Ионы галоидные, концентрация

Точечные дефекты в ионных кристаллах оказывают большое влияние на электропроводность. Электропроводность щелочно-галоидных кристаллов обусловлена движением заряженных точечных дефектов — вакансий, междоузельных собственных или примесных ионов. Поэтому ее называют ионной проводимостью. Изучение ионной проводимости позволяет получать информацию о концентрации и состоянии точечных дефектов. [c.94]

Ускорение роста коррозионных трещин хлоридами, бромидами и иодидами имеет важное значение с различных точек зрения. Во-первых, повсеместность содержания галоидных ионов в морских условиях делает необходимым изучение их влияния на КР, если чувствительные к этому виду коррозии сплавы применяются в таких средах. Во-вторых, водные растворы хлоридов щироко используются для ускорения в лабораторных испытаниях и удивительно, как мало было известно до сих пор об этом явлении ускорения в хлоридных растворах. В-третьих, хлориды, бромиды и ио-диды являются специфическими агентами на питтинговую коррозию алюминия и его сплавов, поэтому они влияют не только на распространение, но и на возникновение коррозионных трещин путем локализации концентрации напряжений в питтингах. [c.200]

Влияние концентрации галоидных ионов на скорость роста трещин изучалось также подробно для промышленного сплава [c.202]

Два различных значения активации, наблюдаемые для роста трещины в области II, по-видимому, могут характеризовать два разных процесса процесс роста трещин, который контролируется концентрацией галоидных ионов (16 кДж/моль), и процесс роста трещин, который не зависит от концентрации галоидных ионов (85,3 кДж/моль). Следует к тому же вспомнить, что сплав [c.213]

Концентрация галоидных ионов. В соответствии с уравнением (19) можно предсказать, что скорость роста трещины пропорциональна концентрации галоидных ионов. Этот теоретический вывод хорошо согласуется с экспериментальными данными, представленными на рис. 52 и 54. [c.292]

Влияние концентрации на скорость растрескивания в области II в метанольных растворах, содержащих галоидные ионы (С1 , Вг , 1 ), показано на рис. 41 [105]. Как можно видеть, за- [c.337]

Рис. 41. Изменение скорости роста трещины V при КР [1051 в зависимостя от концентрации галоидных ионов в метаноле и водных растворах (/4—чистый растворитель) для сплава Т — —8 А1—I Мо—I V (МА, образец с односторонним над резом, 24 С)

В отношении водных растворов существует точка зрения, что размер переходной области (участок D) на рис. 83, по-видимому, будет зависеть от концентрации галоидных ионов, состава сплава и состояния напряжения. [c.379]

Концентрация. Так как галоидные ионы при ограниченном массопереносе явно расходуются в зоне вершины, их концентрация в среде должна оказывать сильное влияние на скорость роста трещин. Зависимость скорости от концентрации в степени 1/4— 1/2, а не в степени 1 (как для КР алюминия) приписывается замене галоида оксидом в зоне монослоя трещины. [c.396]

I. Галоидные ионы. Кинетическая модель массопереноса должна быть применима и к метанольным растворам при условии эквивалентности значений проводимости для метанольных и водных растворов. Поэтому, как описано в дискуссии по водным растворам, эта модель согласуется с влиянием концентрации, потен- [c.400]

Увеличение концентрации галоидного иона вызывает смещение пит в отрицательную сторону, причем прямо пропорцио- [c.75]

Из приведенных выше данных можно сделать заключение, что присутствие галоидных ионов в небольших концентрациях не препятствует применению анодной заш,иты нержавеющих сталей. [c.132]

Состав коррозионной среды также будет оказывать существенное влияние на эффективность защитного действия окислительного ингибитора. Наличие галоидных ионов, в первую очередь хлор-ионов, так же, как и повышение концентрации водородных ионов, для большинства металлов затрудняет переход в пассивное состояние. В этом слу чае повышение агрессивности среды приводит к увеличению плотности предельного тока пассивации, и концентрация окислителя, необходимая для пассивации металла, может заметно повышаться, а в отдельных случаях перевод системы в пассивное состояние вовсе не достигается. [c.198]

