Диэлектрик нейтральный

С целью перераспределения потока ионов к поверхности катода в межэлектродное пространство вводят различные проводящие и непроводящие ток включения. Чаще всего это бывают щелевые или перфорированные экраны, изготовленные из диэлектрика, нейтрального к составу электролита, полупроводящие диафрагмы, дополнительные аноды. [c.112]

Диэлектрические свойства пластмасс зависят от наполнителей, связующих веществ и их полярности. У пластиков различают неполярные (нейтральные) и полярные диэлектрики. [c.345]

В результате поляризации на поверхности вещества появляются связанные заряды (рис. 143). Эти заряды обусловливают взаимодействие нейтральных тел из диэлектрика с заряженными телами. Вектор напряженности электрического поля, создаваемого связанными зарядами на поверхности диэлектрика, направлен внутри диэлектрика противоположно вектору напряженности Eq внешнего электрического поля, вызывающего поляризацию (рис. 144). Напряженность элект- [c.142]

Процессы, происходящие в диэлектрике при наложении на него электрического поля, можно упрощенно представить себе следующим образом. Диэлектрик состоит из электрически нейтральных молекул. Однако молекула, электрически нейтральная в целом, может обладать дипольным моментом. [c.84]

Молекулярные кристаллы имеют низкие температуры плавления и испарения, поскольку энергия связи невелика. Они — диэлектрики, так как построены из электрически нейтральных атомов (молекул), и в отличие от металлов прозрачны для электромагнитного излучения. Малая энергия связи определяет также низкий модуль упругости кристаллов и небольшие коэффициенты теплового расширения. Механические характеристики их низки. [c.17]

Неполярные диэлектрики могут иметь молекулярное (полиэтилен, фторопласт-4 и др.) или ионное кристаллическое (слюда, кварц и др.) строение. Молекулярные диэлектрики состоят из электрически нейтральных молекул, которые до воздействия на них электрического поля не обладают электрическими свойствами. Ионные кристаллические диэлектрики образованы парами ионов, причем каждая пара составляет нейтральную частицу. Ионы располагаются в узлах кристаллической решетки. [c.92]

Энергия связи сил Ван-дер-Ваальса невелика, поэтому молекулярные кристаллы имеют низкие температуры плавления и легко возгоняются. Молекулярные кристаллы — диэлектрики, так как кристалл построен из электрически нейтральных атомов (молекул), у которых энергетические зоны полностью достроены. [c.17]

Нейтральный материал кристаллической структуры. Свойства те же. что у фторопласта-4, за исключением пониженных диэлектрических показателей. Не может применяться в качестве диэлектриков на высоких частотах тока. Несколько уступает фторопласту-4 по химической стойкости [c.609]

Всякое вещество состоит из молекул и атомов. Атомы и молекулы в целом нейтральны, так как содержат одинаковое число отрицательно и положительно заряженных частиц. При внесении диэлектрика в электрическое поле конденсатора все положительно заряженные частицы, входящие в состав диэлектрика, будут испытывать действие сил, стремящихся сдвинуть эти частицы в направлении [c.6]

При однородном по составу диэлектрике и в однородном поле любой малый объем диэлектрика при поляризации остается нейтральным, так как на смену сместившихся из него зарядов из соседних элементов объема приходят новые частицы с такими же зарядами. На границах диэлектрика с обкладками конденсатора появляются не скомпенсированные связанные заряды на границе с положительно заряженной обкладкой — отрицательный связанный заряд, а на границе с отрицательно заряженной обкладкой — положительный связанный заряд. Действие этих нескомпенсированных связанных зарядов приводит к ослаблению электрического поля между обкладками конденсатора. Напряженность поля будет в [c.6]

В твердых диэлектриках возможны все виды поляри-вации. В нейтральных диэлектриках е = = (см. табл. 3.2). Так как ТКе определяется изменением [c.74]

Диэлектрическая проницаемость нейтральных твердых диэлектриков [c.75]

На рис. 3.7 приведена зависимость тангенса угла диэлектрических потерь от температуры для нейтрального диэлектрика. [c.88]

Рис. 3.7. Зависимость tg 6 от температуры для нейтрального диэлектрика

Рис. 3.8. Зависимость tgб нейтрального диэлектрика (фторопласта-4) от частоты

Диэлектрические потери в жидких диэлектриках. В нейтральных жидкостях диэлектрические потери обусловлены только электропроводностью, если жидкость не содержит примесей с дипольными молекулами. Диэлектрические потери нейтральных чистых жидких диэлектриков малы, так как мала их проводимость (например, нефтяное конденсаторное масло). [c.92]

