Электрическая восприимчивость

В общем случае /г+ и tiL определяются компонентами электрической восприимчивости вещества, т. е. теми же физическими процессами, от которых зависит поляризация вещества. Для выбранного вещества и п1 зависят от приложенных внешних постоянных электрического и магнитного полей и т. д. Если разность пХ и п1 становится отличной от нуля вследствие наложения электрического поля, в общем случае имеем дело с электрооптическими эффектами. Если же разность п+ и п- определяется действием постоянного магнитного поля, то в общем случае имеем дело с магнитооптическими эффектами, которые принято разделять на продольные и поперечные в зависимости от того, совпадает ли направление силовых линий магнитного поля с направлением распространения света или является перпендикулярным к нему. В случае продольного наблюдения, если различие в показателях поглощения /с+ и к для двух циркулярных составляющих невелико, наблюдается поворот плоскости поляризации линейно-поляризованного света, называемый эффектом Фарадея или магнитооптическим вращением (МОВ). Если различие в показателях поглощения и к существенно, то наблюдается магнитный циркулярный дихроизм (МЦД). В общем случае, когда имеет место различие и в и п , и в и к , линейно-поляризованный свет становится эллиптически-поляризованным при этом МОВ соответствует угол поворота эллипса поляризации, а МЦД — изменение эллиптичности, т. е. отношения составляющих по главным осям эллипса поляризации. [c.194]

Величина х е называется электрической восприимчивостью вещества и для неполярных газообразных диэлектриков не зависит от температуры. Качественно это следует из того, что тепловое движение не влияет на процесс деформации молекул диэлектрика под действием электрического поля, подобно тому как оно не влияет на намагничение диамагнетиков. Уравнение (16.9) и представляет собой уравнение состояния неполярного диэлектрика. [c.81]

Таким образом, имеется некоторое сходство в зависимости восприимчивости от температуры между термодинамикой полярных диэлектриков и парамагнетиков, с одной стороны, и термодинамикой неполярных диэлектриков и диамагнетиков, с другой стороны. В то же время существенное отличие между электрическими и магнитными явлениями заключается в том, что электрическая восприимчивость х е для любых диэлектриков положительна, в то время как магнитная восприимчивость диамагнетиков отрицательна. [c.82]

Здесь прописными буквами обозначены комплексные амплитуды соответствующих величин, гармонически зависящих от времени. Трехмерная матрица коэффициентов Ху называется тензором электрической восприимчивости. Величины Ху зависят, конечно, от выбора направлений осей х, / и г относительно кристаллической структуры. Направления этих осей всегда можно выбрать таким образом, чтобы недиагональные элементы обратились в нуль [c.79]

Связь между диэлектрической проницаемостью и электрической восприимчивостью [c.248]

Электрическая восприимчивость 1-го порядка [c.234]

Попытаемся объяснить свойства растянутого пластика. До растяжения большие органические молекулы пластика были похожи на сваренные макароны в кастрюле. Под действием сил растяжения молекулы вытянутся вдоль направления силы. Электроны в отдельной, похожей на цепочку, органической молекуле имеют различные коэффициенты жесткости для колебаний вдоль углеводородной цепочки и колебаний в двух направлениях, перпендикулярных ее оси. Будем считать, что одно перпендикулярное растягивающей силе направление лежит в плоскости пластика. Тогда колебания электронов по второму направлению, перпендикулярному плоскости пластика, мы можем не учитывать. Электрическая восприимчивость для поля (т. е. наведенная поляризация на единицу объема и на единицу падающего электрического поля) в направлении растяжения будет отличаться от восприимчивости в перпендикулярном направлении. Таким образом, для этих двух направлений диэлектрические постоянные будут различны и поэтому будут различными и коэффициенты преломления. [c.376]

Определение %, Хт> 6 и 1 для статических полей. В случае линейной и изотропной среды электрическая восприимчивость % и магнитная восприимчивость (для полей, не зависящих от времени) определяются следующим образом [c.494]

Комплексная диэлектрическая постоянная для простой модели линейной изотропной среды. Для нашей простой модели упруго связанного электрона, не имеющего ни постоянного, ни наведенного магнитного момента, величина М=0. Отсюда Хт=0 и ц= 1 в соответствии с уравнениями (13), (15) и (17). Электрическая восприимчивость имеет вещественную (т. е. упругую) и мнимую (т. е. неупругую) составляющие, определяемые уравнениями (30) и (31). Уравнение (39) принимает вид [c.498]

Комплексная электрическая восприимчивость % (и) является чисто мнимой величиной для и Г, в соответствии с уравнением (98). В этом случае комплексное выражение для квадрата показателя преломления имеет вид [c.504]

Электрическая восприимчивость 494 Электромагнитные волны 318 -- в вакууме 303 [c.527]

