Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Спонтанная эмиссия

При разогреве в пост, электрич. поле Е зависимость т( ) определяется характером рассеяния. При умеренных значениях Е рассеяние обусловлено вынужденным взаимодействием с акустич. фононами (г в сильных—спонтанной эмиссией фононов ) (см. Горячие электроны). Такие же зависимости наблюдаются и от амплитуды высокочастотного поля в условиях Ц. р. Т. к. W /jEo, то в умеренном и 5й)<,оо в сильном высокочастотных полях.  [c.432]

При использовании в приемном устройстве квантового усилителя, устанавливаемого перед фотодетектором, уровень полезного сигнала повышается. Однако в системе увеличиваются шумы за счет собственных шумов усилителя, одним из источников которых является его спонтанная эмиссия. Повышение уровня полезного сигнала и появление дополнительных шумов в приемном устройстве должны учитываться при расчете вероятности обнаружения. Для решения этой задачи необходимо знать статистику распределения фотонов на выходе квантового усилителя и статистику распределения фотоэлектронов следующего за ним фотодетектора при известной статистике распределения фотонов на входе приемной системы.  [c.89]


Спектр оператора столкновений 204, 206—211, 217, 225—230, 233, 324, 343, 344, 348, 353, 354, 364, 366— 372, 375 Спонтанная эмиссия 451 Спутник 125, 293, 299 Среднее время свободного пробега 262, 281, 283, 372 Средние значения 13, 17, 18, 35, 53, 69  [c.491]

Ф и г. 26. Распределение но частотам при спонтанной эмиссии.  [c.273]

Только что использованные условия являются условиями спонтанной эмиссии, которые по другому поводу уже рассматривались в пп. 3.111 и 3.112. Мы теперь проведем сравнение с некоторыми полученными там результатами. Во-первых, можно в дополнение к уравнению (3.11-5) привести формулу для полуширины излучаемого распределения фотонов  [c.282]

Р — скорость накачки с уровня О через уровень накачки на уровень 1. Члены, содержащие Вю, характеризуют переходы в результате вынужденной эмиссии и поглощения, а член с v Q ответствен за потери в резонаторе. Последние члены в правых частях этих уравнений соответственно возникают в результате спонтанной эмиссии в уравнении для числа фотонов множитель т (при  [c.299]

При резонансном возбуждении атомной системы нестационарное поведение может вызываться инерционностью самой атОмной системы и дисперсионными свойствами среды. Последние создают между импульсами с различной центральной частотой эффекты, обусловленные временем пролета, а также приводят к разбега-нию импульса. (Мы не останавливаемся здесь на процессах установления колебаний в резонаторах и на временном процессе формирования вынужденных волн из спонтанной эмиссии см. по этому поводу разд. 3.15 и 3.16.)  [c.402]

Это явление называют индуцированной эмиссией в отличие от так называемой спонтанной эмиссии при флуоресценции. Поток фотонов, параллельных оси кристалла, отражаясь последовательно от его граней, непрерывно нарастает до тех пор, пока интенсивность его не станет достаточной, чтобы он смог пройти через полупрозрачную торцовую грань.  [c.634]

В работе [20] изучался эффект, обратный поглощению, — спонтанное излучение. Дырочный газ разогревался электрическим полем, что приводило к заселению высокоэнергетических состояний. Оптические переходы из них в нижние подзоны сопровождались излучением квантов света. Интенсивность спонтанной эмиссии излучения частоты со определяется тем же матричным элементом оператора скорости, что и коэффициент поглощения (3.2)  [c.71]

Рис. 5.5. Спектр излучения усиленной спонтанной эмиссии (УСЭ) лазера на красителе, генерирующего на длине волны 723,47 нм, совпадающей с центром линии поглощения Н2О, узкую линию излучения с шириной 2 пм. Рис. 5.5. Спектр <a href="/info/550351">излучения усиленной спонтанной</a> эмиссии (УСЭ) лазера на красителе, генерирующего на <a href="/info/12500">длине волны</a> 723,47 нм, совпадающей с <a href="/info/180109">центром линии</a> поглощения Н2О, узкую линию излучения с шириной 2 пм.

