Глубокий субмикрон

Технологический процесс менее 0.5 мкм называется глубоким субмикроном. [c.339]

Приложение б. ЭФФЕКТЫ ЗАДЕРЖКИ В ТЕХНОЛОГИИ ГЛУБОКОГО СУБМИКРОНА [c.345]

Приложение Б. Эффекты задержки в технологии глубокого субмикрона [c.346]

Эффекты задержки глубокого субмикрона 351 [c.351]

Следует заметить, что технология глубокого субмикрона не ограничивается только зависимостью задержки вывод-вывод от пути прохождения сигнала и типа входного воздействия (фронта или спада импульса), и представлены они здесь для того, чтобы подготовить вас к предстоящим ужасам. [c.352]

Рассмотренный выше пример был отчасти упрощенным, так как длительность двух рассмотренных задержек вывод-вывод была одинаковой и не изменялась при разной крутизне поступающих сигналов. Некоторые производители САПР всё же называют такой случай зависимостью от крутизны , однако это определение не совсем корректно. На самом деле, в технологиях глубокого субмикрона величина задержки может быть действительно зависимой от крутизны, то есть её длительность может напрямую меняться с изменением крутизны входного сигнала. [c.353]

В рассмотренном примере в дополнение к тому, что сигналам на входах а и Ь соответствуют разные значения задержек вывод-вывод, выходная характеристика вентиля (и, следовательно, крутизна выходного сигнала) также зависит от того, какой из входов вызвал изменение этого выходного сигнала. Изначально это явление было присушке МОП-технологиям и не проявлялось в логике на биполярных транзисторах, такой как ТТЛ. Однако с дальнейшим развитием технологий глубокого субмикрона многие из ранее скрытых эффектов задержки всё больше начали проявлять себя по-иному, пересекая принятые для них границы. [c.355]

Как вы уже заметили, при обсуждении зависимости выходной характеристики от состояния вентиля предполагалось, что порог срабатывания в рассматриваемых случаях находился на одном и том же уровне. Если это вас как-то насторожило, то этот подраздел поможет вам перенести все ужасы технологии глубокого субмикрона. [c.357]

Этот эффект сначала проявлялся в устройствах эмиттерно-связан-ной логики (ЭСЛ). Ещё в конце 1980-х существовала одна ЭСЛ-техно-логия, в которой паразитные конденсаторы на входах вентилей-при-емников (с точки зрения выходов вентилей-передатчиков) изменяли свою ёмкость почти на 100 процентов в зависимости от состояния логических сигналов на других входах. Но это явление больше не ограничивается в своём проявлении только технологией ЭСЛ. Снова повторюсь, эффекты, вызывающие изменение значения задержки, начинают проявлять себя в новом качестве и выходят за пределы традиционных значений, когда мы продолжаем погружаться в область глубокого субмикрона. [c.358]

Эти предположения теряют свою истинность в сфере глубокого субмикрона. Возвращаясь к трём логическим элементам, показанным на Рис. Б.22, следует заметить, что теперь некоторая часть паразитного сигнала, связанная с проводником 2 и входом вентиля g3.a может отразиться и пройти через вентиль 2 и тем самым повлиять на выход /.у. Кроме того, если бы вентиль 2 представлял собой 2-входовую логическую функцию, например, исключающее ИЛИ, то величина этих паразитных явлений могла бы зависеть от состояния вентиля, то есть могла определяться логическим сигналом, установленном на другом входе. [c.360]

К сожалению, развитие многих средств верификации отстаёт от кремниевых технологий. Если эти средства не будут расширены, чтобы учитывать все эффекты, возникающие в области глубокого субмикрона, то разработчики будут вынуждены использовать жесткие ограничения для того, чтобы быть уверенными, что их устройство функционирует должным образом. Следовательно, разработчики не смогут воспользоваться всеми потенциальными возможностями новых технологий, которые появятся в недалёком будущем. [c.360]

Если возникающие в проводнике- жертве выбросы или провалы пересекают входной порог срабатывания приёмного устройства, то это может привести к функциональной ошибке. В некоторых случаях эта ошибка проявляется в виде неправильных значений, которые впоследствии загружаются в регистр или защёлку. Иногда ошибка заставляет защёлку выполнить непредусмотренную загрузку, установку или сброс. Высокоуровневые выбросы и низкоуровневые провалы на проводнике- жертве также могут вызывать нежелательный перенос носителей заряда в транзисторах, формирующих логические элементы, вследствие чего работоспособность схемы может быть нарушена. Хотя эти явления (их ещё называют эффектами горячих электронов) не являются главной угрозой в контексте рассматриваемой нами технологии реализации цифровых микросхем с увеличением размеров устройств, реализованных с помощью глубокого и сверхглубокого субмикрона, проблемы, связанные с данными явлениями выйдут на первое место. [c.339]

Эта методика соответствовала уровню изготовления устройств того времени, которые реализовывались по мультимикронным технологиям и содержали, по сегодняшним меркам, относительно небольшое количество вентилей. В сравнении с ними, современные устройства могут содержать десятки миллионов вентилей, и размеры этих элементов уходят в область глубокого субмикронна. Другими словами, задержки сигнала на проводниках теперь могут составлять до 80% полной задержки. Следовательно, использование традиционных средств логического/НОЬ-синтеза для оценки временных параметров современных устройств может привести к таким данным, которые будут иметь мало общего с действительностью. При этом достичь состояния временного соответствия будет почти невозможно. [c.254]

При проектировании систем, основанных на использовании заказных микросхем (ASI ) или специализированных стандартных блоков (ASSP), расчет необходимых временных параметров и эффектов представляет собой довольно сложную задачу. С появлением каждого нового уровня технологического процесса анализ временных эффектов становится всё более устрашающим. С некоторого момента, значение которого точно не определено (или разными людьми определяется по-разному), но находится на уровне примерно 0.5-микронного (500 нанометров) технологического процесса, мы погружаемся в область, которой свойственны так называемые эффекты задержки глубокого субмикрона. [c.345]

В больших устройствах, изготовленных по технологии глубокого субмикрона, скорость передачи сигналов и относительно длинные дорожки приводят к возникновению некоторых эффектов, характерных для линий передач. Однако резистивная природа внутрикристальных соединений не подвержена чистым L -эффектам. Поэтому внутренние проводники таких микросхем могут быть описаны с помощью RL -модели (Рис. Б.9). [c.351]

Глазковая диаграмма 291 Глазковая маска 291 Глубокий субмикрон 61, 339 Гоэринга, Ричард 15 Графический ввод 142 Графическое описания схем 126 [c.401]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...