Вытягивание 32, XIV

Гладкое тяжелое кольцо М веса Q может скользить без трения по дуге окружности радиуса R см, расположенной в вертикальной плоскости. К кольцу привязана упругая нить MOA, проходящая через гладкое неподвижное кольцо О и закрепленная в точке А. Принять, что натяжение нити равно нулю, когда кольцо М находится в точке О, и что для вытягивания нити на 1 см нужно приложить силу с. В начальный момент кольцо находится в точке [c.229]

В конструкции 1 прошивка снабжена грушевидным утолщением диаметром, превышающим диаметр отверстия заклепки. При вытягивании прошивка формирует замыкающую головку (вид 2) и одновременно раздает стержень заклепки, обеспечивая плотное его прилегание к стенкам отверстия. Разновидность конструкции показана на видах 3, 4. [c.212]

В [52] также наблюдалось дробление пузырьков газа под действием электрического поля. В частности, было показано, что при г /Е 20 вытягивание пузырьков газа по направлению поля происходит вплоть до того момента, когда полюсы пузырька практически соединят электроды. При этом происходит.разрыв поверхности и дробление газового пузырька. Если е /е 20, то при Е=Е в точках полюсов пузырька образуются острые концы и струи газа. При этом критическое значение длин полуосей у,р=1.85 при е /е = оо. Форма поверхности пузырька газа в области полюсов в момент дробления близка к конической. Значение угла раствора конуса 2р, при котором пузырек газа ещ е можно считать устойчивым, определим из условия равновесия давлений на поверхности конуса [54]. [c.148]

Приближение тем справедливее, чем и ближе к единице. В передачах без регулирования натяжения его обычно устанавливают с запасом, и оно сохраняется до вытягивания ремня. Поэтому при расчете максимальных сил на валы рекомендуют расчетное начальное натяжение Fo и напряжение оо увеличивать в 1,5 раза. [c.295]

Натяжные устройства. Натяжные устройства в ременных передачах позволяют свободно надевать новые ремни на шкивы, создавать предварительное натяжение и периодически восстанавливать его или непрерывно поддерживать по мере вытягивания ремней в процессе эксплуатации. Наиболее простым и распространенным способом натяжения ремней является перемещение одного из шкивов. [c.314]

Транзистор выращенный — транзистор, изготовленный путем выращивания монокристалла германия или кремния из расплава полупроводника благодаря периодическому внесению в расплав различных легирующих примесей или периодическому изменению скорости вытягивания кристалла в выращиваемом монокристалле создаются чередующиеся зоны с электронной и дырочной проводимостью при выпиливании соответствующего куска монокристалла получают транзисторную структуру [9]. [c.157]

При подъеме груза весом Р с помош ью подвижного блока получается выигрыш в силе в два раза, так как плечо ОА силы Р в два раза меньше плеча ОВ силы F натяжения троса (рис. 72,6). При вытягивании троса на длину Z груз поднимается лишь на вы- [c.52]

Недостатками ременной передачи являются 1) скольжение, вследствие чего передаточное число непостоянно 2) сложность ухода 3) сравнительно большие габаритные размеры 4) вытягивание ремня, вследствие чего требуется частая перешивка или установка натяжного приспособления. [c.348]

Недостатки цепных передач вытягивание цепи вследствие износа в шарнирах необходимость тщательного монтажа и постоянного ухода (регулирование, смазка) некоторая неравномерность хода передачи непригодность при необходимости периодического реверсирования без пауз. [c.372]

Недостатки цепных передач повышенная виброактивность и шум при работе вследствие пульсации скорости цепи и динамических нагрузок интенсивный износ шарниров вследствие трения и трудностей смазки вытягивание цепи вследствие износа шарниров и удлинения пластин. [c.191]

Стержень из весьма упругого материала с небольшой жесткостью растянут силой Р. Вывести зависимость между относительными удлинениями и силой Р, учитывая деформацию стержня в процессе нагружения. При каком значении силы Р, наступит неограниченное вытягивание стержня (потеря устойчивости напряженного состояния) [c.46]

После оплавления затравки, которое обеспечивает хорошее ее смачивание расплавом, затравку медленно поднимают. Жидкость, тянущаяся за затравкой, попадая в область более низких температур, затвердевает, продолжая кристаллическую структуру затравки. При вытягивании кристалла затравку или тигель вращают, чтобы не происходил преимущественный рост кристалла в какую-либо сторону из-за возможной боковой разности температур. Кроме того, вращение кристалла относительно тигля производит размешивание расплава в тигле. [c.82]

