Френкеля Шоттки

Ю.Какие из перечисленных дефектов является точечными дефект Френкеля, дислокация, дефект Шоттки, дисклинация, вакансия [c.159]

Кроме парных дефектов, по Френкелю, в кристаллах имеются и одиночные точечные дефекты — вакансии, впервые рассмотренные В. Шоттки (рис. 3.5). [c.87]

В общем случае кристалл содержит и дефекты по Френкелю, и дефекты по Шоттки. Однако преобладают те нарушения, для образования которых требуется меньшая энергия. [c.88]

Образование дефектов в ионных кристаллах сопряжено с соблюдением дополнительного условия — необходимости сохранения электронейтральности кристалла. В этом случае возникают либо две одиночные вакансии противоположного знака (дефект Шот-тки), либо вакансия и межузельный атом (дефект Френкеля). При этом тип возникающих дефектов определяется спецификой кристалла. Например, для чистых щелочно-галоидных кристаллов типичны дефекты по Шоттки, а для галогенидов серебра — дефекты по Френкелю. Укажем, что если при образовании дефектов по Шоттки плотность кристаллов уменьшается, то при образовании дефектов по Френкелю она остается неизменной. [c.233]

На концентрацию дефектов типа Шоттки и Френкеля, кроме температуры, резко влияют облучение и пластическая деформация. Концентрация вакансий в первом приближении растет пропорционально деформации и может быть определена зависимостью 4-10 )е, где е выражено в процентах. Такие вакансии называются деформационными. Наибольшая их концентрация соответствует знакопеременному нагружению. При совместном влиянии высоких температур и большой степени пластической деформации концентрация вакансий может достигать (5—10) 10 , что дает концентрацию атомов, смещенных со своих мест, 2,5—5%. По-видимому, в этом случае вакансии могут оказывать влияние на процесс и механизм пластической деформации. Однако обычно влияние деформационных вакансий на прочность и пластичность металла невелико. Точечные дефекты, внесенные пластической деформацией и облучением, являются термодинамически неравновесными. [c.30]

Точечные дефекты Шоттки и Френкеля оказывают большое влияние на многие процессы, происходящие в металлах будучи центрами рассеяния носителей, понижают их подвижность. Эти дефекты могут служить источниками носителей, т. е. действовать подобно донорам и акцепторам. Они влияют на процессы пластической деформации при низких и высоких температурах, а также на магнитные свойства. Большое число вакансий может быть получено при резком охлаждении (закалке) нагретого металла, [c.32]

Дефекты структуры кристалла стехиометрического состава разделяются на два типа. Во-первых, это дефекты (так называемые дефекты Шоттки), которые содержат анионные и катионные вакансии в эквивалентных количествах, и, во-вторых, дефекты по Френкелю, которые содержат дефекты либо в одной катионной, либо в одной анионной подрешетке, а парные дефекты состоят из вакансий или внедренных атомов одного и того же компонента. [c.48]

Атомы металла при самодиффузии, а также примеси, атомы которых замещают атомы основного. металла в кристаллической решетке, перемещаются путем обмена местами с вакансиями (рис, 10, а) примеси, располагающиеся в междоузлии (при диффузии) передвигаются путем перехода из одного междоузлия в другое (рис. 10, 6). Точечные дефекты Шоттки и Френкеля влияют на некоторые физические свойства. металла (электрическую проводимость, магнитные свойства и др.), а также на фазовые превращения в металлах и сплавах. [c.19]

В ионных кристаллах точечные дефекты возникают парами две вакансии противоположного знака — дефект Шоттки межузельный ион и оставленная им вакансия — дефект Френкеля. [c.33]

Образование пары Френкеля должно приводить к увеличению параметра решетки. Это не обязательно происходит при возникновении дефекта по Шоттки. В последнем случае возрастает объем, поскольку число атомов не меняется, а число узлов возрастает. [c.45]

Рис. 1.20. Дефекты Шоттки (а) и Френкеля (б)

Точечные дефекты (рис. 1.5) характеризуются малыми размерами во всех трех измерениях. Величина их не превышает нескольких атомных диаметров. К точечным дефектам относятся а) свободные места в узлах кристаллической решетки — вакансии (дефекты Шоттки) б) атомы, сместившиеся из узлов кристаллической решетки в межузельные промежутки — дислоцированные атомы (дефекты Френкеля) в) атомы других элементов, находящиеся как в узлах, так и в междоузлиях кристаллической решетки — примесные атомы. [c.10]

Рйс. 1.10. Образование вакансий в кристаллической решетке по Френкелю (а) и по Шоттки (б) [c.33]

Дефект Шоттки —это вакансия, образующаяся, когда атом уходит со своего места в решетке на наружную поверхность кристалла. Дефект Френкеля —вакансия, образующаяся, когда атом. [c.39]

В принципе, можно различать эффекты, обусловленные не-стехиометрическими дефектами (путем измерения их зависимости от давления кислорода) и эффекты, обусловленные примесями (путем тщательного проведения экспериментов). Наличие дефектов Шоттки и Френкеля можно обнаружить, если распо- [c.31]

В общем, по имеющимся в литературе экспериментальным данным и теоретическим расчетам можно заключить, что в фотохимических процессах в галоидном серебре доминирующую роль играют дефекты по Френкелю, тогда как в кристаллах щелочногалоидных соединений, наоборот, преобладают дефекты по Шоттки. [c.102]

Вблизи трещин и между ними при их достаточной частоте напряжения уменьшаются (трещинная релаксация) и потому падает также скорость всего процесса. Представления о флуктуациях и вакансиях неоднократно применялись для объяснения раннего разрушения. При этом различают внутренние (по Френкелю) и приповерхностные (по Шоттки) вакансии (в отожженных металлах число вакансий очень мало). Хотя подрастание трещин мыслимо и без накопления вакансий, например, путем флуктуационного обрыва связей, т, е. сильного удаления атомов с контура тела, но это маловероятно, так как потребовало бы очень большой упругой энергии [45]. Наиболее вероятным ме- [c.182]

ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ (ДЕФЕКТЫ ПО ФРЕНКЕЛЮ И ШОТТКИ) [c.217]

Кроме того, дефекты по Френкелю и по Шоттки могут возникать дополнительно при внешних воздействиях на кристалл, например, при бомбардировке нейтронами и нонами (см. 9.1.3), при механической обработке или воздействиях ударными волнами. В этом случае имеют место отклонения от концентрационного равновесия. [c.217]

В настоящем сборнике приведены главным образом работы 1951 г. и в меньшем числе работы 1949 и 1952 гг. Статьи, включенные в сборник, отражают то несколько критическое состояние, в котором оказалась теория скрытого изображения в связи с вопросом о роли дефектов (по Френкелю и по Шоттки) в решетке бромистого серебра. [c.6]

После доказательства приложимости закона эквивалентности, которое привели Эггерт и Ноддак [1], суммарный баланс фотохимического разложения бромистого серебра установлен с безупречной точностью. Однако для выяснения механизма протекания отдельных фаз фотолиза в различных условиях потребовалась затрата огромного труда. Решающий успех в этой области обеспечен, с одной стороны, экспериментальными работами школы Поля над щелочногалоидными кристаллами и, с другой — новыми представлениями о реальной структуре кристаллов, развитыми главным образом Френкелем, Шоттки и Вагнером. Эти авторы разработали статистическую термодинамику реальной решетки, т. е. решетки, содержащей дефекты. Именно дефекты основной решетки совместно с инородными примесями, входящими в структуру этой решетки, играют основную роль как в процессе освобождения. фотоэлектронов, так и при их конденсации с ионами серебра с образованием центров проявления в эмульсионном микрокристалле или коллоидных частиц металлического серебра, состоящих примерно из 10 атомов, при эффекте видимого почернения эмульсии и окрашивании макрокристаллов. [c.73]

Образование дефектов по Шоттки уменьшает плотность кристалла из-за увеличения его объема при постоянной массе. При образовании дефектов по Френкелю плотность остается неизменной, так как объем кристалла не изменяется. Измерения плотности свидетельствуют о том, что, например, для чистых щелочно-галоидных кристаллов доминируюш,ими дефектами являются дефекты по Шоттки, а для чистых кристаллов галогенидов серебра — дефекты по Френкелю. [c.88]

В бинарных кристаллах, например простейших типа АВ, дефекты по Френкелю и дефекты по Шотткй могут возникать как в подрешетке А, так и в подрешетке В. При этом возможно образование следующих типов точечных дефектов 1) вакансии в подрешетке Л 2) вакансии в подрешетке Б 3) парные дефекты (вакансия и междоузельный атом) в подрешетке А 4) парнке дефекты в подрешетке В 5) атомы подрешетки А, попавшие в междоузлия подрешетки В 6) атомы подрешетки В, внедренные в междоузлия подрешетки Л 7) атомы подрешетки Л, попавшие в вакансии подрешетки В 8) атомы подрешетки В, занимающие вакансии подрешетки Л. [c.93]

Выше отмечалось, что в ионных кристаллах обычно возникают не парные дефекты по Френкелю, а дефекты по Шоттки. Так, на-лример, в щелочно-галоидных кристаллах вакансия аниона (т. е. д. отсутствие отрицательного заряда ) дей- 3/ ствует как эффективный положительный за- [c.94]

Точечные дефекты — это нарушения кристаллического строения в изолированных друг от друга точках решетки. Различают следующие точечные дефекты (рис. 17) 1) вакансии (дефекты Шоттки), т. е. узлы решетки, в которых атомы отсутствуют 2) атомы в междуузлиях (дефекты Френкеля) или атомы внедрения, Т. е. атомы, находящиеся В Промежутках между узловыми атомами [c.29]

