Длина переноса

Заготовка, из которой изготовляются болты, представляет собой цилиндрический пруток, который на линии подачи периодически продвигается в горизонтальном направлении. Это продвижение осуществляется желобчатым роликом 15 до упора 13. После этого подвижная матрица 14, перемещаясь вверх, отрезает часть прутка требуемой длины, переносит отрезанную часть на линию высадки и прижимает заготовку к неподвижной матрице. Затем ползун 10 черновым пуансоном И, находящимся на линии высадки, ударяет [c.351]

Поскольку выражения для дифракционной эффективности при записи информации известны, то нетрудно найти формулы, показывающие основополагающие зависимости. Приведем здесь лишь один пример для оптимальных значений длины переноса носителей. Не останавливаясь на частных случаях, приведем типичные выражения для чувствительности фоторефрактивных сред в обобщенном виде и в линейном приближении, когда У г] W [c.46]

Оценим абсолютную величину голографической чувствительности ФРК в рассматриваемом приближении больших длин переноса [c.54]

От полученного ранее это выражение отличается более сложной зависимостью от и в предельном случае больших длин переноса (Lq, Ld 5 /< - ) сводится к [c.59]

Основной физической предпосылкой для реализации эффективной нестационарной голографической записи является большая дрейфовая длина переноса фотоэлектронов во внешнем электрическом поле Eg, а точнее, выполнение следующего неравенства [c.60]

Приведенный выше упрощенный анализ подсказывает, что в условиях больших дрейфовых длин переноса фотоэлектронов использование для записи традиционной стационарной интерференционной картины не является оптимальным. Максимум стационарной амплитуды голограмм будет, очевидно, достигнут при удовлетворении условия фазового синхронизма, т. е. в случае, когда записывающая картина движется синхронно вместе с записываемой голограммой со скоростью Ws - [c.62]

Таким образом, в кристаллах с достаточно большой диффузионной длиной переноса фотоэлектронов [c.63]

По своим фотопроводящим свойствам похож на BSO. Фотопроводимость электронного типа [10.212, 10.218] несколько меньше по величине, чем в BSO [10.212, 10.270] во всем видимом диапазоне спектра, цт 1.2-10- см -В" [10.221]. Однако, по данным работ [10.272], в BGO может наблюдаться как электронная, так и дырочная фотопроводимость с характерной диффузионной длиной переноса носителей L-q 2.3Ч-8.0 мкм. [c.289]

К какой скорости нейтронов следует отнести сечение захвата, получаемое из диффузионной длины и средней свободной длины переноса [c.55]

Введем следующие два предположения а) длина переноса не зависит от скорости, и б) сечение захвата меняется как I/o, так что т постоянно. [c.55]

СРЕДНЯЯ ДЛИНА ПЕРЕНОСА ТЕПЛОВЫХ НЕЙТРОНОВ [c.56]

Например, отрезок 0—1 равен 6 мм, отрезок /—2 — 31 мм и т. д. Номера отрезков пути и длины переносятся в текстовую часть карты (см. 1-ю, 2-ю и 3-ю графы [c.178]

Исключая тривиальные случаи гидростатики и твердотельного стационарного переноса, ламинарные течения практически возможны только при стационарных течениях в длинных каналах постоянного сечения. В ламинарных течениях, разумеется, нельзя пренебрегать силами вязкости по сравнению с силами инерции, даже если число Рейнольдса велико, поскольку инерционные силы в этом случае тождественно равны нулю. [c.260]

Для области 1 получено аналитическое решение при упрощающем допущении постоянства температуры Ti на границе раздела, вдоль всей ее длины с областью 2. Решение уравнения переноса тепла для области 2 найдено с помощью численных методов. [c.78]

Другим предельным случаем, допускающим существенное упрощение решения уравнения переноса, является слой большой оптической толщины. Рассмотрим оптически плотную среду, в которой излучение может распространяться лишь на небольшие расстояния, прежде чем оно будет поглощено. Пусть длина свободного пробега излучения мала по сравнению с расстоянием, на котором существенны изменения температуры. [c.143]

В работах [164—166] уравнение переноса излучения было рассмотрено для случая крупных по сравнению с длиной волны излучения частиц. При решении использовался метод сферических гармоник. Полученные результаты предлагались для определения спектральных характеристик псевдоожиженного слоя, которые, как было показано, существенно отличаются от аналогичных характеристик одиночной частицы. [c.145]

На рис. 504 поверхность переноса задана производящей линией аЬ, а Ь и направлением переноса — кривой ак, а к. Определим площадь поверхности, ограниченную начальным и конечным положениями производящей линии и ходами крайних ее точек. Пусть поступательные бесконечно малые перемещения производящей линии аЬ, а Ь равны 4Z-, где L— длина кривой ак, а к — [c.390]

Выбираем две взаимно перпендикулярные прямые и принимаем их за оси координат. По оси абсцисс откладываем длины L дуг кривой ак, а к направления переноса поверхности, а по оси ординат длины Lq кривых линий, полученных от пересечения соответствующих слагаемых цилиндров плоскостями, перпендикулярными к их образующим. [c.391]

