Электроны каналирование

В режим каналирования могут захватываться также и электроны. При этом монокристаллический канал играет роль ондулятора, [c.462]

У некоторых материалов после облучения на кривых растяжения сразу по достижении верхнего предела текучести наблюдается падение напряжения и пластическое течение с отрицательным коэффициентом упрочнения. При этом деформация начинается в местах локальной концентрации напряжений с образованием шейки. Снижение или перемену знака коэффициента деформационного упрочнения у облученных материалов в последнее время объясняют эффектом каналирования дислокаций [7], т. е. тем, что лидирующие дислокации уничтожают препятствия в действующей плоскости скольжения и таким образом облегчают движение следующих дислокаций в этих плоскостях (рис. И). Образование дислокационных каналов и уничтожение радиационных дефектов дислокациями при скольжении наблюдалось непосредственно в колонне высоковольтного электронного микроскопа в облученных электронами до 3,8-101 — 4,6-10 1 см фольгах высокочистого никеля [81. [c.58]

Такого рода исследования с по.мощью РЭМ возможны благодаря эффекту каналирования электронов. [c.70]

А по глубине и 1 мкм по поверхности. Набор картин каналирования электронов, полученных при наклоне кристалла во всех возможных направлениях относительно зонда, может быть объединен в карту каналирования. Сравнивая экспериментально полученные картины каналирования с атласом карт, рассчитанных [c.70]

На рис. 3.8, а в качестве примера приведено изображение в режиме каналирования электронов скола поликристаллического молибдена. [c.71]

Электронный парамагнитный резонанс (ЭПР) параметры линий 179 понятие 179 применение 181 структура линий 179 Электроны вторичные 62 каналирование 70, 71 Оже 62, 70 отраженные 62 эффективная масса 294 Электрохимическая коррозия био 249 [c.351]

Эксперименты по изучению начальной стадии деформации и образования градиентного слоя на Si методом каналирования протонов проводились в МГУ, а также в УПИ им. С.М. Кирова. Бездислокационные образцы Si р-типа с р = 14 Ом - см деформировались при ё = 1,5 10 с", 900°С. При этом величины степеней деформации специально выбирали с учетом ранее выявленных закономерностей кинетики формирования градиентного слоя (см. табл. 1) е =0 0,01%<е 0,18%—е кр 0,32% > е кр-Часть образцов после деформирования была отобрана для металлографических и послойных электронно-микроскопических исследований, другая часть - для исследований методом каналирования. [c.44]

Интерпретация этих небольших максимумов с помощью модели каналирования частиц следующая электроны проходят вдоль путей, ограниченных потенциальными ямами вокруг рядов и плоскостей атомов, осциллируя около минимума потенциала. [c.330]

Аналогичные наблюдения были сделаны в отношении каналирования быстрых заряженных частиц. В этом случае вторичными излучениями могут быть рентгеновские или 7-лучи, или частицы, полученные в ядерных реакциях. Эти реакции в сильной степени определяются типом ядер, и интенсивность излучения зависит от четко определенных положений внутренних электронных оболочек или ядер. [c.332]

Если кинетич. энергия частицы велика, то она способна выбить атомы кристалла из равновесных положений, сообщая им значит, энергию и превращая их в движущиеся дефекты. Они, в свою очередь, создают вторичные смещения атомов и смещения более высоких порядков, в результате чего возникает каскад точечных дефектов. Однако существуют такие направления, параллельные атомным рядам и атомным плоскостям ( каналы ), вдоль к-рых быстрые заряж. частицы с длиной волны де Бройля, значительно меньшей а, диижут-сн, практически не вызывая смещения атомов. Явление каналирования частиц различно для частиц раз-HOi O знака зарядов (электронов и позитронов и т. п.). [c.620]

