Накачки скорость

Накачки скорость 52, 53, 233 Носителей заряда инжекция 87 [c.363]

Здесь, для простоты, все входящие в эту систему уравнений переменные нормированы и имеют следующий смысл Е — амплитуда электрического поля, р — амплитуда поляризации активной среды, п — инверсия, П — параметр накачки. Скорость релаксации разности населённостей обозначена 7 , скорость релаксации поляризации — 7 . Параметр д характеризует добротность резонатора и связан с временем жизни фотона в резонаторе Тс соотношением д = 1/(2Гс). [c.154]

В результате процесса генерации изменяется не только число фотонов, но и числа заполнения возбужденных состояний атомов. Рассмотрим для простоты систему двухуровневых атомов и исследуем временные изменения чисел заполнения N и N . Число увеличивается за счет возбуждения электронов в результате накачки. Скорость переходов пропорциональна числу атомов в ос- [c.78]

Сущность получения лазерного луча заключается в следующем. За счет накачки внешней энергии (электрической, световой, тепловой, химической) атомы активного вещества излучателя переходят в возбужденное состояние. Через некоторый промежуток времени возбужденный атом может излучить полученную энергию в виде фотона и возвратиться в исходное состояние. Фотон представляет собой элементарную частицу, порцию света, обладающую нулевой массой покоя и движущуюся со скоростью, равной скорости света, в вакууме. Фотоны возникают (излучаются) в процессах перехода атомов, молекул, ионов и атомных ядер из возбужденных состояний в более стабильные состояния с меньшей энергией. При определенной степени возбуждения происходит лавинообразный переход возбужденных атомов активного вещества-излучателя в более стабильное состояние. Это создает когерентное, связанное с возбужде- [c.16]

Для расчета нестационарной генерации рубинового ОКГ надо составить диференциальные уравнения, которые определяют изменение во времени инверсной населенности АЫ и плотности излучения в резонаторе и. Решение этих уравнений, полученное на электронно-вычислительной машине, представлено на рис. 114. Генерация возникает, когда под действием излучения накачки достигается пороговое значение инверсной населенности АМ ор, при котором коэффициент усиления К равен коэффициенту потерь Кп- Однако плотность излучения и вначале невелика и скорость вынужденных переходов 1С верхнего уровня еще меньше, чем скорость его заселения под действием накачки. Поэтому в течение некоторого времени (-- 1 мкс) АЫ продолжает возрастать, несколько превышая ЛЛ/дор. Если пренебречь незначительным вкладом спонтанного излучения, то [c.297]

Рассматривая принцип действия лазера, было принято, что уровень 2 начальный, а уровень 1 конечный данного лазерного перехода. Создание состояния инверсной населенности в двухуровневой системе с помощью внешней накачки весьма затруднительно вследствие равенства В 2 = 21- Для получения инверсной населенности Н. Г. Басовым и А. М. Прохоровым была предложена трехуровневая система (рис. 33, а). При интенсивной накачке происходит поглощение, вызывающее переходы с основного уровня / на уровень 5, вследствие чего уменьшается населенность уровня I и возрастает населенность уровня 3. Спустя некоторое время, часть частиц возвращается на уровень /, а часть переходит на уровень 2. При этом скорость перехода частиц с уровня 3 на уровень 2 больше, чем с уровня 2 на уровень 1. В результате на уровне 2 происходит накопление [c.62]

При достаточном превышении порога мощность генерации определяется скоростью накачки на верхний рабочий уровень [c.49]

Колебания с частотами и oij, распространяясь в глубь кристалла в виде двух световых волн с волновыми векторами и к,, взаимодействуют с волной накачки. Если не принять спец, мер, то на расстоянии X оптимальные фазовые соотношения (2) изменятся вследствие дисперсии на величину Дф Ккх, где Дк — = кд — kj — ка — расстройка волновых векторов, что приводит к ухудшению параметрич. возбуждения или даже его исчезновению. Поэтому необходимым условием эфф. передачи энергии от волны накачки возбуждаемым волнам на всём пути их распространения является согласование их фазовых скоростей, ила волновых векторов, т. е. ДА = 0 [c.539]

