Литография рентгеновская

Легирование 527 Линия задержки 402 Литография рентгеновская 525 [c.575]

T. 15, Mi 7, p. 21 A p и T о в В. В. и др.. Перспективы использования мягкого рентгеновского излучения в субмикронной литографии, Поверхность. Физика, химия, механика , [c.345]

Приведенные примеры показывают, что многослойные зеркала открывают разнообразные возможности управления рентгеновскими пучками и следует ожидать их дальнейшего внедрения во все области применения мягкого рентгеновского излучения. Упомянем в связи с этим работу [6], в которой рассмотрены рентгенооптические системы на основе МИС для осуществления проекционных схем в рентгеновской литографии — методах производства и тиражирования микросхем с субмикронными размерами, а также работу [89], в которой исследуется радиационная стойкость МИС с точки зрения использования их в качестве пред-монохроматоров и других устройств для управления пучками синхротронного излучения. [c.121]

Метод литографии применяется при производстве элементов современных полупроводниковых приборов (интегральные схемы, микропроцессоры и др.) и заключается в том, что со специально приготовленной маски на подложку переносится отображение. До последнего времени в литографии для воспроизведения масок использовались электронные пучки или лазеры — оба этих метода не позволяют получить разрешение лучше, чем 2 мкм. Использование рентгеновского излучения позволяет повысить разрешение в сотни раз, но при имеющихся мощностях рентгеновских источников экспозиции для получения одного отображения достигают нескольких часов. Элемент микросхемы представляет собой монокристалл кремния, на который нанесен сначала слой металла (золота), а на него — светочувствительный слой (фоторезистор). Эта вафля через маску, находящуюся на расстоянии 2—5 мкм, освещается СИ и после облучения обрабатывается. Интегральная схема представляет собой соединения десятков таких обработанных слоев. [c.271]

РЕНТГЕНОВСКАЯ ЛИТОГРАФИЯ — метод микроэлектронной технологии, заключающийся в формировании с субмикроявым разрешением защитной маски заданного црофиля на поверхности подложки осуществляется при помощи ревтг. излучения длиной волны Я 0,4—5 нм один из методов микролитоерафии. [c.344]

Совр. способы изготовления ОДР — нарезка на металле (алюминий, золото) алмазным резцом на станке с управлением от ЭВМ (макс, частота 3600 штрихов на мм возможно получение профиля штриха с малым углом наклона при ограничениях на форму подложки), а также голография, методы с использованием УФ-ла-зеров и синхротронного излучения (макс, частота — до неск. десятков тысяч штрихов на мм). Для достижения оптим. профиля штрихов — треугольного или прямоугольного — и переноса голография, рисунка решётки на более гладкую подложку применяют ионное травление. Для полученных таким способом кварцевых ОДР с прямоуг. штрихом КВ-гравица составляет ок. 0,5 нм. С помощью рентгеновской литографии изготовляют рентгеновские ОДР с многослойным покрытием, к-рые могут работать с высокой эффективностью при больших о вплоть до нормального падения, однако их область дисперсии ограничена спектральной шириной максимума отражения покрытия. [c.349]

Применение оптич. линз в рентг. области спектра невозможно вследствие большого поглощения Р. и. в материале линз и незначит. отличия показателя преломления от единицы. Для фокусировки Р. и. могут быть использованы зонные пластинки (см. Рентгеновская оптика). Однако в связи с малыми значениями длины волны Р. и. размеры этих нластинок также очень малы (от 20 мкм до неск. мм) число их колец — неск. сотен, расстояние между соседними внеш. кольцами — десятые доли мкм. Такие пластинки изготавливают с помощью рентгеновской литографии. [c.376]

В 1985—1986 гг. в Резенде (Бразилия) проведены испытания первого каскада опытного завода, состоящего из 24 ступеней с радиусом отклоняющей канавки 100 мкм. Построены и испытаны в ФРГ разделительные ступени трех типоразмеров ( R-33, R-100, R-300) с компрессорами производительностью 33, 100 и 300 тыс. м /ч соответственно. В качестве газа-разбавителя принят гелий. Разделительная мощность R-300 с использованием разделительных элементов, изготовленных методом рентгеновской литографии и гальванопластики (LlGA-метод), составит 15—22 тыс. ЕРР/год, т. е. в 1,5—2 раза больше мощности самой крупной диффузионной ступени на заводе фирмы Евродиф . [c.233]

