Поглощение при низких температурах

Фиг. 50. Схематичный вид спектра поглощения при низкой температуре, состоящего из прогрессий по двум колебаниям в верхнем состоянии. )тот спектр соответствует переходам, показанным на фиг. 49, б. Цифры около полос обозначают значения Для

Используя эти правила отбора, рассмотрим сначала случай, когда наблюдается спектр поглощения при низкой температуре. Это показано на фиг. 79 с левой стороны схемы энергетических уровней. Если основное состояние относится к типу Е, то ЛГ" == " = О, и, следовательно, возможны переходы только на уровни верхнего состояния с = О, если электронный момент перехода направлен вдоль оси фигуры (пунктирные линии на фиг. 79), или только на уровни с К если электронный момент перехода перпендикулярен оси фигуры (сплошные вертикальные линии). Возможны также переходы па уровни как с, К = О, так и с / = 1, если момент перехода имеет как параллельную, так и перпендикулярную компоненту. Таким образом, можно ожидать, что полосы типа Е — Е будут иметь одиночные Р- и / -ветви, а полосы типа П — Е — ветви Р, Q и Я. Возможно также одновременное появление как тех, так и других с расстоянием между ними, равным расстоянию между уровнями верхнего состояния сК = 0пК = 1 [т.е. А — Ч2 (В -ь С )]. [c.193]

Фиг. 90. Схемы энергетических уровней, поясняющие образование прогрессий по деформационному колебанию при линейно-изогнутом переходе а — при параллельном переходе, б — при перпендикулярном переходе. Показан только один колебательный уровень (у=0) нижнего состояния (что соответствует поглощению при низкой температуре).

Спектры испускания. Рассматривая изогнуто-линейные и линейно-изогнутые переходы, мы предполагали, что они наблюдаются в спектрах поглощения. Аналогичными спектрам поглощения при низкой температуре являются спектры испускания, связанные с нереходами с самого низкого коле- [c.217]

Прямой метод проверки результатов теории, развитой Бете состоит в изучении спектра солей, содержащих магнитные ионы. Обычно это приходится делать при низких температурах, так как тепловые колебания приводят к расширению спектральных линий. Кроме того, линии поглощения, соответствующие уровням выше основного, при низких температурах исчезают, так что прп этом появляется возможность разделить разные уровни. [c.394]

Выше отмечалось, что при низких температурах населенность уровней изменяется. Это вызывает парамагнитный эффект, иллюстрируемый фиг. 9,6, которая так же, как и фиг. 9, а соответствует только одной линии поглощения, являющейся в продольном поле дублетом. Ясно, что такое вращение непосредственно связано с парамагнетизмом. Чаще наблюдается отрицательный знак вращения, хотя, как следует из вышеизложенного можно [c.396]

Как видно из хода кривой нагрева, присущая железу при низких температурах кристаллическая решетка ОЦК сохраняется вплоть до 911 °С. При этой температуре (рис. 1.4, участок 2) происходит перестройка ОЦК-ячеек в ГЦК требующая некоторых затрат энергии, им и объясняется прекращение роста температуры, несмотря на то что поглощение нагреваемым металлом теплоты продолжается. [c.12]

Результаты исследований свидетельствуют о том (рис. 8—10), что хотя увеличение концентрации угольной кислоты в растворе и усиливает выделение водорода, общий уровень коррозии при низких температурах невелик. Повышение температуры до 60 °С способствует развитию коррозионных процессов и с поглощением кислорода, и с выделением водорода. Скорость коррозионного процесса, протекающего с водородной деполяризацией, составляет всего 2,5—14% общей скорости коррозии. [c.21]

Алюминий находит широкое применение в качестве оболочечного материала и материала трактов для хладагента во многих водоохлаждаемых реакторах вследствие относительно низкого сечения поглощения нейтронов и хорошей коррозионной стойкости в воде в реакторных условиях при низких температурах. Облучение небольшими интегральными потоками нейтронов при комнатной температуре не приводит к большим изменениям свойств легких металлов и сплавов. В табл. 5.11 приведены данные по изменению механических свойств алюминиевых и магниевых сплавов. Можно видеть, что эти изменения по сравнению с изменениями в сталях относительно невелики. [c.269]

