Многослойные диэлектрики

Выбор оптимальных режимов инжекции заряда и структуры многослойного диэлектрика производился на основе анализа результатов моделирования изменения зарядового состояния МДП-структур в условиях туннельной инжекции с использованием рассмотренных выше моделей. [c.143]

Значение диэлектрической проницаемости важно и для расчета напряженности электрического поля в многослойных диэлектриках. [c.24]

Таким образом, в первом случае диэлектрические проницаемости подчиняются простому арифметическому закону смешения для многослойного диэлектрика тому же закону подчиняются величины, обратные проницаемостям. Формула [c.120]

Из этих выражений следует, что напряженность электрического поля в двухслойном (или многослойном) диэлектрике зависит не только от электрических свойств самого слоя, но и от электрических параметров соседнего слоя. Можно записать [c.91]

Т. е. напряженности электрического поля обратно пропорциональны диэлектрическим проницаемостям слоев, а это значит, что приложенное напряжение в двухслойном (многослойном) диэлектрике распределяется по слоям обратно пропорционально величине е этих слоев. tgS [c.91]

Рис. 3.22. Зависимость электрической прочности твердого многослойного диэлектрика (пропитанная конденсаторная бумага) от числа слоев

МЛ-92 (лак) 239, 241, 245, 246, 251 Многослойные диэлектрики 25 Модифицированное капроновое вог локно 404 Молекулярная масса жидких диэлектриков 102 [c.570]

Следует иметь в виду, что в двухслойном (в более общем случае — в многослойном) диэлектрике отношение диэлектрических проницаемостей слоев, как правило, не соответствует отношению их удельных проводимостей (61/82 резко отлично от 71/72), в связи с чем распределение напряженности электрического поля по толщине изоляции при напряжении постоянного и переменного тока будет различным. Кроме того, распределение напряженности в изоляции при напряжении переменного тока значительно меньше зависит от перепада температур в изоляции, чем при напряжении постоянного тока, так как величины е значительно меньше зависят от температуры, чем у- [c.156]

Диэлектрики Резина, полимеры Керамика, металлокерамика Бетон, железобетон Монокристаллы Многослойные материалы Стекло [c.19]

При меднении диэлектриков иногда необходимо получить покрытие также и на металле Например при меднении двусторонних отверстий или многослойных печатных схем необходимо чтобы медная пленка на диэлектрике была достаточно прочно соединена с метал [c.76]

Предел выносливости деталей, покрытых никелем и прошедших отпуск при температуре 400° С, снижается на 30—45%, а износостойкость их повышается в 2—3 раза. Химическое упрочнение никелем применяется для деталей топливной аппаратуры, силуминовых корпусов гидравлических насосов, золотников и поршней гидравлических агрегатов из дуралюмина Д1. Химическое никелирование рекомендуется использовать для защиты изделий, работающих в условиях среднего и повышенного коррозионного воздействия, вместо многослойных гальванических покрытий никель — хром и медь — никель — хром. Химический способ применяют при покрытии никелем керамики, пластмассы и других диэлектриков для создания металлической проводящей поверхности, а также для деталей из алюминия и его сплавов, титана и керамики, чтобы получить возможность паять их мягкими припоями. [c.338]

В диапазоне используемых рабочих токов (до 10 кА) удельные сопротивления канала разряда в жидкости примерно на порядок ниже, чем в твердых диэлектриках, поэтому основная доля энергии при пробое системы выделяется в твердой фазе. Учитывая, что характеристики плазмы в твердых телах близки, можно считать, что энергия канала разряда, сформированного в многослойной системе, распределена [c.102]

Полученные решения можно использовать и для случая произвольного внешнего электрического поля, если характер его изменения допускает интерполяцию кусочно-линейной функцией. Они пригодны и для описания установления полей в различных системах диэлектриков, многослойных, с различными видами релаксаторов, неоднородных и т.д. [c.129]

Пластик покрывается специальной прозрачной пленкой, которая может быть использована для монтажа внутреннего оборудования сферы и для присоединения отдельных узлов между собой. Зазор между обечайками из стекла и эластичного пластика наполняется жидким диэлектриком (масло), который изолирует стеклянный корпус, выводы и многослойную обмотку. [c.347]

