Каналирование

Рис. 8.14. Движение положительно заряженных частиц в режиме каналирования.

Кристаллические плоскости также обладают свойством отражать частицы, налетающие на них под достаточно малыми углами. Поэтому наряду с осевым каналированием можно говорить и о плоскостном каналировании-. При этом.углы и е ан Для плоскостей в несколько раз меньше соответствующих углов для цепочек. [c.461]

В режим каналирования могут захватываться также и электроны. При этом монокристаллический канал играет роль ондулятора, [c.462]

Столкновения в основном происходят с большими значениями прицельных параметров, при которых частицы рассеиваются на малые углы. Иногда, например при каналировании, взаимодействие частиц с веществом носит исключительно характер таких скользящих столкновений. Для этих случаев выражение для угла рассеяния Gj частицы может быть упрощено и записано в виде [c.30]

У некоторых материалов после облучения на кривых растяжения сразу по достижении верхнего предела текучести наблюдается падение напряжения и пластическое течение с отрицательным коэффициентом упрочнения. При этом деформация начинается в местах локальной концентрации напряжений с образованием шейки. Снижение или перемену знака коэффициента деформационного упрочнения у облученных материалов в последнее время объясняют эффектом каналирования дислокаций [7], т. е. тем, что лидирующие дислокации уничтожают препятствия в действующей плоскости скольжения и таким образом облегчают движение следующих дислокаций в этих плоскостях (рис. И). Образование дислокационных каналов и уничтожение радиационных дефектов дислокациями при скольжении наблюдалось непосредственно в колонне высоковольтного электронного микроскопа в облученных электронами до 3,8-101 — 4,6-10 1 см фольгах высокочистого никеля [81. [c.58]

Причиной дисбаланса вакансии и межузельных атомов в таких обедненных зонах является проявление процессов фокусирования и каналирования выбитых атомов из узлов решетки. [c.64]

Природа явления насыщения радиационного упрочнения еще не выяснена. Возможными причинами дозового насыщения предела текучести могут быть следующие перекрытие полей напряжений, создаваемых радиационными дефектами, по достижении определенной плотности дефектов создание вокруг объемных дефектов свободных от точечных дефектов зон, размер которых входит в уравнение (3.7) каналирование дислокаций и сметание ими препятствий на пути следования образование при больших дозах облучения упорядоченной пространственной решетки дефектов. [c.73]

В модели деформационного упрочнения зависящий от степени деформации коэффициент р представляет собой меру деформационной устойчивости материала. Поскольку в результате проявления при деформации облученных крупнозернистых образцов эффект дислокационного каналирования [14] стремится к нулю, то и значение К становится малым, что наблюдается экспериментально для облученных до значительных интегральных доз крупнозернистых металлов. [c.76]

Такого рода исследования с по.мощью РЭМ возможны благодаря эффекту каналирования электронов. [c.70]

А по глубине и 1 мкм по поверхности. Набор картин каналирования электронов, полученных при наклоне кристалла во всех возможных направлениях относительно зонда, может быть объединен в карту каналирования. Сравнивая экспериментально полученные картины каналирования с атласом карт, рассчитанных [c.70]

На рис. 3.8, а в качестве примера приведено изображение в режиме каналирования электронов скола поликристаллического молибдена. [c.71]

В поле зрения три зерна с различной интенсивностью освещенности, обусловленной тем, что в каждом зерне существует собственная картина каналирования, присущая кристаллографической ориентировке зерна. На рис. 3.8, б приведена картина каналирования от одного из зерен. [c.71]

Электронный парамагнитный резонанс (ЭПР) параметры линий 179 понятие 179 применение 181 структура линий 179 Электроны вторичные 62 каналирование 70, 71 Оже 62, 70 отраженные 62 эффективная масса 294 Электрохимическая коррозия био 249 [c.351]

В последние годы проявляется все больший интерес к явлениям, так или иначе связанным с существенным влиянием периодичности в расположении атомов на характер движения быстрых заряженных частиц в монокристалле. Появляется все большее количество работ, в которых эффекты каналирования и теней [257-259] с успехом применяются Для исследований как в ядерной физике, так и физике твердого тела, в том числе в ряде ее прикладных областей. Представляло интерес использование этих методов для контроля начальной стадии деформирования приповерхностных слоев кристалла, что и будет изложено ниже. [c.42]

