Сродство к электрону и потенциал ионизации (Лт) и А)

Электроотрицательностью атома называют его тенденцию образовывать отрицательно заряженный ион. Мерой электроотрицательности атома часто считают сумму потенциала ионизации I и электронного сродства Е. [c.273]

Некоторые из перечисленных величин, от которых зависят интегралы, находятся из зксперимента. Так, сродство к злектрону измеряется с помощью полярографического восстановления, потенциал ионизации 1 определяется методом электронного удара и фотоионизации. [c.55]

Сродством к электрону х называется энергия, выделяемая при образовании отрицательного иона нз нейтрального атома и электрона, т. е. отвечающая процессу А + е = А . Прн этом предполагается, что до образования отрицательного иона нейтральный атом находился в состоянии с наименьшей энергией. Сродство к электрону с обратным знаком представляет собой потенциал ионизации, т. е. энергию, необходимую для отрыва электрона от отрицательного иона с образованием нейтрального атома (молекулы). [c.423]

Ионизация примесей, потенциал ионизации которых существенно ниже, чем у N0 (таких, как металлы, особенно из группы щелочных и щелочноземельных), может коренным образом повлиять на распределение концентрации электронов в следе. Однако примеси с потенциалом ионизации, равным или превышаю щим первый потенциал ионизации N0, который составляет 9,25 эв (например, большинство неметаллических элементов и органических соединений, или элементов с высоким электронным сродством, как галогены), не изменяют распределения концентрации электронов. [c.138]

Сродство к электрону и потенциал ионизации (Atj и AI) [c.178]

Первый потенциал ионизации / атома равен энергии, необходимой для отрыва его первого валентного электрона от атома. Сродством атома к электрону называется способность атомов присоединять добавочный электрон и превращаться в отрицательный иoн. Мерой сродства атома к электрону является энергия электронного сродства, равная разности энергии атома в основном состоянии и энергии основного состояния соответствующего отрицательного иона. Энергия сродства атома к электрону для устойчивого отрицательного иона положительна. [c.58]

Потенциалы ионизации измеряются методом фотоионизации и спектроскопическими методами. Обычно потенциал ионизации выражают в электрон-вольтах (эВ), отнесенных к одному атому. Для экспериментального определения величины сродства атома к электрону существуют такие прямые методы, как метод фотоэлектронной эмиссии, метод захвата электронов и др кроме того, ее можно вычислить из известных энергий решеток ионных кристаллов. Выражается энергия сродства атома к электрону, как правило, также в эВ. [c.58]

Электроотрицательность элементов, 57 потенциал ионизации, 58 сродство атома к электрону, [c.371]

Здесь - потенциал ионизации молекулы донора, а [ 7 - энерги сродства к электрону акцептора. Это соотношение показывает, ч для данного акцептора энергия кванта переноса связана линейно зависимостью с потенциалом ионизации донора. Такая закономерность действительно наблвдается экспериментально, [c.210]

Перед инертными газами располагаются галогены (элементы VII группы периодической системы со значением первого ионизационного потенциала от 10 до 18 эВ) —F, С1, Вг, J, у которых не хватает одного электрона для образования устойчивых электронных оболочек ближайших к ним атомов инертных газов, поэтому они легко присоединяют к себе электрон, образуя соответствующие отрицательные ионы — анионы F , С1 , Вг- J-. Энергию Э, освобождаюш,уюся при присоединении электрона к нейтральному невозбужденному атому с образованием аниона, называют энергией сродства атома к электрону. Наибольшим сродством к электрону обладают атомы галоидов F — 3,4 эВ, С1 — 3,6 эВ, Вг — 3,4 эВ, J — 3,1 эВ. С понятиями потенциала ионизации и энергии сродства к электрону тесно связана ионная валентность, определяемая как число электронов, которое может терять или приобретать атом. Щелочные металлы положительно одновалентны, поскольку они содержат на один электрон больше, чем атомы соответствующих ближайших инертных элементов, например ионная валентность атома Na равна -f 1. Атомы галоидов отрицательно одновалентны, у них не хватает одного электрона для образования устойчивой оболочки ближайших атомов инертных газов. Так, для атома С1 ионная валентность равна —1. Аналогично атомы II группы, теряя два электрона, могут также образовывать ионы с электронной структурой ближайших атомов инертных газов Be +, Mg-+, Са2+, Sf2+, и, следовательно, эти атомы обладают положительной валентностью, равной +2 атомы III группы, теряя три электрона, могут образовывать ионы с валентностью +3 и т. д. [c.57]

