Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Тензорезисторы Схема

Рис. 44. Схемы проволочных одноэлементных тензорезисторов Рис. 44. Схемы проволочных одноэлементных тензорезисторов

Рис. 45. Схемы многоэлементных тензорезисторов Рис. 45. Схемы многоэлементных тензорезисторов
Вывод тензорезистора имеет два участка. Участок / обеспечивает сварку с полупроводником, участок 2 используют для монтажа в схемах  [c.412]

Тензорезисторы — Мостовая схема  [c.558]

Рис. 3. Схема расположения розеток из тензорезисторов для определения остаточных напряжений первого рода в многослойном штуцере. Рис. 3. <a href="/info/4764">Схема расположения</a> розеток из тензорезисторов для <a href="/info/599635">определения остаточных напряжений</a> <a href="/info/46297">первого рода</a> в многослойном штуцере.
ММ, В двух остальных —0,08 мм) нанесение и измерение координатных сеток на внутреннюю и наружную поверхности сборка и наладка измерительной схемы из 200 тензорезисторов на наружной новерхности образца.  [c.129]

Па рис. 7.7 показаны форма, размеры испытанных соединений и схема их нагружения. На этом же рисунке приведена схема установки в исследуемых сечениях тензорезисторов.  [c.143]

В каждой точке измерительной схемы (см. рис. 6.14) устанавливают по две дублирующие розетки тензорезисторов (ТР) и здесь же устанавливают по две дополнительные термопары ТХА, которые приваривают к поверхности патрубка. Как правило, каждую розетку выполняют из двух взаимно перпендикулярных тензорезисторов, ориентированных вдоль оси и по окружности патрубка. Во избежание влияния радиуса кривизны патрубка под установку розеток ТР рекомендуется делать плоские площадки.  [c.221]

Измерение постоянных и переменных деформаций И усилий. Диагностическую ценность имеют измерения постоянных и переменных деформаций в элементах конструкций в рабочих условиях. Для измерений используются тензорезисторы в виде петлевого участка тонкой проволоки с диаметром 0,025—0,050 мм (проволочные тензометры). При растяжении уменьшается поперечное сечение проволоки и возрастает омическое сопротивление, что и регистрируется с помощью потенциометрической схемы. Сопротивление тензорезисторов обычно составляет —100, Ом.  [c.188]


Выходной сигнал тензорезисторов невелик по отношению к напряжению питания е и подвержен сильным паразитным влияниям, что заставляет применять для его измерения дифференциальные схемы включения [25].  [c.203]

Рис. 3.34. Схема размещения тензорезисторов и термопар в корпусе паровой турбины К-200- 130 ЦВД Рис. 3.34. Схема размещения тензорезисторов и термопар в корпусе паровой турбины К-200- 130 ЦВД
Для выбранной схемы нагружения эпюра моментов по длине ТКЭ имеет вид параболы с максимумом по середине ТКЭ. В связи с этим для тарировки ТКЭ тензорезисторы наклеивают в зоне действия максимального изгибающего момента. Амплитуда колебаний ТКЭ измеряется при помощи катетометра или микроскопа типа МБС-2. Катетометр предпочтительнее использовать при высокотемпературных испытаниях, для наблюдения за ТКЭ в печи предусмотрено окно.  [c.303]

Разработана следующая система регистрации нагрузок и деформаций при ударном изгибе. Усилие определяется с помощью динамометра, на который наклеены тензорезисторы, соединенные по мостовой схеме. При нагружении динамометра сигнал разбаланса моста, пропорциональный приложенному усилию, поступает через фигурную прорезь в его корпусе. Движущийся молот шторкой, которая закреплена на нем, перекрывает световой поток, что меняет сопротивление элемента. Выходной сигнал осуществляет развертку сигнала нагрузки по горизонтали. Диаграммы деформаций при испытании каждого образца фотографируются с экрана осциллографа на чувствительную фотопленку. Работа разрушения определяется планиметрированием площади под кривыми деформации образцов. Диаграммы нагрузка — прогиб, полученные фотографированием с экрана осциллографа, позволяют определять работу зарождения и развития трещины.  [c.61]

Методика испытаний. Оболочки подвергали воздействию осевой сжимающей нагрузки, равномерно распределенной по контуру, на установке, реализующей центральный способ нагружения [12]. Ее принципиальная схема приведена на рис. 6.2. Установка содержит сварную станину 1, которая одновременно служит и силовой рамой. Нагрузка, создаваемая силовозбудителями 2, через рычаг 3 и тягу 4 передается на верхнюю опору 5 и оболочку 6. Между станиной и нижней опорой 7 располагается силоизмерительное кольцо 8 с наклеенными на нем 24 тензорезисторами.  [c.232]

