Термы электронные молекулы

Лямбда-удвоение — расщепление электронных термов линейной молекулы в результате ровибронного и спин-орбитального взаимодействий. [c.269]

При отборе материала для табл. 32.5 мы использовали таблицы спектроскопических постоянных двухатомных молекул [3, 14] и многочисленные журнальные публикации последнего времени. Погрешности в определении числовых значений величин были учтены при округлении значащих цифр в пределах 1 для последней приведенной цифры. Оцениваемые погрешности определения электронных термов двухатомных молекул и ионов указаны непосредственно на рис. 32.44—32.48. [c.857]

Электронные термы двухатомных молекул [c.668]

Каково выражение для термов электронно-колебательной энергии двухатомной молекулы [c.106]

С (уг, К) — электронно-колебательный терм линейных молекул [c.760]

Подобно тому как это имеет место для нижайших электронных термов многоатомных молекул (см. [69], 98), для кристаллов обычно используется эмпирическое правило, под- [c.204]

Рис. 32.45. Электронные термы молекул СО и СО+ [3, 16]

Рие. 32,44, Электронные термы молекул На и Нг" " 115] [c.857]

Pn . 32.47. Электронные термы молекул NO, N0+ и N0 [c.858]

Рис. 32.48. Электронные термы молекул Оз, Ог+ и 02- [19]

Рис. 32.8 Электронные термы молекулы Н, 114].

Рис. 32.9. Электронные термы молекулы 115].

Расстояние между ядрами, нм Рис. 32.10. Электронные термы молекул N2 и [16]. [c.669]

Расстояние между ядрами, нм Рис. 32.11. Электронные термы молекул NO NO" и NO [16]. [c.670]

Измерения электропроводности и связанных с ней явлений, таких как термо-э. д. с., э. д. с. Холла и др. дают дополнительную информацию об электронных процессах, протекающих при адсорбции молекул на поверхности металлов. [c.160]

Как изменяются расстояния между электронными термами молекулы с увеличением электронной энергии [c.100]

Функционально-групповой анализ. В первом, наименее точном и подверженном ошибкам методе анализа используют "групповые частоты". Этим термином обозначают некоторые общие корреляции (которые установлены в основном для стабильных молекул) между наличием определенных атомных группировок в молекуле и ее ИК-спек-тром. Например, валентные колебания связей С—Н наблюдаются обычно в области 3300-2700 см 1, связей С-К - при 1200 см а связей Р-С1 - при 500 см 1 и т.д. Менее надежные корреляции применимы и к деформационным колебаниям. Однако у многих активных частиц (особенно небольшого размера) частоты колебаний лежат вне обычных пределов, что обусловлено особенностями их электронного строения (ослабление или усиление некоторых связей) или взаимодействием колебательных термов. Так, типичная область валентных колебаний 81—Н составляет 2350-2050 см 1, тогда как частота колебания самой частицы 5Ш в матрице равна 1967 см 1. [c.97]

Электронные переходы происходят между двумя состояниями молекулы, каждое из которых описывается соответствующей потенциальной кривой. Если кривая имеет минимум, то в данном электронном состоянии должны существовать квантованные колебательные уровни и в спектре могут наблюдаться переходы на некоторые из них. В таком случае информацию о колебательных уровнях можно получить из электронного спектра. Спектр поглощения матрично-изолированной молекулы соответствует переходам с основного колебательного уровня нижнего электронного состояния на различные колебательные уровни возбужденного электронного состояния и, таким образом, дает информацию о потенциальной кривой последнего. В свою очередь спектр испускания обычно соответствует переходам с нижнего колебательного уровня верхнего электронного состояния и содержит информацию о потенциальной кривой нижнего состояния. В каждом случае из спектра можно получить значение энергии электронного перехода, т.е. раз ность энергии двух уровней с у = О, а также колебательные термы для одного из состояний [c.114]

ТОНКАЯ СТРУКТУР (мультиплетнос расщепление) уровней энергии — раси)спление уровней энергии (термов) атома, молекулы или кристалла, обусловленное гл. обр. спин-орбишильным взаимодействием. Тонкое расщепление уровней — причина возникновения Т. с. спектральных линий, Мультинлетное расщепление электронных уровней энергии молекул связано с т, н. взаимодействием спин—ось. [c.126]

