Галогениды

При погружении металлов в их расплавленные соли, являющиеся электролитами, в результате взаимодействия между ними возникает разность электрических потенциалов, которую можно определить, измерив э. д. с. элемента, составленного из исследуемого электрода (металла и его расплавленной соли) и электрода, потенциал которого условно принят за нуль. При измерениях в расплавах в каче стве такого электрода используют натриевый, хлорный, стеклянно-натриевый и другие электроды. В табл. 62 приведены электродные потенциалы металлов в расплавленных галогенидах по отношению к потенциалу натриевого электрода при 700° С, а в табл. 63 — ориентировочные значения электродных потенциалов анионов в расплавах при 700° С. [c.406]

Суть получения покрытия из газовой фазы заключается в том, что в результате гетерогенных химических реакций в среде газов, окружающей покрываемое изделие, на него выпадают составляющие покрытия, формируя сплошной слой осаждаемого материала. Исходными продуктами для осаждения служат газообразные галогениды, карбонилы или металлоорганические соединения, при разложении и при взаимодействии которых с дру. ими газообразными составляющими смесей (водородом, аммиаком, углеводородами, окисью углерода и др.) на покрываемой поверхности образуются нужные материалы. [c.108]

Галогенид металла Температура испарения, К Второй компонент газовой смеси Температура осаждения, К [c.108]

Составляющие выделяются по результатам изучения системы различными физико-химическими методами и обоснованием их Индивидуальности служит лишь модель микроскопического строения отдельных фаз. Так, в разреженных газах составляющими считаются молекулы и атомы, а при высоких температурах также. электроны и ионы. В твердых и жидких органических веществах структурными единицами являются обычно молекулы, а, например, у галогенидов щелочных металлов — положительные и отрицательные ионы соответствующих элементов. Металлические расплавы и растворы по одним моделям считают состоящими из атомов, а по другим — из положительных ионов и электронов. [c.16]

Плотнейшие упаковки составляют основу строения большинства кристаллических твердых тел. С точки зрения плотнейшей упаковки особенно просто описываются структуры окислов сульфидов и галогенидов, в которых основу плотнейшей упаковки составляют крупные анионы кислорода, серы и галогенов, а катионы, входящие в химическую формулу кристалла, распределяются в пустотах плотнейшей упаковки по определенному симметричному узору. Отдельные кристаллы отличаются типом плотнейшей упаковки, сортностью и числом заселенных катионами пустот, 30 [c.30]

Таблица 22.19. Электрофизические свойства галогенидов таллия [294]

Активная среда Na. Условия возбуждения импульсный разряд в смеси паров Na при Я = 0,13- -0,4 Па и Не при Р = 0,13- 1,3 кПа фотодиссоциация галогенидов натрия [c.899]

Образование дефектов в ионных кристаллах сопряжено с соблюдением дополнительного условия — необходимости сохранения электронейтральности кристалла. В этом случае возникают либо две одиночные вакансии противоположного знака (дефект Шот-тки), либо вакансия и межузельный атом (дефект Френкеля). При этом тип возникающих дефектов определяется спецификой кристалла. Например, для чистых щелочно-галоидных кристаллов типичны дефекты по Шоттки, а для галогенидов серебра — дефекты по Френкелю. Укажем, что если при образовании дефектов по Шоттки плотность кристаллов уменьшается, то при образовании дефектов по Френкелю она остается неизменной. [c.233]

Диффузионным хромированием повышают специальные свойства деталей (твердость, жаростойкость, коррозионная стойкость, эмиссионная способность, магнитные и электрические свойства и др.). Насыщение обычно производят газовым методом, используя для этого летучие соединения хрома (галогениды хрома). [c.128]

Детали, помещенные в герметизированные камеры, нагревают в атмосфере галогенида до 1000—1200° С. В результате протекания реакции [c.129]

Существует метод осаждения карбидов из газовой фазы. Он основан на реакциях взаимодействия между парами галогенидов металлов и углеводородов, происходящих в среде водорода. Эти реакции осуществляются на поверхности нагретого до определенной температуры (обычно 1100—1500° С) металла, на который нужно осадить карбидное покрытие. Однако осуществление этого метода требует специального оборудования, обеспечивающего получение реакционных смесей требуемого состава и подачу их в реакционное пространство печи, в которой происходит нагрев покрываемой детали. [c.75]

Так, например, для получения покрытий из карбидов тугоплавких металлов используется реакция разложения хлоридов этих металлов, хлориды металлов в смеси с водородом и углеводородом подаются в реактор с кипящим слоем частиц. На поверхности графитовых частиц протекает реакция образования карбида. Этот метод позволяет регулировать активность галогенидов металла в газовой фазе таким образом, чтобы она была недостаточна для осаждения чистого металла, но обеспечивала бы образование карбида металла. [c.82]

В литературе имеется несколько обзорных работ, посвященных образованию защитных покрытий на различных подложках с разложением на них галогенидов тугоплавких металлов. [c.125]

