначены основные функции, присущие элементам вычислительной обработки. Принимая п равным 5 (25 логических элементов на процессор), в итоге получаем, что в машине должно быть 40 000 узлов, что составляет достаточно большую величину, чтобы такое устройство имело смысл использовать в качестве символьного оптического компьютера, реализующего символьные вычисления. [c.346]

Интегрально-оптические фокусирующие системы, формирующие фазовый фронт оптических пучков, являются одним из наиболее важных элементов оптических интегральных схем, например в интегральных акустооптических анализаторах спектра. Простейшие планарные пленочные линзы представляют собой волноводную пленку со сферическим контуром, нанесенную на пленочный волновод (рис. 8.2, а, б). Так как фазовый фронт пучка в такой линзе изменяется за счет формы внешнего контура, а фазовая скорость в пределах контура остается неизменной, то данный тип линзы является наиболее близким аналогом объемной линзы. Такие пленочные линзы обладают всеми видами оптических аберраций. Наибольшее влияние на их разрешающую способность оказывают сферические аберрации и кома. В планарных линзах Люнеберга (рис. [c.148]

При использовании планарных волноводов в ЫКЬОз и ЫТаОз реализованы электрооптические дефлекторы призменного типа. Элементы интегральной оптики на канальных и полосковых волноводах в активных диэлектриках имеют ряд существенных преимуществ по сравнению с планарными структурами. В первую очередь, это возможность более эффективного согласования волновода с излучателем, волокном, приемником и другими элементами оптических схем и систем. Возможность оптимизации волноводных каналов и электродных структур управления позволяет значительно снизить параметры энергопотребления, расширить частотную полосу и увеличить быстродействие устройств. [c.151]

ИЛ с поперечным р-л-переходом сформирован в углублении подложки ИОЭС. Одно из зеркал резонатора получено без скола селективным травлением. Параметры ИЛ в ИОЭС (рис. 9.7) не отличаются от параметров дискретного излучателя, что подтверждает высокое качество интеграции. Наличие углубления в подложке позволило создавать планарную схему. Электрическая часть схемы состоит из схемы управления ИЛ, содержащей четыре включенных параллельно ПТШ, два из которых обеспечивают смещения ИЛ в пороговый режим, а два других подключены к схеме мультиплексора и формируют импульсный ток модуляции. Мультиплексор 4 1 состоит из 36 вентилей ПТШ-логики. Всего цифровые логические схемы содержат 140 ПТШ. Все ПТШ в схеме были созданы с помощью ионной имплантации в ПИ подложку. Напряжение отсечки ПТШ составляет 1,2 В, что позво- [c.164]

Указанные трудности можно свести к минимуму, выбрав такую схему с весами , которая не зависит от способа соединения узлов. Для этого любой бесконечно малый участок внутри треугольника соотносится с ближайшим из узлов данного треугольника. Таким образом, порции площади элемента, соотносимые с каждым узлом, образуются перпендикулярами, проведенными через середины сторон треугольника (рис. 16.2). Метод не зависит от расположения треугольников, а погрешность, возникающая из-за редко встречающихся тупоугольных треугольников, мала. На рис. 16.1, б показано применение метода на границе раздела окисел—полупроводник. Веса узлов 1 и 2 (т. е. отнесенные к ним площади) равны А, и теперь решение уравнения Пуассона будет отражать присущую задаче планарную симметрию. Для трехмерного призматического элемента объем, соотносимый с каждым узлом, раврн произведению соответствующей этому узлу части треугольного основания и половины высоты элемента. [c.466]

Одним из средств миниатюризации ИВЭП являются микростабилизаторы. Это интегральные схемы, исполненные на основе полупроводниковой планарной технологии, с использованием диэлектрической [c.277]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...