Моделирование источники тока

Формы представления моделей элементов схем. При моделировании компонентами электронной схемы являются резистор, конденсатор, катушка индуктивности, отдельный электронный прибор в дискретном или интегральном исполнении, источник тока или напряжения и т. п. Элементом электронной схемы может быть как компонент, так и типовой фрагмент схемы (вентиль, триггер и т. п.). Математическая модель электронной схемы при анализе на ЭВМ — система обыкновенных дифференциальных уравнений, связывающая токи и напряжения в различных компонентах схемы. Математическая модель схемы, полученная непосредственным объединением моделей компонентов в общую систему уравнений на основе топологических уравнений, называется полной моделью схемы. Математическая модель схемы, являющаяся более простой по затратам времени и памяти ЭВМ на ее реализацию, чем полная модель, называется макромоделью схемы. Типовые фрагменты схемы (функциональные узлы) состоят из отдельных компонентов, поэтому модели таких фрагментов в составе сложных электронных схем являются макромоделями. Следовательно, можно выделить два основных типа моделей элементов электронных схем модели компонентов и макромодели функциональных узлов. [c.128]

Индуктивности ЭМП в соответствии с (3.31) зависят от распределения магнитного поля в объеме конструкции и токов катушек, создающих это поле. Распределение магнитного поля в ЭМП необходимо знать также для оценки ряда важных показателей, которые принципиально не учитываются в моделях, построенных в рамках теории цепей. К таким показателям относятся форма кривой ЭДС, потери в магнитопроводе и т. п. Таким образом, моделирование в той или иной форме магнитного поля и его источников в ЭМП на стадии проектирования является обязательным. [c.88]

Применение для моделирования нелинейностей нелинейных электрических сопротивлений ставит перед исследователем в числе других еще одну, достаточно важную проблему. Дело в том, что на характеристику нелинейного элемента обычно оказывает влияние ряд параметров (напряжения смещения, величины дополнительных сопротивлений, ток базы транзистора и т. п.). Подбор необходимого режима работы элемента является трудоемким процессом, так как требуется снятие большого количества характеристик. Для упрощения этого процесса разработан прибор, функциональная схема которого показана на рис. 30. В ней с генератора линейно-нарастающего напряжения ГЛН пилообразное напряжение подается на НС. Между катодом и сетками лампы включены регулируемые источники смещения E i и а параллельно лампе — магазин сопротивлений R типа РЗЗ. Между катодом лампы и землей включено калибровочное сопротивление R , на котором создается падение напряжения f/к, пропорциональное току, текущему через НС. Напряжение подается на вход У осциллографа ЭО типа С1-13, на экран которого нанесена эталонная парабола у = Поскольку ток /не яв- [c.109]

Методика моделирования нестационарных задач теплопроводности с источниками (стоками) тепла на комбинированных моделях сплошная среда — Р-сет-ка [8] упрощает решение пространственных задач. Сочетая ряд преимуществ метода сплошных сред и метода -се-ток, методика моделирования на комбинированных моделях распространяет область применения метода [1, 2] на более широкий круг задач. [c.408]

Моделирование открывает широкие возможности для исследования электрохимической ячейки. При моделировании могут быть проведены исследования 1) переходных процессов при неподвижных электродах и включении источника питания 2) переходных процессов при ступенчатом или произвольном характерах изменения скоростей подач 3) статических характеристик ячейки при различных значениях ее конструктивных и технологических параметров 4) влияния различных возмущающих воздействий на величину МЭЗ и другие параметры ячейки 5) влияние формы импульсов напряжения на характер переходных процессов по току и величине МЭЗ. [c.146]