Конструкции холодных тиглей довольно разнообразны, наиболее распространенная показана на рис, 14-13. Для того чтобы проводящий металлический тигель не экранировал поля индуктора I от загрузки 2, он выполнен не сплошным, а разрезным, состоящим из отдельных водоохлаждаемых секций 3. В нижней части плавильного устройства помещается водоохлаждаемое основание 4, которое, если требуется слиток большой длины, делается подвижным для вытягивания кристаллизующейся части слитка 5. Внутренняя поверхность секций тигля может иметь изоляционное покрытие из тугоплавкого окисла, зазоры между секциями также могут быть заполнены изоляцией. При ее отсутствии расплав, выходящий в зазоры, удерживается от растекания силами поверхностного натяжения. [c.242]

Структура и свойства металлов после пластической деформации. При пластической деформации ПОЛ икр металлического металла наряду с внутрикристаллическими изменениями происходит вытягивание зерен вдоль направления деформации зерна приобретают волокнистую структуру (рис. 60) и определенную кристаллографическую ориентацию, которая называется текстурой. Текстурованный металл становится анизотропным. Ориентация, возникшая в процессе деформации, зависит от характера приложенного напряжения и кристаллического строения металла. [c.81]

Недостатки передачи вытягивание цепей (увеличение шага цепей вследствие износа шарниров) и, как следствие, необходимость применения натяжных устройств, необходимость ухода при эксплуатации (смазывание, регулировка), шум, неравномерность хода. [c.392]

Отличительные особенности современной технологии получения полупроводниковых монокристаллов германия и кремния сводятся к двум операциям очистке методом зонной плавки в вакууме и выращиванию монокристаллов (вытягивание из расплава). Сущность очистки при зонной плавке (рис. 5-6) заключается в том, что в зоне расплава большинство примесей перемещается в направлении к холодному месту слитка при медленном перемещении зоны плавки вдоль бруска очищаемого материала примеси сосредоточиваются в одном конце и удаляются после плавки и охлаждения обрезкой. Зонная плавка германия 5 производится в графитовых лодочках 4, которые помещаются в вакуумируемые кварцевые трубы 1. Вокруг кварцевой трубы расположены витки высокочастотного индуктора 2, образующие в слитке узкие зоны плавления 5, перемещение [c.280]

Для получения монокристалла по методу вытягивания из расплава тщательно очищенный от примесей германий расплавляют в установке, схема которой показана на рис. 8.11. Рабочим объемом служит герметическая водоохлаждаемая камера, внутри которой создается вакуум порядка 10 Па, или защитная газовая среда (из водорода или аргона высокой чистоты). Материал (М) помещается в тигель (А), насаженный на конец водоохлаждаемого штока (Б-1). Шток Б-1 при помощи электропривода приводится во вращение со строго постоянной скоростью. Кроме того, его можно опу- [c.283]

Метод вытягивания из расплава был ранее описан. Существенным недостатком этого метода при использовании его для выращивания Монокристаллов кремния является загрязнение кристаллов кислородом. Источником кислорода служит кварцевый тигель, который взаимодействует с расплавом в соответствии с реакцией [c.287]

Зонная очистка и вытягивание из расплава. Получение особо чистых монокристаллов кремния и германия, которые можно использовать для последующего введения доноров и акцепторов, достигается в два этапа. [c.183]

Первый метод состоит в добавлении легированного полупроводника в расплав в процессе вытягивания. Первоначально ведут вытягивание монокристалла, наиример, из расплава -германия. В известный момент в расплав вводят навеску сильно легированного р-германия. Сразу же в вытягиваемом кристалле начнет преобладать р-проводимость. Полученная р-область вместе с ранее выращенным участком кристалла образует р- н-переход. [c.184]

Аналогичный изложенному выше подход был применен П. Ф. Томасоном [170]. Он рассматривал сетку квадратных пор в жесткопластической матрице при плоской деформации. Установлено, что растяжение приводит к вытягиванию пор и к сближению их центров. В конце концов поры располагаются так близко друг к другу, что возможно образование внутренних локальных шеек. Принимается, что слияние пор происходит, когда напряжение во внутренней перемычке достигает некоторого критического значения <3п- Аналогичным образом Томасоном рассмотрен случай роста эллиптических пор в жесткопластичном теле [427]. [c.115]

При вызове команд TRIM (ОБРЕЗАТЬ), выполняющей обрезку части объекта по заданной границе, и EXTEND (УДЛИНИТЬ), осуществляющей вытягивание [c.342]

Окончание стадии ускоренного РУТ и переход к окончательному разрушению материала (долому) часто связаны с образованием зоны вытягивания (вытяжки), В случае статического деформирования между значением К -и величиной раскрытия треггщны в зоне вытягивания й. существует аналитическая зависимость [c.64]

II. Вытягивание монокристалла из расплава с постоянной скоростью в начале вытягивания используется ориентированная определенным образом монокристальная затравка. [c.185]

