Вершина пирамиды

Из горизонтальной проекции s вершины пирамиды проводят вертикальную линию связи, на которой от оси X откладывают высоту пирамиды и получают фронтальную проекцию s вершины. Соединяя точку. v с точками Г, 2 и 3, получают фронтальные проекции ребер пирамиды. [c.87]

Горизонтальные проекции ребер получают соединяя горизонтальную проекцию л вершины пирамиды с горизонтальными проекциями I, 2 и 3 вершин основания. [c.87]

Если плоскостью, пересекающей все боковые ребра, отсечь вершину пирамиды, получим усеченную пирамиду. [c.105]

Через вершину пирамиды проводим прямую параллельно ребрам призмы и находим точку К — след этой прямой на плоскости Q оснований многогранников. [c.120]

При удалении двух вершин пирамид в бесконечность прямая, проходящая через них, преобразуется в несобственную прямую. Положения бесконечно удаленных вершин определяются направлениями боковых ребер призмы соответственно. [c.120]

Многогранник, одна из граней которого — произвольный многоугольник, а остальные грани — треугольники, имеющие общую вершину, называется пирамидой (рис. 2.16). Многоугольная грань пирамиды называется основанием, треугольные — боковыми гранями. Общая вершина треугольников называется вершиной пирамиды. [c.36]

Пирамида имеет боковые грани, которые,с одной стороны.пересекаются в одной точке V, называемой вершиной пирамиды (рис.95), а с другой стороны-пересекаются с гранью, называемой основанием (СКХ) пирамиды. [c.88]

В обозначении пирамиды указывают вершины основания и вершину пирамиды, например, по рис.95 - ОКЬ. [c.89]

Далее, от точки О вверх по оси г откладываем отрезок Os, согласно условию, в 1 /2 раза больший диаметра описанной окружности, т. е. отрезка I—4. Точка s изобразит вершину пирамиды. [c.146]

Отнесем данную пирамиду к натуральной системе координат, для чего нанесем на комплексном чертеже (рис. 237, а) проекции координатных осей. Затем строим аксонометрические оси с углами в 120° между ними (рис. 237, б). Измерив на комплексном чертеже натуральные координаты вершин пирамиды, строим с их помощью аксонометрические проекции вершин пирамиды, при этом натуральные координаты не подвергаются искажениям, так как все три приведенных показателя искажений в ортогональной изометрии равны единице. Для построения аксонометрических проекций точек А, В и С, являющихся тремя вершинами искомого сечения, измеряем только аппликаты этих точек, так как эти точки лежат на ребрах уже построенной пирамиды. [c.233]

Чтобы построить развертку пирамиды (рис. 5.4а) нужно знать натуральную величину всех ее граней. Развертка полной пирамиды состоит из боковых граней -треугольников S A, SAB, SB и двух оснований. Натуральную величину ребер и BS целесообразно определить путем вращения вокруг оси, проходящей через вершину пирамиды (рис. 5.4а). Ребро S - натуральная величина в условии. [c.100]

Грань-многоугольник пирамиды принято называть ее о с н о в а -н и е м, треугольники — боковыми гранями. Общая вершина треугольников называется особой вершиной (обычно, просто вершиной) пирамиды. [c.38]

Указания к решению задачи 3. В оставшейся правой половине листа 2 намечаются оси координат и из табл. 3 согласно своему варианту берутся координаты точек А. В, С и D вершин пирамиды и координаты точек Е, К, G и и вершин многоугольника нижнего основания призмы, а также высота h призмы. По этим данным строятся проекции многогранников (пирамида и приз ма). Призма своим основанием стоит на плоскости уровня, горизонтальные проекции ее вертикальных ребер преобразуются в точки. Грани боковой поверхности призмы представляют собой отсеки горн-зонтально-проецирующих плоскостей. [c.9]

Центр тяжести пирамиды (рис. 1.93, а) или конуса (рис. 1.93, б) лежит на отрезке, соединяющем вершину пирамиды (конуса) с центром тяжести основания, на расстоянии /4 высоты пирамиды (конуса) . [c.75]

Задача 65. В трех вершинах основания правильной треугольной пирамиды, боковые ребра которой наклонены к основанию под углами, равными 60°, помещены одинаковые заряды е. Некоторый четвертый одноименный заряд помещен на высоте пирамиды на расстоянии одной ее трети от основания. Какой пятый заряд нужно поместить в вершине пирамиды, чтобы четвертый заряд находился в равновесии Весом зарядов пренебречь. [c.31]

Отрезок, измеряемый перпендикуляром [VO], опущенным из вершины пирамиды на его основание, называют высотой пирамиды. [c.115]

Таким образом, центр тяжести объема однородной треугольной пирамиды лежит на отрезке, соединяющем вершину пирамиды с центром тяжести ее основания, на расстоянии одной четверти длины этого отрезка от центра тяжести основания пирамиды. [c.211]

