Микроскопия темнопольная

Использование темнопольного освещения является чувствительным способом обнаружения мельчайших царапин на шлифе, а также получения видимой структуры с помощью высокотемпературного микроскопа. Оно применяется также при наблюдении частиц порошка. [c.177]

При изучении включений на металлографическом микроскопе используют светло- и темнопольное освещение, а также поляризованный свет. Определяют такие признаки включений, как форма, цвет, прозрачность, степень анизотропии, деформируемость, микротвердость, взаимодействие с определенными химическими реактивами и др. Сопоставляя данное включение с эталонами и используя классификационные таблицы, его идентифицируют. [c.34]

Темнопольная контрастная микроскопия [c.365]

Резкость и контрастность изображения. Резкость и контрастность изображения достигается сложной конструкцией объективов и окуляров, устраняющих частично или полностью оптические дефекты. Однако возможности микроскопа используются наилучшим образом, если исследователь правильно пользуется коллектором 2, полевой и апертурной диафрагмами. Кроме того, для увеличения оптического контраста многие микроскопы позволяют применять специальные методы исследования исследование при косом освещении , метод темнопольного освещения, наблюдение в поляризованном свете и др. [c.11]

Для темнопольного освещения линза 10 перемещается вправо, включается тем самым соседняя линза. На микроскопе линза 10 для светлого ноля обозначена буквой С, для темного поля — Т. [c.11]

В простейшем случае темнопольный конденсор может быть получен из обычного конденсора Аббе, центральная область которого закрыта непрозрачной диафрагмой. В этом случае, как показано на рис. 41, прозрачный препарат будет освещаться только косыми пучками света, которые не попадут в действующее отверстие микрообъектива и которые поэтому не будут освещать поле микроскопа. Без препарат а оно будет темным. [c.63]

В этом случае, хотя никаких подробностей увидеть невозможно, однако возможно обнаружить наличие этих деталей по дифракционной картине, так как каждая из них в виде, например, отдельных коллоидных частиц яв.ляется центром дифракционных колец. Последние сравнительно легко могут различаться только на темном фоне поля зрения микроскопа. Для темнопольных наблюдений конструируются специальные конденсоры, так как простое диафрагмирование обычного конденсора Аббе сильно ослабляет освещенность препарата. [c.64]

Рассмотрим еще один пример, когда периодичность (или симметрия) отдельных слоев атомов, перпендикулярных пучку, не совпадает с периодичностью (или симметрией) проекции элементарной ячейки. Тогда, если кристалл содержит не целое число элементарных ячеек, периодичность или симметрия проекции кристалла будет такая же, как для отдельных слоев. Например, кристаллы золота, ориентированные для наблюдения в направлении [111 ], показывают четкую периодичность интенсивностей дробных порядков отражений (таких, как %, Vj, —Vg), поскольку отдельные слои атомов золота суммируются, а число элементарных ячеек в них нецелое [294]. Сильное изменение вклада запрещенных отражений в интенсивности нечетного порядка при добавлении на поверхности кристалла слоев толщиной, меньшей, чем толщина элементарной ячейки в данном направлении, обнаруживают также кристаллы МоОз [169]. Это открывает большие возможности для исследования ступенек на поверхности кристаллов и других дефектов поверхности с помощью темнопольной электронной микроскопии 1521. [c.352]

Еще в конце XIX в. был создан первый металлографический микроскоп. Использование в дальнейшем более точных оптических систем, соответствующего освещения и вспомогательного оборудования для темнопольного освещения, фазового контраста, интерференционного контраста, поляризации и других дополнительных средств, позволяющих выявить дополнительные детали изображения, дало возможность улучшить этот микроскоп. Однако сам принцип оптического микроскопа (длина волны видимого света) ограничивает его разрешающую способность приблизительно 1750 Л (175 нм). [c.7]

