Сегнетоэлектрические свойства кристаллов НБС

Сегнетоэлектрические свойства кристаллов НВС [c.106]

Сегнетоэлектрические свойства кристаллов [c.181]

Жидкие кристаллы обладают анизотропией упругости, электропроводности, магнитной восприимчивости и диэлектрической проницаемости, оптической анизотропией, сегнетоэлектрическими свойствами и др. [c.14]

Таким образом, совокупность исключительно высоких сегнетоэлектрических, пьезоэлектрических, оптических, электрооптических, нелинейных и упругих свойств кристаллов ниобата бария-натрия дает возможность применять их как в лазерных системах связи, так и в других областях науки и техники [8—16]. [c.176]

Для линейных пироэлектриков спонтанно поляризованное состояние устойчиво всегда, при всех температурах (вплоть до разложения кристалла при нагреве). Для сегнетоэлектриков наличие спонтанной поляризации характерно только в определенном интервале температур. В этом интервале сегнетоэлектрические кристаллы, как правило, имеют различные кристаллические (структурные) модификации, и не все они обладают спонтанной поляризацией. Изменение структуры такого кристалла, сопровождаемое возникновением (исчезновением) спонтанной поляризации, называется фазовым переходом, а температура, ему соответствующая,— температурой фазового перехода или точкой Кюри. В области фазового перехода резко меняются и имеют аномалии почти все свойства кристалла электрические, оптические, механические и др. [c.37]

Еще совсем недавно сегнетоэлектрическое состояние вещества было известно для единиц кристаллов и считалось своеобразным курьезом. В настоящее время известно более ста веществ, обладающих сегнетоэлектрическими свойствами, а число твердых растворов сегнетоэлектриков во много раз больше. Сегнетоэлектрики находят широкое применение в различных областях науки и техники. Ниже на примере наиболее важных и хорошо изученных сегнетоэлектриков будут описаны их структура и свойства. [c.39]

Если подать очень большую амплитуду напряженности электрического поля, то векторы Рв доменов расположатся вдоль поля, и весь кристалл будет состоять из одного домена. Однако если иоле переменное, то зависимость поляризованности Р от напряженности Е будет иметь вид петли, подобной той, которая отображает изменение В от Н у ферромагнетиков. Наличие петли гистерезиса Р — Е — непременное условие существования сегнетоэлектрических свойств. [c.287]

Многие кристаллы обладают пьезоэлектрическими и сегнетоэлектрическими свойствами, здесь будут рассмотрены лишь важнейшие из них, используемые на практике. [c.298]

Василевская A. ., Сонин A. . Связь диэлектрических и электрооптических свойств сегнетоэлектрических кристаллов группы KDP в параэлектрической фазе. — ФТТ, 1971, т. 13, №6, с. 1550. [c.296]

Зависимость сегнетоэлектрических свойств кристаллов ВаТ10з от характера химической связи освеш,ена Беляевым [1], а кристаллохимический анализ температурных фазовых переходов в сегнето- и антисегнетоэлектрических соединениях со структурой [c.271]

Зависимость сегнетоэлектрических свойств кристаллов BaTiOg от характера химической связи освещена Беляевым [1], а кристаллохимический анализ температурных фазовых переходов в сегнето- и антисегнетоэлектрических соединениях со структурой типа перовскита (BaTiOg) и других — в работе Венецева и Жданова [2]. [c.389]

В некоторых Кристаллах наблюдается спонтанная, даже без наличия внешнего поля, прляризация, направление которой меняется лишь ПОД действием внешнего поля. По аналогии с ферромагнетиками такие кристаллы называют ферроэлектриками. Сегнетоэлектрики отличаются от обычных диэлектриков тем, что у них поляризация с изменением поля меняется нелинейно. Их спонтанная поляризация (при температуре ниже так называемой температуры Кюри ) обусловлена упорядоченными смещениями ионной решетки. К числу типичных сегнетоэлектриков относится сегнетова соль (тартрат натрия-калия) и титанат бария. В ВаТЮд, например, ионы и Ва смещены относительно ионов кислорода. Сегнетоэлектрические свойства кристаллов зависят от структуры и наличия в решетке определенных функциональных групп или определенного ионного окружения проявление подобных свойств возможно лишь при некоторых типах симметрии решетки. [c.76]

Электрооптические свойства. Кристаллы с а >0,7 оптически одноосные в обеих фазах. В полярной фазе имеются три независимых линейных электрооптических коэф-1фициента Гц, г иг15. При приложении поля вдоль сегнетоэлектрической оси изменение показателей преломления дается выражением [c.235]