При оксидировании алюминия в растворе силиката натрия в области предпробнвных значений напряженности поля вклад электронной составляющей тока в процесс переноса, заряда составляет более 80 что делает невозможным использование традиционных кинетических уравнений для ионного тока. В связи с этим был выполнен теоретический анализ и экспериментальная проверка применимости уравнений Янга—Цобеля, Шоттки и Пула—Френкеля для описания полного тока и его электронной составляющей на границах раздела фаз ц в объеме оксида. Путем обработки кривых спада тока при вольтотатическом режиме формовки получены линейные характеристики в координатах Ini—VU и показано, что кинетика процесса контролируется контактными явлениями на границах раздела фаз. Энергетический расчет позволил предположить существование блокирующего контакта на границе металл— оксид. [c.238]

Б ионных кристаллах с заряженными точечными Д. электропейтральность обеспечивается том, что Д. образуют пары — либо вакансия и междоузельный ион (дефекты Френкеля), либо 2 вакансии противоположного заряда (дефекты Шоттки), либо [c.596]

Вакансия может образоваться в результате перехода атома из своего нормального положения в междоузлие. Вокруг возникших при этом точечных дефектов — вакансии V и межузель-ного атома 1 (дефект или пара Френкеля) — возникают искажения вследствие смещения ближайших соседей, которые по мере удаления от дефекта ослабевают (рис. 14). Вакансия может возникнуть и в результате ухода атома на поверхность кристалла (дефект по Шоттки). [c.44]

Механизмы Френкеля и Шоттки в реальных кристаллах могут действовать независимо, и одновременно, а оба типа точечных дефектов — атомы в междоузлии и вакансии, двигаясь по кристаллу, дают свой вклад в общий массоперенос (диффузию) [38, 39]. Большое влияние на массоперенос оказывают также инородные примеси, растворенные в кристалле. В этом случае наряду с вакансиями и междоузель-ными атомами следует учитывать еще один тип точечных дефектов кристаллической решетки — дефекты замещения. Этим термином обозначают узлы решетки, занятые атомами другого сорта. [c.34]

Процесс образования дефектов но Френкелю и по Шоттки имеет термофлуктационный характер, т. е. максимумы флуктуаций температуры позволяют атомам преодолевать энергетические барьеры. Энергия образования дефектов но Френкелю приблизительно равна сумме энергий образования вакансии и внедрения [259, 260. [c.26]

Аннигиляция или ассоциация точечных дефектов с образованием кластеров. Антиструктурные дефекты типа ионов, занимающих несвойственные им кристаллографические позиции, не единственный тип точечных дефектов в ферритах. Как отмечалось в гл. II, ферритам магния и лития свойственно разупорядочение типа Френкеля, а ферритам меди и никеля — разупорядочение типа Шоттки. Поэтому целесообразно рассмотреть процесс аннигиляции точечных дефектов в более общем виде, как это сделал Шмальц-рид [6]. [c.164]

Микродефекты типа Шоттки возникают в решетке вследствие миграции ионов к поверхности кристалла, где они образуют новые слои. Такой механизм был назван Я- И. Френкелем процессом растворения в кристалле окружаюнхей пустоты. Выполненные за последние годы экспериментальные исследования изменения параметров решетки под действием рентгеновых лучей убедительно доказывают, что образование микродефектов под действием жесткого излучения действительно происходит по указанному выше механизму. [c.100]

Так как точечные дефекты имеют в трех кристаллографических нанравленнях атомарные размеры, их называют еще атомными дефектами. Дефекты по Френкелю и по Шоттки принципиально отличаются от линейных [c.217]

До 1949 г. считалось определенно установленным, что в образовании скрытого изображения участвуют только дефекты по Френкелю , теория которых была разработана советским ученым Я. И. Френкелем еще в 1926 г. [1]. Существование этих дефектов было убедительно доказано также прямыми опытами Ту-бандта [2] и Вагнера и Байера [3]. Однако в 1949 г. Митчелл [4] привел ряд косвенных соображений в пользу существования в чистом бромистом серебре и в смешанных кристаллах бромистого и сернистого серебра так называемых дефектов по Шоттки . Согласно теории Митчелла, эти дефекты (вакантные галоидные узлы) и возникающие в их присутствии / -центры играют основную роль в образовании скрытого изображения. [c.4]

Вопрос о существовании и роли дефектов по Шоттки в смешанных кристаллах AgBr + А 28 еще не решен окончательно. Косвенные данные указывают на существование в этом случае заметной концентрации этих дефектов (вакантных бромных узлов) ). Зейтц [9] считает, что энергетические соображения заставляют принять преобладание дефектов по Френкелю, однако дефектам по Шоттки он придает также важцую роль в процессе фотолиза. [c.5]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...