При данном методе образования покрытий графитовые частицы засыпаются в реакционную камеру, через которую пропускается рабочая газовая смесь, состоящая из инертного газа, углеводорода, водорода и галогенида соответствующего металла. [c.140]

В реакционной камере происходит термическая диссоциация галогенида металла с выделением металла, последний взаимодействует с поверхностью графитовых частиц и с углеродом газовой фазы с образованием карбида. [c.140]

РАСТРЕСКИВАНИЕ В РАСТВОРАХ ГАЛОГЕНИДОВ [c.33]

Растворы, содержащие ионы хлора, брома и иода, являются важнейшими природными (например, морская вода) и многими промышленными средами, поэтому поведение титановых сплавов в этих средах представляет наибольший интерес, тем более, что именно эти среды наиболее опасны для титана в отношении коррозионного растрескивания. Естественно поэтому, что коррозионное растрескивание титановых сплавов в галогенидах наиболее изучено. [c.33]

Все титановые сплавы по склонности к коррозионному растрескиванию в водных растворах галогенидов можно разделить на четыре груп-пьс [c.34]

Рассмотрим основные факторы, определяющие чувствительность и склонность к коррозионному растрескиванию титановых сплавов в водных растворах галогенидов, природу этого явления и практические меры борьбы с ним. [c.34]

Электронные потенциалы металлов в их расплавленных галогенидах при 700° С (l Na = 0) по Ю. К. Делимарскому и Б. Ф. Маркову [c.407]

Ввиду того, что пассивность. железа и нержавеющих сталей нарушается галогенид-ионами, невозможна анодная защита этих металлов в соляной кислоте и кислых растворах хлоридов, где плотность тока в пассивной области очень велика. Кроме того, если электролит загрязнен ионами С1 , существует опасность образования питтингов даже при достаточно низкой плотности пассивного тока. В последнем случае, однако, достаточно поддерживать потенциал ниже критического потенциала питтинго-образования для данного смешанного электролита . Титан, который имеет высокий положительный критический потенциал питтингообразования в широком интервале концентраций С1 -иона и температур, пассивен в присутствии С1 -ионов (низкая /пасс) и может быть анодно защищен даже в растворах соляной кислоты. [c.229]

Браун с сотрудниками показали [33], что титановые сплавы, обладающие при прочих равных условиях превосходной стойкостью в морской воде, подвергаются транскристаллитному КРН, если на поверхности есть концентраторы напряжений. Гладкие образцы могут быть стойкими. Отмечают, что КРН технического титана, содержащего большое количество кислорода (0,2—0,4 %), и различных других сплавов, включая 8-1-1, происходит только в водных растворах в присутствии С1 , Вг и 1 . Ионы F , SO4", 0Н , NOi и lOj не только не вызывают КРН, но могут замедлять распространение трещин в некоторых сплавах, склонных к КРН в дистиллированной воде (например, эффективна добавка 100 мг/л KNO3) [34, 35]. Некоторые из указанных анионов также ингибируют КРН в присутствии галогенид-ионов в этом отношении их действие сходно с влиянием посторонних анионов на поведение аустенитных нержавеющих сталей (см. разд. 18.5.3). [c.377]

Объясняется это тем, что фотографические зму.зьсии состоят из микрокристаллов галогенида серебра, вкрапленного в прозрачную желатиновую массу. Отсюда чувствительность фотослоя связана с размерами зерен галогенида серебра чем выше чувствительность, тем более зернистым оказывается фотоматериал, и, следовательно, тем ниже его разрешающая способность. Поэтому в каждом отдельном случае приходится искать компромиссное решение, определяемое конкретными частными требованиями к качеству голограммы. [c.37]

Ионные кристаллы представляют собой соединения с преобладающим ионным характером химической связи, в основе которой лежит электростатическое взаимодействие между заряженными ионами. Типичными представителями ионных кристаллов являются галогениды щелочных металлов, например, со структурой типа Na l и s l. [c.70]

По описанному механизму образуются не только галогениды щелочных металло В, но также нитриды, карбиды многоковалентных переходных металлов, большинство которых имеют структуру типа Na l. [c.70]

Образование дефектов по Шоттки уменьшает плотность кристалла из-за увеличения его объема при постоянной массе. При образовании дефектов по Френкелю плотность остается неизменной, так как объем кристалла не изменяется. Измерения плотности свидетельствуют о том, что, например, для чистых щелочно-галоидных кристаллов доминируюш,ими дефектами являются дефекты по Шоттки, а для чистых кристаллов галогенидов серебра — дефекты по Френкелю. [c.88]

Цветовоспроизведение на трехслойных пленках можно легко проследить на примере так называемых пленок е обращением , т. е. дающих поеле обработки позитивное изображение (см. рис. 29.1). В трех слоях пленки при фотографировании и обычном черно-белом проявлении образуются три серебряных цветоделенных изображения. По правилу субтрактивного цветовоспроизведения в каждо.м слое на месте невосстановленного галогенида серебра должно быть получено изображение из вещества, поглощающего тс лучи, которые вызвали в этом слое образование цветоделенного негативного изображения. Таким образом, в верхнем слое, чувствительном к синим лучам, должно быть образовано частичное изображение из красителя, поглощающего синие лучи (желтого), в среднем слое, чувствительном к зеленым лучам,— частичное изображение из красителя, поглощающего зеленые лучи (пурпурного), в нижнем слое, чувствительном к красным лучам,— частичное изображение из красителя, поглощающего красные лучи (голубого). [c.195]