В кристаллах KSN сегнетоэлектрические домены ориентированы вдоль тетрагональной оси с. Если электриче ское поле приложить вдоль оси с неполярного образца, то домены, антипараллельные направлению поля, изменят свое направление поляризации, так что все домены окажутся направленными параллельно приложенному полю. Изменение направления приложенного поля, а следовательно, и поляризации на противоположное не должно изменять диэлектрические свойства кристалла. Однако эксперименты под азали, что дизлектрические свойства не соответствуют исходным, если кристалл деполяризовался в уменьшающемся переменном поле, тогда как при термической деполяризации (при охлаждении от температуры выше точки Кюри) его свойства полностью восстанавливаются. Кроме того, было обнаружено, что приложение переменного поля к полидоменному кристаллу оказывает тот же самый эффект, что и постоянное поле. Этот эффект еще не объяснен, хотя можно сделать предположение, что термическая деполяризация кристалла приводит к антисегнетоэлектрическому состоянию чрезвычайно малых сегнетоэлектрических доменов, когда приложенное электрическое поле не превышает 3 кВ/см. [c.252]

Сегнетоэлектрические свойства. В работе [26] авторы модифицировали соединение KSraNbsOis путем введения в него лантана. Тем самым они повысили величину диэлектрической проницаемости при комнатной температуре и увеличили электрооптические коэффициенты r.j, поскольку между Гу и имеется прямая пропорциональность. Модифицированные кристаллы выращивались по методу Чохральского из расплавов составов [c.261]

Спонтанная (самопроизвольная) поляризация присуща особому классу диэлектриков — сегнетоэлектри-кам, получивщим свое название от сегнетовой соли, на которой впервые были обнаружены те особенные свойства, которые характеризуют этот класс материалов. Сегнетоэлектрическими свойствами обладают некоторые неорганические кристаллы. Эти кристаллы состоят из областей — доменов, представляющих собой диполи с определенными электрическими моментами. Таким образом сегнетоэлектрики отличаются от полярных диэлектриков с дипольными молекулами тем, что иоследние имеют самопроизвольно поляризованные молекулы, 46 [c.46]

Спонтанная поляризация у кристаллов в этой системе не существует, поэто.му сегнетоэлектрических свойств нет, следовательно, образуется простая параэлектриче-ская фаза. [c.291]

Вторая группа сегнетоэлектриков (со смещением) включает иоР ные кристаллы со структурой, близкой к структурам перовскита и ильменита. Простейший кристалл, обнаруживающий сегнетоэлектрические свойства, GeTe, имеет структуру Na l [12]. В первую очередь мы рассмотрим кристаллы со структурой перовскита (см, рис. 14.2 и 14.3). [c.497]

Однако кол-во С. непрерывно увеличивается, гл. обр. за счёт поиска новых материалов среди соединений, близких по составу и структуре к известным С. Появляются и новые классы С. обнаружено дипольное упорядочение, близкое к сегнетоэлектрическому, в нек-рых типах смектических жидких кристаллов и полимерах создаются композицион/ше материалы, свойства к-рых можно направленно изменять, варьируя состав сегнетоэлек-трич. наполнителя и полимерной или стеклянной матрицы, а также характера связности. [c.481]

В настоящей книге приведены сегнетоэлектрические, электро оптические и нелинейно оптические свойства широкого класса кристаллов щелочноземельных ниобатов и тангалатов, которые применяются или найдут применение дчя управления лазерным излуче нием В книге также освещены физико-химические аспекты тех нологии выращивания монокристаллов этих соединений. Показана зависимость сегНвтоэлектрических и оптических свойств этих ма териалов от состава и нарушения стехиометрии, которое происходит в процессе выращивания монокристаллов или термоэлектрической обработки. Рассмотрены вопросы теории нелинейно-оптиче-ских свойств кислородно октаэдрических сегнеюэлектриков. [c.2]