Движущиеся под действием электрического поля электроны взаимодействуют с нейтральными молекулами паров и газов, в результате чего образуются положительные и отрицательные ионы и электроны. При этом дуговой промежуток из диэлектрика превращается в проводник. [c.185]

Фтор полярен, но симметричное строение звеньев макромолекулы делает полимер нейтральным веществом, и его диэлектрические свойства мало изменяются в широком диапазоне температур. Это наиболее высококачественный высокочастотный диэлектрик. [c.411]

Будем характеризовать диэлектрик следующей моделью. Пусть в диэлектрике имеются положительные и отрицательные точечные заряды (изображающие световые электроны, ионы и атомные ядра), связанные консервативными силами с определенными положениями равновесия. Более конкретные сведения о природе этих возвращающих сил нам не потребуются. Их тип и величина определяются пространственным строением диэлектрика из его структурных элементов (атомы, ионы, молекулы), а также свойствами структурных элементов самих атомов. Вследствие принятого построения диэлектрика из точечных зарядов он, строго говоря, является неоднородным. Однако в смысле макроскопической электродинамики , который мы вскоре поясним, диэлектрик все-таки можно считать однородным. Примем также, что он является электрически нейтральным и в нем отсутствует постоянная объемная поляризация. [c.32]

Жидкие диэлектрики могут быть построены из нейтральных (неполярных) молекул или из дипольных (полярных) молекул. [c.47]

Наименьшее значение диэлектрической проницаемости имеют твердые диэлектрики, построенные из нейтральных молекул и обладающие только электронной поляризацией. [c.49]

В табл. 10 приведены значения диэлектрической проницаемости некоторых нейтральных твердых диэлектриков (при t = 20° С). [c.49]

Электропроводность жидких диэлектриков тесно связана со строением молекул жидкости. В нейтральных жидкостях электропроводность зависит от наличия диссоциированных примесей, в том числе влаги в полярных жидкостях электропроводность определяется не только примесями, но иногда и диссоциацией молекул самой жидкости. [c.58]

Высокомолекулярные органические полимеры обладают электропроводностью, зависящей в сильной степени от ряда факторов от химического состава и наличия примесей, от степени полимеризации (например для феноло-формальдегидной смолы), от степени вулканизации (для эбонита). Органические нейтральные аморфные диэлектрики, как, например, полистирол, отличаются очень малой электропроводностью. [c.63]

Рис. 38. Зависимость удельного поверхностного электросопротивления от относительной влажности для диэлектриков 1-й группы (нейтральные и полярные, не растворимые в воде).

Наилучшими диэлектриками являются нейтральные пластики политетрафторэтилен, полиэтилен, полистирол, полиизобутилен, поли-дихлорстирол. Величины р , и р этих материалов от 10 до 10 ом-см, tg8 не превышает 0,0005 менее 2,6. [c.345]

При начальной концентрации ионов riei = 10 м и температуре 3000° К в присутствии частиц диэлектрика, заряженных первоначально, как в примере на стр. 449, 2000 дырок каждая, Пд, согласно уравнению (10.92), уменьшается до м . Если частицы первоначально нейтральны, то вследствие термоэлектронной эмиссии концентрация свободных электронов стремится увеличиться. Частицы, первоначально имеющие отрицательный заряд, способствуют повышению концентрации свободных электронов (фиг. 10.10). Время достижения нового уровня концентрации в этом примере зависит от распределения твердых частиц. Для электростатической дисперсии на длине от 1 ai до 1 л требуется 10 сек [728]. [c.463]

Электрические характеристики диэлектриков. Класс Д. охватывает большое кол-во веществ в твёрдом, жидком и газообразном состояниях. Твёрдыл<и Д. явля-ются мн. кристаллы и аморфные вещества (стёкла, смолы). Все газы состоят в основном из нейтральных атомов и молекул и поэтому в обычных условиях не кроводят электрич. тока, т. е. являются Д. С повышением темн-ры Т атомы и молекулы ионизируются и газ превращается в плазму. [c.695]

К. ф. включает в себя кинетическую теорию газов из нейтральных атомов пли молекул, статистич, теорию неравновесных процессов в плазме, теорию явлений переноса в твёрдых телах (диэлектриках, металлах и полупроводниках) и жидкостях, кинетику магн. процессов и теорию кинетич. явлений, связанных с прохождением быстрых частиц через вещество. К ней же относятся теория процессов переноса в квантовых жидкостях и снерхпроводниках и кинетика фазовых переходов. [c.354]