Обычно длина периода траектории частицы в ондуляторе Л/д 1 см, т. к, она должна быть больше его апертуры, определяемой поперечными размерами пучка (й1 мм). Более жёсткое излучение (с энергией кван-тов йсощанс— ) при меньшей эффективности генерации испускается в ондуляторах с 1 см. Такими ондуляторами могут служить, напр., эл.-магн. волны (обратный Комптона эффект) и кристаллы. Кристаллы устанавливаются на краю рабочей области синхротронов, на выходе линейных ускорителей электронов, а также в элегстронных каналах протонных синхротронов. Поляризов. пучки фотонов, испускаемые электронами в поле поляризованной эл.-магн. волны или в кристалле (когерентное тормозное излучение, каналированное излучение), используются в ядерной физике и физике высоких энергий. [c.408]

При торможении электронов в монокристаллах Р. п. могут зависеть от направления движения электрона относительно кристаллографии, осей. При определ. условиях имеют место когерентное тормозное излучение и излучение каналированных частиц. Энергетич. спектр тормозных фотонов при этом отличен от спектра, возникающего при торможевии электронов в аморфном веществе (5]. [c.207]

Эффект каналирования основан на аномальной адсорбции электронов при определенных углах наклона электронного зонда к кристаллографическим плоскостям. При этом элехгтроны проникают глубоко в кристалл, проходя между рядами атомов (вдоль каналов ) выход вторичных электронов снижается и образуются темные линии. Используя различные углы наклона электронного зонда к поверхности образца, можно получить картины каналирования (псевдо-Кикучи линии) — сетку темных линий, пересекающих светлый фон в различных направлениях. Локальность метода состав.дяет [c.70]

Рис. 3.8. Скол поликристаллического молибдена а — в режиме каналировавия электронов. Х35 б — картина каналирования от одного из зерен (Е. А. Войтехова)

В общем случае для очень высоких напряжений число одновременных отражений настолько велико, что рассмотрение с помощью блоховских волн невыгодно, а расчет интенсивностей оказывается очень трудоемким. Приближение фазового объекта корректно для предельного случая бесконечного напряжения, но в мегавольтной области все еще ограничено очень тонкими кристаллами. Берри [201 и Берри и Маунт [211, исходя из приближения фазового объекта, разрабатывают эту идею дальше, что позволяет установить связь с полуклассической теорией каналирования (гл. 14). Теорию рассеяния можно сформулировать на основе того, что падающие электроны проходят почти параллельно плоскостям или рядам атомов, и, рассматривая движение только в направлениях, перпендикулярных данному пучку, можно проследить осцилляцию или спиральный путь электронов в потенциальных полях этих плоскостей или атомных рядов. При этом можно рассмотреть различные квантованные, прочно или слабо связанные орбитали электронов и проследить эффекты поглощения на каждой из них [2441. [c.311]

Из первых наблюдений было очевидно сходство картин каналирования, полученных для быстрых заряженных частиц, с картинами кикучи-линий для электронов со временем была показана аналогия с целым рядом эффектов К-линий, которые обсуждались нами в этой главе. Например, картины каналирования, наблюдаемые на флуоресцентном экране при прохождении почти параллельного пучка протонов через тонкий монокристалл, в сильной степени напо- [c.328]

Для описания каналирования с помощью дифракционных явлений были сделаны различные попытки. Наблюдение аномального прохождения в направлениях плоскостей решетки напоминает эффект Боррмана. Но некоторые размышления показывают, что двухволновая динамическая теория, используемая обычно при обсуждении эффекта Боррмана даже для электронов, здесь совершенно непригодна. Для протонов длина волны составляет приблизительно 1/40 длины электронной волны с той же энергией. В то же время сила упругого взаимодействия с веществом, определяемая величиной <т = jt/A , будет приблизительно в 40 раз больше, и степень неупругого рассеяния относительно еще больше. Следовательно, в случае дифракции протонов толщина кристалла, в которой имеет место когерентная дифракция, составит десятки ангстрем, число одновременных отражений будет очень велико и сфера Эвальда будет почт плоской. При этих обстоятельствах приближение фазовой решетк с учетом поглощения должно быть достаточно точным, чтобы его применили к любому возможному наблюдению при дифракции протонов или более тяжелых ионов. [c.329]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...