При испытаниях измеряли относительные деформации в нескольких сечениях панели с помощью тензорезисторов К-25, наклеенных в виде розеток на ее поверхность. При составлении схемы расстановки тензорезисторов учитывали влияние отверстий  [c.332]

Образец 1 с боковой трещиной испытывают при изгибе с монотонно снижающимся уровнем Ki- Нагружают его с помощью рычажной системы через тензометрический динамометр и пружину. Натяжение пружины осуществляется электродвигателем с помощью редуктора и винтовой передачи. Датчик раскрытия трещины 8 выполнен в виде двух упругих балочек, закрепленных в пазах образца, на которые наклеены тензорезисторы, соединенные в мостовую схему. Мост соединен с потенциометром 10 типа КСП-4. Шкала потенциометра градуируется в единицах дефор-  [c.35]

Исследуемой частью диска при этом оказывается полотно. На рис. 3.17 дана схема нагружения диска и приспособления для испы тания его на усталость. Ободную часть диска насаживают на кольцевой выступ опорной плиты, закрепленной на траверсе машины. Осевая нагрузка передается на ступичную часть (или полотно), вызывая в полотне плоский изгиб. Деформации в полотне измеряют тензорезисторами различной базы в зависимости от конструктивных особенностей диска. Расчет напряжений в диске проводят для  [c.122]

В тензорезисторных преобразователях давления Кристалл и Сапфир избыточное давление вызывает деформацию сапфировой мембраны и выращенного на ней тензорезистора — пленки кремния, включенного в мостовую схему. Деформация мембраны приводит к изменению электрического сопротивления пленки кремния и появлению электрического сигнала в йЫходной диагонали моста, который усиливается до о—5 мА. Выпускаемые преобразователи класса 0,6 1,0 1,5 служат для измерения избыточных давлений до 60 МПа.  [c.68]


В. А. Барвинок и Г. М. Козлов определяли коэффициент Пуассона плазменных покрытий звуковым методом, путем возбуждения в образце стоячей волны первого тона [89]. Этот динамический способ выгодно отличается от статических испытаний, так как усиление переменного сигнала от тензорезисторов не составляет особых затруднений. В основе метода лежит особенность деформации стержня постоянного поперечного сечения при возбуждении в нем стоячей волны первого тона. Периодические продольные деформации растяжения я сжатия с частотой собственных колебаний стержня вызывают поперечные сокращения слоев материала, величина которых зависит от коэффициента Пуассона. Эти деформации измеряются тензорезисто-рами типа 2ФКПА с базой 5 мм и сопротивлением 200 Ом, которые наклеиваются на образец прямоугольного сечения. Схема для измерения коэффициента Пуассона состоит из двух мостов Уитстона, один из которых служит для определения продольной деформации, другой — для измерения поперечной деформации. Коэффициент Пуассона находится по формуле  [c.53]

В ЦНИИТМАШе [169] для проведения температурных испытаний создано оборудование, обеспечивающее поддержание программируемого температурно-силового режима и возможность регистрации развития усталостного повреждения. Испытания проводятся на образцах сечением 30X50 мм с односторонним концентратором по схеме трехточечного изгиба (рис. 77). Частота 10 цикл/мин t° = = +20- —140°С. Фиксация трещин производилась с помощью фоль-говюго тензорезистора (шаг 0,3 мм).  [c.149]

Типичная схема иаиылення тензорезисторов на мембрану показана на рис. 1, где цифрами 1 и 2 3 4 5 и 6 обозначены  [c.99]

При реализации схем, в которых на образец действует внешнее давление, одной пз самых сложных проблем является измерение сил и деформаций. В связи с жесткими ограничениями размеров камеры высокого давления Б качестве упругого элемента динамометра используют элементы схемы осевого нагружения, а в качестве датчиков деформации — малогабаритные емкостные или индуктивные дефор-мометры. При упругих деформациях и температурах, близких к нормальным, можно использовать наклеенные на образец тензорезисторы. Если не требуется независимое задание давления и осевой нагрузки, например при исследовании пропорциональных статических нагружений, то для создания осевой силы (растяжения или сжатия) используют нескомненсироваиные площади специальным образом изготовленного образца. В этом случае осевые усилия определяют с меньшей точностью из-за необходимости введения поправок на силы трения. Установки с внешним давлением часто изготов-  [c.20]