Ответ. P(t) = хЕ 1 - е / ), Р(0) = О, т = кТЬ, где яг — электрическая восприимчивость P(i) — электрическая поляризация Е [c.107]

Очевидно, что магнитная восприимчивость — функция отклика, совершенно аналогичная, скажем, сжимаемости жидкости и электрической восприимчивости диэлектрика. Но в отличие от этих двух величин условия устойчивости не накладывают ограничений на знак магнитной восприимчивости. Магнитное вещество может как ослаблять, так и усиливать магнитное поле. Величина и знак х " определяют разные типы магнетизма. Соотношение М — М Н,а) может быть как линейным, так и нелинейным по отношению к переменной Я может быть даже так, что векторы М и Н не параллельны. Особая ситуация возникает в случае, когда статическая восприимчивость, задаваемая соотношениями (1.6.3) и (1.6.4), не является хорошо определяемой величиной например, когда М локально отличается от нуля в отсутствие поля Н, как в случае ферромагнетизма. [c.38]

Рассмотрим линейное изотропное абсолютно твердое диэлектрическое тело с электрической восприимчивостью %, представляющее собой слой толщины 2d, неограниченно простирающийся в остальных двух измерениях. Электростатическая [c.471]

Очевидно, что обнаруженный здесь эффект двойного лучепреломления имеет порядок ез и происходит по трем совместно действующим причинам (i) наличию электрической восприимчивости сегнетоэлектрика (коэффициенты С4 и С7) (ii) из-за влияния градиентов поляризации через ie (возможно, этим фактором можно пренебречь) и (iii) благодаря собственно [c.503]

Здесь С, Сг — коэффициенты упругости, Се — пьезоэлектрический коэффициент, Са и Ст связаны с электрической восприимчивостью, а С]4 и Си — коэффициенты, появившиеся при учете [c.517]

Рис. 4.22. Температурные зависимости теплоемкости (1), магнитной восприимчивости (2) и электрического сопротивления (3) вблизи сверхпроводящего перехода индия, определенные в двух отдельных экспериментах. Соответствие значений температур, полученных при разных методах измерений, тщательно контролировалось по второму образцу индия [72].

Магнитные и электрические методы дефектоскопии. Магнитные методы контроля качества продукции применяются для обнаружения поверхностных и скрытых дефектов в материалах, обладающих положительной магнитной восприимчивостью. Магнитные методы дефектоскопии основаны на свойстве металла быстро намагничиваться и размагничиваться или создавать разную магнитную индукцию в местах дефекта. Поэтому наиболее успешно эти методы применяются для ферромагнитных материалов с большой магнитной проницаемостью и менее — для парамагнитных тел, так как в этом случае магнитное насыщение наступает в полях чрезвычайно большой напряженности. Материалы с отрицательной магнитной восприимчивостью не подвергаются магнитным методам контроля. [c.258]

ФОРМУЛА де Бройля для любых волновых процессов определяет зависимость длины волны, связанной с движущейся частицей вещества, от массы и импульса частицы Дебая — Ланжевена служит для вычисления диэлектрической восприимчивости полярного диэлектрика Ленгмюра определяет величину термоэлектронного тока по значению анодного напряжения лампы Лоренца устанавливает зависимость результирующей силы, приложенной к движущемуся электрическому заряду в магнитном и электрическом поле Планка— для вычисления испускательной способности абсолютно [c.292]

Абсолютная дгалектричесгая вое приимчивость — величина, характери-зующая свойство диэлектрика поляризоваться в электрическом поле, скаляр, ная для изотропного вещества, равная отношению модуля поляризованности к модулю напряженности электрического поля, и тензорная для анизотропного вещества. Относительная ди-электрическая восприимчивость — от-ношение абсолютной диэлектрической восприимчивости к электрической постоянной [c.586]

Здесь l и s — коэффициенты упругости, Сг — коэффициент упругости с упрочнением, g — пьезоэлектрический коэффициент, С4 — коэффициент, выражающийся через электрическую восприимчивость, и i3, С14, 18 — коэффициенты, появившиеся при введении в число параметров градиента поляризации. На решения типа [c.511]

Деформирование жидкого кристалла приводит, вообще говоря, к его дижлектрической поляризации и соответственно к возникновению электрического поля (см. VIII, 17) этот эффект обычно слаб, и мы не будем рассматривать его влияние на механические свойства среды. Мы не будем также рассматривать влияние, которое оказывает на свойства жидких кристаллов внешнее магнитное поле ввиду анизотропии магнитной (фактически диамагнитной) восприимчивости нематика магнитное поле оказывает на него ориентирующее действие. [c.191]