Под электроотрицательностью атома подразумевают величину (Ё+1)/2. Потенциал ионизации I — величина, надежно определяемая экспериментально, а для слагаемого Е (электронного сродства) пока нет однозначных методов определения. Поэтому, задавщись целью построить щкалу ион- [c.97]

Уфимский Технологический Инстищ>т Сервиса Московская Государственная Текстильная Академия им. А. Я. Косьиина Известно, что потенциал ионизации (ПИ) и энергия сродства к электрону (СЭ) характеризуют реакционную способность молекул и способность поглощать излучение в электронном Диапазоне, а для [c.55]

Если такой источник фотоэлектронов и молекула, обладающая значительным сродством к электрону, располагаются в матрице на достаточно близком расстоянии, их потенциальные кривые могут перекрываться в результате облегчается переход электрона через потенциальный барьер (рис. 4.8). В этих условиях для ионизации требуется энергия, меньшая потенциала ионизации. Процесс в целом можно точнее определить как перенос заряда с образованием ионной пары, а не двух индивидуальных ионов. Например, показано, что в спектрах поглощения матриц, содержащих одновременно атомы натрия и моле1дглы полициклических ароматических углеводородов, присутствуют [c.86]

По Р, Малликену (1934 г.), Э, эле.мента А = /2 ( .4 + a) гдо и — потенциал ионизации и сродство к электрону атома А в соответствующем валентном состоянии однако эти величины не могут быть неносредствепно измерены. По К, Йоргенсену (1964 г,), относит. Э. центрального атома и атомов лигандов в комплексных соединениях определяется но величине энергии соответствующих онтич, переходов (т, н. онтич. Э.) [2]. Предложены также шкалы, в основу к-рых положены межатолниле расстояния, электрич, дипольные моменты, молекулярные рефракции, константы квадрунольного взаимодействия и ми, др. [1]. [c.510]

Рнс. 184. Уровни твёрдого тела как целого в приближении Гайтлера-Лондона для ионной модели. Система нз нейтральных атомов, находящихся на больших расстояниях друг от друга, более стабильна вследствие того, что потенциал ионизации металлических атомов, как правило, больше электронного сродства галоидных атомов. Это положение изменяется на обратное, когда атомы собраны вместе, поскольку энергия Маделунга благоприятствует ионному состоянию. Каждому уровню металлического атома соответствует бесконечное число уровней твёрдого тела, каждый из которых связан с частным значеннем Я, [см. (95.3)]. [c.433]

Из уравнения (18) следует, что ионы (и электроны) в плазме возникают в основном благодаря ионизации тех атомов вещества рабочей среды, анода или катода, которые имеют наименьшую величину фион- Анализ соотношений типа (18) для-реакций распада молекул рабочей среды показывает следующее. При ЭЭО стали (в углеводородах—керосине или масле) наиболее вероятным является разрыв слабых связей С—С и С—Н, а разрыв связей С = С и С С менее вероятен. Поэтому среди продуктов разложения жидкости (0к = 6ООО К) окажется водород, ацетилен НС = СН и углерод в виде Сь Сг, Сз и т. д. Углеводородные молекулы способны захватывать электроны (обладают так называемым сродством к электрону) и становятся отрицательными ионами. При ЭЭО стали в воде также происходит распад молекул НгО, поскольку потенциал разрыва связи О—Н меньше потенциала ионизации железа. В первом приближении можно принять, что вещество плазмы находится исключительно в атомном состоянии. [c.23]

Наличие атомов натрия (и вообще щелочных металлов) в сравнении с условиями ЭЭО резко уменьшает минимальный потенциал ионизации вещества канала до величины фион = 5,1 эВ, Поэтому положительно заряженными частицами в ка>1але являются исключительно ионы натрия, концентрация которых определяется по уравнению Саха (20). С другой стороны, потенциал ионизации натрия больше, чем сродство к электрону любых частиц, содержащихся в канале, в том числе и атомов галогенов (в данном случае хлора). Следовательно, если тепловая энергия частиц в плазме канала достаточна для ионизации атомов натрия, то ее вполне хватает и для отрыва электронов от отрицательных ионов хлора. Поэтому в канале разряда носителями отрицательного заряда становятся электроны. [c.331]