Увеличение концентрации галоидного иона вызывает смещение пт в отрицательную сторону. [c.99]

Влияние пластической деформации на оптические и электрические свойства и елочно-галоидных кристаллов рассмотрел теоретически Зейтц [95]. Он пришел к выводу, что под действием такой деформации в кристалле должны образовываться вакантные катионные и анионные узлы. В связи с тем, что ионная проводимость определяется концентрацией этих вакантных узлов, она должна возрастать под действием пластической деформации. Эти явления были впервые исследованы А. Ф. Иоффе [88] и затем А. В. Степановым [89]. Было установлено, что под действием нагрузки в 10 дин/см проводимость каменной соли возрастает от 10 до 10 ом M.-1 [c.111]

Г. Под действием пластической деформации возрастает, как известно, концентрация галоидных вакансий [34 . Подобные опыты с фосфорами показывают, что интенсивность атомарной полосы в пластически деформированных кристаллах также больше, чем у недеформированных, т. е. галоидная вакансия наряду с ионом серебра является составной частью атомарного центра. [c.170]

Исследование стимулирующего действия мышьяка на наводороживание стали показало существование некоторой граничной концентрации, ниже которой тенденция мышьяка усиливать абсорбцию водорода не проявляется. Величина этого порога может варьировать в зависимости от pH среды и содержания в них некоторых (например, галоидных [82]) ионов. Данные работ [82, 119, 157] позволяют считать этот порог близким к содержанию 1 мг/л мышьяковистых соединений (в пересчете на Аз) в растворе и 0,25% мышьяка в металле. [c.41]

Таким образом, безупречные и прямые экспериментальные доказательства в пользу существования и подвижности вакантных бромных узлов в кристаллах галоидного серебра, повидимому, отсутствуют. Однако энергии образования дефектов по Френкелю и по Шоттки должны иметь довольно близкие значения, и поэтому разумно допустить, что в решетке всегда имеется небольшая концентрация вакантных галоидных узлов, способных к медленной диффузии путем самодиффузии или соединения с вакантными серебряными узлами и образования подвижных парных вакантных узлов. Поэтому в остальной части этой работы мы исходили из того предположения, что в микрокристаллах галоидного серебра (в нормальных фотографических условиях) присутствуют междуузельные ионы серебра, вакантные галоидные узлы и вакантные серебряные узлы. [c.117]

Во-первых, в фотографической эмульсии отношение поверхности к объему велико, и флуктуации, вызванные тепловым движением на поверхности, усиленным присутствием адсорбированных отрицательных ионов, могут привести к образованию вакантных галоидных узлов, даже если их концентрация в монокристаллах чистого галоидного серебра мала. Если бы электроны передавались этим дефектам от адсорбированных восстанавливающих молекул или ионов по мере их образования, то повторение этого процесса могло бы привести к постепенному созданию высокой подповерхностной концентрации / -центров в микрокристалле. [c.120]

В этом параграфе будут рассмотрены различные стороны процесса образования скрытого изображения при комнатной температуре. Мы принимаем, что в кристаллической решетке одновременно присутствуют междуузельные ионы серебра, вакантные галоидные и вакантные серебряные узлы, причем равновесная концентрация вакантных галоидных узлов значительно меньше, чем концентрация двух других дефектов. Этот материал будет изложен в виде ряда положений. [c.125]

Ионы галоидные, концентрацая 2Р2 Киркендалла полости 32 Коррозия, взаимосвязь с ползучестью 9, 35 [c.484]