Массовое производство сверхбольших интегральных схем на основе нанотранзисторов с минимальной длиной затвора 20 нм, а затем и Ю нм будет основываться на развитии методов проекционной рентгеновской литографии в области вакуумного ультрафиолета и проекционной электронной и ионной литографии и будет готово приблизительно к 2015 г. Основные параметры этих сверхбольших схем будут следующими плотность размещения логических вентилей 10 см , размер кристалла [c.154]

Наконец, уже в течение 15 лет ведутся работы по рентгенолито-графии, призванной в будущем по мере миниатюризации микросхем заменить фотолитографию, в которой минимальный размер воспроизводимого рисунка определяется длиной световой волны. Согласно существующим представлениям рентгенолитография будет иметь существенные преимущества перед другими методами микролитографии (электронной, ионной и т. п.) в том случае, когда возникает необходимость тиражирования микросхем в промышленных масштабах. При этом предполагается использовать область длин волн от 0,8 нм до 2 нм (иногда от 0,4 нм до 10 нм), что определяется выбором источника излучения, физикой взаимодействия МР-излучения с веществом, длиной пробега МР-фотонов и вторичных электронов, дифракционными ограничениями, материалом шаблонов и т. п. Следует ожидать, что с открытием высокотемпературной сверхпроводимости появятся новые возможности эффективного построения микросхем с субмикронными размерами, и работы по рентгеновской литографии получат дополнительный импульс. [c.4]

Перечисленные свойства многослойных зеркал, доступность и универсальность технологии их производства, а также удачные результаты испытаний образцов, полученные за последние годы во многих лабораториях, привлекли внимание к применению многослойных зеркал во многих научных и технических задачах. Это прежде всего рентгеновская диагностика плазмы и коротковолновые лазеры приборы для рентгеноспектрального, рентгеноэлектронного и рентгенофлюоресцентного микроанализа сканирующие и передающие изображение рентгеновские микроскопы нормального падения двойные монохроматоры делительные пластинки фильтры и интерферометры для рентгеновского излучения рентгеновские телескопы рентгеновская литография в микроэлектронике, а также медицинские приложения маммография [c.78]

В настоящее время для формирования дифракщюнного микрорельефа апробировано и отлажено множество технологий с использованием самых разнообразных (физически, химически, механически) активных сред фокусируемых электронных и ионных пучков, газов, кислот, резистов, полимерных композиций, алмазных резцов. При этом различные технологии требуют создания различных шаблонов наборов бинарных масок для фотолитографии, полутоновых фотошаблонов для ЖФПК и отбеливания желатины, тонко-мембранной пленки для рентгеновской литографии или маски-трафарета для использования ионно-лучевой литографии. При использовании полутоновых шаблонов и соответствующих технологий формирование кусочжо-непрерывного Ешкрорельефа происходит в один этап (методы формирования кусочно-непрерывного рельефа рассмотрены в п. 4.4). При использовании набора бинарных шаблонов и соответствующих бинарно-активных сред для получения многоуровневого рельефа, процесс, показанный на рис. 4.3, приходится повторять несколько раз, перебирая по очереди все шаблоны из набора. Для ряда современных технологий (электронная литография, станки с ЧПУ) изготовления физически существующего шаблона (или набора шаблонов) не происходит в этих случаях формирование микрорельефа происходит на основе рассчитанного виртуального шаблона. [c.241]