В чистых металлах ИПД кручением обычно приводит к формированию равноосной структуры, средний размер зерен в которой составляет около 100 нм, а РКУ-прессование обеспечивает размер зерен, равный 200-300 нм. На рис. 1.7а, б показаны типичные микроструктуры Си, подвергнутой ИПД кручением, наблюдаемые в просвечивающем электронном микроскопе в светлопольном и темнопольном изображениях, вместе с соответствующей дифракционной картиной [8]. Видно, что интенсивная деформация приводит к формированию в Си однородной ультрамелкозерни-стой структуры уже при комнатной температуре. Многочисленные рефлексы на электронограмме, расположенные вдоль окружностей, указывают на большеугловые разориентировки соседних зерен. Присутствие преимущественно большеугловых границ в структуре металлов после интенсивной деформации было подтверждено также прямыми измерениями разориентировок индивидуальных границ зерен [56], и это является важной особенностью материалов, подвергнутых ИПД [3,8,13,38]. [c.19]

Рис. 1.7. Структуры в Си, подвергнутой ИПД кручением, наблюдаемые в электронном микроскопе а — свеглопольное изображение совместно с дифракционной картиной 6 — темнопольное изображение

Рис. 1.12. Микроструктура сплава Al-7,5%Fe после ИПД кручением при комнатной температуре (электронная микроскопия) А1 фаза светлопольное изображение (а) темнопольное изображение (( ) дифракционная картина (в)

На крышке 6 рабочей камеры (см. рис. 1) смонтированы оптическая система 8 от микротвердомера ПМТ-3, вторично-электронный умножитель 11 и катодный повторитель 12. Печь 10 служит для прогрева умножителя перед началом измерений. В тубусе микроскопа установлено уплотнение 9 из нейтрального стекла. Наличие зеркала 7 светлопольного и темнопольного изображения в микроскопе позволяет работать без специальной кварцевой оптики. Источником света служат газоразрядные лампы ПРК-7 и ДКСШ-1000, площадь освещаемого участка составляет 0,3 мм . Светофильтры вставляются в корпус лампы. При спектральных исследованиях между микроскопом и лампой устанавливается двойной монохроматор ДМР-4. [c.33]

Для юстировки электронной пушки, кон-денсорных и изображающих линз, т. е. выведения их на единую оптическую ось микроскопа, в современных электронных микроскопах предусмотрены электромагнитные отклоняющие системы эти системы позволяют быстро юстировать пучок и получать резкие светло-и темнопольные изображения. Особенно это важно при исследовании ферромагнитных материалов, поскольку собственное магнитное поле образца — фольги — влияет на магнитное поле объективной линзы, и ее юстировку приходится проводить при каждом изменении положения данного образца в процессе наблюдения в микроскопе. [c.48]

Применение косого освещения увеличивает контраст благодаря образованию видимой тени, в то время как свет падает на поверхность под таким углом, что зеркальное отражение не попадает в объектив и доле зрения выглядит темным. Если угол отклонения луча от поверхности объекта может быть измерен, становится возможной количественная оценка угла наклона поверхности. Подобную функцию выполняет темнопольный диафрагмирующий микроскоп он аналогичен устройству, используемому в широко известном методе Шлирена для исследования полос деформации в металлах. [c.365]

К оптическим методам относятся светопольная, темнопольная и фазово-контрастная микроскопий в видимом свете. Эти методы применяются как самостоятельные, так и в сочетании с другими. В электронной микроскопии используют просвечивающую микроскопию на снятых с подложки пленках, метод реплик и сканирующую микроскопию. В табл. [c.265]

В процессе изотермической вьщержки в сплаве Н26ХТ1 образуются чрезвычайно дисперсные кристаллы, неразрешаемые в световом микроскопе на рис, 3.8, я они располагаются в пределах протравленных темных участков бывшего мартенсита. Трансмиссионная электронная микроскопия позволяет рассмотреть эти дисперсные образования (рис. 3.8,6 в). Наряду с первичными аустенитными полосами, появившимися при ускоренном нагреве и содержащими неправильные стенки дислокаций, в структуре наблюдаются различно ориентированные дисперсные пластины. Темнопольное изображение в рефлексах аустенита (см. рис. 3.8,й) позволяет однозначно отождествлять эти пластинчатые кристаллы с у-фазой. Толщина у-крис-таллов составляет 0,01-0,03 мкм, а длина - 0,1-0,2 мкм, что на два порядка меньше, чем размеры у-пластин, образующихся при непрерывном нагреве с высокими и средними скоростями. [c.76]