За последние несколько лет были синтезированы и достаточно подробно исследованы сегнетоэлектрические монокристаллы ниобатов и танталатов щелочноземельных металлов, обладающие высокими электрооптическими, пьезоэлектрическими, пироэлектрическими и нелинейными свойствами. Физические свойства этих кристаллов обусловливают возможности их широкого применения в приборах для модуляции, отклонения и преобразования частоты лазерного излучения, а также в параметрических генераторах света. Кристаллы этого класса соединений имеют нелинейные и эпектроонтические коэффициенты, намного превышающие коэффициенты других кристаллов. Достаточно сказать, что на кристаллах ниобата бария-натрия достигнуто 100%-ное преобразование излучения с длиной волны Я = 1,06 мкм в излучение с Я = 0,53 мкм, а кристаллы твердого раствора ниобата бария-стронция имеют величину полуволнового напряжения 80 В, что в 40 раз меньше, чем у ниобата лития и танталата лития, и в 100 раз меньше, чем у широко применяемых кристаллов гидрофосфата калия. [c.8]

В начале 60-х годов Г. А. Смоленский с сотрудниками [1—4] открыли семейство сегнетоэлектриков сложного состава со структурой перовскита. Позднее некоторые из них были получены в монокристаллическом состоянии, что позволило подробно изучить диэлектрические, оптические и электрооптические свойства этих соединений. Оказалось, что сегнетоэлектрические кристаллы PbsZnNbaOg и PbjMgNbaOg обладают значительным квадратичным электрооптическим эффектом. Отличительной особенностью этих соединений является размытый фазовый переход, который определяет релаксационный характер диэлектрической проницаемости и электрооптического эффекта. Кристалл PbaZnNbaOg и его магниевый аналог могут быть получены достаточно крупных размеров и хорошего оптического качества, что выгодно отличает их от кристаллов КТН. Последнее обстоятельство обусловливает их практическое применение в электрооптических модуляторах и дефлекторах света. [c.66]

Электрооптические свойства. Монокристалл PbsZnNbzOg в сегнетоэлектрической фазе является оптически одноосным положительным, его оптическая ось параллельна направлению <111>. В пара-электрической фазе кристалл не обладает оптической анизотропией, но приобретает это свойство при приложении электрического поля. [c.69]

Как уже указывалось выше, кристаллы PMN и PZN имеют размытый сегнетоэлектрический фазовый переход. Очевидно, что сосуществование фаз может обусловить значительное рассеяние света, причем изменение температуры или приложение электретеского поля, оказывающие влияние на количество и размеры областей различных фаз, должны изменять картины рассеяния света. Таким образом, исследование рассеяния света в этих кристаллах может дать сведения о свойствах и параметрах областей сосуществующих фаз. [c.89]

Слои роста. Наиболее распространенным типом дефектов, свойственным многим кристаллам окислов, выращенным из расплава по методу Чохральского, являются слои или полосы роста, которые вызывают периодические из-меиения показателей преломления вдоль направления роста. В экспериментах по генерации второй гармоники было обнаружено [22], что свег, рассеянный ростовыми полосами, имеет различную поляризацию. Эю обстоятельство приводит к рассеянию излучения второй гармоники н, следовательно, к уменьшению ее интенсивности. Слои роста являются основными оптическими дефектами в кристаллах НБН, и их трудно устранить при выращивании кристаллов. В этих кристаллах встречаются два типа ростовых ПОЛОС тонкие слои толщиной 3 10 мкм и широкие толщиной 25 — 70 мкм [53]. В работе [42] было установлено, что возникновение слоев роста не зависит от сегнетоэлектрической природы материала, но присут ствие их в кристалле, как уже указывалось, стабилизирует определенную форму доменной структуры (см. рис. 5.11). Способность полос роста закреплять домены зависит от толщины слоя. В этом отношении наиболее эффективными являются широкие слои. В работе (гл. 4, [80]) показано, что в слоях роста имеет место также неоднородность механических свойств. [c.223]

Объемный фотовольтаический эффект, являющийся одним из основных свойств сегнетоэлектрических кристаллов, объясняется локальной асимметрией положения примесного иона в сегнетоэлектрической матрице. Вследствие различия расстояний Nb +—Fe + вдоль направлений оси + с и — с вероятности переноса заряда в этих направлениях и Р-) при фотовозбуждении в зону проводимости будут различными. Зона проводимости кристалла LiNbOs образуется ds-орбиталями ионов Nb Г23]. Под действием фотовозбуждения возникает ток, текущий в предпочтительном направлении Р. Вероятности термической рекомбинации в направлениях с также будут различаться. Токи /+ в направлениях с даются выражением [c.308]

В обычных кристаллах эффект электрострпкции мал и не влияет существенно на их электрофизические свойства. Однако в сегнетоэлектрических оксидных соединениях в окрестности размытого ФП электрострикцпя настолько велика, что находит важное техническое применение (см. 5.5). Но и в этих веществах весьма больших значений достигают некоторые компоненты тензора N в то время как компоненты тензора остаются в обычных для кристаллов [c.128]

