Дислокации рентгеновская топография

Основание для такой модели дают исследования контраста возле дислокаций, наблюдаемого с помощью рентгеновской топографии и дифракционной электронной микроскопии. [c.140]

Существует достаточно много экспериментальных методов наблюдения дислокаций. Например, за дислокациями можно наблюдать с помощью электронного микроскопа с высокой разрешающей способностью, с помощью рентгеновской топографии. Однако особенно широкое распространение при изучении дислокаций получили методы избирательного травления и декорирования. Метод избирательного травления основан на том, что вблизи дислокаций энергия связи атомов гораздо слабее, чем в недеформированной решетке. Поэтому места выхода дислокаций на поверхность кристалла травятся специально подобранным травителем быстрее, чем окружающая дислокацию поверхность. В результате такого травления на поверхности кристалла возникают ямки травления. Подсчет [c.110]

Наибольший интерес представляют прямые методы наблюдения и исследования дислокаций, их скоплений и точечных дефектов. К ним относятся исследования с помощью ионного проектора, рентгеновской топографии и прямые световые и электрономикроскопические исследования. Прямые методы дают наиболее ценную информацию о дефектах в кристаллах, однако неприменимы для количественных оценок при изучении металлов, подвергнутых значительной пластической деформации, или технических сплавов сложного состава. В этом случае приходится применять косвенные методы исследования рентгеноструктурный анализ с оценкой формы и интенсивности интерференционных максимумов механические испытания измерение внутреннего трения, электрических и магнитных характеристик. [c.94]

РЕНТГЕНОВСКАЯ ТОПОГРАФИЯ, использующая тот же эффект дпфракциопиого контраста, что и просвечивающая электронная микроскопия, также позволяет наблюдать отдельные дислокации. Но из-за малой разрешающей способности она применима лишь к монокристаллам с плотностью дислокаций не выше 10 — 10 см . Поэтому этот метод не может сколько-нибудь широко использоваться для изучения дислокационной структуры металлов и сплавов. Основная область применения метода — анализ дислокационной структуры совершенных монокристаллов полупроводников (кремний, германий и др.). [c.99]

Экспериментальные исследования рентгеновского рассеяния показали, что большинство кристаллов относится к мозаичному или к промежуточному типу (наблюдается экстинкционное ослабление интенсивности ярких линий). В отдельных экземплярах природных кристаллов (алмаз, кальцит и др.), а также искусственно полученных (германий, хлористый натрий, металлы) четко проявляется динамическое рассеяние как в отношении ширины, так и интегральной интенсивности. Такие идеальные кристаллы представляют большой интерес для оптики рентгеновского диапазона длин волн и используются для изготовления рентгеновских интерферометров, резонаторов и для сверхмонохроматизации излучения и т. д. По отклонениям от динамического рассеяния можно исследовать методом рентгеновской топографии структурные несовершенства кристаллов (дислокации, дефекты упаковки). [c.110]

Угловая ширина дифрагированного в толстом кристалле рентгеновского пучка пропорциональна структурной амплитуде и, как правило, порядка нескольких угловых секунд или 10 рад. Следовательно, очень небольшие отклонения в ориентации плоскостей решетки могут вызвать большие изменения интенсивности. Уже много лет известно, что слабые деформации в толстом кристалле, возникающие, например, при наличии температурного градиента, вызванного тем, что вблизи кристалла держали палец, будут изменять дифракционную интенсивность на несколько порядков величины. Методы рентгеновской топографии, развитые Лангом [278], применяются для регистрации полей деформаций, обязанных от-дельньш дислокациям или агрегатам примесей в почти совершенных кристаллах. Схема используемой аппаратуры изображена на [c.333]

Изображение дислокаций в рентгеновской топографии представляет собой экстремальный случай усреднения по падающим углам. При условии достаточно хорошей коллимации падающего пучка обычными рентгенографическими устройствами угол сходимости этого пучка примерно на два порядка величины больше угловой ширины отражений от совершенных областей кристалла (обычно 10" рад). Изображения дислокаций представляют собой почти однородные черные линии с весьма незначительными следами осциллирующего контраста или асимметрии [278]. Конечно, можно получить хорошо сколлимированные падающие рентгеновские пучки, используя, например, прохождение через толстый почти совершенный кристалл. В таких условиях можно наблюдать полный набор эффектов динамического контраста, как в электронной микроско-пии . Фиг. 18.4 является рентгеновской топограммой кристалла [c.407]

Л метод Берга—Баррета для возня внутреннего сечения кристалла, поверхности, и изучения топографии пространственного расположения и распределения дислокаций. На рис. 76 показаны дислокации в пластически деформированном кристалле кремния, сфотографированные по методу проекционной рентгеновской топографии . [c.84]

Метод рентгеновской топографии Ланга позволяет наблюдать индивидуальные дислокации и получать проекционную топографию распределения дислокаций. Он применим к кристаллам со сравнительно малой плотностью дислокаций (10 —10 ) 1/с.и . Идея метода состоит в использованнп весьма узкого первичного пучка и сканирующего устройства, обеспечивающего одновременное перемещение исследуемого кристалла в виде тонкой пластинки и фою-нленкн. Между кристаллом и пленкой помещается неподвижный экран со щелью для выхода отраженных лучей. (Подробнее см. У маис к и й Я. С. Рентгенография металлов. 1967, стр. 186—230). [c.84]

Появление элементов теории дислокаций относится к 20-м годам этого столетия (работы Я. И. Френкеля, Дж. Тейлора, Е. Орована и др.). Однако экспериментальное подтверждение существования дислокаций получено лишь в 50-х годах благодаря развитию экспериментальных средств исследований строения кристаллов. Существование дислокаций было подтверждено как прямыми методами исследования (с помощью ионного проектора, рентгеновской топографии, электронномикроскопического исследования), так и косвенными методами исследования (метод ямок травления, муаровых фигур и др. [49]). [c.20]

Границы наиболее мелкой субструктуры можно непосредственно наблюдать с помощью просвечивающего электронного микроскопа (ПЭМ). Этот метод позволяет получать точную характеристику границ и дислокаций, из которых они состоят (например, см. [42] в отношении СиаО и [53] в отношении А1) (рис. 6.1). Однако для исследования более крупных субструктур он не подходит и его необходимо дополнять другими. Можно обнаружить границы на поверхности по ямкам травления, полученным после погружения образцов в соответствующие реактивы [242, 314, 384, 385] (рис. 6.2). Для прозрачных кристаллов иногда удается найти способы выделения (декорирования) в них границ. Например, прогрев оливина на воздухе при температуре 900 °С вызывает выделение частиц окиси железа на дислокациях, что позволяет видеть их в оптический микроскоп [209] (рис. 6.3). Можно также наблюдать и изучать границы на поверхности образцов (топография поверхности) без их разрушения методами, использующими рентгеновское [c.191]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...