ЭЛЕКТРОСТАТЙЧЕС1 АЯ ИНДУКЦИЯ—перераспределение зарядов на поверхности проводника или поляризация диэлектрика под действием стороннего электрич, поля (г). Вследствие Э. и. у электрически нейтральных (в целом) тел появляется индуцированный электрич. диполь-ный момент р и, в общем случае, более высокие моменты квадрупольный, октупольный и т. д. (см. Мульттоли). Для металлич. шара, радиус к-рого а мал по сравнению с масштабом неоднородности поля,/> =а , для диэлек-трич. шара = [(е—1 )/(е+2)] (в электростатике ди-электрич. проницаемость е>1). На несимметричные тела в общем случае действует момент сил раз- [c.593]

Нитрид бора а — BN — белый графит — имеет гексагональную, Графитоподобную структуру. Это мягкий порошок, стойкий к нейтральной и восстановительной атмосфере, используется как огнестойкий смазочный материал, изделия из него термостойки. Спеченный нитрид бора хороший диэлектрик при 1800 С в бескислородной среде. Наиболее чистый нитрид бора применяется в качестве материала обтекателей антенн и электронного оборудования летательных аппаратов. Другой модификацией является p-BN — алмазоподобный нитрид бора с кубической структурой, называемый эльбором. Его получают при высоком давлении и температуре 1360 °С в присутствии катализатора. Плотность эльбора 3450 кг/м , температура плавления 3000 °С. Он является заменителем алмаза, стоек к окислению до 2000 °С (алмаз начинает окисляться при температуре 800°С). [c.518]

Поляризация представляет собой процесс смещения структурных элементов (электроноб, атомов, ионов и др.) кристаллической решетки со своего нормального положения под влиянием электрического поля. В результате взаимодействия с внешним электрическим полем происходит нарушение и перераспределение электростати- чe киx сил, действующих внутри кристалла, при сохранении его общей нейтральности. Механизм поляризации может быть различен в зависимости от того, какие структурные элементы участвуют в процессе поляризации, В керамических материалах имеются следующие основные виды поляризации электронная, ионная, электронно- и ионно-релаксационная, спонтанная (самопроизвольная). Степень поляризации керамического диэлектрика и его поляризуемость в целом складываются-как сумма поляризаций каждого вида. Диэлектрическая проницаемость керамики отражает ее поляризуемость. [c.16]

Взаимодействие плазмы с поверхностью складывается из следующих процессов [20] бомбардировки поверхности вторичными. электронами, ионами инертного газа, нейтральными атомами инертного газа, а также облучения квантами вакуумного ультрафиолетового диапазона. В коммерческих источниках для диодного распыления до 10 % катодой мощности переносится на подложку при высокочастотном распылении и до 30 % —-в реткиме постоянного тока. В обоих случаях очевидно, что более половины мощности связано со вторичными электронами. Роль остальных факторов в распределении подводимой мощности менее выражена. Прямое следствие бомбардировки вторичными электронами — это нагрев подложки, а также появление дефектов электронной структуры в случае полупроводников и диэлектриков. [c.425]

Другие механизмы. Леванюк и Осипов [42] рассматривают возникновение оптического искажения как результат возбуждения светом донорно-акцепторных пар. В широкозонных диэлектриках содержится примерно одинаковое количество доноров и акцепторов. При освещении такого кристалла коротковолновым светом происходит ионизация отрицательно заряженного акцептора. Перешедший в зону проводимости электрон далее захватывается полояштельно заряженным донором, т. е. вместо двух заряженных дефектов образуются два нейтральных. При этом существенно меняется электронная поляризуемость дефектов и их вклад в коэффициент преломления среды. Таким образом, с этой точки зрения, индуцированное светом Атг может происходить в любых высокоомных кристаллах. [c.309]

Важную роль в процессах электроперепоса в диэлектриках играют контактные явления на границах диэлектрика с металлическими электродами. В случае ионной (точнее, катионной) электропроводности стационарный постоянный ток может быть обеспечен только в том случае, когда анод изготовлен из металла, ноны которого переносят в диэлектрике электрический заряд. Например, в технических устройствах, использующих ионную электропроводность в кристаллах Rb4AgIs, в которых ток осуществляется ионами Ag+, анод изготовляют из серебра (см. 4.4). Контакт диэлектрик — металл, обеспечивающий свободный обмен носителями заряда, называют нейтральным. В противном случае на постоянном напряжении носители заряда быстро истощаются п в приэлектродной области возникает обедненный слой с повышенным электрическим сопротивлением, а ионный ток через диэлектрик со временем уменьшается. В результате распределение электрического напряжения между металлическими электродами в диэлектрике становится неоднородным — вблизи контакта напряженность электрического толя повышается. Такой процесс азы-вается формовкой. [c.45]

В случае электронной электропроводности обмен носителями заряда между диэлектриком и электродами существенно облегчается. Однако и в этом случае плотность тока существенно зависит от особенностей электронной структуры контактирующей пары. Электронный контакт металла и диэлектрика может быть нейтральным (омическим), если работа выхода электрона из металла в диэлектрик равна работе выхода электрона из металла в вакуум (ф = Ф) блокирующим (запирающим), если ф>Ф, и инжек-ционным, если ф<Ф. На рис. 2.1 приведены сравнительные энергетические диаграммы контактов металл — вакуум (М—В) и металл— диэлектрик (М — Д). В случае диэлектрика показаны два варианта инжектирующий контакт, способствующий переходу электронов в зону проводимости диэлектрика (уровень дна этой зоны п), и инжектирующий контакт, способствующий переходу дырок в валентную зону диэлектрика (потолок этой зоны обозначен в). [c.46]

Как при монополярной, так и при биполярной инжекции носители заряда оказываются неравновесными и нарушают электронейтральность кристалла (равновесные носители, например тепловые, генерируются парами и нейтральность не нарушают). Вследствие нарушения электронейтральности в диэлектрике образуется пространственный (объемный) заряд, который частично захватывается дефектами-ловушками. В условиях существования пространственного заряда зависимость плотности тока от напряженности поля становится нелинейной (закон Ома нарушается). [c.47]

При воздействии ИИ даже в неполярном органическом диэлектрике образуются ионы и поэтому в процессе облучения и с ростом мощности дозы вг может возрасти, в то время как в ионных кристаллах, где допонительные ионы могут образовываться только за счет небольшого количества нейтральных примесей, рост бг может быть незначительным. Если в результате воздействия ИИ не произойдет необратимых изменений, то после прекращения облучения Sr примет исходное значение. [c.324]

Сравнительные испытания производятся в сосудах одинакового размера и формы и нейтральных в отношении коррозионной среды. Образцы располагают в сосудах или аппаратах так, чтобы условия воздействия на них коррозионной среды были одинаковыми и чтобы они не касались друг друга и стенок сосуда. Расстояние между образцами выдерживается одинаковым. Материал под1 есок должен быть нейтральным к метал.ту и коррозионной среде, а также диэлектриком и достаточно прочным для длительного удержания образца в коррозионной среде. В сосуд помещаются только однородные по материалу образцы. [c.73]

Нашли применение несколько типов фильтров абсорбционные, интерференционные и нейтральные. Действие абсорбционных фильтров основано на избирательном поглощении излучения они изготавливаются из твердых, жидких и газообразных избирательно-поглощающих сред. Примерами абсорбционных фильтров могут служить цветные стекла, окрашенные желатины и пластмассы, пленки германия и кремния, пары С1а, Вга, щелочно-галлоидные соли и другие материалы. Для монохроматизации инфракрасных излучений нашли применение кристаллические пластинки из некоторых диэлектриков (Na l, кварц и др.), а в длинноволновой инфракрасной области спектра в качестве отсекающих применяются дифракционные решетки— эшелетты, д твующие как регулярные, шероховатые поверхности. [c.209]

К первой группе можно отнести диэлектрики, обладающие в основном только электронной поляризацией, например нейтральные и слабополярные твердые вещества в кристаллическом и аморфном состояниях (парафин, сера, полистирол), а также нейтральные и слабополярные жидкости и газы (бензол, водород и др.). [c.45]

Диэлектрические потери в диэлектриках молекулярной структуры зависят от вида молекул. В случае неполярных молекул, в веществах, не имеющих примесей, диэлектрические потери ничтожно малы. В нейтральных диэлектриках, как уже указывалось, имеет место только электронная поляризация. К таким диэлектрикам относятся сера, парафин, неполярные полимеры — полиэтилен, политетрафторэтилен (фторопласг- 4), полистирол и др. Указанные вещества в связи с их весьма малыми потерями находят применение в качестве высокочастотных диэлектриков. [c.86]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...