Шоттки пары

Трансформационная пластичность см. Шоттки пары 59 [c.283]

В ионных кристаллах точечные дефекты возникают парами две вакансии противоположного знака — дефект Шоттки межузельный ион и оставленная им вакансия — дефект Френкеля. [c.33]

Образование пары Френкеля должно приводить к увеличению параметра решетки. Это не обязательно происходит при возникновении дефекта по Шоттки. В последнем случае возрастает объем, поскольку число атомов не меняется, а число узлов возрастает. [c.45]

Для ионных кристаллов тина АВ можно модифицировать выражение (10.7) и соответственно (10.10). В этих решетках с дефектами по Шоттки по принципу электрической нейтральности может возникать только равное число катионных и анионных вакансий. В этом случае необходима энергия для образования пары вакансий. Какие виды дефектов в определенной кристаллической решетке являются преобладающими, зависит в основном от величины необходимых энергий активации. Вообще говоря, многие типы дефектов существуют одновременно, однако, если один тип, для которого нужны наименьшие энергии образования, сильно превалирует над другими, то соответственно именно он является характерным видом дефекта решетки. В щелочных галогенидах преобладают, например, дефекты по Шоттки. Энергии образования пары вакансий для щелочных галогенидов приведены ниже [c.220]

Шоттки и Вагнер высказали предположение, что чувствительная к давлению паров электропроводность полупроводника связана [c.85]

В бинарных кристаллах, например простейших типа АВ, дефекты по Френкелю и дефекты по Шотткй могут возникать как в подрешетке А, так и в подрешетке В. При этом возможно образование следующих типов точечных дефектов 1) вакансии в подрешетке Л 2) вакансии в подрешетке Б 3) парные дефекты (вакансия и междоузельный атом) в подрешетке А 4) парнке дефекты в подрешетке В 5) атомы подрешетки А, попавшие в междоузлия подрешетки В 6) атомы подрешетки В, внедренные в междоузлия подрешетки Л 7) атомы подрешетки Л, попавшие в вакансии подрешетки В 8) атомы подрешетки В, занимающие вакансии подрешетки Л. [c.93]

Помимо внутреннего испарения, возможно полное или частичное испарение атомов с поверхности кристалла. При полном испарении атом покидает поверхность кристалла и переходит в пар, при частичном испарении он с поверхности переходит в положение над поверхностью (рис. 1.16, б). В обоих случаях в поверхностном слое кристалла образуется вакансия. Путем замещения глубже лежащим атомом вакансия втягивается внутрь кристалла. Такое образование вакансий не сопровождается од1ЮвремеииыМ внедрением атомов в междоузлия, т. е. появлением дислоцированных ато- юв. Такого рода вакансии называют дефекталщ по Шоттки. Их -источником могут быть и всевозможные несовершенства кристалла недостроенные атомные плоскости, Гранины блоков и зерен, микроскопические трещины и др. [c.23]

Б ионных кристаллах с заряженными точечными Д. электропейтральность обеспечивается том, что Д. образуют пары — либо вакансия и междоузельный ион (дефекты Френкеля), либо 2 вакансии противоположного заряда (дефекты Шоттки), либо [c.596]

В ИС нелинейные твердотельные приборы, детали структуры к-рых имеют микронные размеры (микроприборы), и линии связи между ними формируются в едином технол. процессе на общей пластине — подложке (интегральная технология). Важнейшие приборы, входящие в состав ИС транзисторы (биполярные, полевые), их комплементарные пары п-р-п — — р-п-р", п-канальные и р-канальные) энергозави-си.чые транзисторы (напр., с плавающим затвором) диоды твердотельные (на р — и-переходах, диоды Шоттки) приборы с зарядовой связью (передача заряда в цепях из тысяч МДП-элементов, см. МДЙ-структура), на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД), на доменных стенках и линиях. Разрабатываются новые [c.152]

Чувствительность Р. у., особенно в СВЧ-диапазояе, решающим образом зависит от коэф. шума и усиления по мощности первых каскадов УТ. На рис. 3 приведены обобщённые шумовые характеристики МШУ и диодных смесителей. Наименьшим уровнем шумов обладают охлаждаемые квантовые парамагн. усилители, однако вследствие высокой сложности и стоимости, плохих массогабаритных показателей их использование ограничено практически радиоастрономическими Р. у. Весьма низким уровнем шумов обладают также охлаждаемые параметрич. усилители и усилители на полевых транзисторах с барьером Шоттки (УПТШ), причём массогабаритные показатели допускают их применение даже в бортовых Р. у. Оба типа устройств применяются препы. в наземных Р. у. систем космич. связи, причём вследствие большей простоты и технологичности полевых транзисторов они постепенно вытесняют пара мет- [c.233]

Вакансия может образоваться в результате перехода атома из своего нормального положения в междоузлие. Вокруг возникших при этом точечных дефектов — вакансии V и межузель-ного атома 1 (дефект или пара Френкеля) — возникают искажения вследствие смещения ближайших соседей, которые по мере удаления от дефекта ослабевают (рис. 14). Вакансия может возникнуть и в результате ухода атома на поверхность кристалла (дефект по Шоттки). [c.44]

С другой стороны, если мы будем исходить из существования дефектов по Шоттки, принимая, что подвижности катионных и анионных вакантных узлов одинаковы и что возрастание объема при образовании пары таких дефектов составляет 0,70 исходного объема ионов серебра и брома, то вычисленное увеличение объема при Т — 690° К составит 1,4%. Если один из двух вакантных узлов значительно подвижнее другого, то вычисленное увеличение объема при этой температуре составит 2,8%. Так как наблюденное приращение объема бромистого серебра при 690° К равно 2,9%, то данные Стрелкова, повидимому, говорят в пользу шоттковской модели проводимости бромистого серебра. Этот вывод не противоречит данным Брекенриджа [5] и представлениям, развитым Митчеллом [6]. [c.30]

Эмиссия диэлектрических слоев (эффект Молтера). Относительный коэффициент вторичной эмиссии Овт с окисленной поверхности алюминия, обработанной парами цезия, т. е. с поверхности металла, покрытой тонкой, плохо проводящей пленкой, иногда достигает огромных значений (авт=ЮО—1000). Это же наблюдается при создании положительного заряда на пленке любым другим способом, в том числе осаждением положительных ионов из газа, что весьма возможно для условий сварочной дуги в парах металлов. При толщине пленки порядка 10 см среднее значение напряженности поля достигает в ней 10 - 10 в см, что может обеспечивать Шоттки-электроны и ав-тоэлектронную эмиссию. [c.89]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...