Проведем через вершины пирамид прямую ЗТ и построим ее след М на плоскости П1. Через эту прямую и какое-либо боковое [c.99]

Как расположатся оси родства родственных соответствий, устанавливаемых вспомогательными секущими плоскостями, если прямая, соединяющая вершины пирамид на рис. 133, параллельна плоскости П [c.103]

Центр тяжести пирамиды лежит на отрезке, соединяющем вершину пирамиды с центром тяжести основания на расстоянии трех четвертей длины этого отрезка от вершины. [c.277]

Доказательство очень просто. Представим себе основание пирамиды разделенным на треугольники Т, Г",. .., и пусть 8, S",. .. будут соответствующие им тетраэдры, т. е. тетраэдры, имеющие основаниями эти треугольники и общей вершиной — вершину пирамиды. [c.38]

Величина износа измерялась по разнице в величине отпечатка, сделанного пирамидой с прибора Виккерса на поверхности цапфы до испытания (при нагрузке 10 кг) при этом принималось, что размер диагонали отпечатка в 7 раз больше глубины проникновения вершины пирамиды. Измерение величины износа производилось в 7 местах по образующей и в 4 местах по направляющей цапфы. [c.265]

Третий элемент — требования. Требования — это прежде всего потребности. Существует иерархия потребностей. В ее основании лежат основные потребности (обеспечение пищей, одеждой, жильем), далее (в порядке возрастания) — потребности в безопасности, в удобстве и комфортности пользования, эстетические, социальные потребности. Вершину пирамиды составляют потребности развития (потребность в творчестве, стремление к самовыражению). [c.11]

Внимания заслуживает также и метод индукционного нагрева образца в виде пирамиды с прямоугольным основанием. Циклическому нагреву подвергается острая вершина пирамиды. Охлаждение образца осуществляют через его внутреннее отверстие водой, протекающей с большой скоростью. Для предупреждения нагрева осталь- [c.76]

Далее строят высоту пирамиды и получаю1 точку S -вершину пирамиды. Соединяя точки S с точками А B D F", получают изометрию пирамиды. [c.80]

Сначала строят развертку неусеченной пирамиды, все грани которой, имеющие форму треугольника, одинаковы. На плоскости намечают точку S, (вершину пирамиды и из нее, как из центра, проводят дугу окружности радиусом, равным действите.пьной длине ребра пирамиды., Действительную длину ребра можно определить по профильной проекции пирамиды (рис. 175, а). Например, длина s"e" или s"h" равна величине R, так как эти ребра параллельны плоскос и W и изображаются на ней действительной длиной. Далее по дуге окружности от любой точки, например А, огкладывают тесть оди- [c.98]

Итак, пусть дана точка К, лежащая на грани SA . Покажем, как эту точку переносят на развертку. Через точку К по грани проведем прямую, соединяющую К с верщиной пирамиды S. Для того чтобы эту прямую нанести на развертку, нужно знать на развертке положение двух точек этой прямой. Такими точками служат вершина пирамиды S и юч-ка М, расположенная на ребре АС основания. Точка М на развертке построена с помощью отрезка длины /. Остается найти расстояние от точки К до вершины S — отрезок Isk и отло- [c.135]

MN И MS (прямую MS проводим через вершину пирамиды). Эта вспомогательная плоскость пересечет основание пирамиды (лежащее в плоскости II По) по прямой N2P2, параллельной горизонтали MS, а боковые грани пирамиды — по двум прямым SP и SQ. Точки Ки L, в которых прямые SP и SQ пересекаются с заданной прямой MN, и будут точками, общими для заданной прямой и поверхности пирамиды, т. е. точками пересечения прямой с пирамидой. [c.192]

ЗАДАЧА 2. Определить высоту четырехгранной пирамиды SAB (рис. 81). Для решения этой задачи заменяем плоскость проекции TTj на тГз с последующим совмещением ее с плоскостью тг . Чтобы определить направление новой оси, в плоскости основания пирамиды AB проводим горизонталь h (ось i i Л ). Совмещаем новую плоскость Яз с плоскостью ТГ2 и строим на ней совмещенную проекцию пирамиды S "j4i BV V -0Tpe3OKnep-пендикуляра S l K l, опущенного из вершины пирамиды на основание, определяет высоту пирамиды. [c.64]

Центр тяжести объема пирамиды. Возьмем треугольную пирамиду (тетраэдр) SAB (рис. 221) и разделим ее на элементарные пластинки плоскостями, параллельными основанию AB . Центры тяжести этих элементарных пластинок лежат на прямой SF, соединяющей вершину пирамиды 5 с центром тяжести площади основания, который лежит на пересечении медиан треугольника AB , т. е. [c.221]

