Электронная температура, определение

Описанным выше методом определялась электронная температура в работе [48], где исследовался прямолинейный пинч. Параметры применявшейся установки напряжение на конденсаторах 40 кв, емкость 36 мкф, индуктивность 5-10 гн, давление водорода 0,05 тор. Электронные температуры, определенные по различным линиям примесных ионов, отличаются больше чем в два раза, что само по себе доказывает ненадежность применения метода в этих условиях. По-видимому, он. применим только в тех случаях, когда электронные температуры, определенные по линиям различных элементов и ионов различной кратности, близки. [c.357]

Электронная температура, определение 352—362 --, — по относительным интенсивностям линий 354—362 [c.431]

По формуле (6) при прямых возбуждениях интенсивность резонансной линии пропорциональна концентрации электронов и зависит от электронной температуры Т . В газоразрядной плазме в положительном столбе при возрастании плотности разрядного тока i обычно происходит возрастание Л/ и спад Т . При этом концентрация электронов растет либо линейно с разрядным током, либо несколько быстрее. Спад же электронной температуры происходит медленно, так что в определенном интервале плотностей разрядного тока можно приближенно считать ее постоянной. Тогда интенсивность линии должна расти линейно с концентрацией электронов [c.441]

Давление, необходимое для расчета электронной концентрации, определяли с помощью уравнения состояния газа, считая известными массу сжимаемого газа (без учета протечки между поршнем и стволом), температуру (определенную описанным выше методам) и объем газа, который определялся по методике, описанной ниже. [c.202]

Во-вторых, с помощью зависимости (3.41) можно объяснить, почему в устойчивом тлеющем разряде напряжение, приложенное к разряду, практически не зависит от тока / (см. рис. 3.19) [11]. Если рассмотреть некоторый разряд с данными значениями радиуса трубки и давления газа, то в соответствии с (3.41) мы будем иметь определенную электронную температуру. При этом из выражения (3,38) видно, что электрическое поле будет также фиксировано и не будет зависеть от тока разряда. Предыдущее рассуждение с небольшим изменением позволяет также объяснить, почему напряжение на рис. 3.19, приложенное к разряду, слегка уменьшается с ростом тока. Выражение (3.40) следовало бы модифицировать, чтобы включить в него еще и скорость ионизации с верхних возбужденных состояний [c.151]

Определение электронной температуры плазмы [c.352]

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕМПЕРАТУРЫ ПЛАЗМЫ 353 [c.353]

В области низких частот (в видимой и особенно в инфракрасной областях) кх кТе и йЕ1(1 практически не зависит от электронной температуры. Когда же сравнимо с кТе, такая зависимость имеет место и формула (9.2) может быть использована для определения электронной температуры (см. график и расчеты в работе [37]). [c.353]

В книге Грима [1] подробно рассмотрен ряд примеров применения метода относительных интенсивностей для определения электронной температуры. В частности, приводится расчетная кривая для отношения интенсивностей линий О V и О VI, пользуясь которой можно определять температуры от 10 до 40 эв (рис. 9.10). [c.360]

Определение параметров в струях аргона и воздуха с температурами торможения То < К производилось на основании обработки экспериментальных данных, полученных при измерении давления торможения зондами полного напора и статического давления — коническими зондами. В показания зондов полного давления вводилась поправка, учитывающая влияние разреженности (табл. 2) соответствующая поправка на разреженность вводилась и на показания конических зондов [12]. Исследования концентрации электронов и электронной температуры производилось зондами Ленгмюра, применимость которых при наличии дрейфовой скорости в области изменения 0,5 оо 3 мм была обоснована в работах [15, 16]. Зонд Ленгмюра выполнен из вольфрамовой проволоки =0,2 мм, заключенной в чехол из кварца толщина изоляции вблизи рабочего торца составила 0,02 мм. Зонд работал в режиме обтекания, близком к свободномолекулярному (Кп> ) [c.257]

У электронных соединений определенное соотношение атомов и новая, отличная от элементов кристаллическая решетка — это признаки, характерные для химического соединения. Однако в соединении нет упорядоченного расположения атомов. При высоких температурах атомы обоих элементов часто не занимают определенных узлов в решетке, т. е. рас- [c.64]

