Субмикрон

Сопротивление частиц обусловлено в основном разностью средних скоростей частиц и потока. Предполагается, что твердые частицы даже субмикронных размеров состоят из миллионов молекул каждая. Поэтому скорость каждой твердой частицы, обуслов.ченная ее тепловым состоянием, крайне мала. Скольжение, [c.297]

Влияние броуновского движения частиц. Как отмечалось в разд. 5.9, даже если броуновское движение субмикронных частиц очень незначительно, им нельзя пренебречь у стенки, где скорость непрерывной фазы уменьшается до нуля. Прежде чем плотность [уравнение (8.92)1 достигнет величины Ррз, возникает обусловленная броуновским движением диффузия, описываемая уравнением [c.359]

Для субмикронных частиц броуновское движение может быть значите.льным, при этом профиль концентрации будет видоизменяться за счет броуновской диффузии. В том случае, когда частицы присутствуют только в струе, уравнение диффузии принимает вид [c.378]

Можно также предполагать, что для субмикронных частиц в среде с высокой температурой достаточно большая часть энергии распреде.лена по вращательным степеням свободы. Для частиц двуокиси циркония размером 0,1 мк при температуре 3000°К масса равна 5-10 кг, а момент инерции 0,5-10 кз-jvt среднеквадратичная уг.ловая скорость (of) состав.ляет примерно [c.468]

Исследование процессов, протекающих в пересыщенном сплаве Fe-0 при нагреве, было проведено в работе [101]. Этот сплав был получен ИПД кручением окисленного субмикронного порошка Fe. Обработка материала интенсивной деформацией привела к растворению большинства окислов, на что указали уменьшение интенсивности соответствующих рентгеновских пиков и увеличе- [c.139]

Некоторые исследователи для осаждения керметов использовали субмикронные частицы (0,05 мм). Для предупреждения агрегирования таких частиц их осаждали из электролита со смачивающим агентом. Покрытия, [c.126]

Микросхема представляет собой многокомпонентное тело из слоевых композиций на поверхности или в приповерхностном слое твердого тела, ее характеристики определяются свойствами тонких слоев различных материалов, которые, в свою очередь, во многом зависят от условий их формирования и последовательности технологических операций. Поверхность твердого тела нарушает симметрию кристаллической решетки и превращает приповерхностный слой в особую, неравновесную область. Погружение электронной схемы вызывает необходимость получения элементов микронных и субмикронных размеров и выдвигает на первый план свойства поверхности и тонких слоев, которые для массивных образцов материалов практически не принимаются во внимание. [c.411]

И, наконец, еш е один метод уменьшения ионной бомбардировки рабочей поверхности автокатода состоит в создании субмикронных зазоров анод—катод [306], с тем чтобы уменьшить рабочее напряжение до значений 10 В, т. е. меньшего потенциала ионизации молекул остаточных газов. Однако в случае автокатодов из углеродных материалов такой метод (при всей его привлекательности) сопряжен со значительными технологическими трудностями, не преодоленными к настоящему времени. [c.241]

T. 15, Mi 7, p. 21 A p и T о в В. В. и др.. Перспективы использования мягкого рентгеновского излучения в субмикронной литографии, Поверхность. Физика, химия, механика , [c.345]

Следует отметить, что на фазовые переходы влияют и раз.меры компонентов композита. Для слоевых композитов с субмикронной толщиной слоев за счет действия сил поверхностного натяжения могут стать стабильными эпитаксиальные фазы, которые отсутствуют на объемных фазовых диаграммах. [c.40]

Зависимость диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрика ВаТЮз от размера кристаллитов показана на рис. 3.16. Очевиден немонотонный характер зависимости с максимумом при X 800 нм, причем заметно влияние методов изготовления на величину г. Наличие максимума связывается с двумя эффектами рост г с уменьшением X в микронном интервале обусловлен влиянием фактора напряжений, а дальнейшее снижение е в субмикронном интервале интерпретируется как влияние совершенства поверхностей раздела. [c.68]

В отходящих газах содержатся также пары, капли жидкости и частицы твердой пыли. При охлаждении пары конденсируются в аэрозоли и сгущаются в субмикронные агрегаты частиц сложного состава. [c.382]