В качестве примера рассмотрим более подробно модель зарядовой деградации МДП-структур с толщиной двуокиси кремния 10... 100 нм на начальном этапе инжекции заряда в диэлектрик, разработанную для многослойных структур и анализа процессов зарядовой деградации в локальных областях зарядовых дефектов, с аномальными характеристиками зарядовой нестабильности [43]. [c.137]

Проведенные за последние годы исследования привели к успешному применению многослойных пленок из подходящих диэлектриков [89]. В этом случае используется изменение фазы, происхо-" дящее на поверхности диэлектрика, если показатель преломления среды со стороны падения света меньше показателя преломления диэлектрика следовательно, если одна пленка, имеющая оптическую толщину = t (i — геометрическая толщина), нанесена на стекло, отражение от стекла увеличивается, если коэффициент преломления у пленки больше, чем у стекла. Луч, отраженный от поверхности раздела диэлектрик — воздух, претерпевает изменение фазы на я и находится в той же фазе, что и отраженный от поверхности раздела диэлектрик — стекло. Этот поток света проходит дополнительный путь 2t = также эквивалентный изменению фазы на л . Если толщину пленки увеличить до оптический путь будет увеличен и отражение уменьшено оно возрастет снова при t = /4 . Если показатель преломления диэлектрика меньше, чем у стекла, отражение уменьшается это явление лежит в основе просветления оптики с помощью пленок диэлектрика. [c.372]

Если же диэлектрик цилиндрического конденсатора многослойный (п слоев), то напряженность в -м слое на расстоянии х от оси конденсатора ги х<-га) зависит от значений eri материалов слоев и равна [c.25]

Следует отметить, что о возможности пропитки бумажной многослойной изоляции жидкими диэлектриками без остаточных воздушных включений мнения разных исследователей расходятся. Согласно изложенному выше механизму пробоя остающийся при пропитке бумаги (картона) воздух снижает электрическую прочность, особенно при длительном воздействии напряжения. [c.98]

Для изменения зарядового состояния подзатворного диэлектрика МДП-структур использовалась сильнополевая туннельная инжекция электронов из кремниевого и алюминиевого электродов в режиме протекания постоянного инжекционного тока. В качестве подзатворного диэлектрика, содержащего электронные ловушки, использовался многослойный диэлектрик на основе двуокиси кремния и слоев ФСС. Применение данного вида диэлектрика, с одной стороны, позволило применить стандартный технологический процесс, а с другой стороны - использовать уже имеющиеся данные о процессах зарядовой деградации слоев в сильных электрических полях. [c.143]

К р ы л о в а Т. Н. Интерферекционные светофильтры из многослойных диэлектриков. Оптика и спектроскопия , 1959, в, вып. 6, ста- 764—788. [c.239]

При этом возникает потребность оценивать заранее Zr, tg S и электрическую прочность конденсаторной изоляции с учетом плотности бумаги, содержания зазоров между слоями, параметров пропитывающего вещества. Для этого обычно пользуются приближел-ными формулами, полученными на основе последовательных (многослойный диэлектрик на [c.222]

При пропускании тока через гелий-неоновую смесь газов электронным ударом атомы гелия возбуждаются до состояний 2 8 и 2 8, которые являются метастабильными, поскольку переход в основное состояние из них запрещен квантово-механическими правилами отбора. При прохождении тока атомы накапливаются на этих уровнях. Когда возбужденный атом гелия сталкивается с невозбужденным атомом неона, энергия возбуждения переходит к последнему. Этот переход осуществляется очень эффективно вследствие хорощего совпадения энергии соответствующих уровней. Вследствие этого на уровнях 35 и 28 неона образуется инверсная заселенность относительно уровней ЗР и 2Р, приводящая к возможности генерации лазерного излучения. Лазер может оперировать в непрерывном режиме. Типичная схема гелий-неонового лазера показана на рис. 289. Концы лазерной трубки закрыты соответствующим прозрачным материалом так, чтобы аксиальные моды падали на него под углом Брюстера Благодаря эток обеспечивается полное пропускание одной из поляризаций света и устранение из пучка другой. Излучение гелий-неонового лазера линейно поляризовано. Обычно давление гелия в камере составляет 332 Па а неона — 66 Па Постоянное напряжение на трубке около 4 кВ. Одно из зеркал имеет коэффициент отражения порядка 0,999, а второе, через которое выходит лазерное излучение, — около 0,990. В качестве зеркал используют многослойные диэлектрики (см. 29), поскольку более низкие коэффициенты отражения не обеспечивают достижения порога генерации. [c.323]