У электронных соединений определенное соотношение атомов и новая, отличная от элементов, кристаллическая решетка — это признаки, характерные для химического соединения. Однако в соединении нет упорядоченного расположения атомов. При высоких температурах атомы обоих элементов часто не занимают определенных узлов в решетке, т. е. располагаются статистически. При понижении температуры до определенного значения происходит упорядочение, которое обычно не бывает полным. [c.68]

Химическое соединение характеризуется определенным соотношением чисел атомов элементов (стехиометрической пропорцией) и кристаллической решеткой с упорядоченным расположением атомов компонентов, отличной от решетки составляющих компонентов, а также определенной температурой плавления (диссоциацией) и неравномерным изменением свойств в зависимости от изменения состава (сингулярностью). При химическом соединении металлов в узлах решетки находятся положительно заряженные ионы, удерживаемые электронным газом . Металлическая связь не является жесткой и в зависимости от условий концентрация компонентов может не соответствовать стехиометрическому соотношению. Так, соединение РеСг может существовать при концентрации Сг от 20 до 60%. [c.32]

С другой стороны, адсорбционная теория опирается на тот факт, что большинство металлов, подчиняющихся определению 1, являются переходными металлами в периодической системе (т. е. они имеют электронные вакансии или неспаренные электроны в d-оболочках атома). Наличие неспаренных электронов объясняет образование сильных связей с компонентами среды, особенно с Оа, который также содержит неспаренные электроны (что приводит к появлению парамагнетизма) и образует ковалентные связи в дополнение к ионным. Кроме того, переходные металлы имеют высокую температуру возгонки по сравнению с непереходными, что благоприятствует адсорбции компонентов окружающей среды, так как атомы металла стремятся остаться в кристаллической решетке, а образование оксида требует выхода из нее. Образование химических связей при адсорбции кислорода переходными металлами требует большой энергии, поэтому такие пленки называются хемосорбционными, в отличие от низкоэнергетических пленок, называемых физически адсорбированными. На поверхности непереходных металлов (например, меди и цинка) оксиды образуются очень быстро и любые промежуточные хемосорбционные пленки являются короткоживущими. На переходных металлах хемосорбированный кислород термодинамически более стабилен, чем оксид металла [22]. Многослойная адсорбция кислорода, характеризующаяся ослаблением связей с металлом, приводит с течением времени к образованию оксидов. Но подобные оксиды менее существенны при объяснении пассивности, чем хемосорбционные пленки, которые продолжают образовываться в порах оксида. [c.81]

Так как энтропия безразмерна, из этих определений следует, что термодинамическая температура имеет размерность энергии, и ее можно измерять в эргах, джоулях, электрон-вольтах или кельвинах. Эта последняя единица — кельвин — была придумана в свое время специально для измерения температуры и чаще всего используется для этой цели. О способах измерения температуры и ее единицах мы поговорим подробнее в 6. [c.75]

Действительно, уменьшение излучательной способности будет не беспредельно и, достигнув определенной величины, вновь начнет возрастать. Об этом свидетельствуют многие экспериментальные данные по степени черноты, полученные в зависимости от температуры для ряда тугоплавких соединений. Объяснение такого рода дает классическая электродинамика, рассматривающая излучение как результат взаимодействия электромагнитной волны с веществом. Если сообщить металлу и диэлектрику одинаковое количество тепловой энергии, то в металле энергия расходуется на возбуждение электронов и, следовательно, ведет к росту интенсивности излучения в диэлектрике часть энергии идет на изменение величины дипольного момента, т. е. наблюдается относительное уменьшение излучательной способности. Такой [c.66]

Здесь А — число электронов проводимости в единичном объеме металла Гр — температура вырождения электронного газа. По определению, [c.331]

Для различных металлов скорости хаотического теплового дви- eHHH электронов (при определенной температуре) примерно одинаковы. Незначительно различаются такл<е и концентрации свободных электронов Ло (например, для меди и никеля это различие меньше [c.191]