В предельном случае бесконечно большой фазовой скорости волны накачки У = и/Ан ( н конечном [c.542]

Таким образом, инверсная заселенность в трехуровневой системе возможна лишь в том случае, если в возбужденном состоянии находится более половины всех активных частиц. Это условие налагает серьезные требования на скорость возбуждения, а следовательно, и мощность энергии накачки. [c.32]

Ограничение предельной мощности однолучевых трубчатых СОг-лазеров с диффузионным охлаждением обусловлено прежде всего тем, что предельная мощность накачки и объем рабочего тела при фиксированной длине зависят от радиуса трубки противоположным образом Va СО 7 , аохл со. Рост объема Va при этом полностью компенсируется уменьшением (/ >охл- Рост удельной мощности возможен лишь в том случае, если увеличение объема не будет сопровождаться падением скорости теплоотвода. Такая ситуация возможна в газоразрядном зазоре щелевой геометрии (рис. 4.7,6). В этом случае рабочий объем активной среды пропорционален L h, где h — ширина щели — ее длина в направлении, перпендикулярном оптической оси, а скорость теплоотвода oh . Поэтому мощность лазера xL /h и таким образом открывается возможность увеличения P/La с ростом Ьщ. [c.129]

Если Гтз = 0. то при облучении светом триплетный уровень не будет заселяться. Нетрудно проверить, что в этом случае первая круглая скобка в формуле (8.21) обращается в нуль и эта формула переходит в формулу (8.10) предыдущего пункта, т. е. коррелятор будет достигать со временем постоянной величины, как демонстрируют рис. 3.2 а, б. Скорость нарастания коррелятора на этих рисунках определяется интенсивностью накачки. [c.104]

Поскольку 70 -Ь й Г, а 70 - Л f , то временное поведение коррелятора можно легко предсказать. Коррелятор, равный нулю при t = О, с ростом времени будет нарастать, а потом начнет убывать, стремясь к постоянному значению. Такое поведение двухфотонного коррелятора можно видеть на рис. 3.4. Его нарастание определяется быстрым уменьшением члена с ехр[-(7о -Ь R)t] и практически не зависит от накачки к. Убывание коррелятора определяется медленным стремлением к нулю члена с ехр [-(7о - R)t]. Это убывание замедляется с уменьшением накачки к, что четко видно на рис. 3.4, где по оси абсцисс отложены порядки времен. Поэтому смещение спада в кривой коррелятора по оси абсцисс вправо (в сторону меньших времен) показывает уменьшение на порядки скорости распада. Постоянный уровень, к которому стремится коррелятор при больших временах, возрастает с уменьшением накачки. Этот факт легко понять, если учесть, что с уменьшением накачки уменьшается и заселение триплета, а следовательно, возрастает вероятность обнаружить молекулу в синглетном состоянии и, в частности, на уровне 1. Кривые на рис. 3.4 рассчитаны для случая точного резонанса, т. е. при Д = 0. В нерезонансном случае картина качественно сохраняется. [c.104]

Рассмотрим сначала зависимость глубины провала от времени выжигания. На рис. 5.5 представлен результат расчета по формуле (13.5). Четко видна зависимость скорости выжигания провала от интенсивности лазера. Поскольку 7о -Ь Д Г, а 7о - Д /с, то одна экспонента в формуле (13.5) спадает быстро, а другая — медленно. Более быстро спадающая экспонента не проявляет себя так как коэффициент при ней очень мал. Поэтому временное нарастание глубины провала определяется медленно спадающей экспонентой, т. е. скоростью накачки к. [c.174]

