Электронная температура, определение по поглощению излучения

Метод поглощения излучения. На установке Сцилла [9, 40, 41] для определения электронной температуры был применен следующий прием излучение проходило через различные поглощающие пленки Ве, полиэтилен, А1 и N1. Коэффициенты поглощения этих пленок были известны. Поэтому можно было рассчитать при различных электронных температурах зависимость энергии, прошедшей через пленку, от толщины пленки. [c.354]

Из вышеизложенного видно, что в принципе для серой среды, для любого расположения поверхностей, непосредственным интегрированием можно найти величины обобщенных угловых коэффициентов и степеней черноты для произвольных объемов. Для этого достаточно задать коэффициенты поглощения и. При несерой среде величины степеней черноты объемов можно определять по зависимости суммарного излучения среды от длины пути луча, приводимой для углекислого газа и водяного пара на рис. 43 и 44. Величины обобщенных угловых коэффициентов при равновесном излучении среды и поверхностей можно определять по этим же данным, по равенству (4-155), учитывая, что при этом поглощательные способности среды равны ее степеням черноты. Если температуры среды и поверхности не равны, то при определении поглощательных способностей газовой среды можно пользоваться формулой (3-75). Однако практически решение таких задач из-за сложности вычислений встречает большие трудности. В последнее время в результате применения электронных счетных машин возможности таких расчетов значительно расширились. Во многих случаях при определении оптико-геометрических характеристик довольствуются приближенными методами, ориентируясь при этом на точные подсчеты, сделанные применительно к простейшим геометрическим формам. Ниже рассмотрены три способа определения степеней черноты. [c.185]

КН), а химически сенсибилизированные микрокристаллы со щелочногалоидными кристаллами, содержащими Ji-центры. Глазер [45] нашел, что эти A -центры создают дополнительное поглощение в кристаллах бромистого калия, содержащих /-центры. Он обнаружил, что образование /-центров излучением, поглощаемым /-центрами или длинноволновой частью собственной полосы поглощения щелочногалоидного кристалла, не связано с измеримым перемещением электричества. Это указывает на то, что электроны должны перемещаться только на весьма короткие (молекулярные) отрезки, подобные тем, которые, согласно постулированному выше, существуют между /-центрами и ионами серебра в несенсибилизированных эмульсиях. С другой стороны, образование /-центров в щелочногалоидных кристаллах, содержащих. Х -центры, связано с фотоэлектрическим током измеримой величины, что указывает на значительное перемещение электронов в этом случае. Ничего определенного пока еще нельзя сказать относительно природы этих JI-ueHTpoB в щелочногалоидных кристаллах. На их существование указывает также появление флуоресценции. Независимо от того, состоят ли центры светочувствительности, созданные сернистым серебром, из пустот, подобных пустотам в несенсибилизированных микрокристаллах, но только более крупных и редких, или же из агрегатов атомов серебра, кажется весьма достоверным, что они образуют глубокие электронные ловушки. В отличие от мелких ловушек в несенсибилизированных эмульсиях, большая часть электронов, освобожденных из ионов брома, падает в эти ловушки и лишь изредка рекомбинирует с исходными атомами брома. С другой стороны, вследствие ограниченного числа этих ловушек ионы серебра должны переместиться на довольно большие расстояния для того, чтобы их достигнуть однако если ловушка уже достигнута, то эти ионы удерживаются прочно и отклонение от взаимозаместимости при низких освещенностях должно быть слабым. Понижение температуры уменьшает подвижность ионов серебра на их довольно продолжительном пути к заряженному центру светочувствительности и тем самым препятствует достижению этого центра до его распада. [c.319]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...