Одни авторы [2] связывают появление тетрагональности с особенностями зонной структуры переходных металлов и возможностью образования дырок среди коллективизированных электронов. Зонная модель ферро- и антиферромагнетизма предполагает, что в фермиевском газе свободных электронов в определенных условиях устанавливается обменное взаимодействие, способствующее самопроизвольному намагничиванию. В Зс1-металлах нахождение одной дырки на жу-орбитали приводит к формированию связывающей dxy-зоны, а образующиеся две дырки попадают на dyz и с гж-орбитали, что ведет к кооперативному искажению ГЦК-решетки до тетрагональной симметрии. Одновременно возникает двухподрешеточная структура и появляется антиферромагнитная корреляция. В первом случае, с/а>1 и наблюдается антиферромагнитное взаимодействие в плоскостях (001) во втором случае, ja< и— взаимодействие между плоскостями (001).Спо-нижением температуры испытания и уменьшением содержания железа роль дырочной проводимости увеличивается [30]. Зонная модель со спонтанным моментом коллективизированных электронов наиболее полно объясняет магнитные свойства Зд-металлов с высокой степенью перекрытия недостроенных оболочек (хром, марганец). Однако эта модель не объясняет разделения магнитных и кристаллографических превращений, а также существования анти- ферромагнитного порядка только в ГЦК-кристаллах [2]. [c.77]

Разумно предположить, что критическая температура, определенная из электронно-микроскопических данных, соответствует критической температуре, найденной Бауэрли и Кёлером измерением электросопротивления. По-видимому, не вызывает сомнения то, что упрочнение в образцах, состаренных после высокотемпературной закалки, происходит в результате образования тетраэдрических дефектов упаковки. Однако следует отметить, что хотя увеличение предела текучести происходит в результате образования тетраэдров, влияние закалки на другие механические свойства, возможно, обусловлено другими дефектами структуры, а именно порогами на дислокациях, образующимися в результате адсорбции вакансий. Практически упрочнение в закаленных образцах не наблюдалось и, следовательно, можно заключить, что диспергированные моновакансии и очень малые скопления, состоящие всего из нескольких вакансий, не вызывают увеличения предела текучести. К такому же выводу пришли и другие исследователи при изучении меди [4, 5, 19]. [c.205]

Метод поглощения излучения. На установке Сцилла [9, 40, 41] для определения электронной температуры был применен следующий прием излучение проходило через различные поглощающие пленки Ве, полиэтилен, А1 и N1. Коэффициенты поглощения этих пленок были известны. Поэтому можно было рассчитать при различных электронных температурах зависимость энергии, прошедшей через пленку, от толщины пленки. [c.354]

Метод относительных интенсивностей спектральных линий. Третий метод определения электронной температуры, который применим в вакуумной области спектра, основан на теоретических расчетах иптенсивпостй спектральных линий [1, 48—58]. Отношение интенсивностей двух линий можно рассчитать, сделав предположения о состоянии плазмы и о процессах возбуждения спектральных линий. [c.354]

ДЛЯ относительных величин и в пределах 50% для абсолютных. Возможность применения описанного выше метода основана на существовании надежного метода определения электронной температуры и на совершенствовании техники проведения энергетических измерений в вакуумном ультраф,иолете. [c.362]

Контуры линий испускания атомов и ионов используются для определения концентрации электронов и колцентрации атомов. При больших концентрациях электронов для определения А с удобно использовать только линии, расположенные в вакуумной области спектра, так как в длинноволной части спектра линии обычно слабо выделяются над континуумом. Исследование контуров спектральных линий позволяет также цзмерить температуру атомов и ионов (см., например, [56, 67]). [c.362]

При небольшом, порядка 5—10 мол.%, количестве щелочных окислов в стекле обнаружить максимумы на кривых внутреннего трения становится затруднительным. Вероятно, это вызывается теМт что щелочные ионы в стекле распределяются неравномерно, т. е. в стекле образуются небольшие по размерам области, обогащенные ионами щелочных элементов. Наличие таких областей в натриево- и литиевосиликатных стеклах, содержащих окислы щелочных элементов в количестве менее 15—20 мол.%, доказано с помощью метода электронной микроскопии, определения рассеяния рентгеновских лучей под малыми углами, рассеяния световых лучей, электропроводности и диэлектрических потерь. Распределение этих неоднородных областей в стекле и их объем зависят от состава стекол, а также от условий их тепловой обработки, т, е, от температуры и длительности прогрева. [c.119]