Дипольиые моменты молекул. ... Электронные термы двухатомных молекул [c.5]

М — молекулярный вес р — давление газа Т — терм электронной энергии ио — частота колебаний Во — вращательная постоянная а — число симметрии, равное двум для гомоядерных молекул и единице — для гетероядерных. [c.40]

Многообразие термов тетраэдрических молекул ХН4. Выше уже было рассмотрено многообразие электронных состояний молекулы СН4 на основе корреляции с состояниями объединенного атома (разд. 1,а). Рассмотрение электронных конфигураций приводит к тем же самым результатам (фиг. 129) для основного и первого возбужденного состояний получаются следующие электронные конфигурации и типы симметрии состояний (1я1)2 (2а1) (1/2) 1 и (1а1)2 (2а1)2 (1/г) За1УР2, где орбитали 1/г и Зй получаются из орбиталей 2р и Зх объединенного атома. [c.356]

Успех опытов Штерна вызван тем, что, во-первых, магнитный момент электронной оболочки молекулы водорода в нормальном состоянии равен нулю, а, во-вторых, тем, что момент, связанный с вращением молекулы, доступен непосредственному измерению по отклонению пучка молекул параводорода. Вообще же говоря, магнитный момент ядра много меньше магнитного момента электронной оболочки [Ху и проявляется лишь в небольших поправочных членах, определяющих магнитное ращепление уровней ( 92). Магнитный момент ядра можно наиболее непосредственно обнаружить на расщеплении терма, для которого У=0 (например, терма Sq). Полный магнитный момент атома в состоянии с 7=0 совпадает с магнитным моментом ядра и, следовательно, по величине магнитного расщепления уровня с J=0 можно непосредственно найти множитель Ланде g I). Однако наблюдение обычного эффекта Зеемана на таких уровнях требует применения очень сильных магнитных полей до сих пор оно остается экспериментально не исследованным. [c.568]

П. и. используется в ионных источниках, детекторах молекулярных и атомных пучков (включая селективные детекторы и газоанализаторы органич. соединений), для компенсации объёмного заряда электронов в разл. устройствах. П. и, позволяет исследовать мн, физи-ко-хим. процессы на поверхности твёрдого тела, а также свойства частиц и поверхности твёрдого тела. Применяются свыше 30 поверхностно-ионизационных методов для определений К и 5 атомов, молекул и радикалов кинетич. характеристик термо десорбции этих частиц в виде ионов и в нейтральном состоянии для изучения реакций на поверхности твёрдого тела фазовых переходов в адсорбированных слоях для определения активности катализаторов в гетерогенных реакциях диссоциации и др. Эти методы пригодны при вы-соких Т и имеют большую чувствительность, если а 1, Существуют комбинированные методы, в к-рых П. и. сочетается с термоэлектронной эмиссией, С элект-рОЕЕО-стимулированной десорбцией и др. [c.646]

ТЕРМЫ СПЕКТРАЛЬНЫЕ — уровни энергии атома, иона или молекулы, характеризующиеся определ. значениями полного орбитального момента L и полного спина S электронов. Термы обозначаются символом L, где 25-1-1 — мультиплетность терма, а состояния с /. = 0, 1, 2, 3, 4, 5,. .. обозначаются S, Р, D, F, G, Н,. .. соответственно. Различают Т. с. синглетные ( 5, Р, ),спин равен 0), дублетные ( S, Р, D,. .. спин равен /г), триплетныс S, Р,. .. спин равен 1) и т.д. [c.107]

Молекула, как и атом, характеризуется мультиплет-ностью электронных состояний. Мультнплетность уровня определяется и обозначается по указанным выше правилам. По отношению к отражению в плоскости симметрии, проходящей через ось молекулы, электронные состояния разделяются на положительные (-t-) и отрицательные (—), что указывается вверху справа у квантового числа Л. Для линейных молекул, обладающих центром симметрии, электронные состояния делятся на четные (g) и нечетные (и), что указывается справа внизу у Л. В ряде случаев перед символом терма Л дается дополнительный символ (А, В, С, X,. .., а, Ь, с,. ..), приписываемый каждому конкретному терму и не связанный однозначно со спектроскопическими характеристиками молекулы. [c.649]