Обычно при испытаниях на удар (см. рис. 34) определяется суммарное значение энергии разрушения образца. При низких температурах вплоть до начала вязкого разрушения при Тр эта энергия достаточно точно соответствует энергии, требуемой только для разрушения, хотя некоторая ее доля тратится на вдавливание образца в точках приложения нагрузки. Если этого удается избежать (например, предварительным нагружением образца перед нанесением надреза или трещины, при котором эти точки оказываются деформационно-упрочненными и не деформируются пластически при разрушении образца), то работу, затраченную на разрушение ударного образца с трещиной (а не с надрезом), можно увязать со значением (см. гл. VI, раздел 9), которое зависит от Ki - Так как предел текучести уменьшается, а КРТ растет, то поглощенная энергия до лишь слабо увеличивается с температурой. Выше при релаксации в условиях стесненной деформации наблюдаются такие большие смещения, что энергия резко возрастает. Таким образом, температура нулевой пластичности (ТИП) близка к Т , и для одинаковых образцов при сравнимых коэффициентах деформационного упрочнения порядок расположения материалов по температурам Тду и ТНП одинаков. В случае более широкого интервала значений ТНП нужно подходить с осторожностью к установленной между ТНП и Tqy корреляции, так как разница между ТНП и Tqy зависит от крутизны кривой зависимости предела текучести от температуры. [c.204]

Длительность возбуждаемых импульсов деформации может ограничиваться снизу не только величиной т , но и временем пробега звука по области тепловыделения, а характерный размер области нагрева решетки I определяется либо длиной поглощения света /п б 1, либо длиной теплопроводности — расстоянием, на которое прогреется кристалл за время оптического воздействия за счет переноса энергии электронами, фононами и т. д. Фононная теплопроводность всегда происходит со скоростями, не превышающими звуковую, и поэтому не приводит к уширению акустических импульсов. Движения электронов в металлах и электронно-дырочной плазмы в полупроводниках может существенно увеличить область нагрева решетки, особенно при низких температурах. При комнатных температурах диффузия носителей в значительной мере замедлена из-за сильного рассеяния на тепловых колебаниях решетки. Поэтому для термоупругой генерации сверхкоротких импульсов деформации необходимо одновременно уменьшать длительность лазерного воздействия и длину поглощения света. Наконец, нельзя забывать, что время нагрева решетки может определяться не временем оптического воздействия, а временем передачи энергии от электронов к фононам, что также препятствует укорочению длительности импульсов деформации. [c.162]

С другой стороны, при низких температурах изменяется характер поведения фононной подсистемы кристалла. Во-первых, процессы установления равновесного распределения фононов замедляются настолько, что при сверхкоротких оптических воздействиях фононы являются существенно неравновесными, а процесс термализации поглощенной световой энергии нельзя описать просто через повышение температуры кристалла. В [88] показано, что в этом случае генерация когерентных акустических импульсов — результат нелинейного взаи- [c.165]

На рис. 8 кривая А изображает F - полосу поглощения окрашенного кристалла КС1 до освещения, кривая В полосу поглощения после продолжительного освещения кристалла светом в f-полосе при низкой температуре. [c.25]

Рис. 16. Спектральные кривые поглощения аддитивно окрашенных кристаллов KJ при низкой температуре

