Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Родий Кристаллическая структура

В пределах одного кристалла образование пластических деформаций происходит в результате смещения части кристалла по некоторой плоскости иа целое число элементов решетки (плоскость АА рис. 49). Наименьшая пластическая деформация соответствует смещению на один элемент. Это — своего рода квант пластической деформации. В результате такого смещения каждый предыдущий атом занимает место последующего, и в итоге все атомы оказываются на местах, присущих данной кристаллической структуре. Следовательно,  [c.57]


Так как в процессе создания и эксплуатации конструкционных материалов дефекты кристаллической структуры возникают неизбежно как результат диссипации вносимой в материал энергии (см. п. 4.2), то границы представляют собой не фиксированную, а постоянно изменяющуюся фазу, в которой происходят процессы постоянного накопления дефектов и перестройки дефектной структуры материала. Это осуществляется посредством структурных фазовых переходов второго рода. Барьер энергии активации фазовых переходов преодолевается при нагружении материала в процессе эксплуатации. Кинетика фазовых переходов из одного состояния в другое и определяет свойства границ и всего материала в целом.  [c.126]

Хотя до сих пор мы говорили только о дислокациях, но полученные формулы применимы также и к деформациям, вызываемым другого рода дефектами кристаллической структуры. Дислокации  [c.154]

Высокие давления, развивающиеся за ударными волнами, могут изменить структуру энергетического спектра в конденсированных средах. Сокращение межатомных расстояний ведет к расширению и перекрытию энергетических зон. Образующиеся новые фазы состояния веществ за сильными ударными волнами, как правило, являются более плотными и обладают большей симметрией. Переход к более плотным кристаллическим структурам с поглощением скрытой теплоты (фазовый переход I рода) наблюдается при полиморфных превращениях в металлах. При сильных ударных нагрузках могут также происходить потеря стабильности кристаллической решетки и плавление вещества. На рис. 1.8 схематично показан ход ударной адиабаты для веществ, испытывающих фазовый переход. При сжатии вещества из начального состояния (0) в точке А начинается фазовый переход. В случае полиморфного превращения наблюдается уменьшение удельного объема на участке АВ при незначительных приращениях давления. Это объясняется тем, что  [c.39]

В целом создается впечатление, что подобного рода разрушение связано с изменением кристаллической структуры металла. Именно этим и объясняли в свое время разрушение при циклических напряжениях.  [c.474]

Другие соединения. Вопрос существования соединения в области составов 60 — 62,5 ат. % платинового металла, их стехиометрии и кристаллической структуры в системах с родием, палладием и платиной окончательно не решен.  [c.189]

После графоаналитического определения долей истинного физического уширения интерференционных линий, вызванных напряжениями П рода и размерами блоков когерентного рассеяния, значения характеристик тонкой кристаллической структуры рассчитывались по формулам  [c.178]


Рентгеновский анализ — один из основных методов исследования элементов кристаллической структуры. В частности, по рентгенограммам можно судить о химическом и фазовом составе исследуемого объекта, текстуре, существовании в нем напряжений первого и второго рода и т. д. Все эти вопросы имеют первостепенное значение в металловедении, особенно при выборе режима и контроле качества термообработки.  [c.199]

Существующие в природе кристаллы, которые получили название реальных, не обладают соверщенной атомно-кристаллической структурой. Их решетки имеют различного рода дефекты, т. е. отклонения от правильного периодического расположения атомов.  [c.8]

Полиморфное превращение, аллотропическое превращение Переход от одной аллотропической формы металла в другую базовый переход первого рода, когда под влиянием изменений внешних условий (главным образом, температуры и давления) происходит изменение кристаллической структуры и скачкообразно изменяются все физические свойства  [c.347]

Прикладной рентгеноструктурный анализ включает определение разного рода нарушений кристаллической структуры в реальных веществах (дисперсности и блочного строения кристаллитов, дислокации, дефектов упаковки и пр.), а также анализ атомной структуры частично упорядоченных и некристаллических объектов (например, металлические стекла).  [c.94]

Какого рода дефект кристаллической структуры представлен на рис. II  [c.25]