У металлических отражаюи их пленок д(f дK столь мало, что 3 (ф>.о)/5Х ф. Дюфур [75] исследовал влияние изменения фазы в том случае, когда в отражающие пленки входит многослойный диэлектрик, и показал, что в видимом спектре [c.319]

При замене металтических деталей металлизированными тает массовыми деталями уменьшаются масса и себестоимость приборов и изделий поэтому металлизация пластмасс широко применяется в радиоэлектронике автомобилестроении в производстве телефонных аппаратов деталей велосипедов и т п В некоторых случаях медь химическим способом наносят на многослойную поверхность состоя щую из чередующихся слоев металла и диэлектрика Иногда меднит сложные поверхности металл — полупроводник — диэлек [c.73]

Для фильтрации, изменения фазовых и амплитудно-частотных характеристик микроволновых сигналов в устройствах на М. в. применяют пермодич. решётки в виде металлизиров. полосок, протравленных канавок, ионно-имплантированных структур, на к-рых М. в. отражаются в соответствии с условиями брэгговсково отражения. Для тех же целей применяют многослойные планарные структуры (феррит — диэлектрик — металл, феррит — диэлектрик — феррит и др.), изменяющие АЧХ М. в. в зависимости от типа структуры и толщины составляющих слоёв. [c.8]

Подобный механизм реализуется и в многослойных тонкоплёночных системах, где светящаяся плёнка толщиной ок. 1 мкм изолирована от обкладок конденсатора ещё более тонкими слоями диэлектрика. Особенностью таких систем является возможность создания в слое люминофора очень высокой напряжённости электрич. поля ( 10 В/м), благодаря чему удаётся получить по неск. квантов света от каждого прошедшего сквозь слой электрона. Др. особенность— возможность получения бистабильного режима, в к-ром стационарная яркость свечения зависит от того, достигнута ли данная амплитуда напряжения путём его повышения или понижения. [c.537]

Эпитшхией называется процесс ориентированного нарастания кристаллического слоя на ориентированной кристаллической пластине — подложке. Полученные в результате эпитаксиального процесса слои полупроводника, находящиеся на подложке из полупроводника или диэлектрика, называют эпитаксиальной структурой. По числу слоев полупроводника такие структуры могут быть одно- и многослойными. [c.379]

Основу большинства современных интегральных схем и дискретных приборов составляют многослойные полупроводниковые композиции (р-п, гомо- и гетеропереходные структуры, гетероструктуры типа полупроводник—диэлектрики т. д.), формируемые в процессах диффузионного легирования или ионной имплантации, а также эпитаксиального наращивания и термического окисления. Далеко не всегда используемые технологические процессы обеспечивают получение высококачественных приборных композиций, отвечающих требованиям современных производств, гарантирующих не только достижение необходимых рабочих ха- [c.74]

При создании структур кремния на диэлектрике путем прямого соединения пластин рассмотренные выше проблемы дефектообразования решаются существенно проше, чем в случае многослойных композиций с / - -переходами для приборов силовой электроники. Обусловлено это, как минимум, двумя причинами. Слой двуокиси кремния обладает свойствами вязкого течения, поэтому релаксация упругих напряжений в таких гетерокомпозициях, как правило, не приводит к пластической деформации и генерации дислокаций в рабочем кремниевом слое. Кроме того, за счет диффузии кислорода из соединяемых кремниевых пластин в окисный слой в процессе высокотемпературного отжига, вблизи границ раздела в пластинах возникают достаточно протяженные, обедненные кислородом области, что исключает возможность образования в них кислородсодержащих преципитатов, обусловленных распадом пересыщенного твердого раствора кислорода. [c.82]

Вполне реальными для широкого практического освоения в ближайшем будуш ем являются процессы получения высококачественных моно-кристаллических слоев кремния, арсенида галлия и других полупроводниковых материалов на изолирующих (в том числе некристаллических) подложках большой площади, а также процессы эпитаксиального выращивания многослойных гетерокомпозиций типа металл—диэлектрик-полупроводник. В последнем случае, помимо традиционных эпитаксиальных технологий, целесообразно использовать интенсивно разрабатываемые в последние годы процессы создания скрытых проводящих и диэлектрических слоев, путем высокодозовой ионной имплантации ( ионного синтеза ) и последующего термического отжига. Успешная реализация последних требует детального исследования закономерностей дефектообразования и механизма протекающих процессов на различных этапах ионного синтеза и последующей твердотельной эпитаксии. Пока такого рода исследования проводятся в основном в применении к кремнию. На очереди другие важнейшие полупроводниковые материалы. [c.86]