Если потенциальные функции в обоих электронных состояниях почти одинаковы и, следовательно, межъядерные расстояния и колебательные частоты почти те же самые, то колебательные волновые функции для различных колебательных квантовых чисел в верхнем и нижнем состояниях почти взаимно ортогональны. Поэтому значение R v" будет отличным от нуля, если не изменяется ни одно из колебательных квантовых чисел. Это соответствует нолуклассическому принципу Франка, согласно которому после электронного скачка относительное расположение ядер не меняется, а, следовательно, относительная потенциальная энергия нри этом будет прежней, ядра останутся неподвижными, если они не двигались до скачка , или же будут иметь ту же кинетическую энергию, которой они обладали ранее. Таким образом, для всех колебательных квантовых чисел мы получим правило отбора А Vi = 0. В спектре поглощения при низкой температуре будет наблюдаться только одна полоса с большой интенсивностью — полоса О-—0. Прй более высоких температурах появятся полосы главных секвенций (Дг = =0),а их интенсивность будет определяться главным образом фактором Больцмана. Такой тип распределения интенсивности был обнаружен во многих ридберговских переходах многоатомных молекул, например в НгО, СНг, [c.149]

Колебание, которое вызывает электронно-запрещенную предиссоциацию, может быть возбуждено или в состоянии п, или в состоянии г. Если по какой-либо причине оно возбуждено только в п, то окажется, что ни одна из интенсивных полос поглощения (при низкой температуре), содержащая полносимметричные колебательные уровни (гл. И, разд. 2,6), не будет диффузной. Только слабые полосы, соответствующие запрещенной компоненте дипольного момента, окажутся диффузными. С другой стороны, интенсивные полосы будут диффузными, когда возбуждены неполносимметричные колебания в непрерывном состоянии ( ). Трудно предсказать, в каком из состояний п или I электронно-колебательное взаимодействие будет более эффективным (Шпонер и Теллер [1155]). [c.476]

Практический интерес представляют процессы поглощения фотонов с энергией, меньшей ширины запрещенной зоны, сопровождающиеся охлаждением электронов в зоне проводимости (или дырок в валентной зоне), так как они не маскируются собственным поглощением при низких температурах кристалла. Впервые такая возможность указана Рывкиным [181], теория явления развивалась в работе [182]. [c.310]

Беккерелю удалось наблюдать обратный эффект Зеемана и в некоторых кристаллах (ксенотит, тизонит), которые характеризуются крайне узкими полосами поглощения, особенно при низких температурах. [c.628]

В качестве примера на рис. 33.10 приведены спектры поглощения ( (V)—коэффициент поглощения) антрацена и 3-аминофталимида в газовой фазе, относящиеся соответственно к полусложным и сложным молекулам. В настоящее время при низких температурах специальными методами получены квазилинейчатые спектры поглощения и испускания для многих полусложных и даже некоторых сложных молекул. [c.246]

Основны.м зкспериментальным свидетельством образования экситонов при низких температурах обычно служит не-фотоактивное поглощение света кристаллом вблизи красной границы ((О)) спектра собственного поглощения, т. е. экси-тонный механизм поглощения не приводит к образованию свободных носителей тока. Экситонный спектр обнаружен в кристаллах Сс15, HgI2, СигО, Ое и 81. Впервые наличие тонкой структуры в спектре поглощения закиси меди было выявлено Е. Ф. Гроссо.м с сотрудниками. Им удалось показать. [c.163]

В почти чистых полупроводниках при низких температурах немногочисленные примесные атомы, содержащиеся в кристалле, нейтральны. Слабое электрическое поле (5— 30 В/см) может, однако, ионизировать эти примеси. Последнее приводит к тому, что свободные носители, возникшие в результате ионизации, экранируют кулоновское взаимодействие между электронами и дырками, уменьшая вероятность образования экситона и приводя к исчезновению экситопного пика в спектре поглощения. [c.164]