Водородная хрупкость при малых скоростях деформации проявляется, кроме сталей, также у никеля и его сплавов [309— 311], а-, р- и (а-Ь-Р)-титановых сплавов [12, 312, 313]. В последние годы обратимая водородная хрупкость второго рода была обнаружена во многих переходных металлах независимо от их кристаллической структуры. Этот вид водородной хрупкости характеризуется следующими закономерностями [12].  [c.105]

Примерами переходов I рода могут служить процессы, связанные с изменением агрегатного состояния вещества (плавление, испарение, сублимация, конденсация, кристаллизация), аллотропные превращения в твердом состоянии, упорядочение атомно-кристаллической структуры в ряде сплавов, переход в сверхпроводящее состояние во внешнем магнитном поле.  [c.164]

I рода происходит скачкообразная перестройка кристаллической структуры и изменение симметрии не подчинено никаким ограничениям группы симметрии обеих фаз могут существенно различаться. Изменение симметрии при фазовых переходах II рода обладает важным свойством группа сим метрии одной из фаз является подгруппой группы симметрии другой фазы. При подавляющем большинстве фазовых переходов второго рода более симметрична высокотемпературная фаза.  [c.167]

Во многих рентгеноструктурных исследованиях волокнистых веществ и полимеров определяют элементарную ячейку упаковки. Понятие элементарной ячейки подразумевает наличие кристаллической структуры, которая и образована трехмерно-периодическим повторением ячейки. В связи с изложенными представлениями о сдвигах молекул и о нарушениях сетки нетрудно понять, что в случае отсутствия истинно кристаллической структуры при нарушениях второго рода понятие элементарной ячейки имеет лишь статистический смысл. В этом случае ее периоды а и д характеризуют ближний порядок.  [c.96]

До температуры порядка 300—400° С асбест не претерпевает существенных изменений лишь при нагреве выше этих температур асбест теряет входящую в состав его молекул воду, причем его кристаллическая структура разрушается, и асбест теряет свою механическую прочность. Плавится асбест лишь при температуре выше 1 150° С. Механическая прочность асбестового волокна в состоянии получения высока, но всякого рода изгибы, распушка, перемотка и прочая обработка сильно снижают прочность. Электроизоляционные свойства асбестовых материалов вообще невысоки, почему асбест не применяют для изоляции высокого напряжения.  [c.120]

В веществах кристаллической структуры с плотной упаковкой ионов, при отсутствии примесей, искажающих решетку, диэлектрические потери весьма малы. При повышенных температурах в этих веществах появляются потери от электропроводности. К веществам этого типа относятся многочисленные кристаллические неорганические соединения, имеющие большое значение в современном производстве электротехнической керамики, например корунд, входящий в состав ультрафарфора. Примером соединений такого рода является также каменная соль, чистые кристаллы которой обладают ничтожными потерями малейшие примеси, искажающие решетку, резко увеличивают диэлектрические потери. На фиг. 36 показано влияние примесей на величину диэлектрических потерь каменной соли.  [c.76]


Кристаллическая структура. Присадка родия уменьшает постоянную кристаллической решетки золота на 0,011 кХ при максимальном содержании родия в твердом растворе в золоте. Присадка золота, наоборот, увеличивает постоянную кристаллической решетки родия на 0,003 кХ при максимальном содержании золота в твердом растворе в родии. Определения производили на сплавах, отожженных при 860° в течение 20 часов [3].  [c.198]

Кристаллическая структура. Данные различных исследований по кристаллической структуре некоторых химических соединений иттрия с родием приведены в табл. 301.  [c.753]

Рис. ПО. Изменение характеристик тонкой кристаллической структуры (блоки О, напряжения П рода Да/а и микротвердость Я ) в зависимости от степени пластической деформации сжатием в инактивной (а) и в активной (б) среде. Рис. ПО. <a href="/info/148435">Изменение характеристик</a> тонкой кристаллической структуры (блоки О, напряжения П рода Да/а и микротвердость Я ) в зависимости от степени <a href="/info/1487">пластической деформации</a> сжатием в инактивной (а) и в активной (б) среде.
В целом создается первое впечатление, что подобного рода разрушение связано с изменением кристаллической структуры металла. Именно этим и обт.яснялось в свое время разрушение при циклических напряжениях. Описанное явление получило тогда название усталости, а направление исследований, связанных с прочностью, стало называться усталостной прочностью. В дальнейше.м точка зрения на пршшны усталостного разрушения изменилась, но сам термин сохранился.  [c.389]

