Уровни энергии электронные

Мультиплет — совокупность уровней энергии электронных состояний атома с данными значениями орбитального момента L и спина S, различающихся значениями полного момента J, допустимыми при данных L п S. [c.271]

При конечных значениях Ь уже нельзя говорить о полностью изолированных потенциальных ямах. В результате туннельного эффекта электрон переходит из одной ямы в другую. Этот эффект тем больше, чем меньше ширина барьера Ь. В этом случае представление о движении электрона в какой-то конкретной яме несостоятельно-электрон обобществлен, он движется в обеих потенциальных ямах, в результате уровни энергии электрона изменяются. Это изменение уровней электрона при наличии нескольких потенциальных ям лежит в основе понимания природы ковалентной. Поясним это на примере рассматриваемой модели. [c.298]

Тонкая структура уровней энергии атома водорода. Чтобы найти уровни энергии электрона с учетом релятивистской поправки на изменение массы со скоростью с учетом спина, необходимо решить задачу для атома водорода с помощью уравнения Дирака. При наличии потенциальной энергии е 1 4пе г) электрона в кулоновском поле протона уравнение Ди- [c.395]

На основе П. у. может быть рассчитано расщепление уровней энергии электронов в атоме во внеш. магн. по- [c.551]

Энергия электронов в атомах, составляющих молекулы, тоже имеет квантовые значения. Разница между ближайшими уровнями энергии электронов атомов в молекулах выше соответствующей разницы для колебательного движения атомов в молекуле, а последняя выше аналогичного значения для вращательного движения молекул. Это приводит к полосатым спектрам светящегося молекулярного [c.229]

Описанные в разделе 6.2 электронные спектры и МРС-спектры позволяют определить электронные состояния путем измерений уровней энергий электронов. В последнее время в качестве эффективного средства определения волновой функции электронов и электронных состояний в аморфных сплавах, характеризующихся наличием неупорядоченных атомных конфигураций, широко используются эксперименты по комптоновскому рассеянию и аннигиляции позитронов. Комптоновское рассеяние представляет собой неупругое рассеяние рентгеновского или v-излучения на электронах, происходящее в непрерывном энергетическом спектре электронов. В импульсном приближении комптоновский профиль /(< ) непосредственно связан с волновой функцией электронов в пространстве импульсов [c.189]

Энергия электронов в атомах, составляющих молекулы, тоже имеет квантовые значения. Разница между ближайшими уровнями энергии электронов атомов в молекулах выше соответствующей разницы для колебательного движения атомов в молекуле, а последняя выше аналогичного значения для вращательного движения молекул. Это приводит к полосатым спектрам светящегося молекулярного газа он состоит из близко (по частотам) расположенных линий, составляющих отдельные полосы, которые, в свою очередь, объединяются в группы полос. Переход от одной линии к другой связан с уменьшением уровня вращательной энергии, от одной полосы к другой — с изменением уровня колебательной энергии и от одной группы полос к другой — с изменением уровня энергии электронов. За счет доплеровского смещения частот и ударного уширения спектральных линий при достаточно высоких температурах отдельные линии и даже полосы могут значительно перекрываться, что затрудняет молекулярную спектроскопию. При изучении молекулярных спектров можно определить природу химических связей атомов в молекуле, их пространственное положение, природу валентных связей и реакционную способность молекул. [c.253]

Как показал Л. Д. Ландау (см. [7]), уровни энергии электрона в постоянном магнитном поле, направленном по оси Ог, определяются формулой [c.288]

Рис. 7-7. Уровни энергии электронов в атоме.

Каждый слой может быть разделен на подгруппы в зависимо-сто от уровня энергии электронов. [c.9]

Рис. 114. Уровни энергии электронов по зонной теории

Перейдем к рассмотрению поглощения звука при наличии магнитного поля. Мы начнем со случая, когда квантованием уровней энергий электронов в магнитном поле можно пренебречь, т. е. применима классическая картина электронов, движущихся ло траекториям. Очевидно, это имеет место, когда поле не слишком сильное, т. е. EQ< T. Критерием, который здесь будет важен, является также [c.210]