Под действием света в кристаллах галогенида серебра образуются центры скрытого изображения. При последующем проявлении эти кристаллы в результате химической реакции восстанавливаются до металлического серебра, распределение зерен которого по фотослою соответствует распределению освещенности. Количество зерен металлического серебра в данном месте фотослоя, проявляющее себя визуально, как степень почернения фотослоя, зависит от общего количества упавщей на этот участок пластинки лучистой энергии Я, которую определяют произведением освещенности Е на время ее действия t и называют экспозицией. Величина Я включает в себя также некоторую константу р (константа Шварцщильда), близкую к единице и зависящую от характера освещения фотослоя (от времени освещения и степени его прерывистости) , [c.9]

Проявленная пластинка ополаскивается водой и погружается на 10 мин в раствор закрепителя, фиксирующего полученное изображение. В процессе фиксирования протекает реакция растворения галогенида серебра, не подвергшегося действию света и оставшегося не восстановленным. После фиксирования пластинка в течение 10—15 мин должна быть тщательно промыта проточной водой. При этом из эмульсионного слоя удаляются продукты реакции и все следы тиосульфата натрия, входящего в состав закрепителя. При недостаточной промывке остатки тиосульфата в желатине начнут кристаллизоваться, что приведет к необратимым изменениям в эмульсионном слое и гибели снимка. Промытая фотопластинка высушивается при комнатной температуре или в токе теплого воздуха. При этом следует обратить внимание на то, чтобы в помещении для сушки не было пыли, так как пылинки, попавшие на фотометрируемый участок линии, усложняют процесс измерения и могут привести к существенным ошибкам в оценке почернений. [c.12]

Активная среда Агр, Ar I, КгР и т. д. Условия возбуждения возбуждение электронным пучком смеси благородных газов и галогенидов при высоком давлении также поперечный разряд при атмосферном давлении [c.904]

Эффект синергизма достигается при совместном введении в электролит производных пиридина или анилина, с галогенид- ионами. По повышению защитного действия галогенид-ионы можно расположить в ряд J", Вг", СГ, т.е. в последовательности, обратной изменению их энергии гидратации, Дж/моль 353 для СГ 319 для Вг и 268 для J , так как более гидратированные поверхностные комплексы с галоидом, например, с ионом хлора, легко теряют связь с атомами кристаллической решетки металла и переходят в раствор. Анионы с меньшей энергией гидратации, хемосорбируясь на поверхности металла, теряют гидратированную воду и приобретают свойства защитной пленки. Резко возрастает защитный эффект от введения -аминов и некоторых других ингибиторов катионного типа при наличии в кислой среде сероводорода, тогда как в аналогичной среде без сероводорода эти же соединения являются слабыми ингибиторами коррозии. В таких случаях адсорбированные на поверхности железа анионы СГ, Вг", J", HS выполняют роль анионных мостиков, облегчающих адсорбцию ингибиторов катионного типа. [c.144]

Na l при температурах 288 °С ртуть растворы галогенидов в метиловом спирте хлор и фтор-производные углеводородов [c.15]

Процесс получения покрытий тугоплавких карбидов циркония, ниобия и др. термическим разложением их галогенидов на раскаленной нити в вакууме был описан в 1934 г. Ван Аркелем [1]. Пауэл, Кэмпбелл и Гонсер в 1948 г. опубликовали работу, посвященную получению ниобия диссоциацией его галогенидов [2], в [3, 4] описан процесс нанесения покрытий на различные под-лоя ки, в том числе и на графитовую. [c.125]

Для исследования были взяты образцы из стали 20 и чугуна Сч 18-36. Насыщение образцов проводили в порошкообразной реакционной смеси, состоящей из ферротитана (титана), карбонила никеля и галогенидов никеля Ni lg, Nilg, NiFg, плавикового шпата и фтористого натрия. Сумма двух насыщающих компонентов в реакционной смеси составляла 80%, остальное — пла- [c.74]

В статье приведены результаты исследования влияния диффузионного насыщения титаном и никелем на структуру и свойства углеродистой стали и чугуна. Насыщение проводили в порошкообразной реакционной смеси, состоящей из ферротитана (титана), карбонила никеля и галогенидов никеля — N1 I,, N11,, N1F,, плавикового шпата и фтористого натрия, при 800—1100 С в течение 2—24 ч. Микроструктура диффузионного слоя состоит из нескольких зон, различающихся по травимости и твердости. Микротвердость поверхностного слоя 1100 кгс/мм. Установлено, что свойства диффузионных титаноникелевых слоев на образцах из стали и чугуна выше, чем при насыщении одним злемен-том. Лит. — 8 назв., ил. — 3. [c.261]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...