Эффекты задержки глубокого субмикрона

Эффекты задержки глубокого субмикрона 351 [c.351]

Приложение б. ЭФФЕКТЫ ЗАДЕРЖКИ В ТЕХНОЛОГИИ ГЛУБОКОГО СУБМИКРОНА [c.345]

Приложение Б. Эффекты задержки в технологии глубокого субмикрона [c.346]

В рассмотренном примере в дополнение к тому, что сигналам на входах а и Ь соответствуют разные значения задержек вывод-вывод, выходная характеристика вентиля (и, следовательно, крутизна выходного сигнала) также зависит от того, какой из входов вызвал изменение этого выходного сигнала. Изначально это явление было присушке МОП-технологиям и не проявлялось в логике на биполярных транзисторах, такой как ТТЛ. Однако с дальнейшим развитием технологий глубокого субмикрона многие из ранее скрытых эффектов задержки всё больше начали проявлять себя по-иному, пересекая принятые для них границы. [c.355]

Этот эффект сначала проявлялся в устройствах эмиттерно-связан-ной логики (ЭСЛ). Ещё в конце 1980-х существовала одна ЭСЛ-техно-логия, в которой паразитные конденсаторы на входах вентилей-при-емников (с точки зрения выходов вентилей-передатчиков) изменяли свою ёмкость почти на 100 процентов в зависимости от состояния логических сигналов на других входах. Но это явление больше не ограничивается в своём проявлении только технологией ЭСЛ. Снова повторюсь, эффекты, вызывающие изменение значения задержки, начинают проявлять себя в новом качестве и выходят за пределы традиционных значений, когда мы продолжаем погружаться в область глубокого субмикрона. [c.358]

При проектировании систем, основанных на использовании заказных микросхем (ASI ) или специализированных стандартных блоков (ASSP), расчет необходимых временных параметров и эффектов представляет собой довольно сложную задачу. С появлением каждого нового уровня технологического процесса анализ временных эффектов становится всё более устрашающим. С некоторого момента, значение которого точно не определено (или разными людьми определяется по-разному), но находится на уровне примерно 0.5-микронного (500 нанометров) технологического процесса, мы погружаемся в область, которой свойственны так называемые эффекты задержки глубокого субмикрона. [c.345]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...