Как известно, электрические свойства полупроводников в. значительной степени определяются наличием примесей. Примеси в полупроводниках создают дополнительные уровни энергии электронов в запрещенной области между последней заполненной зоной (валентной) и первой пустой зоной (зоной проводимости). Уровни могут быть мелкими, т. е. лежать у края валентной зоны (акцепторы) или зоны проводимости (доноры), а также глубокими,, т. е. лежать в глубине запрещенной зоны. Если концентрация примеси, создающей мелкие уровни, велика, то примесные уровни расширяются в зону, которая наползает на зону проводимости или валентную зону. При этом полупроводник становится вырожденным , т. е. в нем возникает конечное число носителей тока в зоне при 7 = 0. Такой полупроводник фактически является полуметаллом, т. е. в этом случае контакт з—зт—з переходит в контакт —п—8. [c.480]

Рис.1.13. Электрон в "треугольной" потенциальной яме (а) и в ОПЗ (5). Горизонтальными линиями показаны квантовые уровни энергии электрона

ВКЛАД В ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЗА СЧЕТ НИЗКО ЛЕЖАЩИХ, УРОВНЕЙ ЭНЕРГИИ ЭЛЕКТРОНОВ [c.141]

Орбитальные ) уровни энергии электрона в кубическом ящике со сторонами длиной Ь, параллельными осям х, у ш г, в присутствии направленного по оси 2 постоянного однородного магнитного поля Я определяются двумя квантовыми числами, V и г- [c.270]

Рис. 2.2. Возможные уровни энергии электрона. В вакууме все уровни отрицательной энергии заняты, но их невозможно наблюдать. Для каждого уровня имеются два подуровня, отвечающие двум разным направлениям спина.

Нельзя работать в области поверхности полупроводников без того, чтобы в определенное время не включиться в изучение-поверхностных состояний. И действительно, часто перед исследователями в этой области ставится задача связать атомную конфигурацию поверхностного комплекса с поверхностными уровнями энергии электронов. Успех в этой области в смысле полу- [c.155]

При фактическом применении этой формулы надо расшифровать смысл обозначения 5. Дискретное квантование уровней энергии электрона проводимости в магнитном поле возникает при замкнутых квазиклассических траекториях в р-пространстве (т. е. замкнутых сечениях изоэнергетических поверхностей), что и будет подразумеваться ниже. При этом квантовые состояния определяются четырьмя числами [c.458]

Электронные уровни энергии — это уровни, связанные с движением электронов относительно ядер. Нужно различать уровни энергии электронов внутренних оболочек с энергиями связи от десятков до десятков тысяч электрон-вольт, переходы между которыми дают рентгеновские спектры и изучаются методами рентгеновской спектроскопии, и уровни энергии внещних электронов в атомах и молекулах с энергиями связи порядка немногих электрон-вольт. Переходы между уровнями энергии внешних (валентных) электронов дают оптические спектры в видимой и ультрафиолетовой областях, которые и являются основным источником сведений об этих уровнях. [c.227]

Энергетические уровни различных электронов в кристалле можно изобразить схематически (рис. 3). Состояние является наинизшим, поскольку трансляционная энергия электронов (Ej) всегда положительна. Уровни энергии электронов с трансляционной энергией образуют заля/пь е уровни. Энергия электронов с наивысшей скоростью транг сляционного движения называется энергией Ферми (Ef). Таким образом, энергия Ферми характеризует максимальную энергию свободных электронов при абсолютном нуле. Выше уровня Ферми находится область возможных состояний, образованная свободными уровнями, которая ограничивается максимальной энергией Энергия [c.12]

Рис. 3.6. Зависимость энергии U взаимодействия электрона с ядром водородоподобного атома от расстояния о) Ей Е,, Ез,. .. — уровни энергии электрона в водородоподобном атоме б) . ji.. .. — уровни энергии электрона в мно-гозлектронном атоме

Рассмотрим контур из двух металлов в вакууме (рис. 9) Предположим, что потенциал ионизации металла 1 меньше чем металла 2. Тогда электроны от металла 1 станут перете кать к металлу 2 до тех пор, пока уровни энергии электронов в обоих металлах не станут одинаковыми. Но при этом ме талл 2 получит избыток отрицательных зарядов и на грани це между ним и металлом 1 возникнет окачок потенциала называемый внутренней контактной разностью потенциалов или гальвами-потенциалом. Однако гальвани-потеициал не совпадает с разностью потенциало1в ионизации обоих метал [c.22]