Эксперименты по изучению начальной стадии деформации и образования градиентного слоя на Si методом каналирования протонов проводились в МГУ, а также в УПИ им. С.М. Кирова. Бездислокационные образцы Si р-типа с р = 14 Ом - см деформировались при ё = 1,5 10 с", 900°С. При этом величины степеней деформации специально выбирали с учетом ранее выявленных закономерностей кинетики формирования градиентного слоя (см. табл. 1) е =0 0,01%<е 0,18%—е кр 0,32% > е кр-Часть образцов после деформирования была отобрана для металлографических и послойных электронно-микроскопических исследований, другая часть - для исследований методом каналирования. [c.44]

В монокристалле под малыми углами к его оси, испытывают отражение от встречающихся на их пути цепочек атомов, выстроенных вдоль этой оси (рис. 8.14), В этом случае говорят, что частицы движутся в режиме каналирования. Вследствие отражения от цепочек атомов каналированные частицы удерживаются на больших расстояниях от атомов. Поэтому прохождение каналированных частиц характеризуется теми особенностями, о которых мы говорили в п. I. [c.460]

Угол 0кан падения частицы на цепочку, начиная с которого происходит захват частицы в режим каналирования, называется углом каналирования. Оценки показывают, что угол каналирования примерно в полтора раза меньше угла тени [c.461]

Режим каналирования может поддерживаться длительное время ТОЛЬКО в идеальных монокристаллах, у которых атомы закреплены в узлах цепочек. В реальных же монокристаллах каналированные частицы могут рассеиваться на углы, превышающие угол каналирования, и выбывать из режима каналирования, например, в результате столкновений с атомами, внедренными в пространство между цепочками. Поэтому число каналированных частиц сильно уменьшается с увеличением глубины их проникновения в монокристалл. [c.462]

Длительность существования пика смещения, согласно оценкам Зейтца и Келлера [32], составляет порядка 100 периодов атомных колебаний (около 10 с). В начальный момент времени пик смещения можно представить в виде вакансионной зоны, окруженной облаком смещенных атомов. По поводу окончательной конфигурации пика смещения в а-уране, образуемом осколком деления или высокоэнергетичным первично выбитым атомом решетки, нет единого мнения. На основе общих представлений о развитии каскада столкновений в твердых телах в условиях облучения атомными частицами (см., например, [4, 251) можно предполагать, что полное число смещенных атомов и их пространственное распределение должны зависеть от фокусировки, каналирования и локальной перестройки атомов. [c.200]

Влияние структуры решетки на каскад столкновений может заключаться также в том, что первично смещенные атомы будут распространяться в решетке внутри каналов, образуемых плотно-упакованными рядами атомов. Удержание частицы в канале обусловлено скользящими столкновениями с этими рядами атомов. Такой эффект носит название каналирования, и его роль в создании радиационного повреждения аналогична явлению фокусировки столкновений. Во-первых, при скользящих столкновениях канали-рованной частицы с атомами решетки последние не получают достаточной энергии для образования устойчивого смещения и, таким образом, каналированные атомы уносят часть энергии каскада без образования новых дефектов. Во-вторых, благодаря эффекту каналирования остановка атома в канале может происходить на значительном удалении от исходного положения атома в решетке. [c.201]

Итак, рассмотрение процессов фокусировки, каналирования и последующей рекомбинации образующихся дефектов позволяет в принципе учесть дополнительное влияние таких фактов, как кристаллическая структура и эффект локального разогрева решетки на развитие пика смещения, и, значит, более корректно, по сравнению с моделью аморфной среды, представить качественную картину радиационного повреждения а-урана осколками деления. В качестве общего замечания отметим, что число образующихся пар Френкеля будет меньше, чем по модели Кинчина — Пиза, и [c.202]