Поэтому увеличение разности AN— ДЛ пор приводит к быстрому росту и. Плотность излучения становится настолько большой, что скорость вынужденных переходов превышает скорость заселения верхнего уровня под действием акачки. В результате происходит быстрое уменьшение АМ. Когда AN падает ниже А Л пор, плотность излучения и начинает уменьшаться. Затем под действием накачки АМ снова возрастает и весь процесс повторяется. [c.297]

Для современных радарных установок, световой накачки лазеров и дальних систем связи требуются кратковременные, но мощные источники электроэнергии. Обычно ее запасают в громоздких конденсаторных батареях, весьма недолговечных. Американский изобретатель Роберт Брумфильд запатентовал компактную энергетическую установку, способную мгновенно генерировать всплеск электроэнергии мощностью 23 тысячи киловатт и продолжительностью 0,00006 секунды (патент США № 3317763). Установка представляет собой МГД-генера-тор. Источником рабочей плазмы ему служат небольшие заряды взрывчатки, покрытые слоем цезия — щелочного металла, способствующего ионизации. При нажатии кнопки срабатывает капсюль, раскаленные газы прорывают тонкую диафрагму и с первой космической скоростью — 8000 метров в секунду — проносятся мимо полюсов магнитов, отсасывающих возникающую электроэнергию. [c.121]

Двигаясь со скоростью и,, в возбуждёхшой среде на встречу импульсу накачки (рис. 2, б), короткий стоксов импульс перекачивает в себя зиачит. часть её энергии (фотоны накачки переходят при рассеянна в стоксовы фотоны). В результате мощность стоксова импульса может многократно превзойти иервонач. мощность накачки (рис. 2, в). [c.422]

После включения накачки, удовлетворяющей условию (5), генерируемая мощность начинает нарастать, но не беспредельно. Эл.-магн. поле в резонаторе может достичь такого значения, когда скорость индуцированных переходов будет превосходить скорость заселения уровня за счёт накачки. При этом ДЛ п козф. усиления с ростом интенсивности поля в резонаторе начинают уменьшаться н а с ы п( а т ь с я). Для мн. активных сред зависимость от интенсивности / лтожно описать ф-лой [c.547]

Оптический затвор) или нелинейных просветляющихся фильтров (см. Лазер, Светофильтр). МОДУЛЯЦИОННАЯ НЕУСТОЙЧИВОСТЬ — неустойчивость нелинейной волновой среды, возникающая вследствие резонанса биения на частоте 0) = й)ц (Й1, образованного волной накачки о>н и близкой по частоте модой волновой среды Ю], с несобственными волнами, распространяющимися со скоростями, близкими к, групповой скорости волны накачки. М. н.— разновидность параметрической неустойчивости, она определяет процесс коллапсирования волн в нелинейных волновых средах. в. Н. Ораевский. [c.183]

Среди нестационарных процессов вынужденного рассеяния Света особое место занимает комбинац. рассеяние (КР), к-рое широко используется для измерения спектроскопич. параметров среды. При КР падающее излучение частоты Шд преобразуется в излучение стоксовой частоты д за счёт возбуждения колебаний среды на частоте Q (Юд = Юд 4- 3). Нестационарное вынужденное КР может быть обусловлено как инерционностью, напр. молекулярных колебаний (конечными временами затухания колебат. энергии Тх и дефазиров-ки Т , см. Двухуровневая система), так и расстройкой групповых скоростей волн накачки Мд и стоксовой волны Цд. Эффекты, связанные с (в конденсир. средах ж с), могут наблюдаться в чистом ви- [c.339]

Здесь 8 — нелинейный параметр среды, р — амплитуда волн накачки, — сОя /с, Ыз = сй1 — сОг — частота излучаемой НЧ-волны и — частоты компопент волны накачки а — радиус ВЧ-пучка, определяемый размером излучателя волны накачки, р — плотность среды, с — скорость звука в ней, г — расстояние от излучателя волны накачки до точки наблюдения, > (0) — диаграмма направленности для НЧ-волны, описываемая выражением [c.536]