Усиление в активной среде (Спонтанная эмиссия =  [c.30]

Такой шум называется шумом спонтанной эмиссии или спонтанным. Поскольку пропорциональна Л 1—N2, величина 2, как и ожидалось, всегда положительна и пропорциональна N2.  [c.88]

Здесь первое слагаемое обусловлено шумом источника, а второе — шумом спонтанной эмиссии активной среды.  [c.149]

Метод матрицы плотности в дальнейшем усиленно развивался, в особенности при изучении ядерной магнитной релаксации [5—10]. Мы ограничимся рассмотрением разбавленных систем, в которых энергия взаимодействия между частицами значительно меньше расстояний между энергетическими уровнями, а также гораздо меньше разностей между этими расстояниями для одной частицы. Случай эквидистантных уровней рассматриваться не будет. Эти предположения обычно выполняются в оптической области спектра, а иногда и в СВЧ области для разбавленных парамагнитных материалов. Широта области, в которой гамильтониан случайных взаимодействий имеет постоянную спектральную плотность, обычно превышает ширину линий отдельных переходов. Эти переходы связаны с излучательными и безызлучательны-ми процессами, при которых происходит поглощение или излучение фотонов и (или) фононов. Взаимодействие со случайными (тепловыми) полями излучения и колебаниями решетки включает эффект спонтанной эмиссии. Если воспользоваться терминологией теории магнитной релаксации, то рассматриваемый случай относится к модели быстрого движения в изотропной среде . В этом случае влияние гамильтониана случайных взаимодействий на движение матрицы плотности описывается феноменологическими параметрами затухания.  [c.384]

Спонтанное излучение, схематически изображенное на рис. 8.2, сопровождается случайным переходом электрона на более низкий энергетический уровень. СИД работает на спонтанной эмиссии. При вынужденном излучении фотоны стимулируют или вынуждают электроны изменять свои энергетические состояния. Работа лазера основана на принципе вынужденной эмиссии.  [c.99]

Рис. 5.17. Кривая деформации S-e " (а) спонтанное изменение плотности дислокаций рц, см (б) плотности материала рм, электросопротивления Rom (г) относительного показателя акустической эмиссии (АЭ) N/Np (д) [36,40] Рис. 5.17. <a href="/info/140396">Кривая деформации</a> S-e " (а) спонтанное изменение <a href="/info/14105">плотности дислокаций</a> рц, см (б) <a href="/info/32358">плотности материала</a> рм, электросопротивления Rom (г) <a href="/info/207374">относительного показателя</a> акустической эмиссии (АЭ) N/Np (д) [36,40]
При спонтанном делении наблюдается самопроизвольный развал ядра иа осколки (обычно 2) и некоторое количество свободных нейтронов. Кинетическая энергия осколков составляет около 150 Мэе. Процесс деления сопровождается эмиссией нескольких у-квантов. Усредненное по достаточно большому количеству распадов, число нейтронов, появляющихся в результате деления ядра, называют средним числом нейтронов на акт деления V.  [c.930]

В истории науки второй закон термодинамики сыграл выдающуюся роль, далеко выходящую за рамки явлении, для объяснения сущности которых он был предназначен. Достаточно упомянуть работы Больцмана в области кинетической теории, разработку Плавком квантовой теории и Эйнщтейном теории спонтанной эмиссии в основе всех этих достижений лежит второй закон термодинамики.  [c.123]

При использовании в качестве входного каскада оптического приемного устройства квантового усилителя заметным источником шумов является спонтанная эмиссия. Такого же рода шумы наблюдаются при использовании в качестве приемного устройств а бломбергеновского квантового счетчика. Оба этих источника шумов характеризуются статистическим распределением Бозе—Эйнштейна. Наконец, следуег указать еще на один вид шумов, являющийся типичным в оптическом диапазоне, — квантовые шумы иа-лучения, появляющиеся лишь в присутствии излучения (в сущности, для излучения одномодового ОКГ с пуассоновским распределением фотонов квантовые шумы пропорциональны дисперсии этого распределения) вопросы оценки квантовых флуктуаций оптических полей и нахождения статистических распределений рассмотрены в приложении 2.  [c.52]


Пусть в такой комбинированной приемной системе (квантовый усилитель + фотодетектор) а — скорость стимулированной эмиссии (отношение среднего числа стихмулированно возникающих фотонов к среднему чис йу поступающих фотонов) Ь — скорость поглощения (отношение среднего числа поглощенных фотонов к среднему ч-ислу поступающих фотонов) с — скорость спонтанной эмиссии (среднее число спонтанно возникающих фотонов в единицу времени).  [c.90]