Различный подход к вопросу о причинах, контролирующих процесс укрупнения дислокационных петель в сс-уране при облучении осколками деления, обусловливает принципиальную разницу в микроскопических моделях радиационного роста а-урана, предложенных соответственно Бакли и Летертром. Если модель роста Бакли допускает возможность установления стационарного состояния, характеризующегося постоянством коэффициента радиационного роста, в момент достижения максимальной плотности дислокационных петель, то из модели Летертра следует, что стационарное состояние радиационного роста, по-видимому, никогда не достигается. С увеличением дозы облучения коэффициент радиационного роста а-урана должен стремиться к некоторой асимптотической величине, не зависящей от температуры облучения, которая ниже температурной границы начала заметной самодиффузии (300— 400° С). Последнее обстоятельство прямо связано с предложением о зарождении дислокационных петель в пиках смещения и последующим изменением их размеров при взаимодействии с новыми пиками. Влияние температуры облучения может быть существен ным лишь для начальной стадии радиационного роста за счет ухудшения при увеличении тепловых колебаний решетки условий фокусировки столкновений и каналирования. В результате уменьшения степени пространственного разделения точечных дефектов различного знака, а также увеличения их подвижности возрастает вероятность взаимной аннигиляции дефектов в зоне пика смещения, что может привести к уменьшению начального коэффициента радиационного роста, обусловленного зарождением дислокационных петель [c.207]

Если кинетич. энергия частицы велика, то она способна выбить атомы кристалла из равновесных положений, сообщая им значит, энергию и превращая их в движущиеся дефекты. Они, в свою очередь, создают вторичные смещения атомов и смещения более высоких порядков, в результате чего возникает каскад точечных дефектов. Однако существуют такие направления, параллельные атомным рядам и атомным плоскостям ( каналы ), вдоль к-рых быстрые заряж. частицы с длиной волны де Бройля, значительно меньшей а, диижут-сн, практически не вызывая смещения атомов. Явление каналирования частиц различно для частиц раз-HOi O знака зарядов (электронов и позитронов и т. п.). [c.620]

При И. п. в монокристаллы распределение внедрённых частиц по глубине может видоиз-Л1еияться из-за каналирования заряженных частиц. Изменяя в процессе И. и. энергию ионов, можно нолучпть распределение внедренной примеси но глубине желаемой формы. [c.198]

Удержание каналированных частиц вдали от оси -цепочки приводит и к др. фио. явлениям. Так, при [c.235]

Природные О,— кристаллы. Усреднённое впутри-кристаллич. электрич. поле является фодсусирующим для заряж. частицы (см. Каналирование заряженных частиц) И в то же время — периодич. ф-цией расстояния, отсчитываемого вдоль прямой, пересекающей кристаллографии. плоскости. Поэтому, если угол и координата вхождения частицы в кристалл таковы, что она пересекает кристаллография, плоскости, то кристалл подобен О. 1-го типа. Длина периода траектории частицы в этом случае определяется межплоскостным расстоянием и углом между вектором ср. скорости частицы и кристаллография, плоскостями. Если же иач. условия таковы, что частицы попадают в режим плоскостного или осевого каналирования, то кристалл подобен О. 2-го типа. [c.406]

Обычно длина периода траектории частицы в ондуляторе Л/д 1 см, т. к, она должна быть больше его апертуры, определяемой поперечными размерами пучка (й1 мм). Более жёсткое излучение (с энергией кван-тов йсощанс— ) при меньшей эффективности генерации испускается в ондуляторах с 1 см. Такими ондуляторами могут служить, напр., эл.-магн. волны (обратный Комптона эффект) и кристаллы. Кристаллы устанавливаются на краю рабочей области синхротронов, на выходе линейных ускорителей электронов, а также в элегстронных каналах протонных синхротронов. Поляризов. пучки фотонов, испускаемые электронами в поле поляризованной эл.-магн. волны или в кристалле (когерентное тормозное излучение, каналированное излучение), используются в ядерной физике и физике высоких энергий. [c.408]