К настоя1щему времени существуют три основные группы методов получения аморфных материалов а) нанесение на подложку путем распыления (испарение в вакууме, напыление, электролитическое осаждение, осаждение в разряде и т. д.) 6) быстрое охлаждение расплава (превращение капли или тонкой струи расплава в пленку или ленту и охлаждение за счет теплообмена с металлической подложкой, раздробление жидкого металла газовой струей и охлаждение образовавшейся массы в газовом потоке, жидкой среде или на твердой поверхности, вытягивание микропровода в стеклянной оболочке, расплавление поверхности лазерным или электронным пучком и охлаждение за счет теплообмена с нерасплавленной частью материала и т. д.) в) ионная имплантация. [c.274]

Для целей волочения трубной заготовки предложен оригинальный бесфильерный метод, использующий сверхпластическое течение. Трубную заготовку (рис. 301) зажимают в фиксаторе (/) с одного конца, а с другого вытягивают с контролируемой скоростью /j. Индуктор (2) нагревает локализованный участок трубы до температуры сверхпластичного состояния и перемещается в направлении, обратном вытягиванию со скоростью vi. Получаемое обжатие определяется из соотношения (Z)i/ 2) = (f 2/ i) — 1. Многократные прохо- [c.570]

При индукционном нагреве ирридиевого тигля исходная смесь граната расплавляется. Некоторое время расплав выдерживают при температуре на 50—100 "С выше точки плавления, после чего опускают в него затравку. Когда затравка коснется расплава, необходимо несколько снизить температуру до момента начала его кристаллизации непосредственно вокруг затравки. После этого включают механизм подъема затравки и начинают процесс вытягивания монокристалла. Для сглаживания асимметрии тепловых полей кристалл и тигель желательно вращать. Если требуется хорошее перемешивание расплава,тигель и затравку вращают в разные стороны. При значительной опасности загрязнения расплава материалом тигля затравку и тигель вращают в одном направлении с одинаковой скоростью. Заметного перемешивания расплава при этом происходить не будет. [c.55]

Обмоточные провода со сплошной стеклянной изоляцией получаются методом вытягивания тонкой металлической нити из разогретого токами высокой частоты прутка металла, находящегося в стеклянной трубке, и относятся к классу микропроводов. Провода с манганиновой жилой (диаметр 3—100 мкм) имеют марку ПССМ и используются в основном для приготовления резисторов. Медные провода марки ПМС имеют диаметр 5—200 мкм, а толщина изоляции составляет 1—35 мкм. Провода со сплошной стеклянной изоляцией оценивают по погонному электрическому сопротивлению и температурному коэффициенту сопротивления. В соответствии с этими параметрами они подразделяются на восемь групп и три класса. [c.254]

В настоящее время в полупроводниковой электронике используют преимущественно моиокрнсталлическпй германий, получаемый по методу вытягивания монокрнсталлического слитка пз расплава. [c.531]

Установочные ситаллы. Такие материалы, как правило, принадлежат к фотоситаллам. Для образования центров вводят Ag lj, в некоторые стекла — Аи. Стекло варят в нейтральной атмосфере. Формование изделий можно вести прессованием, выдуванием, вытягиванием и прокаткой. После экспозиции иа свету изделие подвергают тепловой обработке вначале при температуре 500—600° С, затем при температуре 800—950° С для превращения материала в фото-ситалл обработка длится в течение примерно часа. Образующаяся разветвленная система топких кристаллов обуславливает высокие механические н электрические свойства. Так одно из силикатных [c.139]

Второй этаи состоит в получении из очищенного материала монокристаллов методом вытягивания из расплава в вакууме или в среде инертного газа. На конце вращающегося штока закреплен кусочек монокристалла — затравка (рис. 13.8). Если медленно поднимать затравку, продолжая вращение, то за ней будет тянуться кристаллизирующийся столбнк расплава, который, охлаждаясь, образует вместе с исходной затравкой монокристалл. Изменением скорости вытягивания. и температуры расплава удается, в известной степенп регулировать диаметр монокристалла. [c.184]

Второй метод основан на изменении скорости вытягивания затравки из расплава, содержащего акцепторные и донорные примеси. Дело в том, что объем входящих в растущий кристалл примесей зависит не только от их содержания в расплаве, но и от скорости вытягивания. Величина коэффициента распределения си (отношение концентраций нрнмесей в твердой и жидкой фазах) для донорных примесей выше, чем для акцепторных. Так, при использ овании для германия доноров Р и As величина /С,,асп = = 0,12 н- 0,14, а акцептора In = 0,001. Допустим, что в расплаве доиорные примеси содержатся в избытке по сравнению с акцепторными, тогда ирн медленном вытягивании монокристалла в нем будет получаться г-область, а при быстром р-область. Это объясняется тем, что при малой скорости вытягивания акцепторная примесь, вытесняемая в жидкую фазу, успевает диффундировать в расплаве и его состав выравнивается. [c.184]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...