Модуляционная неустойчивость. Если одна и.т волн возбуждаемого дублета является низкочастотной, то при достаточных амплитудах волн накачки инкре.мент II. н. формально превышает НЧ, тогда возникает др. разновидность II. н.— модуляц. неустойчивость. Для неё лишь ВЧ близка к частоте собств. колебаний среды, а другая — к вынужденным колебаниям среды, к-рые распространяются с почти групповой скоростью волны накачки. При этом необходимо учитывать кроме собств, моды (Их, пару волн для волновых векторов к+ = к . Условие возникновения модуляц, II, н. [c.538]

Химические СО -л. Накачка СОг-л. может производиться непосредственно за счёт хим. энергии тех реакций, к-рые протекают с большой скоростью с высоким выходом колебательно возбуждённых молекул. Примером такой реакции является взаимодействие фтора с водородом или дейтерием. Фтористый дейтерий быстро обменивается энергией с антисимметричной модой Oj. При этом образуется инверсная насеиённость. На рис. 10 показана схема хим. СО2-Л. В камеру сгорания по отд. [c.445]

Следовательно взаимодействие с фононами и туннелонами приводит к тому, что частоту Раби надо сравнивать не со скоростью энергетической релаксации 1/Ti, а со скоростью дефазировки I/T2, которая на два порядка вьпие. На рис. 3.2 приведена зависимость полного двухфотонного коррелятора от времени при разных уровнях накачки. [c.100]

Зависимость двухфотонного коррелятора (8.10) от времени представлена на рис. 3.26, в, г штриховой линией. Хорошо видно, что если частота Раби много меньше скорости дефазировки I/T2, то точная формула (8.5) и приближенная формула (8.10) дают близкие результаты, причем чем меньше интенсивность накачки, тем ближе сравниваемые кривые. [c.101]

Детерминант этой системы имеет пять корней, и поэтому ее решение возможно только численными методами. Однако с помощью рис. 3.2 было показано, что при накачке, слабой относительно скорости оптической дефазировки, мы можем в уравнениях для недиагональных элементов положить ро1 = рю = 0. В этом случае уравнения Блоха переходят в балансные уравнения, которые решаются существенно проще, а их решения близки к точным. Поэтому, используя то же приближение, перейдем от [c.102]

Отдельные элементы этой функции имеют простой физический смысл. Например, стремление коррелятора к нулю при малых временах означает невозможность испускания одним атомом последовательно двух фотонов с очень малой задержкой. Это явление получило название антигруппировки фотонов (antibmi hing). Два значения ординаты этого графика, а именно pi и р2 описывают соответственно скорость счета пар фотонов в группе и скорость счета самих групп, представленных на рис. 3.5. Два же значения абсциссы и 2, соответствующие нарастанию и убыванию коррелятора, позволяют определить соответственно скорость Дх = 1 /ti заселения возбужденного синглетно-го уровня 1 при данном уровне накачки и скорость Да = 1/ 2 перехода молекулы из синглетной системы в триплетную. [c.108]

Нарастание ширины провала начинается с момента начала заселения три-плетного уровня и происходит до тех пор, пока не установится равновесие между числом молекул приходяпщх на триплетный уровень и уходяищх с него. При скорости накачки, заметно превышающей скорость ухода с три-плетного уровня, провал будет очень широким, так как оптическая полоса выжигается почти полностью. Это демонстрирует рис. 5.7 6. [c.175]

Смотреть страницы где упоминается термин Накачки скорость : [c.147] [c.7] [c.186] [c.26] [c.265] [c.326] [c.326] [c.362] [c.381] [c.422] [c.551] [c.317] [c.339] [c.537] [c.538] [c.618] [c.618] [c.52] [c.366] [c.664] [c.445] [c.34] [c.40]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...