Фотопроводимость биполярная

Голографическая запись в ФРК с биполярной фотопроводимостью [c.59]

Спектральная зависимость фотопроводимости. В условиях стационарного освещения кристалла с пренебрежимо малым темпом поверхностной рекомбинации его объемная биполярная фотопроводимость равна [c.62]

Естественно, что в кристаллах с биполярной фотопроводимостью (где генерируются и фотоэлектроны, и дырки) следует ожидать конкуренции двух указанных встречно-протекающих процессов голографической записи, а в некоторых случаях и их полной компенсации. Теоретический анализ процесса, выполненный в [4.23] (см. также более раннюю работу [4.24 ]) в пренебрежении насыщения ловушек в приближении малых диффузионных длин переноса фотоэлектронов (Ld К ) и фотоиндуцированных дырок [Lq К" ), привел к следующему выражению для стационарной амплитуды решетки [c.59]

Отметим, что в процессе увеличения пространственной частоты К возможен переход от амплитуды решетки (4.26) к амплитуде (4.28), которые в принципе могут отличаться не только величиной, но и знаком. Подобное поведение наблюдалось, в частности, в экспериментах с BaTiOg [4.25] и KNbOg [4.29]. Сложная зависимость амплитуды стационарной диффузионной решетки от К, объясняемая в рамках модели биполярной фотопроводимости, наблюдалась также и в кубическом BSO [4.29]. [c.60]

Биполярная фотопроводимость ОПЗ наблюдается в кристаллах с короткой диффузионной длиной Ldif Lo) в полосе собственного поглощения при < Lo- В тех случаях, когда L if Lo, основ- [c.61]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...