Фирма Lebow (США) выпускает динамометры для одновременного измерения осевой силы и крутящего момента. Эти динамометры устанавливают на испытательных машинах фирм Instron (Англия) и MTS (США). Измерения осуществляют с помощью тензорезисторов сопротивления, включенных в мостовые схемы.  [c.45]

В серийных зарубежных и отечественных датчиках силы используют мостовую схему включения тензорези-сторов (рис. 22), питаемую напряжением i/n- Преимущество мостовой схемы заключается в том, что с ее помощью измеряют только изменение сопротивления тензорезисторов R] R2 R3 и R4, а не общее их сопротивление. Балансировкой моста при отсутствии нагрузки на упругом элементе датчика силы можно исключить постоянную составляющую выходного сигнала. Можно сбалансировать мост тензорезисторов не при нулевой, а при какой-либо заданной нагрузке на упругий элемент датчика силы, что дает возможность измерять относительную силу. Для начальной балансировки моста в оба смежных плеча последовательно с тензорезисторами включают дополнительные регулировочные резисторы Ra.  [c.366]

Указывающая и регистрирующая аппаратура для датчиков силы с тензорезисторами включает два устройства источник питания тензорезисторной схемы и устройство для измерения ее выходного сигнала. Для питания тен-зорезисторов применяют постоянный, переменный синусоидальный и импульсный токи. Используют Два метода измерения выходного сигнала прямой и компенсационный. При прямом методе выходной сигнал тензорезистор-ного моста усиливается и измеряется аналоговым или цифровым измерителем напряжения или тока, проградуированным в условных единицах или в единицах силы. Этот метод пригоден для статических и динамических измерений силы. Компенсационный (его также называют нулевым) метод основан на ручном или автоматическом уравновешивании разбалансированного в результате нагружения датчика моста. Уравновешивание проводят реохордом, подачей напряжения или тока компенсации от источника питания моста либо устройством с де-  [c.369]

Преобразователь типа ПА-1 выходных сигналов датчиков силы с тензо-резисторами предназначен для использования в системах автоматического регулирования и содержит источник стабильного напряжения 6 В для питания мостовой схемы с тензорезисторами сопротивлением 100—400 Ом, усилитель, обеспечивающий выходной сигнал ГСП, равный 1 В, при чувствительности датчика силы не мепес 1 мВ/В. Величина основной погрешности 1 % может быть снижена до 0,3 %, если в процессе измерения допустима кор-  [c.381]

На рис. 42 показана схема чувствительного упругого элемента с тензоре-зисторным преобразователем для измерения механических величин. На П-образную скобу наклеивают тен-зорезистор Т. Перемещения опорных концов скобы вызывают изгиб и деформацию верхней части скобы. Скоба является преобразователем перемещений. Сигнал с тензорезистора поступает на схему обработки и регистрации.  [c.397]


Структурная схема силомоментного датчика приведена на рис. 10.6. Он позволяет измерять составляющие вектора силы, действующие вдоль осей X,Y ж 2, и две составляющие Мд.и Afy изгибающего момента. Конструкция измерительного преобразователя, рассчитанная на измерение усилий до 100 Н, включает в себя 3 последовательно соединенных упругих элемента (2 модуля), выполненных из стали 40Х. Первый модуль, предназначенный для измерения составляющих силы, действующих по осям Z и F, выполнен в виде балки квадратного сечения 5x5 мм, длиной 17 мм. На гранях наклеены фольговые тензорезисторы типа КФ5П1. Тензорезисторы, наклеенные на противоположных гранях балки, соединенные в полумосты, участвуют в измерении одной составляю-  [c.178]

Для сопоставления расходных харжтеристик и реактивных усилий, возникающих при истечении вскипающей жидкости, на Одесской ТЭЦ была создана экспериментальная установка, схема которой приведена на рис. 7.5. Питательная вода давлением 3 МПа подогревается в теплообменнике 1 до необходимой температуры и по подводящему трубопроводу 2 через гибкий шланг 3 подается в рабочий участок 4 со съемными соплами 5. Сброс пароводяной смеси осуществляется в бак холодных точек 6. Свободная подвеска рабочего участка позволяла измерять реактивное усилие, с помощью тензодатчиков 7, наклеенных на упругие злементы 8. Схема нагружения упругих элементов - консольный изгиб. В качестве упругого элемента выбрана балка — пластина равнопрочного сечения, обеспечивающая постоянство нормального напряжения на всей длине рабочей части, что позволило одинаково нагрузить все тензорезисторы. Число пластин равно двум, что устраняет перекосы и раскачивание рабочего участка. Установлено две группы тензорезисто-ров, соединенных по схеме моста. Расход контролировался с помощью расходомерной шайбы 9.  [c.155]