Количественная теория структуры фронта ударной волны в плазме основана на гидродинамических уравнениях, которые отличаются от обычных тем, что уравнения энергии записываются отдельно для электронного и ионного газов с учетом обмена кроме того, в уравнение электронной энергии добавляется член электронной теплопроводности. На рис. 4, заимствованном из работы В. Д. Шафранова (1957), приведены результаты расчета, сделанного им для сильной ударной волны в водородной плазме показаны распределения плотности, электронной и ионной температур в волне. Электронная температура непрерывна на скачке уплотнения, так как по определению поток тепла электронов пропорционален йТе1( х и, следовательно, разрыв в температуре сделал бы. поток бесконечным. [c.219]

Кроссуайт [53] определил вероятности переходов для атомных линий железа, полученных добавлением карбонила железа в пламя. По-види мому, подобный метод можно было бы применить для определения температуры и пламени раскаленных газов. Шулер [46, 54] показал, что для определения электронной температуры можно использовать относительные интенсивности Ог и ОН в спектрах испускания. Этот способ не очень чувствителен он показывает лишь, что испускание Ог в газах пла-.мени не связано с какими-либо хемилюминесцентными явлениями. [c.354]

При определении начальной ширины релаксационной области наиболее важной величиной-является так как степень ионизации в этой области мала. Если Р1 вычислена правильно, то начальная ширина будет зависеть от электронной температуры. Согласно теории Ландау [14], скорость, с которой электронная температура приближается к ионной температуре, приблизите.т1ьно пропорцио- [c.487]

Другой крайний случай,— это когда поверхность непрозрачного экрана, на которую падает излучение, черная (например, черный картон или предметное стекло микроскопа, покрытое слоем аквадака). Здесь электроны также находятся под действием падающего излучения. Электроны испытывают активную силу сопротивления со стороны среды и всегда имеют предельную скорость ). Излучение электронов в прямом направлении сдвинуто по фазе на 180° относительно падающего излучения, и поэтому суперпозиция в этом направлении дает нуль (после того как излучение проникнет в некоторую толщу экрана). Скорость электрона всегда в фазе с полньш электрическим полем в месте расположения электрона, и электрическое поле совершает над электроном вполне определенную работу. Эта работа переходит в тепло, и температура среды (экрана) повышается. Отраженной волны не возникает суперпозиция вкладов от отдельных слоев экрана в обратном направлении дает нуль. [c.429]

Для прекращения подачи дополнительного воздуха в реактор на аварийных по температуре режимах, а также на принудительном холостом ходу во избежание возникновения хлопков в нейтрализаторе применяется система контроля и автоматического управления. Она включает в себя датчик температуры (термопару), установленный в реакторе, электронный блок управления, трехходовой электромагнитный клапан и клапан отсечки воздуха. Электронный блок подает управляющий сигнал на трехходовой клапан при достижении определенного порога температур (около 850 °С). Клапан срабатывает также от максимального разрежения во впускном трубопроводе двигателя при его работе на принудительном холостом ходу. В обоих случаях он, воздействуя на клапан отсечки воздуха, предотвращает подачу воздуха в нейтрализатор. Такая система применяется с любым типом воздухоподающих стройств — нагнетателем, эжектором или пульсарами. [c.68]

Обычно кристаллофосфор имеет не один, а несколько уровней ловушек они находятся на разных расстояниях от дна зоны проводимости. По мере нагревания кристалла сначала будут освобождаться электроны из ловушек вблизи дна зоны проводимости, а затем уже из более глубоко расположенных ловушек . В результате интенсивность люминесцентного свечения будет изменяться по мере увеличения температуры кристалло()юсфора. На кривой термовысвечивания, отражающей зависимость интенсивности люминесценции от температуры, обнаруживается ряд максимумов, каждый из которых соответствует определенной группе ловушек . [c.195]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...