На практике, неудобно записывать кривую качания, поворачивая для этого тонкий совершенный кристалл в электронном пучке . Вместо этого можно использовать любой из двух методов. Так, например, можно наблюдать в электронном микроскопе светлопольные или темнопольные изображения равномерно изогнутой плоскопараллельной кристаллической пластинки. Для плоской падающей волны угол падения на плоскости решетки меняется при перемещении электронного пучка вдоль кристалла, как показано на фиг. 9.2. Интенсивность прошедшего и дифракционного пучков в любой точке выходной поверхности будет зависеть от ошибки возбуждения для плоскостей решетки в данной точке, и при постоянной кривизне кристалла ошибка возбуждения будет меняться вдоль кристалла почти линейно. Тогда, если в изображении участвуют дифракционные пучки, интенсивность в результирующем изображении будет меняться, согласно (9.4), как функция расстояния вдоль кристалла, эквивалентная изменению Прямые проходящие пучки дадут светлопольное изображение, которое в этом случае, если пренебречь поглощением, покажет изменение интенсивностей 1— / ( й). [c.197]

Если интерференции дифрагированных пучков с прошедшим пучком или между собой препятствует ограничение, накладываемое апертурой объективной линзы, или если при данных условиях эксперимента разрешение микроскопа недостаточное, изменение интенсивности прошедшего пучка на светлопольном изображении будет зависеть от положения. На темнопольных изображениях, полученных от отдельных дифрагированных пучков, от положения будет зависеть изменение интенсивностидафрагирован-ных пучков. Совершенные плоскопараллельные кристаллы (однородной толщины) не будут давать контраста, однако любой дефект, изгиб или изменение толщины кристалла могут привести к его возникновению. [c.309]

Расчет интенсивности прошедшего и дифрагированного пучков в зависимости от толщины кристалла и его ориентации в двухволновом приближении приводился в гл. 9. В первом приближении этот расчет дает объяснение многим наблюдениям, касающимся толщины полос и экстинкционных контуров в светлопольной и темнопольной электронной микроскопии. [c.310]

Темнопольное исследование в электронном микроскопе ЭМ-5 (рис. 10, б) показывает, что от этих игольчатых кристаллов можно ожидать получения микродифракционных картин несмотря на то что сама игла непрозрачна для электронов, на ее краях наблюдается интенсивная светлая кайма, обусловленная дифракционным контрастом (указана стрелкой). Действительно, в режиме микродифракции неоднократно наблюдались точечные рефлексы от включенных в реплику игольчатых кристаллов рутила, примером чего служит рис. 11. [c.59]

Дифракционные исследования в темнопольном просвечивающем электронном микроскопе показали, что базисные плоскости, располагающиеся параллельно оси волокна, состоят из микрофибрилл, образующих ленты. В темнонольно-м микроскопе микрофибриллы проявляются в виде белых линий, параллельных оси волокна. Интенсивность их меняется по длине. Это соответствует волнистой форме микрофибрилл и их взаимному переплетению [9-33]. [c.177]

Высокая проникающая способность, простая линейчатая структура спектров и резкое изменение коэфф. иоглощения с изменением атомного номера элемента позволяют успешно пользоваться рентгеновскими лучами для целей Р. м. по методу теневой проекции в расходящемся пучке лучей, испускаемых точечным источником. Для целей микроскопии кристаллич. тел пользуются также дифракцией рентгеновских лучей. Если используется первичный пучок, то дифракционное изображение будет светлопольным , н противоположность темнопольному изображению, формируемому в дифракционном пучке. [c.422]

Светлопольное и темнопольное изображения. Дифрагированные пучки, исходящие из образца, как показано на рис. 39, и их семейства пересекаются друг с другом в задней фокальной плоскости АВ объективной линзы. Это соответствует образованию дифракционной картины, которую можно сфотографировать, если сфокусировать ее с помощью последующих линз микроскопа. Кроме дифракционной картины в плоскости АВ, объективная линза формирует изображение нижней грани кристалла в плоскости СО. Другие линзы прибора могут быть сфокусированы на эту плоскость, что позволяет получить увеличенное изображение кристалла. [c.52]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...