Пар и двухфазные системы. Реакции в паровой фазе. В паре низких плотностей, применяемом в технологии силовых реакторов, радиолитические процессы заметно изменяются по сравнению с конденсированной фазой. Для водяного пара низкой плотности при обычных температурах (—НгО) довольно высок, порядка 12. Файрестон [10] нашел, что в водяном паре при низкой температуре при действии -излучения трития g (H) =я(ОН) = 11,7. Практически важным соображением является низкое поглощение энергии в паре низкой плотности. Так, Хемфри [11] почти не обнаружил общего разложения воды в паре при 260°С под действием излучения реактора по сравнению с наблюдаемыми концентрациями кислорода в простой воде в тех же условиях. Хемфри провел также опыты по рекомбинации П2 и Ог в паре в тех же аппаратах. При высоких концентрациях газовой фазы скорость рекомбинации была близка к нулю и не зависела от температуры в интервале 149—260° С. При низких концентрациях общая скорость рекомбинации становилась равной нулю рекомбинация в газовой фазе компенсировалась разложением в жидкой фазе аппаратов. Это согласуется с наблюдаемым уменьшением общего разложения с ростом отношения объема пара к объему жидкости. Влияние ЛПЭ было проверено путем удвоения потока быстрых нейтронов в нейтронном ускорителе. При 260° С не было видимого роста скорости рекомбинации, но стационарная концентрация увеличилась примерно на 50%. К несчастью, с точки зрения применимости к реакторам в опытах по рекомбинации в газе самые низкие концентрации газа были порядка 300 см на литр газовой фазы, или около 2700 см 1иг конденсированного пара, по сравнению с примерно 60 см кг в паровой фазе кипящих водных реакторов. [c.76]

Одновременно с процессами усиления структуры материала при термообработке происходят ослабляющие структуру процессы деструкции, выделения легких фракций и разложения связующего. Эти процессы, малоинтенсивные при низких температурах, ускоряются при повышенных температурах и вызывают ухудшение всех механических свойств асбофрикционного материала, значительное увеличение усадки, потерю массы и увеличение склонности к влаго-поглощению. [c.164]

Однако нельзя забывать и о недостатках капрона, которые ограничивают его применение как конструкционного материала. Прежде всего это его неустойчивая прочность (предел прочности резко снижается при температуре 70—80° С, а также при низких температурах). Большая гидроскопичность (вызывает значительное поглощение воды капроном) также отрицательно отражается на точности изделий. Тем не менее объем использования капрона в машиностроении непрерывно растет. [c.78]

Любая теория стохастического типа не способна описать целый ряд важных фактов, относящихся к электрон-фононным полосам, например, появление в оптической полосе так называемой бесфононной линии и фо-нонного крыла или различную форму полос поглощения и флуоресценции при одинаковой форме и точном резонансе бесфононных линий этих спектров. Это происходит потому, что даже наиболее продвинутая теория Андерсона полустохастического типа не может быть применена к системе, в которой частота скачет между бесчисленным количеством ее возможных значений. Поскольку число фононных мод в образце порядка числа Авогадро, его порядок имеет и число возможных значений для частоты оптического перехода. Поэтому электрон-фононные оптические полосы с хорошо разрешенной структурой, имеющейся например, при низких температурах у многих органических молекул, внедренных в матрицы Шпольского, рассматриваются только с использованием выражений динамической теории. [c.121]

Из рис. 7.5 видно, что Ар слабо зависит от температуры и составляет 0,6 10" ед. СГСЕ. Для LiTaOs Gr величина Ар = 0,8 10 ед. СГСЕ при низких температурах она увеличивается до 1,0 10 ед. СГСЕ при комнатной температуре. Для подтверждения того, что наблюдавшиеся эффекты обусловлены возбуждением дипольных моментов ПОПОВ хрома, эксперименты были воспроизведены с нелегированными кристаллами LiNbOs и LiTaOs. В этом случае измеренные Р( ) были малы и соответствовали небольшому пироэлектрическому эффекту из-за остаточного поглощения излучения кристаллами. [c.305]