По квантовомеханическим представлениям молекула как целое может находиться в различных дискретных энергетических состояниях. Спектры, поглощения и люминесценции, отвечающие переходам из одного электронного состояния в другое, как правило, наблюдаются в ультрафиолете, иногда в видимой области. В ряде случаев (двуатомные молекулы) они имеют резко выраженную полосатую структуру вследствие наложения колебательных и вращательных термов на основной электронный переход. [c.773]

Для более подробного выяснения условий возникновения колебательных возмущений рассмотрим пересечение двух соседних вещественных уровней спектра (такие уровни всегда обладают разной четностью). С этой целью воспользуемся методом Л.Д. Ландау и Е.М. Лифшица [16], применявшимся в теории электронных термов молекул М.И. Шлиомис ([17] см. [8], 26) использовал этот метод при исследовании пересечений уровней спектра возмущений равновесия неравномерно нагретой проводящей жидкости в магнитном поле. [c.17]

Эффективное уменьшение эиергии отталкивания электронов с параллельными спинами пграет большую роль в атомах, молекулах и кристаллах. В частности, оно обеспечивает возможность ферромагнетизма (электронам в соседних атомах энергетически выгодно иметь параллельные спины, если соответствующая оболочка не заполнена, что и имеет место у ферромагнетиков). Аналогичный эффект лежит в основе гомополяр-пой молекулярной связи как у молекулы водорода На он имеет важное значение для онределения термов атомов, начиная с Не. [c.455]

На основании изложенных выше данных Реннер [1069] получил для электронно-колебательных термов в электронном состоянии П линейной молекулы XY2 следующие выражения, справедливые при малом и среднем взаимодействии электронного и колебательного движений, но не учитывающие члена четвертой степени в уравнении (1,31) при К = 0 (электронно-колебательные состояния 2) [c.36]

Вращательные уровни для невырожденных колебательных уровней невырожденных синглетных электронных состояний. Простейшие случаи вращательных уровней молекул типа симметричного волчка в невырожденных синглетных электронных состояниях нами подробно уже рассматривались [23], а поэтому здесь можно ог])аничигься лишь подведением итогов. Вращательные термы вытянутого волчка при отсутствии колебательных (или электронных) вырождений описываются следующим выражением [c.85]

Многообразие термов линейных и нелинейных молекул XYg. Если электронные конфигурации молекул ХНг в основном могут быть получены на базе электронных конфигураций объединенного атома, то нри замещении атомов водорода на более тяжелые атомы это положение уже не сохраняется. В данном случае на корреляционной диаграмме фиг. 121 для линейных молекул ХУг необходимо использовать ту область, которая ближе к системе уровней энергии орбиталей разделенных атомов. Результирующий (очень приближенный) порядок расположения орбиталей по энергии показан в правой части ранее приведенной на фиг. 126 диаграммы Уолша, тогда как соответствующий порядок расположения орбиталей для нелинейной молекулы ХУг показан в левой части диаграммы. В табл. 37 приведены низшая и первые возбужденные электронные конфигурации, полученные на основании диаграммы фиг. 126, а также результирующие состояния для ряда линейных молекул, содержащих до 16 валентных электронов, а в табл. 38 аналогичные данные для ряда нелинейных молекул, содержащих от 17 до 20 валентных электронов. В обеих таблицах -электроны не указаны, однако они считались при выписывании обозначений орбиталей. Следует заметить, что между Сз и ВОг происходит обращение порядка расположения орбиталей 1л и Зстц. Это обращение не следует с очевидностью из фиг. 121, тем не менее из экспериментальных данных оно следует очень явно, так как первое наблюдаемое возбужденное состояние молекулы Сз — Щц, а возбужденное состояние молекулы ВОг и иона СО оказывается расположенным ниже, чем состояние [c.353]

Многообразие термов молекулы НгСО. Порядок расположения орбиталей для плоской молекулы НгХУ показан на фиг. 131. Если заполнить орбитали 16 электронами, то для основного состояния молекулы НгСО получим [c.357]

Многообразие термов молекулы С2Н4. Используя порядок расположения энергий орбиталей, приведенный на фиг. 132, неносредственно получаем, что основным состоянием молекулы СгИ4 (с 12 электронами, не считая электронов ЛГ-оболочек) будет [c.357]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...