В последние годы были разработаны несколько физико-математических моделей зарядовой деградации МДП-структур в условиях туннельной инжекции. Эти модели описьшают процессы накопления заряда в диэлектрике на основе механизмов захвата носителей, учитывающих новые данные о распределении электронов по энергии в диэлектрических пленках в сильных электрических полях, и позволяют проводить сравнение зарядовой стабильности МДП-структур с различной толщиной двуокиси кремния (в том числе и многослойных), учитывать влияние изменений характеристик центров захвата, локальных электрических полей. Применение таких моделей позволяет оптимизировать параметры МДП-систем применительно к конкретным структурам МДП-ИС и БИС в рамках действующих типовых технологических процессов, а также совершенствовать технологии получения диэлектрических слоев с целью повышения устойчивости схем к токополевым, электронным и ионизационным воздействиям. [c.136]

Можно получить поляризованный свет при отражении от пленки золота. Как видно пз рис. 3.48, происходит тройное отражение, при этом не наблюдается отклонения поляризованного луча. Степень поляризации при трехкратном отражении составляет 95%, пропусканпе поляризатора—15% [196]. Отраженный и прошедший луч оказываются поляризованными при прохождении через многослойные покрытия, например, Аи А1 Аи [197] или диэлектрик — металл — диэлектрик [198]. [c.181]

Узкополосные интерференционные фильтры (УИФ). Оптические устройства, выделяющие узкие области спектра, служат для монохроматизации излучения. Они работают на принципе многолучевой интерференции. УИФ представляет собой две плоскопараллельные пластины диаметром 40—50 мм, между которыми расположен слой диэлектрика, имеющий толщину, сравнимую с длиной волны. Внутренние поверхности пластин имеют высокоотражающие покрытия из металла или диэлектрика. На рис. 3.7.10, а, б показано устройство и конструкция простейшего УИФ. Принцип получения высокоотражающих диэлектрических зеркал описан выше. Современный УИФ представляет собой устройство, состоящее из нескольких многослойных диэлектрических прослоек, заключенных также между [c.196]

Многослойные диэлектрические узкополосные интерференционные фильтры (ДУИФ) обладают значительно более высоким пропусканием, чем металлодиэлектрические фильтры и могут дать более узкую полосу пропускания, приближаясь по этой характеристике к монохроматорам. ДУИФ состоит из двух многослойных зеркал, разделенных одним слоем диэлектрика. [c.201]

Как уже отмечалось, наряду с интерференционными фильтрами, состоящими из металлических и диэлектрических слоев, большое распространение получили фильтры, имеющие только диэлектрические слои, — диэлектрические узкополосные интерференционные фильтры (ДУИФ). Эти фильтры обладают значительно более высоким пропусканием, чем металлодиэлектрические фильтры, и могут дать более узкую полосу пропускания, приближаясь по этой характеристике к монохроматорам. Одиночный ДУИФ содержит два многослойных зеркала, разделенных одним слоем диэлектрика. Зеркала представляют собой двухкомпонентную систему, состоящую из непоглощающих слоев диэлектриков с высоким и низким показателями преломления. Эти слои чередуются попеременно. [c.119]

В качестве простейшего примера неоднородной среды рассмотрим многослойную область (мультислой) с кусочно-постоянным (ступенчатым) законом изменения показателя преломления. В разд. 3.2 мы уже обсуждали обобщение метода геометрической оптики на неоднородный диэлектрик с непрерывным профилем показателя преломления сущностью этого анализа была основанная на свойствах функщ1й Эйри возможность сшивки асимптотических решений. При наличии у показателя преломления разрывов непрерывности можно также применить этот метод, учитывая, однако, некоторые небольшие изменения в выражениях для коэффициентов отражения и пропускания. Если же в задаче возникает большое число разрывов функции л (г), то описание многократного отражения проходящей через среду волны становится очень сложным. Для этого требуется систематическое изучение зависимости коэффициентов отражения и пропускания от числа разрывов, их характера и относительных положений разрывов непрерывности л (г). [c.170]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...