Размерный эффект проявляется и при измельчении структуры путем пластического деформирования, сопровождающегося фрагментацией зерен. В работе [477] при исследовании сильнодеформированных сплавов наблюдали мелкие зерна размером 0,11—0,15 мкм, практически свободные от дислокаций. Их появление объясняют началом рекристаллизации в сильнодеформированном сплаве при комнатной температуре. Рекристаллизация при 430 К обеспечивает формирование субмикронной структуры с размером зерна 0,18 мкм, причем это связано с переходом неравновесных границ фрагментов в равновесные границы зерен, а не с образованием новых границ. Это подтверждает тот факт, что процесс измельчения структуры при деформации носит самоорганизующийся характер с реализацией механизма отбора, контролируемого условием минимума производства энтропии при переходе через критическую точку. [c.294]

Таблица 5.10. Основные показатели сверхпластической деформации керамики с субмикронной структурой при растяжении

Высокая намагниченность насыщения. Субмикронное ЦМД, однако низкая подвижность, что ограничивает применение [c.569]

Гексагональные или ромбоэдрические кристаллы субмикронного диаметра [c.32]

Приведенные примеры показывают, что многослойные зеркала открывают разнообразные возможности управления рентгеновскими пучками и следует ожидать их дальнейшего внедрения во все области применения мягкого рентгеновского излучения. Упомянем в связи с этим работу [6], в которой рассмотрены рентгенооптические системы на основе МИС для осуществления проекционных схем в рентгеновской литографии — методах производства и тиражирования микросхем с субмикронными размерами, а также работу [89], в которой исследуется радиационная стойкость МИС с точки зрения использования их в качестве пред-монохроматоров и других устройств для управления пучками синхротронного излучения. [c.121]

Наиболее существенное влияние на захват частиц вследствие касания оказывает отношение размера частиц к диаметру волокна ткани и, в значительно меньшей степени, скорость потока. Субмикронные частицы под действием движущихся молекул газа совершают хаотическое движение, достаточно интенсивное, чтобы происходило смещение траекторий частиц с линий тока и их осаждение на волокнах. [c.273]

В основу работы прибора положен 1етод возмущения исследуемым участком микропровода высокодобротного открытого СВЧ резонатора с регулируемым направлением вектора поляризации поля. Контроль параметров осуществляется по изменению уровня проходящей через резонатор СВЧ мощности. Открытый квазиоптический СВЧ резонатор существенно повышает чувствительность устройства, обеспечивая возможность измерения параметров провода субмикронного диаметра. Свободный доступ к рабочему пространству резонатора позволяет осуществлять контроль непосредственно в процессе изготовления провода либо его перемотки. Конструктивно прибор выполнен в виде двух блоков, в одном объединены СВЧ генератор, резонатор, детектор и устройство поворота одного из зеркал резонатора относительно оси провода, в другом — источник питания и индикатор тока детектора. В приборе наряду с визу- [c.260]

Образование первичных отложений может начинаться с конденсации (или десублимации) диффундирующих к относительно холодным трубам паров минеральных веществ, содержащихся в угле. Это парообразные соединения щелочных металлов (сульфаты, хлориды, карбонаты, гидроокиси калия и натрия [45—50], моноокись кремния, которая в отложениях ош сляется до двуокиси, и другие кремнистые соединения [33, 34, 46, 67]). При этом на поверхности отлагаются мельчайшие (субмикронные) частицы вещества, которые удерживаются силами молекулярного притяжения или адгезии (в зависимости от агрегатного состояния). [c.56]

Наиболее ранние модели представляли волокно как конгломерат взаимосвязанных высокоориентированных фибрилл субмикронного размера. Установлено, что высокомодульное углеродное волокно после термообработки при температуре 2000 °С содержит по крайней мере две фазы, причем обе состоят из фибрилл с включениями графита. Одна из фаз состоит из более широких и толстых лент с повышенной степенью продольной ориентации, другая — из более узких, менее ориентированных и сильно переплетенных лент-фибрилл. Обе фазы содержат большое количество пор, микротрещин и других дефектов. В центральной части волокна ориентация фибрилл обычно менее выражена, более совершенные располагаются с внешней стороны. [c.19]

Периодическая неустойчивость нитевидных кристаллов Si субмикрониых диаметров (х 5000). [c.358]