Например, положительно заряженный краситель может адсорбироваться только в присутствии избытка ионов брома в растворе такой слой приведет к понижению концентрации вакантных бромных узлов в поверхностных слоях микрокристаллов и, тем самым,— к уменьшению скорости обмена. Положительные ионы красителя не будут адсорбироваться в присутствии избытка ионов серебра в растворе и поэтому не должны влиять на скорость обмена ионов серебра. Адсорбция отрицательно заряженного красителя приведет к уменьшению концентрации вакантных серебряных узлов в поверхностных слоях микрокристаллов, однако обмен ионами серебра может все еще продолжаться вследствие повышения концентрации междуузельных ионов серебра. Помимо этого специфического влияния адсорбированных ионов на концентрацию дефектов решетки в непосредственной близости к поверхности кристалла, обмен ионами брома может затрудняться по чисто стерическим причинам адсорбированный слой препятствует приближению к поверхности больших гидратированных ионов брома. Для того чтобы сделать окончательные выводы из результатов опытов по нзотопно1му обмену между раствором и микрокристаллической суспензией галоидного серебра, необходимо провести дополнительные более тщательно продуманные исследования. [c.116]

Точечная коррозия на металлах, как правило, возникает в растворах, содержащих галоидные анионы, из которых наиболее агрессивны С1 и Вг", в то время как точечную коррозию вообш,е не вызывает, обеспечивая значительное и равномерное растравливание поверхности металла. Точечная коррозия происходит, если.концентрация галоидного иона равна критической концентрации, зависящей от природы металла и некоторых других факторов, или превышает ее. Увеличение концентрации галоидных ионов облегчает питтингообразование. [c.419]

Физические процессы, происходящие в датчике галоидного течеискателя, сложны и полностью не изучены. Эмиссия положительных ионов объясняется обычно присутствием на аноде солей щелочных металлов. Термоионная эмиссия происходит в присутствии кислорода. Для проточного диода датчика, работающего в условиях атмосферного воздуха, необходимое количество кислорода для эмиссии всегда обеспечено. Для улучшения работы в вакуумных проточных диодах необходима непрерывная подача некоторого количества кислорода к диоду. В отечественном течеискателе типа ГТИ-6 в межэлектродное пространство диода вводят кислород путем эжектирования КМпО , разлагающегося от тепла, выделяемого датчиком [171. Это обеспечивает повышение чувствительности течеискания при размещении датчика в вакуумируемом объеме, давление в котором ниже 0,133 Па. Галоидный течеискатель может обнаруживать содержание галоидов в воздухе при концентрации их 10 % [15]. Длительная работа галоидного течеискателя в атмосфере, содержащей большие концентрации галоидов, приводит к потере чувствительности датчика, называемой отравлением . Так, галоидный течеискатель ГТИ-3 отравляется при концентрации галоидных газов в атмосфере 0,01 % [4]. При попадании больших количеств галоидосодержащих газов также наблюдается резкое снижение термоионной эмиссии. Для восстановления эмиссионных свойств прибора необходимо через датчик пропустить кислород или чистый воздух. [c.70]

Т651 в условиях контролируемого потенциостатического режима. Результаты приводятся на рис. 53 и 54. Здесь также отмечается, что присутствие галоидных ионов влияет только на область II кривой и—К и скорость роста трещины в этой области зависит линейно от концентрации галоидных ионов, после того как концентрация превысит значение 2-10 моль/л. Полученные данные обеспечивают количественную основу для фундаментальных исследований механизма КР и для разработки методов ускоренных испытаний на КР. , [c.203]

Соверщенно другие результаты были получены для сплава 7039-Т61 (рис. 64). Этот сплав показывает очень медленный рост трещины при комнатной температуре в концентрированном растворе иодида и имеет широкую область II на кривой V—К. В этой области скорость роста трещины термически увеличивается с энергией активации, равной 85,3 кДж/моль (рис. 65). Полученное значение энергии активации для скорости роста трещины в области II является намного выше, чем энергия активации в той л<е области на сплаве 7079-Т651 (см. рис. 63). Такое большое различие в энергиях активации, по-видимому, показывает, что скорость может контролироваться различными процессами. Данный вывод подтверждается наблюдениями, из которых следует, что плато скорости для сплава 7039-Т61 не зависит от концентрации галоидного иона при комнатной температуре в условиях разомкнутой цепи. Это является резким отличием от результатов, полученных для сплава 7079-Т651. [c.213]