Рассмотрим теперь наиболее интересный класс эксимерных лазеров, в которых атом инертного газа (например, Аг, Кг, Хе) в возбужденном состоянии соединяется с атомом галогена (например, F, С1), что приводит к образованию эксимерагалоге-нидов инертных газов. В качестве конкретных примеров укажем ArF (Я, = 193 нм), KrF (А, = 248 нм), ХеС1 (А, =309 нм) и ХеР (А, = 351 нм), которые генерируют все в УФ-диапазоне. То, почему галогениды инертных газов легко образуются в возбужденном состоянии, становится ясным, если учесть, что в возбужденном состоянии атомы инертных газов становятся химически сходными с атомами щелочных металлов, которые, как известно, легко вступают в реакцию с галогенами. Эта аналогия указывает также на то, что в возбужденном состоянии связь имеет ионный характер в процессе образования связи возбужденный электрон переходит от атома инертного газа к атому галогена, Поэтому подобное связанное состояние также называют состоянием с переносом заряда, Рассмотрим теперь подробнее КгР-лазер, так как он представляет собой один из наиболее важных лазеров данной категории. На рис, 6.26 приведена диаграмма потенциальной энергии молекулы KrF, Верхний лазерный уровень является состоянием с переносом заряда и ионной связью, которое при R = oo отвечает состоянию положительного иона Кг и состоянию 5 отрицательного иона F. Поэтому энергия при R = оо равна потенциалу ионизации атома криптона минус сродство атома фтора к электрону. При больших межъядерных расстояниях кривая энергии подчиняется закону Кулона. Таким образом, потенциал взаимодействия между двумя ионами простирается на гораздо большее расстояние (5— ЮЛ), чем в случае, когда преобладает ковалентное взаимодействие (ср., например, с рис, 6.24), Нижнее состояние имеет ковалентную связь и при R = oo отвечает состоянию 5 атома криптона и состоянию атома фтора. Таким образом, в основном состоянии атомные состояния инертного газа и галогена меняются местами. В результате взаимодействия соответствующих орбиталей верхнее и нижнее состояния при малых межъядерных расстояниях расщепляются на состояния 2 и П. Генерация происходит на переходе поскольку он имеет наибольшее [c.383]

Наивысшую занятую п наинизшую свободную орбитали будем записывать в английской транскрипции HOMO и LIJMO соответственно. Потенциалом ионизации IP называют энергию, необходимую для вырывания электрона с какой-либо орбитали системы в вакуум, где потенциал принимают равным нулю. Очевидно, наименьший (первый) IP будет для HOMO, которую обычно отождествляют с уровнем Ферми в кластере. Энергию, выделяемую при переходе электрона из вакуума в систему, называют сродством к электрону ЕА). Наиболь- [c.227]

К. после рубидия и цезия — самый электроположительный металл. Мерой степени электроположительного характера может служить энергия, потребная для отрыва электрона от отдельного атома металла, энергия ионизации, к-рая для паров К, составляет 100 al на е-атом. Для нормального потенциала К. по отношению к водородному электроду получено (косвенным путем) значение 2,92 V (причем калий имеет отрицательны11 заряд). К. энергично соединяется с целым рядом металлоидов особенно ярко выражено сродство [c.304]

В полупроводниках и диэлектриках порог Ф. э. /1СОо= д+Х, где а— ширина запрещённой зоны, % — сродство к электрону, представляет собой высоту потенц. барьера для электронов проводимости (рис. 1, б). В не сильно легированных ПП эл-нов проводимости мало, поэтому здесь, в отличие от металлов, рассеяние энергии фотоэлектронов на эл-нах проводимости роли не играет. В этих материалах фотоэлектрон теряет энергию при вз-ствии с эл-нами валентной зоны (ударная ионизация) или с тепловыми колебаниями кристаллической решётки (рождение фононов). Скорость рассеяния энергии и глубина. [c.830]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...