Тензометрирование можно проводить с применением разработанных НПО ЦКТИ высокотемпературных термокомпенсированных тензорезисторов типа ТТР ЛС-22-24 и пятипроводной измерительной схемы, исключающей влияние сопротивления линий связи.  [c.221]

Силы, действующие на болты, контролировали с помощью тензорезисторов (база 10 мм, сопротивление 90 Ом), включенных в плечо тензометрического усилителя 8АНЧ-7 по схеме с компенсацией изгиба.  [c.57]

Из зарубежных разработок отметим ВТР типа S (7 т,чх = 540° С) и СЕ (650° С) производства ФРГ, а также G, MG, SG (230. .. 540° С, кратковременно до 650° С), выпускаемые в США. На рис. 3.32, д приведена схема тензорезистора G. Однопетлевую тензочувствнтельную решетку 9 запрессовывают в трубку (0 1 мм) 2 вместе с изолирующим подслоем 3. Такой элемент укрепляют на подложке из фольги, которую затем приваривают к дета.ии 1 точечной сваркой. Сигнал снимают с выводных кондов 5.  [c.168]

В результате анализа особенностей термомеханического нагружения корпуса паровой турбины на стационарном и переходных периодах работы в эксплуатации, в том числе и на режимах ускоренных пусков и остановов, а также на базе предварительных исследований напряженно-деформированного состояния модели натурной детали с применением малобазных тензодатчиков (по выявлению наиболее напряженных зон), разработана схема размещения тензорезисторов и термопар на корпусе цилиндра высокого давления турбины (рис. 3.34). Использовали тензодатчики типа ТТБ и хромсль-алюмелевые термопары. В каждой точке, указанной на схеме (рис. 3.34), рядом с тензодатчиками (рабочим и компенсационным) монтировали, как правило, две термопары.  [c.172]

Тевзорезвсторы. Чувствительный элемент тензорезистора является пассивным преобразователем, в связи с чем для получения от него электрического сигнала, пропордаонального измеряемой деформации, используют чаще всего электрические мостовые и потенциометрические схемы преобразования (табл. 11.1.1).  [c.271]

Приведенным условиям при различном сочетании отвечают многочисленные модификации тензорезисторов. Создаются конструкции тензорезисторов, которые удовлетворяли бы реальным условиям эксплуатации при сочетании параметров при повышенных температурах при наличии и отсутствии теплосмен в широком диапазоне криогенных и повышенных температур в случае усталостных испытаний при повышенных температурах и т.д. Точность измерения деформаций с помощью тензорезисторов определяется самим объектом измерения, тензорезистором, креплением тен-зорезистора к объекту, защитой тензорезисто-ра, выбранной схемой преобразования изменения сопротивления в электрический сигаал, электронной аппаратурой, условиями окружающей среды.  [c.273]

С тензорезисторами и тензористорными преобразователями, в основном, используются три вида измерительных цепей потенхщомет-рические, мостовые и компараторные. Выбор той или иной измерительной цепи и вида электроснабжения определяются задачами, решаемыми ИИС параметрами и условиями применения используемых тензорезисторов алекгрическими схемами тензорезисторных преобразователей механических величин характером распределения тензорезисторов по объекту и удалением их от измерительного прибора характером влияния на погрешность  [c.277]

При модернизации деталей применяют различные приемы (рис. 2.3.15). Коническая шайба а) превращается в многолепестковую (б), каждый лепесток которой работает как балка. Плоская пластина (в) превращается в упругую раму (г). В полом цилиндре (й) делаются прорези. В ряде случаев выполняют круговые отверстия (е) в зоне сопряжения элементов. На перемычки между двумя близкими отверстиями (ж) наклеиваются тензоре-зисторы. Простым приемом является изменение конструкции детали за счет ее предварительной деформации. Так, балка (з) в варианте (и) работает на продольный изгиб. Более сложным является полная замена детали с сохранением ее габаритов. В варианте (к) прямоугольный параллелепипед заменен ажурной конструкцией на шести стержнях, которые работают практически только на растяжение-сжатие, что воспринимается наклеенными на них тензорезисторами. По такой схеме строятся варианты шестикомпонентных датчиков (три составляющих силы, три составляющих момента).  [c.188]