Синхротронное излучение (СИ),. возникающее при работе синхротронов и накалителей электронов, дает возможность проводить фундаментальные научные исследования в областях спектра, которые до последнего времени не были обеспечены достаточно мощными источниками излучения, например в рентгеновской и мягкой рентгеновской областях, в области вакуумного ультрафиолета. Мы уже говорили, что синхротроны и накопители электронов являются источниками мощного электромагнитного излучения, имеющего непрерывный спектр от инфракрасной до рентгеновской области, острую направленность, высокую степень поляризации. Благодаря этим свойствам синхротронное излучение стало важным средством исследований в физике твердого тела, -в атомной и молекулярной физике, в радиационной и фотохимии, в молекулярной биологии, во внеатмосферной астрономии и др. Весьма перспективно применение синхротронного излучения для исследования высоко-энергетических возбуждений в физике и химии. Благодаря высокой по сравнению с рентгеновскими трубками интенсивности и поляризации СИ открывает новые пути исследования, особенно важные для быстро развивающихся областей современной науки, особенно молекулярной биологии, физики поверхности, физики фазовых переходов и др. Важную роль играет СИ в нелинейной оптике (накачка лазеров синхротронным излучением, разработка лазеров на свободных электронах и др.). Разработаны уже и важные технологические применения СИ, прежде всего рентгеновская литография в микроэлектронике. Практике применения синхротронного излучения в эксперименте посвящены десятки обзоров в научных журналах, число публикаций по применению СИ растет с каждым годом, превышая в настоящее время две тысячи работ. [c.211]

Синхротронное излучение превосходит по интенсивности существующие источники рентгеновского излучения на 4— 6 порядков и обладает острой направленностью излучения (практически коллимированный пучок). Это позволяет повысить разрешение отображений до сотых долей микрона при экспозициях в несколько секунд. Причем с одной маски, как показали исследования фирмы IBM, можно получить десятки тысяч отображений. Это связано с меньшими лучевыми нагрузками на маску. Маска производится обычно на электронном микроскопе с фокусировкой пучка в пятно около 100 А. На конференции по физике вакуумного ультрафиолетового излучения ВУФ-5 (сентябрь 1977 г., Монпелье, Франция) было предложено использовать СИ для создания сканирующей рентгеновской системы, которая позволила бы повысить разрешение и при производстве самих масок для рентгеновской литографии. [c.271]

Исследования возможностей использования СИ для литографии проведены в основном фирмой IBM на европейских машинах (накопитель АКО во Франции, синхротрон ДЭЗИ в ФРГ). Результаты этих исследований показали, что для получения максимального контраста лучше использовать источник в мягкой рентгеновской области — для этого подходят, например, накопители электронов на 600— 700 МэВ. В Западном Берлине строится накопитель электронов на 800 МэВ, имеющий оптимальную энергию для рентгеновской литографии, на такую же энергию строится источник СИ в КНР. [c.271]

Процесс очистки в современной технологии позволяет удалить большую часть подвижных ионов. Типичные сдвиги порогового напряжения, обуслов-л.оиные этими частицами, сегодня меньше 0,25 В даже после приложения положительного смещения к затвору при повышенных температурах. Захват зарядов в окисле кремния под действием ионизирующего излучения исследовался в течение ряда лет. Результаты многих работ обсуждались на конференциях Института инженеров по электронике и радиотехнике, посвященных радиационным эффектам [2.53]. Индуцированный захват носителей представляет особую проблему для приборов, подвергающихся воздействию ионизирующих излучений при эксплуатации, как, например, в космосе. Более того, во все возрастающем числе самих процессов современной технологии используются излучения разлиадых типов. Это происходит в таких процессах, как электронный нагрев материалов, плазменные травление и осаждение, ионное распыление, а также в электронно-лучевой и рентгеновской литографии. [c.69]

В рентгеновской и ионно-лучевой литографиях механизмы поглощения энергии в резисте при экспонировании хорошо изучены, поэтому их можно промоделировать. Обьино считается, что скорость травления л процессе проявления является такой же функцией вносимой энергии, как и при электронно-лучевой литографии. Пример расчета профиля, образующегося в результате рентгеновской литографии в многослойном резисте с маской, имеющей скошенный край, приведен на рис. 13.6 [13.46]. Фотоэлектроны, которые генерируются в подложке, могут приводить к подтраву в позитивных резистах [13.47, 13.48]. При расчете процессов ионно-лучевой литографии методом Монте-Карло необходимо учитывать как ядерное, так и электронное рассеяние. [c.339]

Р. т. применяют в рентгеновском структурном анализе, спектральном анализе рентгеновском, дефектоскопии, рентгенотерапии и рентгенодиагностике, рентгеновской микроскопии, микрорентгенографии и рентг. литографии. В зависимости от области применения Р. т. могут различаться по типу конструкции, способу получения и фокусировки пучка эл-нов, вакуумированию, охлаждению анода, размерам и форме фокуса (области [c.637]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...