Состояние системы на конечном этапе фазового перехода первого рода характеризуется отсутствием как локальных, так и объемных макромасштабных областей, в которых частицы жидкоподобного характера (примеси и другие элементы, не вошедшие ранее в кристаллическую структуру) обладали бы размерностью распределения свойств 0(=3. Данные области, следовательно, располагаются целиком в граничных межзеренных и межкристаллитных зонах твердой структуры сплава и находятся в более структурированном уплотненном состоянии под воздействием силового поля плотных областей системы.  [c.91]

Если охватить целиком весь процесс кристаллизации, то в целом его можно охарактеризовать как уплотнение вещества под воздействием сжимающих напряжений термической природы. Вследствие этого на конечном этапе формирования кристаллически-упорядоченных областей в сплаве остается своего рода память о процессе, который привел к их возникновению. Иначе говоря, в кристаллически-упорядоченных областях структуры всегда имеются "носители памяти" - элементы, которые поддерживают остаточные сжимающие напряжения в кристаллической структуре. Они называются дис-локаг иями, и с классической точки зрения считаются дефектами кристаллической структуры.  [c.97]

Таким образом, все металлы VHI группы образуют с титаном фазы на основе эквиатомных соединений с кристаллической структурой типа s l. Эта структура в системах с железом, рутением, осмием и кобальтом устойчива вплоть до комнатной температуры во всей области гомогенности этих фаз. В системах с родием и иридием существует узкий интервал ее устойчивого состояния при сравнительно низких температурах за счет стабилизации избыточным, по сравнению с эквиатомным составом, содержанием титана. В сплавах близких к эквиатомному, а в системах с никелем, палладием и платиной — во всей области гомогенности — с понижением температуры  [c.187]

Поскольку до сих пор отсутствует единая методика определения тонкой кристаллической структуры закаленной и отпущенной стали II1X-15 в чистом виде, для получения достаточно надежных данных о напряжениях II рода и размерах блоков когерентного рассеяния были применены различные методики, в том числе метод моментов второго порядка [7] и метод аппроксимации формы интерференционных линий от кристаллографических плоскостей (011) (101) — (НО) — (121) (211) — (112) мартенсита с учетом поправки ширины инструментальной ширины интерференционной линии на тетра-гональность решетки мартенсита, немонохроматичность рентгеновского излучения и геометрические условия рентгенографирования [6].  [c.177]

Приведены результаты исследований влияния термической обработки (закалки и отпуска) на микроструктуру и уровнп напряжений I и И рода в стали. Проведены рентгеноструктурные, магнитные и термоэлектрические измерения образцов из стали ШХ-15, закаленных с температур 790—910 °С и отпущенных при температурах 100—220 С. Показано, что тонкая кристаллическая структура оказывает существенное влияние на электромагнитные харак-lepH THKH стали. Дано объяснение экспериментальных данных.  [c.261]

Вакансионные скопления (кластеры), которые несут ответственность за объемн ые изменения в металлах, обычно образуются в определенных кристаллографических плоскостях. Когда кристаллическая структура анизотропна или в процессе производства ей придана преимущественная ориентация, облучение может привести к преимущественному изменению одного из линейных размеров. Можно, например, предсказать, что трубы высокого давления в тяжеловодном реакторе будут удлиняться в процессе эксплуатации, а также могут значительно прогнуться из-за наличия поперечного градиента нейтронного потока. Так как это связано с низким пределом ползучести, радиационный рост такого рода довольно ограничен, что было отмечено для циркал-лоя-2. Трубы высокого давления, изготовленные из сплавов с более высоким сопротивлением ползучести, таких, как цирконий-ниобиевые сплавы, значительно увеличились в длину под облучением.  [c.96]