Для этого частного случая включение при измерении рабочего и компенсационного тензорезисторов в смежные плечи мостовой схемы позволяет получить сигяал, пропорциональный значению разности ip — и не зависящий от температурных характеристик тензорезисторов, т, е. осуществить схемную компенсацию.  [c.42]

Измерение динамических напряжений проводится с помощью термостойких тензорезисторов на металлической подложке с базой решетки 10 J лl и сопротивлением порядка 150 ом. Максимальная рабочая температура тензорезисторов составляет 430° С, коэффициент чувствительности при температуре 250° С равен 1,8. В каждой исследуемой точке устанавливаются два тензорезистора в известных направлениях главных деформаций. Для герметизации датчики закрывают колпаками, которые обвариваются по контуру. Соединительные провода от датчиков выводятся в заш,итных трубках диаметром 6 мм толщиной стенки 1 мм, которые по всей трэссе внутри аппарата крепятся к поверхности элемента скобами, приваренными с шагом 150—200 мм. Для измерения динамических напряжений применяется мостовая схема с выносной компенсацией по активной и емкостной составляющим. Такая схема позволяет значительно сократить время балансировки мостов при переключении датчиков. Перед каждым измерением проводится статическая тарировка каналов путем последовательного подключения в плечо моста постоянного сопротивления величиной 0,01 ом с регистрацией отклонения светового луча на экране осциллографа. В качестве вторичных приборов используются тензометрические усилители и светолучевые осциллографы. Суммарная погрешность измерений динамических напряжений составляет 12% от предела измерений. Одновременно можно записать сигналы по двадцати каналам, что обеспечивает регистрацию необходимого для анализа количества тензорезисторов и датчиков пульсаций давления,  [c.156]


В случаях непосредственного контакта тензометра с нагретым образцом предусматриваются специальные системы его охлаждения. По этому принципу выполнены тензометры для измерения поперечных деформаций и разработанный автором тензометр для измерения продольных [31, 32, 34] деформаций. Такой тензометр (рис. 2.19) состоит из водоохлаждаеиых корпуса 2 и подвижной тяги 1, закрепленных на образце 5 с помощью расположенных на них под углом в 120° друг к другу заостренных наконечников 3 и винтов 4. Корпус 2 и тяга 1 в процессе деформирования перемещаются друг относительно друга. При этом связывающий их упругий элемент с наклеенными высокотемпературным клеем тензорезисторами 7 изменяет свой прогиб, в результате чего от соединенных по схеме моста Уитстона тензорезисторов в регистрирующую аппаратуру поступает электрический сигнал, пропорциональный деформации образца, и производится ее запись в координатах нагрузка—деформация и деформация—время.  [c.55]

Измерения деформаций производились с помощью проволочных датчиков (тензорезисторов), наклеенных в двух взаимно перпендикулярных направлениях на боковые грани образцов шести ориентаций. По этим данным модуль Е -рр значительно ниже, чем Ег и Е , а следовательно, деформативность в диагональном направлении, перпендикулярном волокнам, выше, чем в радиальном и тангенциальном. Таким образом, для древесины сосны подтверждается вйвод о том, что расчетная схема упругой транстропности не отвечает опытным данным по деформа-тивности хвойных пород в трансверсальной плоскости.  [c.83]

Рис. 6.9. Схемы расположения нагрузки и измерительных приборов при испытании покрытий статической нагрузкой I — кривизномер и прогибомер, устанавливаемые в нижнем слое 2 — те же средства измерения, устанавливаемые в верхнем слое 3 — тензодатчики на основе тензорезисторов 4 — шов в нижнем слое 5 — шов в верхнем Рис. 6.9. <a href="/info/4764">Схемы расположения</a> нагрузки и <a href="/info/39646">измерительных приборов</a> при <a href="/info/137053">испытании покрытий</a> <a href="/info/5960">статической нагрузкой</a> I — кривизномер и прогибомер, устанавливаемые в нижнем слое 2 — те же <a href="/info/3259">средства измерения</a>, устанавливаемые в верхнем слое 3 — тензодатчики на основе тензорезисторов 4 — шов в нижнем слое 5 — шов в верхнем

Смотреть страницы где упоминается термин Тензорезисторы Схема : [c.143]    [c.99]    [c.99]    [c.45]    [c.528]    [c.311]    [c.154]    [c.157]    [c.215]   
Вибрации в технике Справочник Том 5 (1981) -- [ c.228 ]



ПОИСК



Тензорезисторы многоэлементные — Схемы

Тензорезисторы проволочные одноэлементные Схемы

Тензорезисторы — Мостовая схема

Тензорезисторы — Мостовая схема включения 366 — Чувствительност



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте