Полевой ионный микроскоп (ПИМ)

ПИМ - полевой ионный микроскоп [c.5]

Знм. Создателю полевого ионного микроскопа (ПИМ) Мюллеру (1951 г.) впервые удалось получить изображение атомов на разных гранях вольфрамового острия — рис.4.3. К сожалению, метод позволяет исследовать поверхность только очень тугоплавких металлов из-за разрушения острия в сильном поле [c.124]

Полевой ионный микроскоп (ПИМ) 124 Полимолекулярная адсорбция изотерма 228,237 Полярон 16,75,248,249 Пористость 227 Порог протекания 73, 74 [c.281]

ПЭ используется в некоторых вакуумных электронных приборах, в полевой электронной и ионной микроскопии, взрывная электронная эмиссия — в сильноточных ускорителях электронов и в импульсных источниках рентгеновского излучения высокой интенсивности [30]. [c.588]

Первый Л. 3. был построен 9. Мюллером (Е. W. Miil-1ег) с сотрудниками (1968). Это был узкоапертурньм А. 3. с анализом ионов по времени пролёта (т. и. в р е-м я п р о л ё т н ы й А. 3.). В этом приборе экран полевого ионного микроскопа имеет небольшое зондо-вое отверстие, на к-рое с помощью механич. системы наводится изображение выбранного оператором анализируемого атома. Затем короткий высоковольтный [c.154]

Второй метод — автоионная микроскопия — предложен Мюллером [10.2] в 1951 г. Это — уникальный метод, единственный, который позволяет наблюдать изображение поверхности твердого тела с атомным разрешением (0,2—0,3 нм). Образец представляет собой тонкое, заточенное травлением острие из исследуемого металла. Поверхность его кончика, представляют,ая собой почти полусферу радиусом 20—200 нм, радиально проектируется на люминесцентный экран. Для создания изображения используется явление десорбции полем (10 В/см), испарения полем (при высоких температурах) и — чаще всего — ионизации полем постороннего газа (гелия, неона или водорода). Кристаллические грани поверхности острия изображаются на экране с увеличением порядка 10 и разрешением 0,2—0,3 нм, так что можно различать отдельные атомы, в том числе междоузельные и адсорбированные, вакансии, радиационные повреждения, дислокационные полосы скольжения и границы зерен. Была также показана возможность обнажения глубинных слоев образца путем контролируемого послойного испарения полем [9.3]. Слчетание полевого ионного микроскопа с масс-спектрометром сделало его прибором не только структурного, но и химического анализа. [c.117]

Явление А. используется также при создании ионных источников для масс-спектрометров. Достоинством таких источников явл. отсутствие в них накалённых электродов, а также то, что в них удаётся избежать диссоциации анализируемых молекул. Кроме того, с помош ью таких ионных источников можно наблюдать специфические хим. реакции, происходящие лишь в сильных электрич. полях. фМюллер Э. В., Тьен Тцоу Ц о н г, Полевая ионная микроскопия, полевая ионизация и полевое испарение, пер. с англ., М., 1980 Физические основы полевой масс-спектрометрии, под ред. Э. Н. Короля, К., 1978. А. Г. Наумовец. [c.9]

ИОННЫЙ ПРОЕКТОР (полевой ионный микроскоп, автоионный микроскоп), безлинзовый ионно-оптич. прибор для получения увеличенного в неск. млн. раз изображения поверхности тв. тела. С помощью И. п. мож- [c.232]

Эксперименты с Д. п. позволяют определять энергии СВЯ.ЭИ с матрицей адсорбиров. частицы. Д. п. применяют для холодной очистки острий в полевой эмиссионной микроскопии, как один из методов получения интенсивных ионных пучков, напр, в ионных источниках масс-спектрометров. Д. п. и испарение полем — осн. про- [c.585]

Михайловский и др. [272] реализовали метод нагружения микрообразца пондеромоторными силами электрического поля с использованием ионного полевого электронного микроскопа с напряженностью поля 10 —10 В/см. Ионно-микроскопический метод исключает возможность механического повреждения микрокристалла при монтаже образца, так как образец еще до утонения крепится одним концом к массивному держателю (другой конец, к которому прикладываются пондеромоторные силы, остается свободным). Исследовали приготовленные методом утонения бездислока-ционные микрокристаллы (что контролировали с помощью электронной микроскопии) ряда металлов с ЩК- и ОЦК-решетками. Установлена масштабная инвариантность максимальной прочности кристаллов и отсутствие дисперсии. [c.149]

С 1960-х гг. начались исследования М. с. с применением сверхвысоковакуумной аппаратуры в условиях вакуумной гигиены, т. е. в хорошо контролируемых и поддерживаемых условиях. Появилась возможность дозированного изменения состава, темп-ры, зарядового состояния и др. параметров М. с. и прецизионного измерения этих величин, выяснена их связь с геом., в частности структурными, характеристиками поверхности. Наиб, удобны для исследования М. с. на чистых поверхностях полупроводников и др. монокристаллов, т, к. в таких М. с. наблюдаются анизотропные явления. Для изучения состава и структуры М. с. применяют зондирование поверхности электронными, нейтронными, ионными, молекулярными, рентг., световыми и позитронными пучками, автоионную, автоэлектронную, полевую и тепловую эмиссию частиц с исследуемых поверхностей, а также метод зондовой микроскопии. Большинство исследований должно проводиться в условиях сверхвысокого вакуума, что ограничивало возможности этих методов. Применение зондов-острий позволило снять эти ограничения. [c.209]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...