Однако реализация предложения Брэдли внесл1а бы оцре-деленную ясность и в систему обозначения фаз. Если в сплавах двух металлов с одинаковыми кристаллическими структурами (например, меди и алюминия) будет необходимо установить различие между двумя твердыми растворами, то это можно будет сделать, например, символами аСи и А1. С помощью такого рода обозначений можно легко указать предельные составы фаз. Так, если Р является символом объемноцентрирован-  [c.382]


Предполагается, что образование ст-фазы, имеющей одну и ту же кристаллическую структуру в совершенно различных сплавах связано с электронной конфигурацией элементов переходной группы (табл. 4) при отношении числа электронов на 3электронное соединение 132], но имеются и другие мнения по этому вопросу [33].  [c.24]

При термодиффузионном насыщении на процессы диффузии большое влияние оказывают различного рода дефекты кристаллической структуры насьпцаемого металла (вакансии, примесные атомы, дислокации, граничные поверхности.  [c.481]

Глубокий анализ влияния антиферромагнетизма на упругие константы, структуру и механические свойства железомарганцевых (е+7) и у-сплавов дан в работах О. Г. Соколова [2, 4]. По мнению авторов работ [2, 4] влияние магнитного упорядочения на кристаллическую структуру можно ожидать по двум направлениям во-первых, через образование кооперативных построений магнитных моментов — доменов и, во-вторых, благодаря взаимодействию локального магнитного поля с микропапряже-ниями II рода. Эти оба фактора должны отражаться на внутреннем трении, модуле Юнга и сопротивлении пластической деформации.  [c.244]

Одним из факторов, препятствующих свободному выходу дислокаций на поверхность, могут быть различного рода твердые поверхностные слои кристалла, т. е. либо поверхностные слои должны иметь повышенную плотность дислокаций, либо поверхность должна быть покрыта пленками, например, окисными, ги-дроокисными, металлическими и др. С увеличением модуля упругости тонких пленок возрастает сопротивление выходу дислокаций. Другими характеристиками, заметно усиливающими сопротивление выходу дислокаций, могут быть различие параметров решетки пленки и подложки, характер кристаллической структуры, степень поликристалличности.  [c.30]

Как установлено в итоге многочисленных теоретических и экспериментальных исследований, пластическая деформация кристалла обусловливается перемещением в нем определенного рода дефектов кристаллической структуры, называемых дислокациями. Дислокации представляют собой в некотором смысле протяженные дефекты в двух измерениях дислокация имеет атомный размер (т. е. размер порядка ангстрем), в то время как ее длина бывает существенно большей. В поликристаллическом теле (каковыми являются технические металлы) отмеченные перемещения дислокаций происходят в основном в зернах поликристалла. В ходе процесса пластической деформации дислокации определенным образом размножаются и плотность их увеличивается, а связанное с этим усиление взаимодействия дислокаций увеличивает сопротивление их перемещению в теле и, тем самым, рост сопротивления пластической деформации, т е. упрочнение (наклеп). С развитием пластической деформации обычно возрастает плотность не только дислокаций, но и других микродефектов, что тоже увеличивает сопротивление пластической деформации. Сейчас известно много книг, в которых все это излагается достаточно подробно (см., например, Д. Халл, Введение в дислокации, Атомиздат, 1968, Ф. Макклинток, А. Аргон, Деформации и разрушение материалов, Мир . 1970).  [c.63]