В (6-32) последний член призван отражать перенос тепла за счет турбулентности твердых частиц. Упрощенная модель процесса предполагает равномерное распределение частиц не только по сечению, но и по длине потока, а так же полностью игнорирует взаимодействие несущей среды и частиц. При этом не учитываются возможные изменения толщины пограничного слоя, профиля скорости и турбулентности жидкости, скольжение компонентов потока по осредненной и пульсационной скорости и пр. [c.199]

Холодную высадку выполняют на специальных холодновысадочных автоматах. Штампуют от прутка или проволоки. Пруток подается до упора, поперечным движением ножа отрезается заготовка требуемой длины и последовательно переносится с помощью специального механизма в позиции штамповки, на которых из заготовки получают деталь. [c.100]

Часто требуется установить степень насыщения среды примесями или степень освобождения ее от примесей в зависимости от времени, т. е. получить характеристику неустановившегося режима переноса примесей в аппарате. Для упрощения задачи в дальнейше.м рассматривается длинная струя (содержащая также основной участок свободной струи), причем [c.327]

Приведенное описание дает только весьма приближенное начальное представление о процессах фоторефракции. В реальных ситуациях приходится сталкиваться с так называемыми эффектами насышения ловушек, обусловленными конечной концентрацией центров захвата [11, 15], с большими длинами переноса фотовозбужденных носителей, превышающими период записывающей световой решетки [16], с влиянием фотовозбуждения неосновных носителей [17], с возможностью диффузии нетер-мализованных электронов [8], с особенностями взаимодействия при снятии вырождения по частоте [18], с нестационарностью записи [19] и т.д. Некоторые из этих вопросов будут затронуты в последующих разделах данной главы, однако более полное описание физики фоторефрактивного эффекта читатель сможет найти в специальных работах [20]. [c.47]

Эквивалентное, но более удобное описание основано на использовании представлений о длинах переноса фотовозбужденных носителей, т.е. о дебаевском радиусе зкранирования для диффузионного процесса, [c.48]

Нелокальный отклик и фазовый сдвиг в тг/2 характерны для диффузионного отклика в отсутствие внешнего поля (Eg = 0) при любом соотношении /д и Л ( [, к Ер) (2.10). Однако максимальное изменение Дп, а следовательно, максимальное усиление и дифракционная зффективность решетки соответствуют малым длинам переноса 1д < А. [c.49]

При этом фотовозбужденные электроны движутся в одном направлении и в среднем проходят некоторое характерное расстояние Lq ДО момента захвата на ловушки, Lq называется дрейфовой длиной переноса (рис. 1.1, б). [c.11]

Естественно, что в кристаллах с биполярной фотопроводимостью (где генерируются и фотоэлектроны, и дырки) следует ожидать конкуренции двух указанных встречно-протекающих процессов голографической записи, а в некоторых случаях и их полной компенсации. Теоретический анализ процесса, выполненный в [4.23] (см. также более раннюю работу [4.24 ]) в пренебрежении насыщения ловушек в приближении малых диффузионных длин переноса фотоэлектронов (Ld К ) и фотоиндуцированных дырок [Lq К" ), привел к следующему выражению для стационарной амплитуды решетки [c.59]

В работах [4.27, 4.28] было проведено обобщение соотношения (4.26) на случай произвольных диффузионных длин переноса фотоиндуцированных носителей [c.59]

Благодаря большим длинам переноса фотоиндуцированных носителей (цт ж 1.5 10 см -В в GaAs Сг и InP Ре [10.294]) и достаточно большой величине nhije (табл. 10.7) в полупроводниковых кристаллах следует ожидать рекордно высоких скоростей голографической записи и чувствительности. Так, в 1пР Fe [10.294] характерное время записи составило Xg 10 с при /о 50 мВт-см (X = 1.06 мкм, Л 5 мкм, 0 2.7 кВ-см . т) 0.1 %), чему отвечает голографическая чувствительность - [c.292]

L(, ЦтЕо — средняя дрейфовая длина переноса фотоэлектрона [c.311]

У5т, LJ, — средняя диффузионная длина переноса фотоэлектрона Lp—то же для фотоиндуцированной дырки [c.311]

Хотя эксперименты по определению средней свободной длины переноса и диффузионной длины будут описаны ниже, численные значения этих величин мы используем сейчас. Оже, Мун и Понтекорво [10] нашли для тяжелой воды [c.55]

Средняя длина переноса тепловых нейтронов в тяжелой воде была измерена Оже, Муном и Понтекорво [10]. Небольшой бак с тяжелой водой укреплялся в верхней части графитовой призмы большого поперечного сечения. Между графитом и тяжелой водой был проложен плоский кадмиевый экран, являвшийся верхней границей графитовой призмы. На 100 см ниже этой границы помещался источник быстрых нейтронов (ВаБе). С помощью очень маленькой камеры, наполненной тре-сфтори-стым бором, измерялась плотность тепловых нейтронов на разных расстояниях от сильно поглощающего кадмиевого экрана. Плотность нейтронов оказа,лась линейной функцией расстояния от кадмиевого экрана. Экстраполяция этой линии показывает, что плотность равна нулю на расстоянии с =1,64 см за экраном. На основе теории явлений переноса, заменяющей обычную диффузионную теорию вблизи таких границ раздела, где распределение скоростей нейтронов не вполне изотропно, Плачен с сотрудниками [13] показали, что [c.56]

Таким образом, альбедо определяется отношением линейно акстраполированно длины к средней свободно длине переноса. Как будет видно из последующих примеров, X не зависит от свойств среды А и распределения источников в не , если плотность не11тронов зависит только от одной координаты. Это справедливо для случаев сферической и аксиальной (цилиндри-ческох ) симметрии и для случая пластинк . В этих случаях решение диффузионно задачи может быть разбито на две независимые операции [c.73]

Возможной причиной микротурбулентного течения является реализация поперечных пульсаций скорости жидкости из-за искривления лини11 тока при обтекании пузырьков, что аналогично турбулентности приводит к поперечному переносу импульса, т. е. повышению эффективной вязкости пристенного слоя. Этот эффект усиливается повышенной концентрацией пузырьков в пристенном слое и поперечным хаотическим движением пузырьков. Естественно, что характерная длина переноса в такой среде должна зависеть от размера пузырьков. При больших числах Re указанный эффект, видимо, становится незаметным на фоне более интенсивных поперечных турбулентных пульсаций, природа которых не связана с наличием пузырьков. [c.176]

Нормальной считается ширина валика, равная V— шаметрам лсктрода. Наложение валиков рекомендуется производить слева направо или на себя. В этих случаях сварщик четко видит место дуги, ее длину, перенос электрод-ньк капель и формирования валика. Наплавка валиков производится электродами больших диаметров (6—12 мм) при больших токах (250—500 А и более). [c.55]

При сварке плавящимся электродом, так же как и при сварке неплавящимся электродом, вненгние магнитные ноля отклоняют дугу. Однако эффект от использования внешнего магнитного поля наблюдается при сварке длинной дугой и наиболее заметен при струйном переносе электродного металла. В этом случае расплавленный торец электрода колеблется синхронно с частотой внешнего магнитного поля. При поперечных колебаниях увеличивается гнирина нгва и уменьшается глубина нроплавления. В результате образующийся шов не имеет повышенной глубины про-плавления по его оси. [c.57]

Особенности концентрированной дисперсной среды и сделанные, исходя из них, оценки различных эффектов, возможных в процессе переноса излучения, позволяют сформулировать основные характеристики подобных систем. При расчете радиационных свойств дисперсного слоя его можно представить как ансамбль больших по сравнению с длиной волны сферических частиц с серой, диффузно отражающей и излучающей поверхна-стью, разделенных прозрачной средой. [c.134]

Из теории турбулентности известно [25], что перенос взвешенных в потоке частиц осуществляется главным образом крупномасштабными вихревыми образованиями, присущими турбулентному потоку. Величина образований обусловлена порядком размера потока и поэтому перенос частиц осуществляется по всей глубине потока. Крупные вихри (крупномасштабная турбулентность) захватывают и переносят взвешенные частицы различных размеров. При отсутствии центробежных сил (на поворотах, ответвлениях п т. п.), а также специфических особенностей пылегазовой смеси (уплотнение пыли в местах поворота, залнпание ее на поверхностях, комкование и 1. д.), поля концентрации (запыленности) должны меняться незначительно в сравнительно широком диапазоне изменения скоростей и размеров частиц и при сравнительно небольших концентрациях (щ < < 0,3 кг/кг) и мало влияют на характер полей скоростей всего потока. Это подтверждается опытами ряда исследователей [45]. (Вопросы осаждения аэрозольных частиц на стенках сравнительно длинных труб и каналов в соответствии с миграционной теорией осаждения [97 ] здесь не рассматривается.) В проведенных опытах [45] изучалось распределение концентрации (х, кг/кг) и плотности пылевого потока [ , кг/(м -с) ] в рабочей камере модели аппарата при различных условиях подвода и раздачи потока по сечению. Для запыливаиия потока воздуха применялась зола тощего угля с фракционным составом, приведенным ниже, и плотностью р = = 2,16 г/см . [c.312]

Итак, пусть дана точка К, лежащая на грани SA . Покажем, как эту точку переносят на развертку. Через точку К по грани проведем прямую, соединяющую К с верщиной пирамиды S. Для того чтобы эту прямую нанести на развертку, нужно знать на развертке положение двух точек этой прямой. Такими точками служат вершина пирамиды S и юч-ка М, расположенная на ребре АС основания. Точка М на развертке построена с помощью отрезка длины /. Остается найти расстояние от точки К до вершины S — отрезок Isk и отло- [c.135]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...