Фотодиод кремниевый

В последнее время ведущие фирмы США, Англии, Японии стали применять в считывателях перфолент и перфокарт кремниевые фотопреобразователи вместо фотодиодов и фототранзисторов. [c.173]

Кремниевый лавинный фотодиод [c.183]

Схема приемного устройства системы слежения показана на рис. 5.14. Квадрантный фотодетектор представляет собой высокочувствительный кремниевый фотодиод с квантовой эффективностью более 50%. Предварительные усилители 2 предназначены для уси- [c.197]

Через некоторое время появились образцы телевизионных систем, в которых по лазерному лучу передавалось пять различных телевизионных изображений. В этих системах в качестве источника излучения использовался газовый лазер, работающий на волне 0,6328 мкм при излучаемой мощности всего в 8 мВт. В приемном устройстве применялся кремниевый фотодиод. Передача изображения велась на каналах 66...75, 76...S2, 182... 186, 198..-204, [c.86]

Низкочастотные шумы выходного излучения гелий-неонового лазера коррелируют с шумами постоянного тока в разряде. Ге-лий-неоновый лазер с холодной эмиссией питался от источника постоянного тока с последовательным сопротивлением развязки 300 ком, включенным между источником питания и разрядной трубкой [2]. Шумы в световом пучке регистрировались кремниевым фотодиодом с постоянной времени, меньшей 1 мксек. Анализ корреляции сигналов фотодиода и разрядного тока показал, что шумы лазера можно объяснить токовыми шумами в разряде постоянного тока. [c.462]

Кремниевый фотодиод с РШ-переходом в схеме с настроенным контуром [77]. [c.503]

Рис, 4Л4. Зависимость квантового выхода кремниевого фотодиода от длины волны и [c.203]

Фотодиод без внешнего источника э.д.с., называемый вентильным фотоэлементом, осуществляет непосредственное преобразование энергии падающего излучения в электрическую энергию. Неравновесные электроны и дырки, образующиеся при поглощении света, пространственно разделяются в переходном слое (фото-э.д.с.), что приводит к возникновению тока во внешней цепи. Кремниевые фотоэлементы такого типа имеют высокий к.п.д. (14—16%) и используются в качестве источника энергии в солнечных батареях космических аппаратов. [c.466]

В середине 70-х гг. был опробован принципиально иной способ электронной установки выдержки в фотоаппаратах, имеющих систему ТТЛ его называют способом прямого (или динамического) измерения. Фотоприемник (безынерционный кремниевый фотодиод) внутри камеры направлен на кадровое окно (рис. 41, в). При нажатии на спуск поворачивается зеркало 16 камеры, затем трогается с места первая шторка 15, и в тот же момент конденсатор электронного затвора начинает заряжаться. Значение электрического сигнала определяется засветкой приемника [c.96]

Мозгом фотоаппарата / является электронный микропроцессор 12. Тактовые импульсы П для отмеривания автоматически устанавливаемой выдержки (п. 4.4), времени работы автоспуска и для других операций по управлению съемкой выдает кварцевый генератор/О ( частота импульсов 32 768 = 2 Гц). Сигналы от микропроцессора 12 поступают в вычислительный блок — большую интегральную схему 13, куда вводятся значения силы фототока от кремниевых фотодиодов 4 системы ТТЛ (они размещены рядом с пентапризмой 3 аппарата, см. п. 4.3) и выбранные фотографом значения диафрагмы 14, светочувствительности пленки 15 и ручной коррекции экспозиции 16 (т. е. возможной поправки к работе автоматики). Рассчитанное значение выдержки передается через тот же микропроцессор для исполнения приводом затвора 23 таким же образом передаются команды на запуск приставного электродвигателя 24 для транспортирования пленки (п. 5.2), на впечатывание в кадр данных о съемке 25 (п. 3.4). [c.119]

К достоинствам фотодиодов следует отнести линейность их характеристик в широком диапазоне освещенностей. Для кремниевых фотодиодов в диапазоне изменения фототока 10 нА. .. 10 мА люкс-амперные характеристики линейны при изменении освещенности на 8 порядков. [c.108]

Детекторы в комбинации сцинтиллятор Сг1(Т1) -кремниевый фотоприемник имеют обобщенный квантовый выход QD около 0,8. Линейные фотодиоды имеют коэффициент шума 3 дБ при коэффициенте усиления [c.108]