На рис. 3.56 кривые соответствуют реальному лазеру, т. е. Sr= 0, и естественная спонтанная эмиссия добавляется к когерентному излучению. При сравнении кривых по отношению сигнал/шум видно, что частота ошибок на рис. 3.56 снижается при одинаковых значениях s. Это объясняется тем, что составляющая естественной спонтанной радиации также модулируется вместе с когерентной составляющей. Из кривых также видно, что вероятность ошибки сильно зависит от абсолютного уровня сигнала и от отношения сигнал/шум, что исключено для случая классического обнаружения (например, при обнаружении синусоидального колебания в гауссовских шумах). В классических системах (не квантовых) вероятность ошибки зависит только от отношения сигнал/шум. При большом абсолютном уровне сигнала согласно физическому прин-128  [c.128]

Когда длительность импульсов излучения накачки менее 100 пс, возможно возникновение модуляционной неустойчивости при действии других механизмов, при этом отпадает необходимость в спонтанной эмиссии или в сигнальном излучении. Одним из таких механизмов является ФСМ. Если уширение спектра за счет ФСМ приближается к П акс, то спектральные компоненты в окрестности начинают действовать в качестве сигнального излучения, усиливаясь за счет модуляционной неустойчивости. Можно оценить длину световода. на которой ширина спектра приближается к Пмакс, используя  [c.109]

Вт. В экспериментах по усилению фемтосекундных импульсов лазеров на красителе после шести проходов достигнута энергия ЮмкДж (коэффициент усиления Ю ) при частоте повторения 6,5 кГц и уровне спонтанной эмиссии, не превышающем 5 % [70].  [c.269]

Низкая эффективность лазерного охлаждения может быть обусловлена малой отстройкой в длинноволновую области линии поглощения, так, для Них = 1 эВ отношение 0/2ттщ = 2 10 Я Если уменьшить частоту накачки, то при высокой эффективности спонтанной эмиссии можно ожидать увеличения степени охлаждения. На рис. 2.13, б видно, к каким изменением привела замена частоты накачки — расчёты сделаны при тех же значениях параметров, что и на рис. 2.13, а, но частота падающего излучения Них = 0,3 эВ (это соответствует длине волны около 4 мкм). Кривые 1, 2 и 3 относятся к АТ = 0, 150 и 225 К, соответственно. Преимущество лазерных рефрижераторов обнаруживаются с ростом АТ, начиная от значения АТ = 60 К, при котором одноэлементный холодильник Пельтье уже практически не функционирует.  [c.117]

Как ВКР, так и ВРМБ с классической точки зрения могут быть представлены как трехволновое взаимодействие между падающей волной накачкой), сигнальной волной (стоксовой или мандельштам-бриллюэновской) и соответственно либо волной, связанной с колебательным возмущением молекул среды, либо звуковой волной [25]. В результате такого взаимодействия часть энергии, которая вначале содержится в волне накачки, постепенно преобразуется в сигнальную волну, распространяющуюся в случае ВКР в прямом и обратном направлениях, а в случае ВРМБ только в обратном направлении. В оптических линиях связи даже в отсутствие инжектируемого сигнального поля благодаря спонтанной эмиссии всегда существует слабый сигнал, который может быть значительно усилен за счет мощности волны накачки, несущей полезную информацию.  [c.622]

Представление о возможных значениях лазерных частот получается уже на основании относительно простого описания усиления света в схеме Фабри —Перо. Правда, для понимания ширины линий в отдельной моде требуется явный учет квантовых процессов, происходящих при выходе фотонов из лазерного генератора, при спонтанной эмиссии и при накачке. Отсюда следует, что для оценки реально достижимых наименьших ширин линий необходимо учитывать влияние применяемой сервоэлектроники.  [c.18]

Эта величина называется эквивалентной шумовой температурой флуктуаций спонтанной эмиссии активного материала. При /=1010 гц и 7 8 = 4°К кЦкТз=0, 2, так что преобладает первое условие.  [c.148]

