Кристаллы группа

В кристаллах группа атомов (иногда, как в некоторых металлах, только один атом) тождественно связана с каждым узлом регулярной пространственной решетки. Период решетки обычно составляет от I до 10 нм, хотя в кристаллах органических веществ, например, это значение существенно больше, поскольку в них с каждым узлом решетки связано очень много атомов. Поскольку длины волн рентгеновских лучей лежат в пределах приблизительно от до 10 нм (см. приложение Г) и они рассеиваются (или дифрагируют, эти термины, как указано в разд. [c.43]

Оси распространения в кристалле кубической группы 43т. Пусть в кристалле группы 43т распространяется световая волна с волновым вектором К, направленным по радиус -вектору полярной системы координат (в, ф). В системе координат, показанной на рис. 7.14, ось z совпадает с волновым вектором К, а ось х выбрана таким образом, чтобы с-ось кристалла (ось z) располагалась в плоскости x z. Ось у перпендикулярна осям z их. [c.294]

Василевская A. ., Сонин A. . Связь диэлектрических и электрооптических свойств сегнетоэлектрических кристаллов группы KDP в параэлектрической фазе. — ФТТ, 1971, т. 13, №6, с. 1550. [c.296]

Все подгруппы данной группы кристаллической симметрии содержатся среди 32 кристаллических групп, поэтому при добавлении других тензоров к тензорам, задающим симметрию кристаллов, группы симметрии совокупности аргументов будут принадлежать также к одной из 32 кристаллических групп. [c.460]

Зерна абразивных инструментов представляют собой искусственные НЛП природные минералы и кристаллы. Абразивные материалы отличаются высоко твердостью, которая определяется по минералогической шкале. Зерна абразивов разделяют по крупности на группы И номера. Основная характеристика номера зернистости — количество и крупность его основной фракции. При изготовлении инструмента зерна скрепляются друг с другом с помощью цементирующего вещества — связки, Наиболее широко применяют инструменты, изготовленные на керамической, бакелитовой или вулканитовой связке. [c.363]

Парамагнитная восприимчивость х многих веществ, содержащих металлы переходной группы и редкоземельные элементы, хорощо описывается законом Кюри, согласно которому х обратно пропорциональна Т. Однако вычислить магнитную восприимчивость реального кристалла очень сложно и хотя роль основных влияющих факторов видна вполне ясно, детали проблемы трудны и часто недостаточно понятны. В основном по этой причине магнитная термометрия не применяется для первичных измерений температуры, хотя существует и вторая трудность, состоящая в том, что абсолютные измерения магнитной восприимчивости очень сложны. Как мы увидим ниже, константы в функциональной зависимости х от 7 приходится находить градуировкой по другим термометрам. Хотя магнитная термометрия не является первичной в строгом смысле, она занимает важное место в первичной термометрии, выступая в качестве особого интерполяционного и в некоторых случаях экстраполяционного термометра. Рассмотрим кратко основные факторы, определяющие температурную зависимость парамагнитной восприимчивости конкретных кристаллов и это сделает ясной специфическую роль магнитной термометрии. [c.123]

Осаждение модификаторов данной группы на поверхность возникающих кристаллов уменьшает их свободную энергию Р. Модификаторы могут изменять не только величину Укр, но и форму кристаллов. К этой группе модификаторов относятся для стали и никеля — В, для серого чугуна — Mg и др. [c.27]

Возникновение электронной или дырочной электропроводности при введении в идеальный кристалл различных примесей обусловлено следующим. Рассмотрим кристалл 81, в котором один из атомов замещен атомом 8Ь. На внешней электронной оболочке 8Ь располагает пятью электронами (V группа периодической системы). При этом четыре электрона образуют парные электронные связи с четырьмя ближайшими атомами 81. Свободный пятый электрон продолжает двигаться вокруг атома 8Ь по орбите, подобной орбите электрона в атоме На однако сила его электрического притяжения к ядру уменьшится соответственно величине диэлектрической проницаемости 81. Поэтому для освобождения пятого электрона требуется незначительная энергия (приблизительно 0,008 адж). Такой слабо связанный электрон легко отрывается от атома 8Ь под действием тепловых колебаний решетки при низких температурах. Низкая энергия ионизации примесного атома означает, что при температурах около—100° С все атомы примесей в Се и 81 уже ионизированы, а освободившиеся электроны участвуют в процессе электропроводности. При этом основными носителями заряда являются электроны и возникает электронная (отрицательная) электропроводность, или электропроводность п -типа. [c.388]