Омический нагреватель. Здесь так же, как и для ядерного нагревателя, принимаются предположения 3 — 7. Помимо этого предполагается, что непрерывное объемное тепловыделение, обусловленное прохождением электрического тока вдоль стенки нагревателя, молшо моделировать, применяя точечные источники тока, равномерно распределенные по всей стенке. Чтобы оценить результаты, которые можно ожидать при бесконечном увеличенни числа таких точечных источников, были созданы моделирующие схемы с поочередным изменением числа (1, 4 и 16) точечных источников, приходящихся на площадь, равную квадрату толщины стенки (фиг. 4). Это новый технический пример в моделировании, который, как полагают авторы настоящей работы, является первой попыткой моделировать объемное тепловыделение с помощью электропроводной бумаги. [c.201]

Многие дополнительные эффекты можно учесть путем добавления внешних по отношению к исходной модели схемных элементов. Например, при разработке БИС на сверхбыстродействующих, малосигнальных элементах эмиттерно-связанной логики (ЭСЛ) предъявляются повышенные требования к точности моделирования статических характеристик логических цепей каскадно включенных элементов. Эти требования учитываются с помощью модели транзистора (рис. 6.8). Модель транзистора программы ПА-1 без учета Гб и Гк обозначена Гь Достоинство модели состоит в том, что она включает стандартные элементы электронных схем (диоды, резисторы) и не требует непосредственной модификации модели ПА-1. Диод Оэ позволяет учесть зависимость коэффициента В от тока эмиттера /э, а диод Оп и источник тока / —влияние подложки. Параметры дополнительных элементов схемы определяются из условия наилучшего совпадения с соответствующими экспериментальными зависимостями. [c.137]

В процессе проведения работы производится измерение электрического потенциала. При этом если потенциал измеряется в абсолютных единицах (вольтах), то это требует практически полной стабилизации напряжения питающего тока, что связано с определенными трудностями. Поэтому целесообразно перейти к определению безразмерных (приведенных) значений электрического потенциала, определяемых как отношение измеренного потенциала к разности потенциалов источника тока, питающего интегратор. Эти безразмерные значения, измеряемые в долях единицы или в процентах, не будут зависеть от изменения выходного напряжения питающего устройства, что повышает точность моделирования движения жидкости при помощи электроаналогии. [c.184]

После априорного выбора схемы тока и типа поверхности теплообмена регенератора оптимизацию его режимноконструктивных параметров необходимо вести в рамках общей задачи оптимизации ПТУ. Рассмотрим особенности математического моделирования, а также постановки и решения этих задач на примере регенератора паротурбинной установки, критерием качества которой служит максимум эффективного КПД. Как отмечалось выше, этот критерий, являясь частным случаем критерия минимума приведенных затрат, справедлив для широкого круга наземных стационарных, транспортных, подводных, а также космических установок с радиоизотопным источником теплоты. [c.120]

Рис. 93, Электрическое моделирование бесцирку ляцнонного течения через решетку. 7 —электроды 2—источник переменного тока . 3 —потенциометр (водяной реостат) — нуль-иид1 катор- радионаушники).

В потоке от источника (рис. 103, г) функция тока на внутренней и внешней окружностях бесконечнозначиа и изменяется линейно, поэтому края пленки должны располагаться по винтовым линиям, а пленка образовывать винтовую поверхность. Очевидно, что такое течение моделировать менее удобно, тем более, что аналогия будет неизбежно нарушаться на внутренней окружности. Для моделирования вихревого потока пленка нагружается избыточным давлением р = — 2шт (рис. 103, д). При отсутствии пластин она приняла бы форму параболоида вращения. Горизонтальные пластины (нагруженные, как и в модели рис. 103, а, только парой сил) вызывают деформацию этого параболоида. Линии уровня представляют собой ЛИНИН тока вихревого течения. Следует обратить вн 1мание на увеличение скорости на внешней окружности и на криволинейную форму критической линии тока, которая подходит к пластине уже не под прямым углом. Этот факт имеет общий характер для вихревых [c.267]