Как следует из материала гл. 1, нас будет интересовать в основном стационарный отклик на возмущение периодическими электромагнитными полями. Однако все рассматриваемые нами системы подвержены неизбежным стохастическим возмущениям. Затухание, которое было введено в классические уравнения движения феноменологическим образом, обусловлено усредненным действием этих возмущений. Физическое происхождение этих случайных возмущений различно. Тепловое движение в жидкостях, колебания )ешетки в кристаллах, спонтанное излучение, безызлучательный распад при спонтанной эмиссии фононов, столкновения с электронами проводимости, ионные или молекулярные столкновения в газе — все эти процессы могут быть причиной возмущений. При полуклассическом подходе случайное возмущение Ж 1) —оператор, действующий только на рассматриваемую материальную систему. Изменения электромагнитных полей, колебания, движение частиц описываются классически стохастическим образом. Среднее значение Х[(1) > = О, т. е. все матричные элементы  [c.61]

Отметим два интересных свойства этих соотношений. Они показывают, что рождение одного фотона суммарной частоты соз сопровождается уничтожением одного инфракрасного фотона ( oi) и одного фотона с частотой накачки (сог). Поэтому напрашивается вывод, что генерация суммарной частоты, или кванта видимого излучения, невозможна в отсутствие пришедшего извне кванта инфракрасного излучения, т. е. не может быть спонтанной эмиссии в процессе преобразования частоты вверх. Люиселл [103] с помощью детального квантовомеханического анализа показал, что это утверждение справедливо. По контрасту с этим в параметрическом усилителе спонтанное излучение играет очень важную роль. Мы вернемся к обоим этим вопросам позднее.  [c.158]


Спонтанная эмиссия свободным электроном двух световых квантов, причём электрон переходит в состояние с отрицательной массой покоя ). Для расчёта последнего процесса используются высшие прибщжения тео-  [c.285]

Некогерентное излучение может создаваться спонтанной эмиссией активного вещества или выходным излучением источника подкачки. Излучения на частотах, удаленных от частоты генератора, могут быть ограничены прн использовании оптических фильтров. Многослойные узкополосные проходные нптерференционные фильтры имеют в лучшем случае ширину полосы по половинной мощности от 5 до 10 А. Следовательно, они будут пропускать спонтанное излучение на частотах, расположенных вблизи частоты генератора.  [c.204]

В приведенном анализе природы флуктуационных шумов не была отмечена еще одна сторона флуктуаций, связанных с тепловым движением электронов, играющая существенную роль в ограничении чувствительности измерений. Дело в том, что существует не только тепловое движение электронов в проводниках, замыкающих цепь, но и в теле фотокатода. В результате такого движения элежтроны будут спонтанно вырываться из катода, создавая дополнительный шум. Другими словами, кроме фототока в анодной цепи будет циркулировать ток, обусловленный термоэлектронной эмиссией. Этот ток обычно называют  [c.441]

ПРОТОННАЯ РАДИОАКТИВНОСТЬ — испускание протона при спонтанном распаде ядра. Возможные механизмы 1) эмиссия запаздывающих протонов (ЗП) возбуждёнными дочерними ядрами, образовавшимнся в результате бета-распада ядер (Р+ ) или электронного захвата (при этом энергия р+-распада больше энергии связи протона в дочернем ядре, рис. 1) 2) про-  [c.165]

Мин. энергия, требуемая для эмиссии электрона при фотоэлектрич. эффекте, при вторичной электров-ной эмиссии, когда эмиссия происходит не в результате спонтанного теплового возбуждения за счёт внутр. энергии тела, а под действием впеш. источника (света, быстрого электрона), в общем случае отличается от Р. в., к-рую поэтому для определённости называют термоэлектронной Р. в. В металлах и сильно легированных (вырожденных) полупроводниках, в к-рых верх, уровень заполненных электронами состояний совпадает с фотоэлектрич. Р. в. совпадает с термоэлектронной Р. в. Но в сравнительно чистых полупроводниках верхний заполненный уровень совпадает с краем валентной зоны, к-рый во мн. случаях ниже р, вследствие чего фотоэлектрич. Р. в. больше термоэлектронной Р. в.  [c.194]


Смотреть страницы где упоминается термин Спонтанная эмиссия : [c.451]    [c.465]    [c.276]    [c.286]    [c.290]    [c.298]    [c.303]    [c.304]    [c.306]    [c.356]    [c.146]    [c.87]    [c.150]    [c.150]    [c.227]    [c.284]    [c.301]   
Теория и приложения уравнения Больцмана (1978) -- [ c.451 ]



ПОИСК



По спонтанная

Эмиссия



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте