ПЗС структура на барьерах Шоттки

Такая структура барьера Шоттки с кремнием я-типа (см. рис. 2.26, в) позволяет получить силовые диоды Шоттки в виде экспериментальных образцов с удельным сопротивлением = 25 Ом см, несколькими охранными кольцами и напряжением лавинного пробоя > 1000 В. [c.170]

Другой пример транзисторной структуры показан на рис. 10.11, а. Эта структура состоит из двух слоев полупроводника, разделенных тонкой металлической пленкой. Контакты между пленкой и полупроводниками выпрямляющие. Поэтому такая структура представляет собой два близко расположенных барьера Шоттки (рис. 10.11,6). При подаче на один из барьеров обратного смещения (рис. 10.11, в) через него будет течь сравнительно малый [c.284]

Электроны в ТПБ (рис. 6) движутся от истока к стоку в направлении, перпендикулярном поверхности плёнки. Затвором служит металлич. сетка, погружённая в толщу полупроводниковой структуры ТПБ. По принципу действия ТПБ аналогичен ПТШ. Между металлич. сеткой и полупроводником возникает барьер Шоттки. Толщина обеднённой области вблизи проводников сетки определяется напряжением на затворе. Если толщина обеднённой области меньше расстояния между проводниками сетки, канал открыт и электроны свободно движутся к стоку. При достаточно большом напряжении обеднённые [c.9]

Конструктивно-технологические особенности плоских планарно-эпитаксиальных структур с барьером Шоттки [c.166]

Потенциальный барьер, образующийся в приконтактном слое полупроводника, граничащий с металлом, исследован немецким ученым В. Шоттки [54] еще в 1939 г. и назван его именем. Дальнейшие исследования [55] показали, что для возникновения барьера Шоттки в структуре металл—полупроводник необходимо, чтобы работа выхода электронов из металла и полупроводника была больше Ф, > ФJJ, металл заряжается отрицательно, а полупроводник — положительно. Возникающая при установлении равновесия контактная разность потенциалов между металлом и полупроводником равна [c.166]

Эта разность потенциалов создается в приповерхностном слое полупроводника, в результате возникает барьер Шоттки высотой ф -ф = фд. В реальных структурах металл-полупроводник это соотношение не всегда строго выполняется, так как на поверхности полупроводника в тонкой диэлектрической прослойке, возникающей из-за технологических факторов между металлом и полупроводником, образуются локальные поверхностные состояния. Электроны, находящиеся на них, экранируют влияние металла так, что внутреннее электрическое поле в полупроводнике определяется этими поверхностными состояниями. [c.167]

Известно, что в структуре полупроводника с простейшим барьером Шоттки плоской структуры (рис. 2.26, а) наблюдается мягкий пробой , он обусловлен наличием сильного электрического поля напряженностью Е вблизи краев области объемного заряда шириной W , т.е. проявлением так называемого краевого эффекта , приводящего реальные приборы к нестабильной во времени флуктуации основных параметров г , 4 которые в свою очередь вызывают интенсификацию рекомбинационных (генерационных) процессов в местах выхода области объемного заряда [c.168]

Конструктивно-технологические способы подавления краевого эффекта в полупроводниковых структурах с барьером Шоттки [c.171]

Рис. 3.7. Поперечное сечение 4-фазной Пзс-структуры на основе барьеров Шоттки с выходной регистрирующей схемой на полевых транзисторах.

Приложение внешнего смещения V вызывает изменение формы барьера и величины ДФ. Этот эффект аналогичен эффекту Шоттки при термоэлектронной эмиссии в вакуум. Учет этого эффекта в предположении, что форма барьеров у границ металл — диэлектрик определяется только силой электрического изображения, приводит к следующему приближенному выражению для плотности тока, текущего через структуру металл— диэлектрик—металл (МДМ) [c.276]

Рис. 2.26. Разновидности полупроводниковых структур диодов с барьером Шоттки плоской формы на Si и-типа а — с плоским элементарным барьером б — с расширенным мeтaлличe ки контактом в — с диффузионным кoльцo /7-типа г — с трехслойным металлически> контактом д с электродом в виде эл липсоида вращения