Образование полидоменной структуры в сегнетоэлектрических кристаллах выгодно энергетически, так как монодоменный кристалл создает в окружающем пространстве электрическое поле (являясь электретом). Энергия внешнего поля понижается с уменьшением размеров доменов, но при этом возрастает энергия доменных стенок, разделяющих области с разным направлением спонтанной поляризации. В зависимости от температуры, свойств окружающей среды и структурных дефектов сегнетоэлектрическо-го криста.1ла образуется устойчивая полидоменная структура [c.176]

Более того, в последние годы открыты новые виды диэлектрических, проводниковых, полупроводниковых и магнитных материалов, обладающих особыми, ранее неизвестными или малоизученными свойствами. На основе этих материалов могут быть изготовлены принципиально новые электротехнические устройства и радиоэлектронные аппараты. Таковы, в частности, многочисленные полупроводниковые приборы различные твердые схемы разнооб - разные нелинейные конденсаторы и резисторы с параметрами, регулируемыми бесконтактными способами различные сегнетоэлектрические, пьезоэлектрические и пироэлектрические устройства выпрямители, усилители, стабилизаторы напряжения, преобразователи энергии, запоминающие ячейки электретные и фотоэлект-ретные приборы устройства электрографии, электролюминесцентные приборы квантовые генераторы и усилители-лазеры и др. жидкие кристаллы ферритные устройства, в том числе устройства для изменения плоскости поляризации волны в технике сверхвысоких частот датчики Холла термоэлектрические генераторы с высоким КПД аппаратура голографии и многие другие аппараты и приборы новой техники. [c.5]

Сегнетоэлектрики. Все сегнетоэлектрики, по крайней мере в полярных сегнетоэлектрических модификациях, обладают пьезоэлектрическими свойствами. При макроскопическом рассмотрении разбитого на домены кристалла как целого могут встретиться два случая наличие и отсутствие пьезосвойств. Все зависит от того, обладал ли данный кристалл пьезоэлектрическими свойствами в параэлектрической модификации, до фазового перехода (т. е. имел ли кристалл в этой модификации центр симметрии). Если кристалл не имел центра симметрии, т. е. был пьезоэлектриком до фазового перехода, то в соответствии с принципом о возвращении кристалла после разделения на домены в прежнюю группу симметрии (гл. II), он будет обладать пьезоэлектрическими свойствами и после фазового перехода, Гпосле разбиения на домены, в полидоменном состоянии. Типичными примерами такого типа фазовых переходов являются переходы с возникновением спонтанной поляризации в дигидрофосфате калия (KDP) и сегнетовой соли. Для кристаллов, являюпщхся центросимметричными в параэлектрической фазе, характерны центросимметричная конфигурация доменов и отсутствие пьезоэффекта. Такого вида фазовые переходы имеют место, например, в титанате бария и триглицинсульфате (ТГС). [c.137]

Как уже отмечалось выше, с возникновением спонтанной поляризации в сегнетоэлектриках связаны аномалии ряда их свойств в области Аазового перехода упругих, диэлектрических, оптических и пр. Этого нельзя сказать, однако, с такой же определенностью о пьезоэлектрических свойствах. Все здесь зависит от того, каким пьезокоэффициентом характеризуются его пьезосвойства в области фазового перехода й ж е или д ж к. Пьезокоэффициенты йж ев области перехода меняются очень сильно, в то время как коэффициенты д ж Ъ сохраняются относительно постоянными . Причину такого различия в поведении этих пар коэффициентов легко понять из условий их определения (см. рис. 56) при определении коэффициентов д ж к электрическая сторона обусловливается механической (и наоборот) без влияния побочных явлений. В то же самое время при определении коэффициентов с и е постоянство Е требует при изменении диэлектрической проницаемости кристалла (что наиболее характерно нри сегнетоэлектрическом фазовом переходе) изменения заряда на его обкладках, не связанного с пьезоэффектом как таковым. [c.138]

Смотреть страницы где упоминается термин Сегнетоэлектрические свойства кристаллов НБС : [c.107] [c.303] [c.371] [c.16] [c.22] [c.263] [c.274] [c.299] [c.300] [c.240] [c.212] [c.52] [c.9] [c.324] [c.380] [c.99] [c.177] [c.53] [c.399]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...