Правая часть последнего равенства представляет собой внешнюю контактную разность потенциалов обоих металлов Ml и М2. В этом легко убедиться, подсчитав работу переноса электрона по пути вакуум — металл 1 — металл2 — вакуум. Уровни энергии электронов в металлах М] и Мг, контактирующих между собою, одинаковы, и перенос электрона ог одного металла к другому не требует затраты работы. Поэтому вся работа переноса по-прежнему определяется разностью работ выхода Ai—Аа. Если теперь электрон из точки возле иоверхности металла Mi перенести в-вакуум, то работа переноса по этому второму пути будет равна произведению [c.27]

Р. с. нашли применение в рентгеноспектралъном анализе, в рентг. спектроскопии, рентгеновском структурном анализе, а также при исследовании распределения по уровням энергии электронов в атомах твёрдого тела. [c.363]

При взаимодействии рентг. излучения с кристаллами возникает его дифракция на атомах кристаллич. структуры, к-рая лежит в основе рентгеновского структурного анализа. Рентгеновские спектры испускания и поглощения характеризуют структуру внутр. уровней энергии электронов атомов, входящих в кристалл, и практически не зависят от его свойств как коллективного образования атомов. [c.628]

В настоящей главе приводятся результаты расчетов плотности состояния электронов, основанные главным образом на моделях структуры аморфных твердых тел (см. 6.2.1). Далее (6.2.2 и 6.2.3) обсуждаются наиболее типичные экспериментальные результаты, полученные методами рентгеновской и ультрафиолетовой фотоэлектронной спектроскопии (РФС и УФС), позволяющими непосредственно наблюдать уровни энергии электронов, а также результаты анализа спектров испускания мягкого рентгеновского излучения (МРС). Кроме того, рассмотрены результаты экспериментов по комптоновскому рассеянию для определен1Ия волновых фунвдий элек1 ронов, находящихся в различ1ных электронных состояниях (см. 6.3.1) и результаты некоторых экспериментов по аннигиляции позитронов (см. 6.3.2). [c.178]

Об экранирующехМ влиянии силовых полей промежуточных оболочек можно судить по их электронному строению, определяемому энергетическим состоянием атомов промежуточных электронных уровней. Энергия электронных групп на различных электронных уровнях определяется главным квантовым числом (энергетический уровень электронной оболочки в дальнейшем будем называть группой), изменяющимся от 1 до 6. С увеличением этого числа свободная энергия возрастает. Подгруппы (энергетические подуровни) обозначают буквами з, р, <1, /. От подгруппы 5 к подгруппе / свободная энергия возрастает. Учитывая число электронов в каждой подгруппе, по данным табл. 1.1 можно судить об экранирующем влиянии промежуточных электронных уровней на прочность связи внешних электронов с ядром. [c.6]

В гл. X будет показано, что магнитное поле приводит к квантованию уровней энергии электрона (квантование Лаидау). Поэтому, в противоположность уравнению р = еЕ ъ электрическом поле, уравнение (5.1) не является точным. Однако, ввиду того что в обычных металлах и в достижимых на опыте магнитных полях РЯ < ц ( —магнетон Бора), квантование уровней, за исключением особых случаев, рассмотренных в гл. X —ХП, приводит к малым поправкам, которыми в первом приближении можно пренебречь. [c.72]

Перечислэте различные типы локальных уровней энергии электронов в запрещенной зоне. [c.107]

Итак, мы н 1шли, что уровни энергии электрона в кристалле оттесняются от уровней пустой решетки. [c.147]

Волновые функции и энергии электронов в бесконечно протяженном кубическом кристалле сначала обсуждаются на основе элементарной квантовой механики, чтобы показать, что уровни энергии электронов в кристалле образуют зоны. Вслед за этим учитывается возмущение, накладываемое введением поверхности в случае полупроводника возникают поверхностные состояния, способные локализовать электроны на поверхности с образованием хемосорбционных связей в случае металла происходит соответствующее перераспределение электронов на поверхности металлов, что и определяет природу хемосорбированного состояния. [c.13]

Рис. 9.28. Различие уровней энергии в модели Андерсона приводит к разделению узлов на несколько типов. Если уровни энергии электрона на узлах разных типов отличаются друг от друга более чем на величину уУ, то переход электрона между такими узлами невозможен. Состояния локализованы или делокализованы в зависимости от того, возможно ли протекание по узлам

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...