Дальнейшие конструктивно-технологические разработки привели к созданию планарно-эпитаксиального кремниевого барьера Шоттки [55] с трехслойным металлическим контактом, например Au-Ti-Pt (рис. 2.26, г), площадью < 1 см , на прямые токи > 10 А при обратных напряжениях > 50 В, с обратными токами порядка = 20 10 А. Была разработана методика расчета барьера Шоттки с металлическим электродом в форме эллипсоида вращения или эллиптического цилиндра (рис. 2.26, д) утопленного вглубь полупроводника на глубину А = 0,05 мкм, в предельном же случае этот электрод сводится к металлическому диску либо металлической полоске, расположенным по поверхности полупроюдни-ка, т.е. это говорит о плоской природе контакта металл-полупроводник и не объясняет физической природы возникновения краевого эффекта и не содержит реальных структур, лишенных краевого эффекта. Однако авторы [55] верно отметили факт, что на краях металлического листа контакта металл—полупроводник я-типа (в виде плоского диска или плоского прямоугольного листа) формируется поверхностная плотность заряда очень большой величины, создающая краевое электрическое поле напряженности также большой величины, в пределе стремящейся к бесконечности (Е сю). [c.170]

Для изготовления непланарного выпрямительного диода с замкнутыл в виде кольца /(- -переходом или барьером Шоттки требуется двухслой ная структура, но в виде полого цилиндра. Технологии изготовление таких структур на поверхности цилиндра пока не существует. [c.181]

На рис. 3.7 показан разрез GaAs ПЗС-структуры со скрытым каналом, сделанным на основе барьеров Шоттки. Термин скрытый канал относится к тому обстоятельству, что зарядовые пакеты удерживаются в п-легированном слое или канале, что отличает это устройство от приборов с поверхностным каналом, в которых заряд скапливается в поверхностном инверсном слое МОП или МДП-структуры. Существенными чертами являются омический входной контакт, через который носители инжектируются в устройство, матрица близко расположенных затворов на основе барьеров Шоттки и выходной омический контакт (обозначенный выходной узел ), который принимает с временной задержкой заряд сигнала. Устройство управляется серией сигналов, форма которых зависит от времени примеры некоторых из них показаны на рисунке. Назначение этих тактовых сигналов состоит в том, чтобы произвести выборку входного сигнала (подаваемого на Сг в данном варианте схемы). [c.85]

Для одновременного удовлетворения требований к материалу, заданных областью А на рис. 3.11, и обеспечения высоких тактовых скоростей без использования чрезмерно коротких затворных площадок была разработана структура затворов, которая отличается от вышеуказанной. Эта структура называется ПЗС-структурой с резистивными затворами и приведена на рис. 3.12 [13]. Затворные электроды состоят из узких металлических полосок, разделенных сравнительно широкими промежутками с нанесенной сверху дополнительной резистивной пленкой. Резистивная пленка должна удовлетворять тем же требованиям, что и металл, а именно образовывать хороший барьер Шоттки с полупроводником. Подходящие материалы включают керметы и силициды тугоплавких металлов. Цель этого подхода состоит в том, чтобы гарантировать наличие сильного горизонтального электрического поля вблизи поверхности. В дополнение этот метод позволяет избежать неконтролируемых полей в канале в меладуэлектродных зазорах, характерных для описанных выше традиционных структур. [c.91]

На рис. 3.19 представлено поперечное сечение пространственного модулятора света на основе ПЗС-структуры на GaAs. ПЗС на барьере Шоттки в этом случае является трехфазным устройством, в котором затворы, включающие одну из фаз, являются прозрачными для представляющих интерес длин волн. Излучение с длиной волны, превышающее длину волны отсечки и падающее по нормали к устройству, модулируется с помощью эффекта электропоглощения в канале ПЗС и проходит сквозь подложку. Из рис. 3.8 было видно, что пустая яма в ПЗС имеет [c.99]

Необычные свойства М. п. делают их перспективными для создания ячеек памяти, для термомагн, и фото-магн.. чапнси, для вращения плоскости поляризации ол.-магн. излучения, в частности в диапазоне СВЧ. На М. п. реализованы р — п-переходы, Шоттки барьеры н др. структуры. [c.680]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...