Пирамида имеет боковые грани, которые с одной стороны пересекаются в одной точке V, называемой вершиной пирамиды (рис. 103), а с другой стороны пересекаются с гранью, называемой основанием (GKJL) пирамиды. [c.114]

Точно так же найдем, что центр тяжести данной пирамиды должен лежать на прямой . , соединяющей вершину пирамиды В с центро.м тяжеси ее грани ADE. Поэтому искомый центр тяжести пирамиды лежит в точке С, где пересекаются прямые E i и B [c.210]

Известен ряд кристаллических пьезоэлектриков здесь рассматриваются кварц, этнленд 1аминтартрат и турмалин. Кристалл кварца (рис. 11.6, а) представляет собой гексагональную (шестигранную) призму, увенчанную двумя пирамидами. Кроме того, кристаллы могут иметь, ряд дополнительных граней. Для оценки свойств кварца применяется прямоугольная система координат х, у, z. Ось г — оптическая ось она проходит вдоль кристалла через вершины пирамиды. В решетке кварца каждый ион кремния окружен четырьмя ионами кислорода, расположенными по вершинам тетраэдра. Вдоль оси z [c.160]

Числа твёрдости по Виккерсу при обычных испытаниях не зависят от нагрузки. При нагрузках меньше 1 кг числа твёрдости не остаются постоянными, а увеличиваются, по видимому, из-за различного характера деформации у вершины пирамиды и у боковых граней. С уменьшением нагрузки влияние деформаций у вершины тем больше, чем меньше отпечаток. Поэтому для получения сравнимых результатов Шульц и Ганеман предложили определять числа твёрдости при постоянной заданной величине диагонали и (5, 10 или 20 мк). Для этого на образце производится несколько отпечатков при разных нагрузках. По графику, построенному в координатах gd—)g А определяется Р, сортветствующая заданному значению . [c.11]

Измерения проводились на стальных трубах диаметром 10/6, 21/15, 35/28, 45/41, 57/50, 76/70 мм при одинаковом для всех труб отношении длины к диаметру Ud = 10, Было изготовлено по три трубы каждого диаметра с различной шероховатостью — одна гладкая труба с естественной шероховатостью высотой А < 40 мк и две с искусственной шероховатостью, созданной с Помощью ромбической накатки. Выступы накатки представляли собой пирамиды с ромбическим основанием. Как показали измерения на микроскопе УИМ-21, сторона основания и высота пирамиды были равны для мелкой накатки соответственно 1 мм и 180 JK/ для крупной 2 мм и 360 мк. Шаг5 между вершинами пирамид в тангенциальном направлении для мелкой накатки сжазался равным 1 мм, а для крупной 2 мм. Острый угол ромбического основания пирамид для обоих видов накатки составлял 30°. Увеличение фактической площади поверхности за счет мелкой и крупной накатки было приблизительно одинаково и составило около 10% от площади поверхности абсолютно гладких труб. [c.70]

Величины UijU, vJU и Wi/U, измеренные на оси 0Y, приведены на рис. 8, В данном случае они значительно больше таковых для гладкого квадратного канала (см. рис. 4). Вблизи стенки канала поток был сильно возмущен и величины UilU, vJU и Wi/U оставались примерно одинаковыми. При фокусировании микроскопа на вершины пирамид можно было видеть извилистые траектории частиц, а наблюдение вдоль плоскости вершин обнаруживало, что частицы движутся между пирамидами. [c.126]

Тз = а получим в качестве следа новый шестиугольник, подобный изображенному на рис. 6.9, но со сторонами меньшей длины. При этом чем больше будет значение параметра а, тем короче стороны. В конце концов шестиугольник вырождается в точку. Эта точка имеет в упомянутой системе осей равные координаты а, т. е. Ti = U2 = (Тз = а. Следовательно, эта вершина пирамиды соответствует напряженному состоянию равномерного трехосного растяжения. Выше было указано, что в подобных обстоятельствах разрушение возможно только отрывом, а значение любого из главных напряжений равно Стотр. Таким образом, можно считать, что а = сготр, как это отмечено на рис. 6.8. Подставляя в (6.31) = стз = Стотр, найдем [c.131]

Критерий пластичности, которому в пространстве главных напряжений соответствуют две правильные пирамиды (рис. 2.1.7) с общим основанием, лежащим в девиаторной плоскости, и с осью, совпадающей с гидростатической осью, можно рассматривать как обобщение условия Треска-Сен-Венана. Вершины пирамид лежат по разные стороны от девиаторной плоскости и имеют координаты сгх=<Т2=стз——Л (вершина 0 ) и СГ —о 2=о з=д г (вершина О ). Общее основание пирамид представляет собой правильный шестиугольник, совпадающий с шестиугольником Треска-Сен-Венана. Все ребра лежат в биссек-торных плоскостях. [c.88]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...