Фотодиоды для ближней инфракрасной области спектра. Данные, представленные на рис. 4.18, говорят о том, что использовать ФЭУ в области длин волн, больших 0,9 мкм, нецелесообразно из-за резкого уменьшения квантовой эффективности фотокатода. В диапазоне 0,9...3 мкм наибольшее применение находят твердотельные фотодиоды кремниевые р/ -диоды, МОП-диоды, лавинные фотодиоды, а также фотодиоды на основе тройных соединений. На рис. 4.19 представлена спектральная зависимость квантовой чувствительности указанных типов фотодиодов [80]. Принцип действия фотодиодов основан на генерации свободных носителей заряда в обратносмещенно i рп-переходе [19]. Основные характеристики существующих фотодиодов представлены в табл. 4.8 [80]. Их сравнение показывает, что одновременно наибольшей чувствительностью и быстродействием в спектральной области 0,6...1,2 мкм обладают лавинные фотодетекторы, представляющие собой твердотельный аналог ФЭУ. Высокая чувствительность лавинных фотодиодов объясняется наличие м внутреннего усиления вследствие лавинообразного размножения свободных носителей в обедненной зоне рп-перехода под действием электрического поля высокой напряженности. По сравнению с ФЭУ прикладываемое к лавинному фотодиоду напряжение обратного смещения не велико (порядка 100 В), однако малые размеры обедненной зоны создают высокие напряженности электрического поля, обеспечивающие внутреннее усиление порядка 10 и более. [c.182]

Для фотоэлектрической пирометрии в области от 700 °С и выше предпочтительным детектором является фотоумножитель с фотокатодом типа 5-20. Его конкурентом служит кремниевый фотодиод, который хотя и обладает некоторыми преимущест- [c.376]

Существуют два основных источника шума, появляющегося в выходном сигнале детектора шум самого детектора и флуктуации, присутствующие в тепловом излучении, которое попадает в детектор [58]. Ни один из них не ограничивает чувствительность фотоэлектрических пирометров в области выше 700 °С. Оба детектора (фотоумножитель и кремниевый фотодиод) могут быть использованы с временем усреднения, достаточно большим, чтобы снизить случайную погрешность из-за шума детектора и флуктуаций излучения до уровня в несколько миликельвинов в температурном эквиваленте. [c.377]

Фотодиод германиевый [кремниевый ] — фотодиод монокристалли-ческой структуры, выполненный из примесных полупроводниковых материалов на основе германия (кремния) [4]. [c.163]

Величина фото-э.д.с. существенно зависит от свойств используемого полупроводника и технологии изготовления. Для уменьшения флуктуаций темпового тока полезно охлаждение устройства. Широкое распространение получили германиевые и кремниевые фотодиоды. На рис. 8.28 приведены спектральные характеристики таких приемников света. Как видно, максимальная чувствительность германиевого фотодиода наблюдается в такой области длин волн (). iiK мкм), где использование фотоумножителей практически уже невозможно. [c.443]

Из кремния изготавляются различные типы полупроводниковых диодов низкочастотные (высокочастотные), маломощные (мощные), полевые транзисторы стабилитроны тиристоры. Широкое применение в технике нашли кремниевые фотопреобразователь-ные приборы фотодиоды, фототранзисторы, фотоэлементы солнечных батарей. Подобно германию, кремний используется для изготовления датчиков Холла, тензодатчиков, детекторов ядерных излучений. [c.288]

Приём сигналов в видимой области спектра X = 0,4—0,7 мкм) обычно осуществляют фотоэлектронными умножителями, использование их в области X > 0,9 мкм нецелесообразно из-за резкого уменьшения квантовой эффективности фотокатода < %). В диапазоне 0,9—3 мкм применяются кремниевые фотодиоды pin-диоды, лавинные фотодиоды, МОП-диоды (см. Полевой транзистор) с квантовой эффективностью, достигающей 10%. Создание систем О. л. в диапазоне 10 мкм в значит, степени связано с разработкой высо-кочувствит. и быстродействующих фотодиодов на основе тройных соединений (Hg dTe), работающих при охлаждении жидким азотом (77 К). [c.433]

ПП без модуляции потока излучения выпускаются двух типов полного излучения термоэлектрические (ППТ) и частичного излучения фотодиодные (ПЧД) (рис. 9,19). В преобразователях ППТ в качестве приемника излучения используется хромель-коиелевая тер-1Мобатарея из фольги. Для уменьшения погрешности, вызванной воздействием окружающей температуры, предусмотрена температурная компенсация. В преобразователях ПЧД в качестве приемника излучения используются германиевый (д-тя номинальной статической характеристики ДГ) и кремниевый (для номинальной статической характеристики ДК) фотодиоды. В преобразователях ПЧД-121 и ПЧД-131 фотодиоды ми кротермоста тированы. [c.346]

Второе основное требование к матрице фотодетекторов заключается в том, чтобы такую бездефектную матрицу можно было реализовать конструктивно при существующем уровне технологии. Современная полупроводниковая технология предоставляет нам такие возможности. В фирме Bell Laboratories разработана передающая трубка с матрицей, которая состоит из ООО отдельных дискретных кремниевых фотодиодов, укрепленных на одной пластине. Фирма LSI разработала матрицу, состоящую из 51 200 кремниевых фототранзисторов 125], используя метод многослойных соединений, в результате чего любой бит может быть считан примерно за микросекунду. [c.436]

Поскольку разрешающая способность локатора определялась, главным образом, расходимостью лазерного луча, могла быть применена приемная оптика невысокого качества. Поэтому отраженное излучение собиралось линзой Френеля 5 диаметром 25,4 см н фокусным расстоянием 20 см. Фотодетектор 7 представлял собой кремниевый фотодиод диаметром 1 см. Для ослабления влияния фонового излучения перед ним был установлен интерфереицион- [c.254]

В качестве примеров укажем три фотодетектора АМ-излуче-ния со сверхвысокими частотами, которым уделялось большое внимание [73, 75—77] кремниевый фотодиод типа PIN с очень малой постоянной времени объемное фотосопротивление из dSe и лампа бегущей волны с фотокатодом (фото-ЛБВ). [c.503]

В практике создания фотоэлектрических контрольных и измерительных устройств широко используются высокоомные германиевые и кремниевые фотоэлементы (фотодиоды и фототриоды). Недостатком фотодиодов является их невысокая чувствительность. Большую чувствительность имеют светочувствительные плоскостные полупроводниковые триоды (фототранзисторы). Основные характеристики фотодиодов и фототриодов представлены в табл. 38 и 39. [c.348]

Рпс. 4,13. Поверхностно-барьерный кремниевый ТСМПбратурОЙ В 10 рЗЗ. фотодиод. / - пленка золота толщиной -100 а ВесЬМа распространенны- [c.202]

Квантовый выход этого приемника определяется числом пар --олектрон — дырка на фотон. На рис. 4.14 дана зависимость квантового выхода от длины волны и от энергии фотонов. Энергетичеокая чувствительность приемника при энергии фотонов до 10 эв почти постоянна, а при энергии фотонов, большей 10 эв, быстро возрастает. Видно, что особенно эффективно применение такого детектора для коротковолнового излучения квантовый выход для длинноволнового излучения очень мал. Применение кремниевого фотодиода в сочетании со слоем салицилата натрия энергетически не выгодно, так как [c.202]

Фотодиодами называются преобразователи, в которых под воздействием лучистой энергии возникают электронно-дырочные пары, разделяемые р— -переходом и образующие фототок. Основными материалами для фотодиодов служат германий и кремний. Интегральная чувствительность фотодиодов может достигать 25—30 мА/лм. Кремниевые фотодиоды отличаются высокой стабильностью характеристик при изменении условий эксплуатации, малыми темновыми токами (следовательно, высоким порогом чувствительности), возможностью работы при больших обратных напряжениях. Германиевые фотодиоды обладают большей интегральной чувствительностью и более широкой, чем у кремниевых, спектральной характеристикой поглощения. Фотодиоды являются значительно более быстродействующими, чем фоторезисторы, и широко используются для приема модулированного по интенсивности излучения. [c.205]

Оптрон (рис. 133) состоит из источника света 4, световода 2 и приемника света 1. В качестве приемника света используют кремниевый фотодиод, полученный в теле полупроводниковой подложки методом диффузии. Световодом служит селеновое стекло, напыленное на подложку. Источник света представляет собой светодиод, образованный напылением на селеновое стекло слоя арсепида галлия с последующим образованием в нем диффузионного р — п-перехода. [c.227]

В 70-е гг. сернистокадмиевые фоторезисторы в фотоаппаратах высокого класса постепенно вытесняются кремниевыми фотодиодами, имеющими примерно такие же размеры светочувствительной площадки. По конструкции такой фотодиод похож на селеновый фотоэлемент (слой кремния, нанесенный на подложку, освещается через тонкую пленку окиси кремния), но используется чаще в схеме с внешним источником питания, которое требуется также для усилителя фототока (а усиливать приходится очень слабые токи — несколько пикоампер) и для других деталей электрической схемы. Фотодиод обес ечивает быстродействие до единиц микросекунд и линейную зависимость фототока от освещенности чувствительной площадки. Например, при изменении освещенности в 10 миллионов раз — от 0,001 до 10 ООО лк сила фототока растет пропорционально от 10"" до 10 А. Кремниевые фотодиоды первоначально использовались в солнечных батареях, они чувствительны не только к лучам видимой части спектра, но и к инфракрасным, поэтому в фотоаппаратах используются со специальными оптическими светофильтрами, задерживающими инфракрасные лучи. [c.75]

В последние годы наряду с кремниевыми фотодиодами применяются арсенидо-фосфидо-галлиевые фотодиоды. По основным характеристикам они близки к кремниевым, но выгодно отличаются своей спектральной чувствительностью она зависит от соотношения частей арсенида и фосфида и ограничена видимой областью спектра, что позволяет обойтись без светофильтра перед фотодиодом. [c.75]

Поскольку каждый из способов измерения яркости —-интегральный и детальный — имеет свои достоинства, на мировом рынке появились модели аппаратов, в которых предусмотрены оба эти способа, и фотограф по желанию может выбрать один из них. Например, в фотоаппарате Лейка Н4 (рис. 39, д, е) полупрозрачное поворотное зеркало отражает в видоискатель 70 % светового потока, а остальную часть пропускает к пластинке /< перед шторным затвором, которая откидывается в момент съемки. Ребристая поверхность этой пластинки действует подобно линзе Френеля, но только не на пропускание света, а на отражение. Отраженный ею свет направляется к кремниевому фотодиоду 6, перед которым располагаются сменные светоограиичителн 14. Если установлен светоограничитель в виде трубки, то на фотоприемник попадает свет от всей площади кадра (рис. 39, д). Но если с помощью специального переключателя установить перед фотоприемником светоограничитель с линзой, то получается детальное измерение (рис. 39. е). [c.90]

Позади одного окна находится источник инфракрасного излучения, позади другого — приемник (кремниевый фотодиод). При предварительном нажатии на спуск фокусируемый объект (в центре поля зрения видоискателя) освещается узким параллельным пучком инфракрасных лучей, а фото-приемник смещается в направлении базы дальномера, пока на нем не сфокусируется отраженный от объекта пучок. Это смещение определяется расстоянием до объекта, так как учитывает параллактический угол а (рис. 44,6), который зависит от удаленности объекта. Одновременно и объектив фотоаппарата 1 2,8/38 мм (на рисунке не показан) смещается в положение, обеспечивающее резкость изображения (в диапазоне от 0,9 м до бесконечности ) Затем фотограф может скомпоновать кадр и сделать снимок окончательным нажатием на спуск. [c.102]

I — фокусируемый объектив 2 — коллективная линза видоискателя 3 сигналы фокусировки (стрелки и марка) в поле зрения видоискателя 4 — поворотное зеркало 5 — дополнительное поворотное зеркало 6 — автофокусировочный модуль 7 — светофильтр, поглощающий инфракрасный свет 8— светоделитель 9 — линейки (Л и Б) кремниевых фотодиодов (расположены перпендикулярно плоскости рисунка) 10 — электродвигатель [c.106]

В наиболее соверщенных моделях фотоаппаратов Поляроид и Кодак для одноступенного процесса широко использованы достижения современной фототехники электронные затворы с кремниевыми фотодиодами, автомати ческая установка экспозиции при съемках с импульсными лампами, встроенные электродвигатели для выполнения различных установочных операций, а в фотоаппарате Поляроид SX70 Альфа — система автоматической фокусировки (ультразвуковой локатор). [c.116]

С фотоаппаратом-сопрягается мощная импульсная лампа-вспышка 7. При установке лампы-вспышки в направляющие полозки обоймы на фотоаппарате замыкаются контакты цепи синхронизации 8 (обеспечивающие вспышку в момент полного открытия кадра) и дополнительной цепи 9 (для передачи в фотоаппарат сигнала готовности вспышки при полном заряде ее конденсатора). Одновременно автоматически устанавливается выдержка X (1/100 с), соответствующая гголному открытию кадра при работе фокального (шторного) затвора. Часто используется лампа-вспышка с цепью автоматического прерывания разряда (см. п. 4.5), причем кремниевый фотодиод 6 этой цепи расположен внутри камеры 1 и воспринимает свет, отраженный от фотопленки 5. Благодаря этому при дозировании длительности у вспышк учитываются значения диафрагмы объектива 2, -кратности светофильтра и т. п., т. е. используются пре- имущества систем ТТ/1. [c.119]

Цифровая радиоскопия с использованием дискретных детекторов. Детекторы. Современные линейные матрицы радиационных преобразователей используют такие детекторы, как газовые ионизационные камеры, подключенные к малошумящим усилителям, сцин-тилляционные кристаллы, сочлененные с ФЭУ или фотодиодом. Важными характеристиками таких детекторов являются низкий уровень собственного шума и крутой фронт выходного сигнала (без большого послесвечения при использовании твердотельных кристаллов). Сцин-тилляционные кристаллы должны иметь достаточно большой световой выход, согласованный по спектру с входом светового детектора. С учетом ограничений по габаритам и стоимости кремниевые фотодиоды являются наиболее часто используемыми в качестве световых детекторов. Сцинтилляционные кристаллы, сочлененные с такими световыми детекторами, должны иметь световы-ход со спектром, смещенным в красную сторону. [c.98]

У рассматриваемых детекторов в качестве фотоприемников используют ФЭУ, кремниевые фотодиоды (по-верхносто-барьерные, диффузионные, лавинные и др.), фототранзисторы и т.п. [c.108]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...