Сильноточные релятивистские электронные пучки имеют ещё одно преимущество. Они могут инициировать плазменно-пучковый разряд и создавать плазму высокой плотности в разл. плазмохим. реакторах. Обладая большой энергией в целом, релятивистские электронные пучки способны обеспечить большой выход в одном импульсе и высокую ср. мощность при использовании пучков импульсно-периодич. режимов. А высокая энергия электронов обусловливает хорошую однородность плазмохим. реакторов даже при очень больших давлениях газа в них, намного превышающих атмосферное. Именно благодаря таким преимуществам на плазменно-пучковом разряде с использованием сильноточных релятивистских электронных пучков реализованы химические лазеры на водородо-фтористых смесях, дающие когерентное излучение на длине волны X 3 мкм с энергией до неск. кДж в импульсе длительностью т < 100 нс и обладающие кпд по отношению к энерговкладу пучка в газ до 700%, Созданы экси-мерные плазменные лазеры на смесях Аг + Гг + Кг субмикронного диапазона длин волн с энергией до 1 кДж в импульсе д.тительностью т 40 нс и кпд до 10%. [c.608]

С. а.-с. м. можно преобразовать в прибор для зондирования магн. полей с субмикронным разрешением при этом на кончике пружины закрепляется круниыка ферромагн. материала. Другие области применения те же, что и дяя сканирующей туннельной микроскопии. Преимущество С. а.-с. м.— возможность изучения (с атомным разрешением) поверхности не только проводников, но и диэлектриков (рис.). [c.537]

Шум 1 jf свя зывают с наличием в реальных твёрдых телах той или иной неупорядоченности и связанного с ней чрезвычайно широкого спектра (иерархии) времён релаксации т. Такой широкий спектр т и требуемая для получения закона S (/) с/О 1 // ф-цня распределения т возникают, если т экспоненциально зависит от параметра (энергии активации в случае активац. переходов между состояниями системы, туннельного показателя в случае туннельных переходов), ф-ция распределения к-рого более или менее постоянна в широких пределах изменения этого параметра. То, что шум 1 if обусловлен суперпозицией процессов с разл. временами релаксации, продемонстрировано на опыте в субмикронных МДП-транзисторах (см. Полевой транзистор), в к-рых имеется одна активная ловушка для носителей тока (или две ловушки), спектральная плотность флуктуаций сопротивления канала имеет лоренцевский профиль с одним т (или соответственно два таких профиля с двумя различными т), но при увеличении размеров транзистора и числа ловушек спектральная Ллотность приближается к I //. Магн. шум (флуктуации намагниченности) со спектральной плотностью I //, наблюдаемый в спиновых стёклах и аморфных ферромагнетиках (см. Аморфные магнетики), соответствует наличию в них (и известной из др. опытов) обширной иерархии высот барьеров (энергий активации), разделяющих метастабильные состояния, между к-рыми каждая такая система соверииет переходы в процессе релаксации и теплового движения. В тех случаях, когда механизм шума 1 // понятен (как в спиновых стёклах и неупорядоченных средах с двухуровневыми туннельными системами), мин. его частота (обратное наибольшее х) столь мала (напр., меньше обратного времени существования Вселенной), что попытки её измерения не имеют смысла. Механизмы шума 1 // в объёме полупроводников пока достоверно не установлены, хотя в литературе предложен ряд теорий. [c.325]

Серьезные новые задачи возникают и в оснащении все усложняющихся производств методами контроля качества продукции, особенно в применении к пластинам. По мере увеличения степени интеграции твердотельных электронных устройств все острее ощущается потребность в новых высокоразрешающих, экспрессных, высокоинформативных и автоматизированных бесконтактных методах контроля, объективно характеризующих пригодность монокристаллов и пластин для решения новых задач. Требования по количеству и размерам присутствующих в монокристаллах и на поверхности пластин дефектов ужесточаются с каждым годом, и возможности традиционных оптических и электрофизических методов контроля уже практически исчерпаны. Необходим переход на метрологию нового уровня, с использованием возможностей сканирующей туннельной и атомно-силовой микроскопии, а также других современных методов контроля структуры и свойств с субмикрон-ным и нанометровым разрешением. При этом новые средства контроля должны хорошо вписываться в идеологию создания гибких, непрерывных, высокопроизводительных автоматизированных технологических линий. Весьма актуальной становится и проблема экспрессного контроля загрязнения поверхности пластин металлическими примесями с чувствительностью на уровне -10 ат/см . [c.46]

Основную роль в образовании ростовых микродефектов в выращиваемых монокристаллах играют СТД — вакансии и межузельные атомы. В реальных условиях выращивания монокристаллов, уже на достаточно малых расстояниях от фронта кристаллизации возникают значительные пересыщения по СТД, обусловленные резкой температурной зависимостью их равновесных концентраций в алмазоподобных полупроводниках. Образующиеся избыточные неравновесные СТД аннигилируют на стоках, в качестве которых выступают боковая поверхность слитка и присутствующие в его объеме более крупномасштабные дефекты, прежде всего, дислокации. По отношению к СТд дислокации являются практически ненасыщаемыми стоками. С учетом высокой подвижности СТД при высоких температурах сток на дислокации (при достаточно высокой плотности последних в кристалле) играет основную роль в снятии пересыщения. Однако бездислокационные монокристаллы лишены такого рода эффективных внутренних стоков, а боковая поверхность слитка в силу чисто диффузионных ограничений не может обеспечить снятия пересыщения. В результате, в объеме кристалла образуются пересыщенные твердые растворы СТД, которые в процессе посткристаллизацион-ного охлаждения распадаются с образованием специфических агрегатов, получивших название микродефекты . Следует отметить, что в литературе отсутствует единая точка зрения по поводу определения понятия микродефект . Под этим термином мы будем понимать локальные нарушения периодичности кристаллической решетки, представляющие собой скопления точечных дефектов (собственных или примесных), не нарушающие фазового состояния основного вещества, а также дисперсные выделения второй фазы микронных и субмикронных размеров. [c.48]

Кремниевые эпитаксиальные структуры являются серьезной альтернативой полированным пластинам при изготовлении УСБИС уже хотя бы потому, что в эпитаксиальных слоях (в силу специфики условий их получения) практически полностью отсутствуют описанные выше ростовые микродефекты. Но основной причиной существенного усиления внимания к эпитаксиальным технологиям является переход микроэлектроники на субмикронный, а в ближайшем будущем и на нанометровый уровень при формировании приборных структур, а также реальные перспективы создания сверхбыстродействующих УСБИС на основе эпитаксиальных гетероструктур в системе Si — твердые растворы SiGe. [c.88]

ССП поликристаллических материалов со федним размером зерен от 1 до 10 мкм является объектом наиболее обширных исследований на протяжении четырех последних десятилетий. Сверхпластичность материалов с субмикронными мкм) и наноразмерными (10... 100 нм) зернами [c.414]

Сверхпластичную керамику (СПК) можно определить как поликрис-таллический керамический материал со стабильным субмикронным зерном, проявляющий сверхпластичность при определенных температурноскоростных условиях деформации в течение технически приемлемого времени [36, 37]. Можно выделить два основных типа сверхпластичной керамики - однофазные материалы и композиты. [c.418]

Наконец, уже в течение 15 лет ведутся работы по рентгенолито-графии, призванной в будущем по мере миниатюризации микросхем заменить фотолитографию, в которой минимальный размер воспроизводимого рисунка определяется длиной световой волны. Согласно существующим представлениям рентгенолитография будет иметь существенные преимущества перед другими методами микролитографии (электронной, ионной и т. п.) в том случае, когда возникает необходимость тиражирования микросхем в промышленных масштабах. При этом предполагается использовать область длин волн от 0,8 нм до 2 нм (иногда от 0,4 нм до 10 нм), что определяется выбором источника излучения, физикой взаимодействия МР-излучения с веществом, длиной пробега МР-фотонов и вторичных электронов, дифракционными ограничениями, материалом шаблонов и т. п. Следует ожидать, что с открытием высокотемпературной сверхпроводимости появятся новые возможности эффективного построения микросхем с субмикронными размерами, и работы по рентгеновской литографии получат дополнительный импульс. [c.4]

В качестве примера сошлемся на использование синхротрон-ного излучения для рентгенолитографии [5]. Дело заключается в том, что субмикронные точности совмещения рентгенорезиста и масок при многократном экспонировании, необходимые при изготовлении современных микросхем, могут быть получены в настоящее время только в горизонтальной плоскости [4.1. Следовательно, нужно уметь повернуть синхротронный пучок на 90°. Использовать для такого поворота многослойную оптику беспо- [c.126]

К барабанам-окатывателям относятся также грануляторы для производства сажи как мокрым (типа БАС-20), так и сухим способом гранулирования (типа АСА). При сухом способе гранулирования сажи, характеризующейся микронным и субмикронным размером исходных частиц, реализуется способ сцепления частиц сажи за счет сил Ван-дер-Ваальса. [c.182]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...