При торможении электронов в монокристаллах Р. п. могут зависеть от направления движения электрона относительно кристаллографии, осей. При определ. условиях имеют место когерентное тормозное излучение и излучение каналированных частиц. Энергетич. спектр тормозных фотонов при этом отличен от спектра, возникающего при торможевии электронов в аморфном веществе (5]. [c.207]

Существенной особенностью УКВ является отсутствие регулярного зеркального отражения от ионосферы. Исключением является загоризонтное распространение радиоволн (метровых волн), происходящее в осн. за счет рассеяния их на ионизованных метеорных следах (см, также Метеорная радиосвязь), а также при наличии спорадических , слоев, способных иногда отражать радиоволны вплоть до частот 50—60 МГц. При этом возможно многоскачковое распространение радиоволн в волноводе Земля—ионосфера с предельной дальностью скачка 2000 км (см. Волноводное распространение радиоволн). Значит, влияние на распространение УКВ оказывает тропосфера Земли. Для тропо-с( йры характерны следующие механизмы загоризонтного распространения УКВ нормальная (стандартная) рефракция лучей, рассеяние на турбулентных флуктуациях показателя преломления, каналирование энергии в тропосферном волноводе, отражение от приподнятых инверсных слоев (см. Распространение радиоволи). Учёт рефракций при радиосвязи на УКВ приводит к увеличению предельной дальности в случае нормальной рефракш1и [c.218]

Эффект каналирования основан на аномальной адсорбции электронов при определенных углах наклона электронного зонда к кристаллографическим плоскостям. При этом элехгтроны проникают глубоко в кристалл, проходя между рядами атомов (вдоль каналов ) выход вторичных электронов снижается и образуются темные линии. Используя различные углы наклона электронного зонда к поверхности образца, можно получить картины каналирования (псевдо-Кикучи линии) — сетку темных линий, пересекающих светлый фон в различных направлениях. Локальность метода состав.дяет [c.70]

Рис. 3.8. Скол поликристаллического молибдена а — в режиме каналировавия электронов. Х35 б — картина каналирования от одного из зерен (Е. А. Войтехова)

ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРНЫХ ЗАКОНОМЕРНОСТЕЙ ПОВЕРХНОСТНОЙ МИКРОПЛЛСТИЧНОСТИ МЕТОДОМ КАНАЛИРОВАНИЯ И ОБРАТНОГО РАССЕЯНИЯ ПРОТОНОВ [c.42]

Наблюдаемые при прохождении быстрых заряженных частиц через монокристаллическую мишень эффекты каналирования и теней удалось, в основных чертах, количественно описать с помощью модели Линдхарда [c.42]

Рис. 23. Траектории каналированных частиц в зависимости от угла влета в кристалл в = 0°(а), в < < бкр(б), в = 0j p(e), в > в р(г) и рассеяние частиц иа дефектах (д)

Сущность эффекта каналирования иллюстрируется на ркс. 23. 8 случае, когда положительно заряженные частицы падают на кристалл под углом, меньшим некоторой критической величины по отношению к направлению атомного ряда (кристаллографической оси), реализуется режим их движения в твердом теле, называемый осевым каналированием. Несколько траекторий частиц, возможных в режиме каналирования, изображены на рис. 23. Аналогичное явление возникает и при движении частиц, входящих в кристалл под малым углом по отношению к атомной плоскости (плоскостное каналирование). В обоих случаях хорошо каналированные частицы (рис. 23, а, б) движутся вдали от атомных ядер, образующих стенки канала. Поэтому все процессы, требующие малых прицельных параметров в столкновении с атомами (рассеяние на большой угол, ядерные реакции, ионизация внутренних оболочек атомов и др.), для таких частиц будут подавлены. Если увеличивать начальный угол влета частиц по отношению к кристаллографической оси (в > в кр), то условия каналирования нару- [c.43]

Полученные данные позволяют сделать вывод о перспективности применения метода каналирования для изучения дефектной поверхности монокристаллов и, в частности, для изучения особенностей ранних стадий пластической деформагщи обширного класса материалов, обладающих значительной релаксационной способностью, которая не позволяет производить разрезку образцов для приготовления тонких срезов и фолы при послойных структурных исследованиях. [c.46]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...