Точечные дефекты (дефекты по Френкелю и Шоттки)

ТЕРМОДИНАМИКА ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ ДЕФЕКТЫ ФРЕНКЕЛЯ И ШОТТКИ ОТЖИГ [c.233]

ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ (ДЕФЕКТЫ ПО ФРЕНКЕЛЮ И ШОТТКИ) [c.217]

Дислокации — области с подобными и периодичными отклонениями в структуре кристаллов. В отличие от точечных дефектов по Френкелю и Шоттки дислокации носят линейный характер. [c.294]

Ю.Какие из перечисленных дефектов является точечными дефект Френкеля, дислокация, дефект Шоттки, дисклинация, вакансия [c.159]

Кроме парных дефектов, по Френкелю, в кристаллах имеются и одиночные точечные дефекты — вакансии, впервые рассмотренные В. Шоттки (рис. 3.5). [c.87]

На концентрацию дефектов типа Шоттки и Френкеля, кроме температуры, резко влияют облучение и пластическая деформация. Концентрация вакансий в первом приближении растет пропорционально деформации и может быть определена зависимостью 4-10 )е, где е выражено в процентах. Такие вакансии называются деформационными. Наибольшая их концентрация соответствует знакопеременному нагружению. При совместном влиянии высоких температур и большой степени пластической деформации концентрация вакансий может достигать (5—10) 10 , что дает концентрацию атомов, смещенных со своих мест, 2,5—5%. По-видимому, в этом случае вакансии могут оказывать влияние на процесс и механизм пластической деформации. Однако обычно влияние деформационных вакансий на прочность и пластичность металла невелико. Точечные дефекты, внесенные пластической деформацией и облучением, являются термодинамически неравновесными. [c.30]

Точечные дефекты Шоттки и Френкеля оказывают большое влияние на многие процессы, происходящие в металлах будучи центрами рассеяния носителей, понижают их подвижность. Эти дефекты могут служить источниками носителей, т. е. действовать подобно донорам и акцепторам. Они влияют на процессы пластической деформации при низких и высоких температурах, а также на магнитные свойства. Большое число вакансий может быть получено при резком охлаждении (закалке) нагретого металла, [c.32]

Атомы металла при самодиффузии, а также примеси, атомы которых замещают атомы основного. металла в кристаллической решетке, перемещаются путем обмена местами с вакансиями (рис, 10, а) примеси, располагающиеся в междоузлии (при диффузии) передвигаются путем перехода из одного междоузлия в другое (рис. 10, 6). Точечные дефекты Шоттки и Френкеля влияют на некоторые физические свойства. металла (электрическую проводимость, магнитные свойства и др.), а также на фазовые превращения в металлах и сплавах. [c.19]

В ионных кристаллах точечные дефекты возникают парами две вакансии противоположного знака — дефект Шоттки межузельный ион и оставленная им вакансия — дефект Френкеля. [c.33]

Точечные дефекты (рис. 1.5) характеризуются малыми размерами во всех трех измерениях. Величина их не превышает нескольких атомных диаметров. К точечным дефектам относятся а) свободные места в узлах кристаллической решетки — вакансии (дефекты Шоттки) б) атомы, сместившиеся из узлов кристаллической решетки в межузельные промежутки — дислоцированные атомы (дефекты Френкеля) в) атомы других элементов, находящиеся как в узлах, так и в междоузлиях кристаллической решетки — примесные атомы. [c.10]

В полярных кристаллах дефекты по Шоттки возникают после ухода анионов и катионов лишь на поверхности внутренних трещин или иа поверхности кристалла. Согласно Ф. Зейтцу и другим исследователям внутренним источником (а также ловушками ) вакансий могут являться также более сложные дефекты — дислокации, которые в отличие от дефектов по Френкелю и ло Шоттки являются не точечными , а линейными дефектами кристаллической решетки, которые нарушают правильность чередования атомных плоскостей решетки. [c.42]

Тепловые колебания атомов. Любой кристалл, даже самый совершенный, можно представить идеальным (бездефектным) только при абсолютном нуле температуры. При Г > О К тепловое движение атомов приводит к возникновению точечных дефектов — вакансий, междоузельных атомов, дефектов Френкеля и т.д. При любой отличной от нуля температуре имеется некоторая равновесная концентрация дефектов, при которой полная энергия кристалла G = Н — TS минимальна (здесь G — потенциал Гиббса, Н — внутренняя энергия или энтальпия, 5 — энтропия). Действительно, рассмотрим, например, образование вакансий в идеальном кристалле при Т > 0. Пусть кристалл содержит N узлов в единице объема, в каждом из которых при О К расположен атом, и потенциал Гиббса системы в этом состоянии равен Gq. Пусть при повышении температуры за счет тепловых флуктуаций возникает Л д дефектов Шоттки в единице объема кристалла и теперь N атомов и Л д вакансий размещается по (Л + Л д) узлам. Образование Л д вакансий вызывает повышение G на [c.92]