Влияние добавок ионов. Анионы галоидных соединений С1 , Вг , I" являются единственными ионами, которые, как было показано, или ускоряют растрескивание сплавов, чувствительных к КР в дистиллированной воде, или выявляют чувствительность сплавов, устойчивых к КР в дистиллированной воде [97, 101]. Поведение ионов фтористых соединений более сложное, оно занимает промежуточное положение между поведением ионои галоидных соединений, указанных выше, и ингибиторами, обсуждаемыми ниже. В концентрированных растворах (например, 6М КР) фтор-ионы увеличивают чувствительность к КР, в то время как при более низких концентрациях ионы Р уменьшают чувствительность к КР по сравнению с КР в дистиллированной воде, (рис. 12, 6). Добавки других анионов не дают аналогичных эффектов и могут в некоторых случаях тормозить КР [97, 101]. Примерами таких ионов являются N0 ", ОН", СгО , и РО "- [c.322]

Предполагается, что и в этом случае галоидные ионы и водород в качестве опасных компонентов ответственны за высокотемпературное растрескивание. Предположение о роли водорода бы ло впервые сделано в работе [139], авторы которой остались его наиболее активными сторонниками. В основе предложенной гипотезы лежит образование водорода в результате пирогидролиза хлорида. Этот водород абсорбируется либо в металле, либо в области концентрации напряжений в вершине трещины, снижая энергию разрушения. Доказательства, приводимые в пользу механизма водородного охрупчивания, следующие 1) водород образуется в процессе высокотемпературной солевой коррозии 2) данные ASTM [144] и результаты [148] показывают, что водород может абсорбироваться в условиях высокотемпературного солевого коррозионного растрескивания 3) при комнатной температуре [c.402]

А = 0,38 В, 5 = 0,160 В — по данным [1.41] для стали Х18Н10Т в нейтральном Na l. Линейная зависимость пит от логарифма концентрации галоидного иона соблюдается в широком диапазоне концентраций хлор-иона (см. рис. 1.54). [c.75]

Развитие питтинговой коррозии происходит, только если в растворе концентрация галоидного иона, равная или превышающая критическую, зависит от природы металла или сплава, его термческой обработки, температуры раствора, характера других ионов и окислителей. Для сплавов Fe—Сг критическая концентрация хлор-ионов увеличивается при повышении содержания в сплаве хрома, а содержание никеля в сплаве практически не влияет на, ее величину. Как следует из данных, приведенных ниже, минимальная критическая концентрация С1 при [c.99]

Устойчивость пассивного состояния определяется соотношением концентраций HNO3 и хлоридов или фторидов. Поэтому важно определение граничных концентраций галоидных ионов, ниже которых стали остаются пассивными (рис. 64, 65). [c.182]

Алюминий весьма чувствителен, особенно в кислых средах, к галоидным анионом С1 , F"-, Вг , 1 , разрушающим пассивную пленку. Наоборот, окислительные ионы типа хроматов или бихроматов, а также растворимые соли кремниевой кислоты и фторосиликаты являются сильными замедлителями (ингибиторами) коррозии алюминия. В HNO3 с повышением ее концентрации более 30 %, стойкость алюминия все больше увеличивается (рис. 95). Это позволяет рассматривать алюминий как один из лучших [c.262]

Такая связь и зависимость между концентрациями F-центров и атомарных центров серебра находит естественное объяснение на основе рассмотренной выше модели Л-центра. С увеличением концентрации активатора должна расти также вероятность того, что ион серебра окажется рядом с галоидной вакансией, вследствие чего вероятность образования обычных f-центров должна падать. Подобную зависимость между концентрацией обычных F-центров в КС1—Ag и атомарных центров серебра (288 mji) установили также Л. М. Шамовский и Л. М. Родионова [285] для случая аддитивного окрашивания фосфора. [c.169]