В п. 5 уже отмечалось, что, изм(фяя восприимчивость, нельзя получить йодную картину кристаллического электрического поля. Зададимся некоторой симметрией кристаллического поля при этом в выражении для потенциала поля, отвечающего иредиоложопной симметрии, войдут некоторые постоянные. Теперь, зная поле, можно [c.405]

Эффективные значения J п g для иона в кристалле могут очень сильно отличаться от соответствуюпщх значений для свободных ионов. В случае замораживания орбитальных уровней (см. п. 4) Z, = 0, J =S и g = 2, однако на практике восприимчивость может даже стать анизотропной, так что g должно быть тензорной величиной. Это может быть обусловлено, например, неполным заморажпванием орбитальных уровней (в этом случае J может стать меньше, чем S) или совместным действием электрического поля п спин-орбитальной связи. [c.463]

Основным состоянием свободного иона кобальта является состояние оно расщепляется кубической компонентой электрического поля на дублет и триплет, причем последний лежит ниже. В результате совместного действия тетрагональной компоненты электрического поля и спин-орбптальной связи триплет расщепляется на три крамеровских дублета, находящихся приблизительно на расстоянии 10 друг от друга. Влиянием более высоко лежащих дублетов пренебречь нельзя, и при температурах, выше водородных, закон Кюри не выполняется. При температурах жидкого гелия закон Кюри выполняется, но восприимчивость обладает очень большой анизотропией. Эксперименты по парамагнитному резонансу [184] дали для направления тетрагональной оси значение расщепления ц = 6,45 и для [c.494]

Для веществ, в которых носители магнитного момента взаимодействуют между собой и с внутрикристал-лическим полем, температурная зависимость магнитной восприимчивости парамагнетиков следует закону Кюри — Вейсса xv = j(T — 0), где постоянная С во многих случаях практически совпадает с постоянной С в законе Кюри для свободных магнитных ионов данного вида постоянная 0 характеризует взаимодействие магнитных ионов между собой и с внутрикристаллическим полем. Закон Кюри — Вейсса выполняется обычно в определенной области температур. При низких температурах (ниже Г 70 К) наблюдаются отклонения от него, вызванные влиянием неоднородных электрических полей соседних ионов или ориентированных диполей молекул растворителя на орбитальный момент электронов. Закон Кюри — Вейсса выполняется также для ферро- и антиферромагнетиков в некотором интервале температур выше температуры магнитного упорядочения. [c.593]

Электрические свойства. Изменение электрических свойств при облучении графита происходит вследствие образования электронных ловушек промежуточными атомами и рассеяния электронов [101,180, 226 ]. Так как электронные ловушки увеличивают число электронов-носителей, то электросопротивление должно уменьшаться. Однако электроны, рас-сеиваюш иеся на этих дефектах при низких температурах облучения, с избытком компенсируют этот процесс, приводя к повышению электросопротивления. При повышенных температурах облучения рассеяние электронов едва компенсирует уменьшение сопротивления, вызванное увеличением числа электронов-носителей. Опыты по исследованию влияния излучения на графит включают также анализ изменений тер моэлектродвижущей силы и магнитной восприимчивости. [c.191]

Нискольку многие детали электрических машин рабо-тают в магнитном поле, программой работ предусметрено изучение влияния магнитных полей на теплопроводность [11]. Некоторые результаты, приведенные на рис. 7, показывают, что магнитное поле может значительно (на - 50 %) уменьшать теплопроводность. В план работ включено также определение магнитной восприимчивости и электросопротивления. Проведенные эксперименты позволили при 4 К обнаружить ферромагнетизм в жаропрочных сплавах Ni—Сг—Fe. Программа испытаний теплофизических свойств приведена в табл. 2. [c.35]

Марка сплава 7 6 в % ИВ .10-3 G10-3 Р в оммм м Магнитная восприимчивость в абсолютных электрических единицах ( 10 ) а-10 в MMjMM °С Режим термообработки (температура в С) [c.279]

ВОСПРИИМЧИВОСТЬ — характеристика (диэлектрика, показывающая его способность поляризоваться в электрическом поле магнетика, показывающая его способность намагничиваться в магнитном поле) ВЯЗКОСТЬ [—свойство жидкостей и газов оказывать сопротивление перемещению одной их части относительно другой динамическая — количественная характеристика сопротивления жидкости или газа смещению одного слоя относительно другого кинематическая— отнощение динамической вязкости к плотности жидкости или газа магнитная — отставание во времени изменения магнитных характеристик ферром нетика от изменения напряженности внешнего магнитного поля объемная — величина, характеризующая процесс перехода внутренней энергии в тепловую при объемных деформациях среды (вторая вязкость) структурная — вязкость, связанная с возникновением структуры в дисперсных системах ударная — поглощение механической энергии твердыми телами в процессе деформации и разрущения под действием ударной нагрузки] [c.228]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...