Каналирование ионов

Иоффе-Регеля-Мотта критерий 75 Истощенный слой 23-27,51 Каналирование ионов 128, 129 Капиллярная конденсация 229 Катализ кислотно-основной 263 [c.280]

При формировании многокомпонентных покрытий анализ значительно усложняется, так как коэффициенты распыления отдельных компонент не отличаются высокой точностью даже для термодинамически равновесных фаз. В условиях формирования метастабильных структур ионно-плазменных покрытий можно ожидать аномально высоких коэффициентов распыления в тех случаях, когда это соответствует смещению структуры покрытия к термодинамически равновесной. Анизотропия коэффициента распыления и глубины проникновения ионов в кристаллические материалы приводит к преимущественному росту зерен с ориентацией, благоприятной для каналирования и имеющих минимальный коэффициент распыления. Разница в значениях выхода распыления может достигать сотен процентов [147]. Таким образом, открывается возможность формирования текстурированных покрытий с развитой анизотропией свойств. Дополнительный пучок ионов играет роль стержней, на которые без разрушения могут насаживаться лишь плоскости со вполне определенной ориентацией. [c.147]

Чтобы компенсировать ограниченность глубины проникновения ионов при имплантации и получать глубокие распределения примесей, необходимые в ряде приложений, предлагалось использовать эффект каналирования. Для этого требуется широкий параллельный пучок ионов (чего можно добиться или механическим перемещением подложки или с помощью электростатического двухкоординатного сканирующего устройства отклонением). Однако кристалл должен быть ориентирован с точностью, составляющей 0,1°, что трудно достижимо на практике. [c.112]

ЦИИ энергии пучка) замедляет формирование дефектов решетки вследствие одновременного отжига, но и ослабляет эффект каналирования из-за возрастания интенсивности колебаний решетки. Если кристалл покрыт аморфным слоем (например, окислом или нитридом), то ионы испытывают рассеяние, зависящее от их скорости. [c.113]

Многие экспериментальные исследования показывают, что простое описание профилей имплантации, приведенное в предыдущем параграфе, неадекватно для большинства примесных ионов в кремнии и других полупроводниках. Считалось, что это несоответствие может быть обусловлено эффектом каналирования вследствие кристаллической структуры обычных полупроводников. Однако было обнаружено, что профили многих ионов асимметричны также и в аморфных мишенях и, следовательно, для построения распределений пробегов необходимо использовать моменты более высоких порядков. [c.116]

При И. п. в монокристаллы распределение внедрённых частиц по глубине может видоиз-Л1еияться из-за каналирования заряженных частиц. Изменяя в процессе И. и. энергию ионов, можно нолучпть распределение внедренной примеси но глубине желаемой формы. [c.198]

Для описания каналирования с помощью дифракционных явлений были сделаны различные попытки. Наблюдение аномального прохождения в направлениях плоскостей решетки напоминает эффект Боррмана. Но некоторые размышления показывают, что двухволновая динамическая теория, используемая обычно при обсуждении эффекта Боррмана даже для электронов, здесь совершенно непригодна. Для протонов длина волны составляет приблизительно 1/40 длины электронной волны с той же энергией. В то же время сила упругого взаимодействия с веществом, определяемая величиной <т = jt/A , будет приблизительно в 40 раз больше, и степень неупругого рассеяния относительно еще больше. Следовательно, в случае дифракции протонов толщина кристалла, в которой имеет место когерентная дифракция, составит десятки ангстрем, число одновременных отражений будет очень велико и сфера Эвальда будет почт плоской. При этих обстоятельствах приближение фазовой решетк с учетом поглощения должно быть достаточно точным, чтобы его применили к любому возможному наблюдению при дифракции протонов или более тяжелых ионов. [c.329]

Рассеяние ионов на поверхности. Эти методы исследования морфологии и структуры поверхности почерпнуты из ядерной физики и основываются на двух известных физических явлениях ре-зерфордовском обратном рассеянии (POP) заряженных частиц на куло-новском потенциале атомных ядер и их каналировании. [c.128]

Линдхардом был вычислен угол захвата иона в канал [4.24]. Если энергия иона равна Е, то для критического угла каналирования справедливо выражение [c.111]

Критический угол каналирования атомов фосфора с энергией 450 кэВ, использовавшейся в эксперименте, равен 4°. Можно видеть, что углы, много меньшие критического, оказывают заметное влияние на профиль. Пробег при каналировании (наиболее вероятный пробег) приблизительно втрое больше, чем проективный пробег При более низких энергиях (большее ядерное торможение) различие этих пробегов может быть гораздо большим. Например, для фосфора с энергией 40 кэВ эти величины различаются приблизительно на порядок. Поскольку существует также и межплоскостное каналирование, то важную роль играет и вращение подложки (рис. 4.5). При этом, как и ранее, ионы фосфора с энергией 450 кэВ имплантировались в подложку, повернутую на 7°. Оси поворота показаны стрелками. [c.112]

Кроме того, эффект каналирования зависит не только от ориентации, но также от дозы и температуры имплантации. Ионная имплантация в качестве побочного эффекта вызывает повреждения кристаллической решетки, которые ослабляют эффект каналирования и полностью подавляют его при появлении аморфизированного слоя. Высокотемпературная имплантация (обусловленная внешним нагревом образца или разогревом из-за диссипа- [c.112]

Обратное резерфордовское рассеяние (ОРР) является почти неразрушающим методом определения элементного состава образца по глубине, а также средством оценки степени совершенства кристалла (при использовании каналирования). Эксперименты вьшолняются путем бомбардировки образца легкими ионами (обычно Не" ) с энергиями порядка нескольких мегаэлектровольт. Все обратно отраженные ионы анализируются по энергиям с целью определения вида атома, ответственного за рассеяние, а также расстояния под поверхность, на котором атом локализован. Энергию обратно рассеянных частиц можно найти из соотношения [c.188]

ИОННОЕ ВНЕДРЕНИЕ (ионное легирование, ионная имплантация), введение посторонних атомов внутрь тв. тела бомбардировкой его поверхности ионами. Ср. глубина проникновения ионов в мишень тем больше, чем больше энергия ионов (ионы с энергиями 5 и 10—100 кэВ проникают на глубину 0,01—1 мкм). При бомбардировке монокристаллов глубина проникновения ч-ц вдоль определ. кристаллографич. осей может быть во много раз больше, чем в др. направлениях каналирование частиц). При интенсивной бомбардировке И. в. препятствует катодное распыление мишени, а также диффузия внедрённых ионов к поверхности и их выделение с поверхности ионноионная эмиссия). Существует максимально возможная концентрация внедрённых ионов, к-рая зависит от хим. природы иона и мишени, а также от темп-ры мишени. И. в. позволяет вводить в полупроводниковые материалы точно дозированные кол-ва почти любых хим. элементов. ИОННО-ЗВУКОВЫЕ КОЛЕБАНИЯ, низкочастотные акустические продольные волны, распространяющиеся в плаз.че с независящей от частоты ско- [c.231]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...