Введение ионов С1, Вг, в раствор Н2504 значительно влияет на поведение ряда металлов и сплавов. Так, скорость коррозии железа, углеродистой стали и стали типа Х18Н9 снижается в десятки раз [1—6], уменьшается наводороживание стали [7], [8], облегчается удаление окалины [5], [6] однако повышение концентрации галоидных ионов сверх определенных пределов может способствовать ускорению процесса растворения металла [5]. В присутствии ионов Вг и С1" наблюдается усиление защитного действия органических замедлителей коррозии [9—11 ]. Наряду с этим галоидные ионы ускоряют процесс растворения в серной кислоте таких металлов как хром [12], [13], никель [14], а также сплавов Х28 [5] и Х23Н23МЗДЗ [15]. [c.93]

Для выяснения роли аниона в причине подобных изменений тока и потенциала пассивации для сравнения были сняты потенциостатические поляризационные кривые нержавстали в серной кислоте с добавками KI, КВг, КС1. Анодные поляризационные кривые, снятые в растворах в присутствии этих добавок, свидетельствуют об аналогичном влиянии их на ход кривых (за исключением КС1). Потенциал пассивации при этом также смещается в положительную область. Ионы хлора стимулируют анодный процесс в области активного растворения стали. Однако и в данном случае пассивность все же наступает, хотя и при более положительном потенциале. Незначительное увеличение тока в пассивной области при больших концентрациях добавок можно объяснить участием галоидных ионов в растворении стали из пассивного состояния. [c.47]

Кроме избыточной концентрации ионов серебра и электронов, в галоидном серебре вблизи поверхности раздела должен существовать градиент концентрации вакантных анионных узлов, вызывающий диффузию галогенида в серебряную пластинку. Более значительный, чем у иона серебра, диаметр иона галоида препятствует его перемещению по междуузлиям. [c.83]

В химически несенсибилизированных микрокристаллах, а также в микрокристаллах, обработанных галоидом, удаляющим все центры, способные захватывать электроны, последние могут улавливаться следующими местами рещетки а) вакантными галоидными узлами, концентрация которых, согласно нашему допущению, невелика б) изолированными ионами серебра на свободной поверхности, внутренних границах зерен, полосах сдвига или линейных смещениях в) областями положительного потенциала в колеблющемся силовом поле, связанном с поверхностными дефектами, внутренними границами зерен или линейными смещениями. [c.125]

Мотт Герни [6] указывали, что разрушение внутреннего скрытого изображения растворами галоидов является типичной реакцией побежалости, аналогичной процессу коррозии металла через плотную пленку его соли или окисла. Эти авторы пишут Мы полагаем, что при действии галоида на эмульсию атомы галоида адсорбируются на поверхности микрокристалла и, захватывая электроны от соседних ионов галоида, создают определенную концентрацию положительных дырок в заполненной полосе микрокристалла. После этого металлическая частица теряет электроны, заполняющие дырки в заполненной полосе. Положительные ионы могут теперь покинуть металлические ионы и перейти в междуузлия решетки галоидного серебра обычным путем . [c.218]

Возможны два объяснения этой реакции. Несмотря на то, что окисляющие ионы в кислом растворе двухромовокислого калия не могут отнимать электроны у ионов брома и хлора, не исключена возможность окисления ионов галоида на поверхности микрокристалла. Известное подтверждение этой мысли может быть получено путем сравнения спектральной светочувствительности галогенидов серебра и щелочных металлов, которое показывает, что для окисления галоидных ионов на поверхности галогенидов серебра требуются растворы с пониженным окислительно-восстановительным потенциалом. С другой стороны, Митчелл [12] предположил, что адсорбция галоидных ионов на поверхности эмульсионного микрокристалла может смещать равновесие между вакантными анионными и катионными узлами в сторону последних. Действительно, адсорбция галоидных ионов на поверхности микрокристалла может изменить окружение внутреннего скрытого изображения и тем самым ускорить его окисление. И обратно, ионы серебра на поверхности микрокристалла могут уменьшить концентрацию вакантных катионных узлов и замедлять окисление внутреннего скрытого изображения. [c.219]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...