В бинарных кристаллах, например простейших типа АВ, дефекты по Френкелю и дефекты по Шотткй могут возникать как в подрешетке А, так и в подрешетке В. При этом возможно образование следующих типов точечных дефектов 1) вакансии в подрешетке Л 2) вакансии в подрешетке Б 3) парные дефекты (вакансия и междоузельный атом) в подрешетке А 4) парнке дефекты в подрешетке В 5) атомы подрешетки А, попавшие в междоузлия подрешетки В 6) атомы подрешетки В, внедренные в междоузлия подрешетки Л 7) атомы подрешетки Л, попавшие в вакансии подрешетки В 8) атомы подрешетки В, занимающие вакансии подрешетки Л. [c.93]

Точечные дефекты — это нарушения кристаллического строения в изолированных друг от друга точках решетки. Различают следующие точечные дефекты (рис. 17) 1) вакансии (дефекты Шоттки), т. е. узлы решетки, в которых атомы отсутствуют 2) атомы в междуузлиях (дефекты Френкеля) или атомы внедрения, Т. е. атомы, находящиеся В Промежутках между узловыми атомами [c.29]

Б ионных кристаллах с заряженными точечными Д. электропейтральность обеспечивается том, что Д. образуют пары — либо вакансия и междоузельный ион (дефекты Френкеля), либо 2 вакансии противоположного заряда (дефекты Шоттки), либо [c.596]

Вакансия может образоваться в результате перехода атома из своего нормального положения в междоузлие. Вокруг возникших при этом точечных дефектов — вакансии V и межузель-ного атома 1 (дефект или пара Френкеля) — возникают искажения вследствие смещения ближайших соседей, которые по мере удаления от дефекта ослабевают (рис. 14). Вакансия может возникнуть и в результате ухода атома на поверхность кристалла (дефект по Шоттки). [c.44]

Механизмы Френкеля и Шоттки в реальных кристаллах могут действовать независимо, и одновременно, а оба типа точечных дефектов — атомы в междоузлии и вакансии, двигаясь по кристаллу, дают свой вклад в общий массоперенос (диффузию) [38, 39]. Большое влияние на массоперенос оказывают также инородные примеси, растворенные в кристалле. В этом случае наряду с вакансиями и междоузель-ными атомами следует учитывать еще один тип точечных дефектов кристаллической решетки — дефекты замещения. Этим термином обозначают узлы решетки, занятые атомами другого сорта. [c.34]

Аннигиляция или ассоциация точечных дефектов с образованием кластеров. Антиструктурные дефекты типа ионов, занимающих несвойственные им кристаллографические позиции, не единственный тип точечных дефектов в ферритах. Как отмечалось в гл. II, ферритам магния и лития свойственно разупорядочение типа Френкеля, а ферритам меди и никеля — разупорядочение типа Шоттки. Поэтому целесообразно рассмотреть процесс аннигиляции точечных дефектов в более общем виде, как это сделал Шмальц-рид [6]. [c.164]

Так как точечные дефекты имеют в трех кристаллографических нанравленнях атомарные размеры, их называют еще атомными дефектами. Дефекты по Френкелю и по Шоттки принципиально отличаются от линейных [c.217]

Во-вторых, В узлах решетки, которые в идеальном кристалле заполнены, атомы могут отсутствовать. Точечные дефекты такого вида называют вакансиями. В элементарной ковалентной решетке отсутствие одного атома (электрически нейтрального) не вызывает существенных нарушений в общем балансе электрических зарядов в кристалле. Однако в ионном кристалле (если рассматривать его в целом) вакансии в катионной или анионной подрешетке должны быть каким-то образом электрически скомпенсированы. Это условие выполняется,, если имеется эквивалентное количество катионных и анионных ва кансий или если на каждую ионную вакансию приходится такое же число нонов того же знака в междоузлиях. Комбинацию вакансии и иона в междоузлиях называют дефектом по Френкелю, а комбинацию анионной и катионной вакансий —дефектом по Шоттки. Требование компенсации заряда, как мы в дальнейшем покажем, может быть также удовлетворено, если в кристалле содержится примесь атомов с валентностью, отличной от валентности атомов самой решетки. Наконец, компенсации можно достигнуть простым введением избыточных электронов или, наоборот, удалением их из кристалла. Если вакансия образуется в металле, то происходит одновременное удаление положительно заряженного иона и компенсирующего электрона (электронов). [c.53]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...