Примеси, обусловливающие возникновение электронной электропроводности в кристаллах, называют донорными. В 81 и Се донорными примесями являются элементы V группы 8Ь, Р, Аз, В1. [c.388]

Различают четыре типа элементарных связей ковалентную, ионную, межмолекулярную и металлическую. В зависимости от преобладающих элементарных связей в кристаллах также различают соответственно четыре группы связей атомные, ионные, молекулярные и металлические. [c.9]

Конструкторское проектирование СБИС включает ряд процедур. Разрезание (partitioning или компоновка) заключается в группировании компонентов по критерию связности, что нужно или для размещения формируемых групп в отдельных чипах при многокристальной реализации, или для определения их взаимного расположения в одном кристалле в процессе выполнения последующей процедуры планировки (floorplanning) кристалла. Группы при планировании представляются в виде прямоугольников, их расположение обычно определяется в интерактивном режиме, но находят применение также генетические алгоритмы. [c.134]

В настоящее время наиболее интенсивные работы проводятся на монокристаллах СбЗ. Вызвано это, с одной стороны, высокими пьезоэлектрическими свойствами данного кристалла по сравнению со всеми прочими кристаллами группы А В ( 33 = 10,32 X X 10" ( 55 = 5,18 10" ) [74], а с другой стороны, возможностью использовать кристаллы С(35 для усиления ультразвуковых волн [75] и построения как активных линий задержки, так и усилителей радиочастотного сигнала с двойным преобразованием. Поэтому использование в этих системах и преобразователей, и звукопро-вода из сульфида кадмия упрощает задачу их акустического согласования, что позволяет построить систему более широкополосную с меньшим отношением сигнала к шуму, который вызывается нежелательными отражениями ультразвуковых волн от торцевых граней звукопровода. Кроме того, использование преобразователей такого типа в интегральных схемах позволяет значительно упростить конструкцию указанных устройств. [c.326]

Ш (т. и. шубниковскме группы) ивляются асимметричным расширением обычных фёдоровских пространств. групп С =Ф, описывающих атомную структуру кристаллов. Групп 6 а всего 1651. Из них 1421 (креме серых ) применяются, в частности, для описания расположения спинов атомов в кристаллах, обладающих магн. Boii TBaMH. А. является одним из обобщений [c.107]

В табл. 8.1 приведены фазотые задержки и электрооптические свойства кристаллов группы 43т в случае, когда электрическое поле приложено вдоль направлений <001>, <110> и <111>. Очевидно, что максимальная достижимая фазовая задержка определяется выражением (8.1.30). Полуволновое напряжение при этом равно [c.310]

Поле зрения элекп ооптического модулятора на основе кристалла группы 43т. Рассмотрим в кристалле с группой точечной симметрии 43т электрооптический эффект, такой, что при наличии электрического поля, направленного вдоль кубической оси, главные значения показателя преломления даются выражениями [c.336]

Суммарное действие упругих моментов деформированного слоя НЖК описывается посредством упругой энергии объема ЖК, которая является функцией от градиентов директора Дп(г). Она обращается в нуль ири Дп = 0. Симметрия жидких кристаллов (группа в нематиках, в холестериках и смектиках Л, в сметиках Сит. д.) ограничивает число ненулевых коэффициентов упругости в выражении для е- Коэффициенты упругости /С, имеют размерность силы и по порядку величины равны W/1, где [c.85]

Время фоточувствительности структур на основе BSO, BGO и кристаллов группы AsBe также определялось экспериментально по временной зависимости электрического тока через образец структуры [160, 163], так как формула (3.45) справедлива только в режиме питания прямоугольными импульсами. Оно было достаточно велико (до 10" с), в результате чего структуры способны регистрировать низкие уровни световой интенсивности. В то же время в отличие от структур с арсенидом галлия и кремнием оно ограничивалось малым удельным сопротивлением используемых жидкокристаллических смесей 0М СМ< -Српп), так как при времени импульса питания более 10 мс (соответственно на частотах питания менее 100 Гц) устанавливался режим сквозной проводимости. Действительно, ЖК ведет себя в МДП как типичный диэлектрик только при временах, меньших или равных Времени диэлектрической (максвелловской) релаксации [c.174]

Высокие электрооптические коэффициенты, во много раз превышающие электрооптические коэффициенты кристаллов группы дигидрофосфата калия и ниобата лития [11, высокие пироэлектрические коэффициенты [2], аку-стооптические [31 и нелинейные [4] свойства твердых растворов ниобатов бария-стронция (НБС) выдвигают эти соединения в число наиболее перспективных материалов. Большие потенциальные возможности присущи кристаллам НБС при использовании их в качестве среды для обратимой оптической памяти [51. [c.101]