Для исследования лршии резонансного поглощения в рубине при низких температурах в работе [33] был применен импульсный рубиновый лазер с тепловой подстройкой частоты. Луч лазера пропускался через образец рубина, который был укреплен на хладопроводе дьюара с жидким азотом и который поддерживался при температуре хладопровода. Температуру лазера меняли после каждой вспышки, а длину волны, на которой работал лазер, находили по кривой тепловой перестройки. Измеряя интенсивность луча лазера до и после образца, определяли поглощение и, нанося данные на график в зависимости от длины волны, получали спектральную кривую. Линия R в рубине расщепляется на две компоненты, которые при низких температурах представляют собой сложный спектр. [c.395]

Из этих предельных формул для Sq вытекает, что допплеровская ширийа линии поглощения в кристалле при низких температурах (Т [c.363]

Число теоретических работ, посвященных исследованию экси-тонов в щелочно-галоидных кристаллах, тоже весьма ограниченно и в большинстве имеют полуэмпирический характер. Однако имеется ряд бесспорно установленных весьма существенных фактов, на основе которых можно сделать определенные выводы о л еха-низме собственного поглощения света щелочно-галоидными кристаллами. Исследования поглощения ряда щелочно-галоидных соединений, проведенные в последнее время при низких температурах при помощи приборов высокой разрешающей силы, позволили обнаружить значительно более сложную структуру в экси-тонной области поглощения по сравнению с той, которая была известна из ранних исследований. [c.12]

Показательным является в этом отношении также спектр экси-тонного поглощения сублимированных пленок ВаО, исследованных Зольвегом при низкой температуре (261. В спектре собственного поглощения указанных пленок обнаружены четыре узкие полосы, расположенные в интервале всего лишь 0,5 эв. Длинноволновые максимумы, являющиеся менее интенсивными чем коротковолновые, нельзя рассматривать в виде аналогов аир полос. [c.15]

Исследованию природы -центров посвящена также работа Р. Германа, М. Валлиса и Р. Валлиса [62]. Они измерили интенсивности i i-, М- и N- полос поглощения у рентге-низованных и аддитивно окрашенных кристаллов КС1 при низких температурах и вычислили частоты и силы осцилляторов для переходов Iso— 2ра и Is r— 2pJt в молекуле Н+, помещенной в диэлектрик, а также для перехода Is — 2р в атоме водорода, тоже помещенного в диэлектрическую среду. Указанные авторы также [c.29]

Из кривой рис. 24 видно, что с ростом температуры интенсивность вспышки резко возрастает, достигая максимального значения при —140°С, после чего интенсивность медленно падает, по-видимому, вследствие уменьшения концентрации / -центров. Небольшой подъем кривой при -50°С обусловлен термическим высвобождением электронов с более мелких уровней по сравнению с уровнями / -центров. По форме левая часть кривой рис. 24 почти идентична кривой зависимости фототока в Na l от температуры при его освещении светом в / -полосе поглощения [2, 14]. При понижении температуры кристалла около —150°С наблюдается очень крутой спад фототока, возникновение которого при низких температурах обусловлено зависимостью величины квантового выхода внутреннего фотоэффекта от температуры. Подобная зависимость определяется тем, что под действием света электрон переходит сначала преимущественно на возбужденный уровень 2р, с которого он может попасть в зону проводимости лишь под действием тепловых колебаний решетки. Совершенно ясно, что вероятность его освобождения с уровня 2р должна уменьшаться с понижением температуры кристалла, [c.65]

Представляет, несомненно, интерес выяснить также роль и другп центров окраски в явлениях вспышки. Известно, что под действие , света в Р-полосе происходит частичное превращение Р-центров в так называемые Р -центры, представляющие собой два электроне, локализованные в области одной галоидной вакансии. Образование Р -центров, неудачно именуемое в литературе возбуждением , вызывает известное изменение в кривой Р-полосы поглощения. Так как продолжительность жизни Р -центров мала при комнатной температуре, то опыты с возбуждением удобнее производить при низких температурах. Для выяснения роли р -центров в явлениях вспышки кристалл Na l, окрашенный при комнатной температуре, был помещен в прибор для охлаждения, в котором поддерживалась во время измерения спектрального распределения вспышки постоянная температура около —72°С, либо —183°С. [c.67]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...