В схеме замещения (см.рис.6) pgHo- комплексный вектор источника гармоничных колебаний давления (напора) - аналог электродвижущей силы в цепи переменного тока Xt—инерционное внутреннее сопротивление машины, числовое значение которого равное Rt ИЦН х , x q. инерционные гидросопротивления (на которых отсутствуют диссипативные потери тепла) для учета конечного количества лопастей Хш, г ah, Xjq, r Q, х ех, r ex—инерционные активные гидросопротивления для моделирования соответственно гидравлических, объемных и механических потерь в РЦН. [c.21]

В общем случае точность этого единственно возможного способа оценки стационарного потенциала участка проектируемого трубопровода (кроме моделирования в натуральную величину) существенно зависит от кинетики катодной реакции восстановления ионов водорода и ее равновесного потенциала (фн)обр- На рис. 15 влияние катодной реакции Н+- Н показано в виде изгиба в верхней части кривой А А. В результате регистрации потенциальных диаграмм на многих стальных образцах в грунтах с преимущественно нейтральной реакцией водной вытяжки выявили, что скорость реакции разряда ионов водорода становится сравнимой со скоростью реакции ионизации кислорода при потенциалах на 0,1—0,2 В меньше, чем потенциал, определяемый точкой пересечения линии предельной плотности тока по кислороду с кривой поляризационной диаграммы. Это значит, что в частном случае при изучении коррозии стали в грунтах зоны аэрации искажающим влиянием реакции Н+ -> Н можно пренебречь. В этом частном случае имеется возможность определения важных показателей минимального смещения потенциала трубы в отрицательную сторону, необходимого для полного предотвращения почвенной коррозии и соответствующей для этого смещения катодной плотности тока от внешнего источника. Из рис. 15 видно, что Афт1п равно разности ординат точек пересечения линий ДД и ЕЕ минимальная защитная плотность тока равна по модулю предельной плотности тока по кислороду. [c.85]

При моделировании МДП-транзисторов общепринятой эквивалентной схемой является схема на рис. 7 [22], [23], где Сз.и и Сз.с — емкости затвора на исток и сток, диоды Ди.п и Дс.п отображают наличие р—п-перехода в подложке, а и / с — сопротивления тела полупроводника между выводами истока и каналом и выводом стока и каналом. Различия в моделях МДП-транзисторов обусловливаются видом аппроксимирующих выражений для зависимости тока источника /<г от падений напряжения Мз.и и з.с на емкостях Сз.п и Сз.с и от падений напря- [c.63]

Данные, получаемые в результате анализа схемы в режиме малого сигнала, представляют собой частотные характеристики схемы, рассчитанные с использованием малосигнальных моделей элементов (рис. 4.6). Процесс моделирования начинается с расчета рабочих точек для определения режима по постоянному току, затем производится замена источников сигналов генераторами синусоидального сигнала с фиксированной амплитудой и, наконец, производится анализ в заданном частотном диапазоне. Искомые результаты обычно представляются в виде передаточной функции (например, коэффициент усиления по напряжению). [c.190]

Программа моделирования поддерживает стандартные SPI E модели линейных зависимых источников. Любой из этих источников имеет два входа и два выхода. Напряжение или ток на выходах описывается линейной функцией от напряжения или тока на входах и определяется коэффициентом усиления, проводимостью или сопротивлением источника. [c.226]

Механизм моделирования программы SPI E имеет встроенные модели для следующих типов аналоговых компонентов резисторов, конденсаторов, катушек индуктивности, катушек трансформаторов с индуктивной связью, независимых и управляемых источников напряжения и тока, линий передачи с потерями и без таковых, переключателей, равномерно распределенных R линий, а также для пяти наиболее часто [c.231]

Рассмотрены принципы постро шя источника питания для сварки переменным модулированным током на базе трансформатора с ярмовым рассеянием путем периодического закорачивания дсполШ1тельной обмотки расположенной на цути потоков рассеяния. Приведены картины по леи рассеяния вокруг трансформатора для разных режимов СМГ процесса, полученные путем математического моделирования на ЭВМ. Йл.З. табл.1. Библиогр. о назв. [c.151]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...