ЭЛ.-СТ. ед. дает нз (VI.20) значение те = —23,3-10 , а для Пвз = —24,3 10 эл.-ст. ед. Таким образом, ложный электрооптический эффект в KDP составляет около 4% общего. В кристаллах NH4Pv2P04(ADP) ложный электрооптический эффект значительно выше и составляет около 20% общего эффекта. Линейный электрооптический эффект в кристаллах группы KDP слабо зависит от длины волны во всей видимой области спектра. Вплоть до значения частот 10 гц е в этих кристаллах (а значит, и коэффициенты г) практически не зависит от частоты внешнего поля. [c.202]

Вторая пространственная группа, которую мы изучим в этой книге ), — это пространственная группа структуры алмаза 0 или Fd3m. Это довольно типичный представитель несимморфных групп. Группой трансляции снова является группа F (гранецентрированная кубическая), а точечной группой кристалла— группа Oft. Поэтому 01 есть (нерасщепленное) расширение F при помощи Oft. Оказывается, однако, что для этой группы имеется упрощающее обстоятельство, которое может быть полезным при последующем использовании теории представлений. При явном выписывании 48 смежных классов в разложении по F можно показать, что [c.45]

Рис. 1. а — спектры поглощения кристаллов группы корундов а-СГгОй [c.191]

Совокупность элементов симметрии кристалла, переводящих все его точки в им эквивалентные, образует пространственную группу кристалла. Группа трансляций является подгруппой пространственной группы. Для трехмерных кристаллов имеется 230 различных пространственных групп для двумерных—17 и для одномерных —две. Полная классификация всех пространственных групп была впервые дана Е. С. Федоровым (1895 г.) и несколько позже Шенфлисом. [c.25]

Помимо рассмотренных нами особых направлений, пепосред-ствешю порожденных элементами симметрии кристалла (группа 0(кр) в таблице), могут существовать особые направления, связанные с общими элементами симметрии тензоров е, с и е, не входящими в группу 0(кр). [c.28]

Из всех чисто органически твердых тел они обладают наибольшей электропроводностью [13, 14]. При образовании кристалла группы NMP отдают по электрону группам ТСМр. Плоские радикалы (КМР)+ тесно примыкают друг к другу, образуя набор цепочек одного вида, а радикалы (T NQ) образуют другие цепочки [15]. Заметная электропроводность довольно легко возникает при этом в результате переноса заряда вдоль каждой цепочки. [c.64]

Изучение электронной структуры широкозонных кристаллов занимает большое место в исследованиях твердого тела с синхротронным излучением. Интересные результаты получены с кристаллами группы ПА—V1B, щелечногалоид-ными и др. Например, профили линий в спектрах поглощения криокристаллов инертных газов были сопоставлены с линиями в спектрах газов. Сравнение этих спектров позволило проследить влияние кри- сталлического состояния на оптиче-ские свойства. В области фунда- h /ЗВ ментального поглощения в спект-Рис. 49. Спектры отраже- отражения криокристаллов [c.254]

Уровни энергии кристалла группи- шётки. В зависимости от хар-ра про- средой лазеров, руются в энергетич. зоны (см. Зонная явления дефекта в С. к. их наз. Пайне Д., Элементарные возбуж-теория). При переходах между зонами центрами окраски, центрами люми- [c.712]

Центрами кристаллизации могут быть группы элементарных кристаллических решеток, неметаллические включения и тугоплавкие примеси. Кристаллизация сплава обычно начинается от стенок формы (изложницы). С наибольшей скоростью кристаллы растут в направлении, противоположном отводу теплоты, т, е, перпендику-лярио к стенке формы. [c.7]

При кристаллизации металла сварочной ванны азот образует почти со всеми металлами соединения — нитриды различной степени устойчивости (см. рис. 9.33). Особенно устойчивые нитриды образуют -металлы IVB, VB, VIB групп периодической системы. Нитриды железа Fe4N, Fe2N образуют очень хрупкие игольчатые кристаллы, разрушение которых приводит к зарождению холодных трещин (замедленное разрушение). Из промышленных металлов только медь не дает устойчивых нитридов и поэтому ее можно сваривать в атмосфере азота (см. п. 10.3). [c.403]

Смотреть страницы где упоминается термин Кристаллы группа : [c.256] [c.187] [c.292] [c.292] [c.232] [c.266] [c.49] [c.62] [c.173] [c.201] [c.207] [c.348] [c.191] [c.196] [c.53] [c.158] [c.389] [c.220] [c.240] [c.75] [c.231] [c.282]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...