Область существования фазы УгС, установленная в работе [1], составляет 29,1—33,9 (ат.) С, при этом периоды гексагональной решетки УзС с увеличением содержания С изменяются следующим образом а = 2,876- 2,900 А, с = 4,555- -- 4,581 А. Много данных получено о кубической фазе примерно эквиатомного состава, существующей в данной системе. Область гомогенности фазы УС, по данным [1], 38,8—50% (ат.) С, при этом период решетки увеличивается от 4,158 до 4,168 А. Фаза с решеткой г. д. к. имеет область гомогенности от —37,5 до 38,6 % (ат.) С, период решетки возрастает с 4,121 до 4,138 А [1 ]. Сообщается о наличии двух максимально плотноупакованных фаз с кубической решеткой в сплавах, приготовленных из У, содержащего <0,04% (ат.) О, и спектрально чистого С [5]. Методами рентгеноструктурного анализа и измерением плотности было изучено 17 порошковых сплавов, содержащих от 33,42 до 59,4% (ат.) С [5]. Показано, что первая кубическая фаза существует в интервале концентраций 38,6—44,1% (ат.) С, ее период меняется от 4,125 (бедная С) до 4,141 А (богатая С). Вторая фаза неожиданно появляется при 44,1% (ат.) С и существует до 47,9% (ат.), ее период при этом меняется от 4,154 (бедная С) до 4,166 А (богатая С). Двухфазная структура в образцах не была обнаружена. В работе [5] доказывается, что фаза УС может образовываться при содержанни в сплаве более 47,9% (ат.) С, однако в этом случае при охлаждении она быстро распадается. Близость указанных двух фаз и схожесть их кристаллических структур свидетельствует скорее о некоторого рода перестройке решетки в узком интервале концентраций, чем о возникновении новой фазы. Период УС эквиатомного состава, по данным работы [6], равен 4,155 А.  [c.264]

Для получения твердого раствора различных окислов в корунде необходимо химическое и кристаллическое соответствие вводимых окислов и корунда. При этом важно, чтобы вводимые окислы и корунд имели как одинаковую валентность катионов, так и кристаллическую структуру корундового типа. Таким условиям удовлетворяют полуторные окислы титана, хрома, железа, кобальта, галлия, родия, а также титанаты магния, железа, марганца, никеля и кадмия типа MgTiOз.  [c.72]

Для понимания свойств металлов важно также знать, что их реальная кристаллическая структура не идеальна. Во-первых, в пространственной сетке ион-атомов, изображенной в упрощенном виде на рисунке 1, встречаются изъяны разного рода (пустые - места, чужеродные включения). Во-вторых, одни участки или слои сетки различным образом смещены по отношению к другим участкам или слоям (так называемая дислокация). В-третьих, зарождающиеся при застывании расплавленного металла кристаллы при их роете давят друг на друга, искажая естественную форму и образуя неправильной формы конгломераты (так называемые кристаллиты), часто с пустотами между ними. Получающиеся за счет всего этого швы и неоднородности в металлах ухудшают их свойства и рано или поздно могут привести к коррозионным разрушениям по этим швам . Доказано, что теоретически рассчитанная прочность идеальных кристаллов данного металла и его практическая прочность расходятся иногда в десятки и сотни раз (1). Это цроверено на выращенных специальными сп с0бами идеальных нитевидных металлических кристаллах ( усах ). Очевидно, искусственное получение идеадьной кристаллической структуры, повторяющей без  [c.42]

Кроме указанных переходов первого рода в селене наблюдались также переходы второго рода. Так, Гаттов и Хейнрих [26] при измерении энтальпии обнаружили в гексагональном селене обратимый переход второго рода при 106 + Г С, который они связывают с исчезновением дефектов кристаллической решетки. Для моноклинного (а + Р)-селена ими обнаружено три обратимых перехода второго рода при —120 2, при 15 1 и при 30 1° С. Авторы наблюдали эти переходы и в аморфном селене три обратимых перехода при —145 2, И 1 и 30 1°С в стеклообразном селене и два перехода при —134 2 и 10 Г С в аморфном селене. При этих переходах кристаллическая структура гексагонального и моноклинного селена не изменялась и сохранялся аморфный характер образцов стеклообразного и аморфного селена. В работе [26] также отмечается, что черный аморфный селен не является особой модификацией селена.  [c.155]


Смотреть страницы где упоминается термин Родий Кристаллическая структура : [c.332]    [c.150]    [c.144]    [c.6]    [c.163]    [c.182]    [c.180]    [c.189]    [c.135]    [c.169]    [c.203]    [c.57]   
Справочник машиностроителя Том 2 Изд.3 (1963) -- [ c.437 ]



ПОИСК



411—416 — Структура кристаллическая

I рода

I рода II рода

Кристаллические

Родан

Родиан

Родий

Родит



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте