Фотолюминесценция спектр

Осн. физ. хар-ки Л. способ возбуждения (для фотолюминесценции — спектр возбуждения) спектр испускания (изучение спектров испускания Л. составляет часть спектроскопии) состояние поляризации излучения выход Л., т.е. отношение поглощённой энергии к излучённой (для фотолюминесценции вводится понятие квантового выхода Л.— отношения числа излучённых квантов к числу поглощённых). [c.355]

Оптические приборы и оптические методы исследования широко применяются в самых разнообразных областях естествознания и техники. Напомним, например, об изучении структуры молекул с помощью их спектров излучения, поглощения и рассеяния света, а также о применении микроскопа в биологии, об использовании спектрального анализа в металлургии и геологии. Оптические квантовые генераторы неизмеримо расширяют возможности оптических методов исследования. Приведем несколько примеров, иллюстрирующих положение дела. Один из новых методов — голография — подробно описан в главе XI. Изучение атомно-молекулярных процессов, протекающих в излучающей среде лазеров, а также рассеяния света и фотолюминесценции с применением лазеров позволило получить большой объем сведений в атомной и молекулярной физике, равно как и в физике твердого тела. Оптические квантовые генераторы заметно изменили облик фотохимии с помощью мощного лазерного излучения могут производиться разделение изотопов и осуществляться направленные химические реакции. Благодаря монохроматичности излучения оптических квантовых генераторов оказывается сравнительно простыми измерения сдвига частоты, возникающего при рассеянии света вследствие эффекта Допплера этот метод широко используется в аэро- и гидродинамике для излучения поля скоростей в потоках газов и жидкостей. [c.770]

Фотолюминесценция 683, 749 —, длительность 756 —, спектр 753 —, тушение 755 Фотон 643 и д. [c.926]

Спектральные характеристики. Каждый люминофор характеризуется своим, присущим только ему спектром люминесценции. В случае фотолюминесценции необходимо учитывать также спектр поглощения. Оба спектра отражают структуру энергетических состояний данного люминофора (точнее говоря, его центров люминесценции). [c.191]

Спектр фотолюминесценции наноструктурного Si, обнаруженный при комнатной температуре, имел вид асимметричного пика, расположенного в видимой области спектра, с максимумом при 650 нм и шириной пика на половине высоты около 80 нм. Аналогичный спектр фотолюминесценции в видимой области спектра наблюдался в пористых образцах Si [397], а также в тонких пленках Si, полученных электронно-лучевым напылением [398]. [c.234]

Бели эти изменения велики, так что к моменту забывается состояние, сформированное в момент т. е. рассеянный фотон статистически не связан с падающим, то такое Р. с. наз. некогерентным. Большие возмущения в промежуточных состояниях могут обусловить разного рода вторичные свечения, напр. фотолюминесценцию., к-рую традиционно не считают Р. с. Феноменологич. особенности этого свечения — инерционность, задержка или затягивание свечения (рассеяния), независимость спектра люминесценции от быстрых изменений характеристик падающего излучения. [c.277]

Таким образом, указанные выше анализы приводят к выводу, что в выращенных нами кристаллах щелочно-галоидных соединений концентрация примесей, если таковые остаются после тщательной очистки, может быть в пределах 10 —10 г/г, т. е. ниже границы чувствительности спектрального анализа. С другой стороны, из отрицательного результата опытов по возбуждению фотолюминесценции, а также из сопоставления спектров свечения и других люминесцентных свойств окрашенных щелочно-галоидных кристаллов, не содержащих посторонних активаторов, с активированными щелочно-галоидными фосфорами следует, что их люминесценция не обусловлена какими-либо случайными загрязнениями, а является свойством чистого кристалла. [c.51]

На рис. 73 и 74 приведены спектральные кривые фотолюминесценции в видимой области для щелочно-галоидных фосфоров, активированных серебром. Кроме приведенных полос в спектре свечения каждого из указанных фосфоров имеется еще по одной полосе в ультрафиолетовой области (табл. 25). [c.181]

Спектры рассеяния света и фотолюминесценции [c.49]

Молекулярное рассеяние света и фотолюминесценция относятся, в отличие от теплового излучения твердых тел, к неравновесным типам свечения. Это означает, что заселение возбужденных уровней определяется не тепловыми процессами, и свечение объекта в видимом диапазоне спектра может быть получено при низких температурах (вплоть до криогенных). [c.49]

Спектры рассеянного света и ФЛ регистрируют таким образом, чтобы зеркально отраженный пучок возбуждающего света не попадал в щель спектрального прибора, поскольку его интенсивность на много порядков больше интенсивности рассеянного света и ФЛ. На рис. 2.27 показана одна из оптических схем, применяемых для регистрации спектров рассеяния света и фотолюминесценции. [c.53]

Интенсивность, спектр и время высвечивания фотолюминесценции [c.86]

Спектр люминесценции легированных диэлектрических кристаллов и стекол состоит обычно из нескольких отдельных полос, которые характеризуются разной квантовой эффективностью, шириной, временем высвечивания. Каждый из этих параметров зависит от температуры. Для термометрии наибольший интерес представляют температурные зависимости интенсивности и времени высвечивания фотолюминесценции, которые обусловлены тем, что скорость безызлучательной релаксации возбужденных состояний зависит от температуры. [c.188]

При увеличении температуры наблюдались также уменьшение интенсивности фотолюминесценции на три порядка и увеличение ширины пика. На рис. 7.2 приведена температурная зависимость интенсивности люминесценции. Коррекция регистрируемых спектров с целью учесть изменение чувствительности фотоприемника не проводилась. Точность определения температуры кристалла по измеренной интенсивности фотолюминесценции авторы оценивают величиной 8 °С, но считают возможным уменьшение погрешности до 14-2 °С путем усовершенствования метода вычисления Е по спектру люминесценции. Для увеличения отношения сигнал/шум авторы считают необходимым применить более мощный возбуждающий лазер, а также оптическую фильтрацию излучения. [c.191]

Вероятно, для небольших температурных изменений ( 10-Ь30 °С) точность определения температуры прямозонных полупроводниковых кристаллов по фотолюминесценции можно увеличить еще на 1-ь2 порядка, если регистрировать не положение максимума, а интенсивность излучения I на фиксированной длине волны, лежащей в областях энергий Ну > Е или Ни < Е наибольшей крутизны спектра фотолюминесценции, где велика производная (11/(19, определяющая температурную чувствительность сигнала. [c.191]

Наложение спектров различных порядков для дифракционной решетки 110—112 Независимость спектров фотолюминесценции от рода возбуждения 533 Нефелометр ГОИ 353, 354 Нефелометрия 719—725 Нефелометры 722, 723 [c.814]

Местоположение неод нородностей определяется в отраженном свете или в излучении фотолюминесценции. Возможна регистрация спектра фотолюминесценции на спекто-графе ИСП-51 и охлаждение образцов до 77 К. Для визуализации ИК-изображений используют ЭОП или фотопленку [c.107]

В качестве возможного механизма, объясняющего спектр фотолюминесценции в пористых и тонкопленочных образцах Si и Се, часто используют представления о кванторазмерном эффекте 399]. Этот эффект подразумевает появление дополнительных уровней энергии в энергетическом спектре полупроводников, вследствие чрезвычайно малых размеров их кристаллитов. При этом появление дополнительных уровней энергии приводит к изменениям в спектре фотолюминесценции. [c.234]

Для того чтобы осуществился кванторазмерный эффект, средний размер зерен в наноструктурных полупроводниках должен быть меньше некоторого критического размера, расчетная величина которого для Si и Ge равна 5 нм [397] и 24 нм [398] соответственно. Более того, чтобы произошел значительный сдвиг спектра фотолюминесценции из инфракрасной области в видимую область спектра, средний размер зерен должен быть еще меньше — менее 3 нм в Si и менее 3,5 нм в Ge, т. е. существенно меньше, чем наблюдали методом электронной микроскопии. Объяснить это различие возможно, если принять, что основной вклад в спектр фотолюминесценции в наноструктурных полупроводниках вносит только центральная часть зерен, имеющая малоискаженную кристаллическую решетку. В согласии с развиваемой структурной моделью наноструктурных материалов (2.2) неискаженные области в ИПД материалах существенно меньше среднего размера зерен, включающего в себя приграничные сильноискаженные области. [c.234]

Помимо теплового или температурного излучения существуют и другие процессы, сопровождающиеся превращением различных видов энергии в электромагнитную. Эти процессы, приводящие к испусканию электромагнитной энергии веществом, превышающей по мощности тепловое излучение при данной его температуре, объединяются под общим названием люминесценция . Так, например, излучение тел, возникающее за счет их облучения электромагнитной энергией видимого спектра, называется фотолюминесценцией, а возникающее под действием рентгеновских лучей — рентгенолюминесцен-Т цией. При этом в обоих отмеченных случаях электро- [c.21]

Люминесцировать могут вещества во всех агрегатных состояниях — газы и пары, растворы органич. веществ, стёкла, кристаллич. вещества осн. условие — наличие дискретного спектра. Вещества с непрерывным энергетич. спектром (напр., металлы в конденсированном состоянии) не люминесцируют, т. к. в них энергия возбуждения непрерывным образом переходит в теплоту. Кроме того, для возникновения Л. вероятность излучат, переходов должна превышать вероятность безызлучательного. Соотношение между этими вероятностями определяет эффективность Л. Интенсивность Л. зависит от интепсивности возбуждения, поэтому не может служить характеристикой Л. Более однозначная характеристика — выход Л. — отношение энергии Л. к поглощённой энергии возбуждения (при фотолюминесценции — квантовый выход Л.— стиошение числа испущенных и поглощённых квантов света). [c.624]

Лит. см. при ст. Спектры кристаллов. Э. А. Свиривенков. СПЕКТРОФЛУОРЙМЕТР — спектральный прибор для измерений спектров люминесценции. Обычно содержит два независимо работающих монохроматора. Первый из них выделяет из сплошного спектра излучения источника спектральные интервалы, обеспечивающие возбуждение фотолюминесценция исследуемого образца. Люминесценция наблюдается в направлении, [c.625]

ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ — люминесценция, возбуждаемая оптич. излучением видимой и УФ-областей спектра. В отличие от рассеяния света и горячей люминесценции, Ф. испускается после того, как в возбуждённом светом веществе закончились процессы релаксации и установилось ква-зиравновесное состояние. Обычно квазиравновесие устанавливается в течение — 10 °с. [c.350]

После продолжительной рентгенизации фосфора Na l—Ag в его спектре свечения взамен полосы А возникает новая полоса Б с максимумом при X = 620тц, возбуждаемая фильтрованным светом (фильтр УФС—3) ртутно-кварцевой горелки. Кривые А и Б хорошо совпадают с аналогичными кривыми, полученными ранее в работах [241] и [301, 303]. После прогрева рентгенизованного фосфора до полного исчезновения его термолюминесценции (около 200°С) получаем новый спектр флуоресценции (кривая В) с максимумом при 527 mji. Различие в спектрах фотолюминесценции рентгенизованных серебряных щелочно-галоидных фосфоров до и после их прогревания установлено автором впервые [245, 246]. [c.182]

На рис. 74 приведена кривая спектрального состава флуоресценции в видимой области фосфора КС1—Ag, также прогретого после рентгенизации. В этом случае спектр состоит из двух полос— при 470 тц и 570 тр,. До рентгенизации фосфора в спектре флуоресценции наблюдается только одна коротковолновая полоса, а до прогрева фосфора KQ—J g после рентгенизации второй максимум находится в оранжево-красной части спектра при 640 тц. Спектры фотолюминесценции фосфоров NaBr—Ag и КВг— прогретых после рентгенизации, представляют собой широкие полосы с размытыми максимумами около 560 и 580 тц. Различие в спектрах флуоресценции рентгенизованных фосфоров до и после их прогревания свидетельствует о том, что оранжевая и зеленая флуоресценции должны быть обусловлены двумя видами центров свечения, обладающими различной термической устойчивостью [c.182]

После повторной рентгенизации прогретого фосфора восстанавливается прежний вид спектра фотолюминесценции с максимумом в оранжево-красной области спектра. Выяснилось также, что при продолжительном хранении в темноте после рентгениэа- [c.182]

Сказанное подтверждается установленной нами почти полной идентичностью спектров термолюминесценции и фотолюминесценции этих фосфоров. Это свидетельствует о том, что в обоих случаях люминесценция обусловлена одинаковыми центрами свечения. Далее, в кривых термического высвечивания имеются пики, обусловленные, как и в чистых фотохимически окрашенных кристаллах, М- и F-центрами, т. е. центрами, образование которых не связано с введением в кристалл активирующей примеси. Однако, в отличие от чистых кристаллов, в термическом высвечивании активированных щелочно-галоидных фосфоров проявляются также активаторные центры захвата. Если последние являются также центрами свечения, то в спектрах термолюминесценции могут возникнуть дополнительные полосы, не наблюдающиеся в спектрах фотолюминесценции этих фосфоров. [c.246]

Температуру кристалла dTe, нагреваемого излучением Kr -лазе-ра (Л = 647,1 нм), сфокусированного в пятно диаметром около 30 мкм, определяли в работе [7.35]. Фотолюминесценцию кристалла возбуждали тем же лазерным пучком. С увеличением температуры наблюдалось несколько эффектов максимум ФЛ смещался в сторону меньших энергий, изменялась интенсивность ФЛ, происходило асимметричное уширение полосы ФЛ. Для термометрии была использована зависимость интенсивности ФЛ от энергии кванта, которая в полулогарифмических координатах In / = f hi>) является линейной для коротковолнового крыла полосы ФЛ. При изменении температуры происходит изменение наклона этой зависимости. Регистрацию спектра ФЛ проводили с помощью дифракционного монохроматора с фокусным расстоянием 0,85 м и германиевого фотоприемника, охлаждаемого жидким азотом. Обработка спектра ФЛ позволила определить стационарную температуру кристалла в центре пятна, непрерывно облучаемого лазерным пучком с гауссовым распределением интенсивности. При изменении интенсивности пучка температура кристалла изменялась в диапазоне 340-Ь850 К. Погрешность оценивается величиной 40 К при наиболее высоких температурах и уменьшается при более низких температурах кристалла. [c.190]

Спектральные линии испускания регистрируются спектральными приборами как зависимость интенсивности (она прямо пропорциональна числу испущенных квантов) от длины волны или волнового числа (рис. 1,16, а). Последовательность спектральных линий, образующихся при различных однофотонных переходах молекул из возбужденных состояний в нижележащие и расположенных по длинам волн или волновым числам, называется спектром испускания (или эмиссионным спектром). Для перевода молекул в возбужденные состояния необходимы либо высокая температура, либо условия газового разряда, когда имеется много свободных электронов и ионов с большой энергией, либо электромагнитное излучение, либо экзотермическая химическая реакция. В последних двух случаях спектры спз скания называются спектрами люмииесценцни (иногда фотолюминесценций) и хемилюминесценции. Спектры люминесценции подразделяются в зависимости от времени жизни молекул в возбужденном состоянии на спектры фосфоресценции (времена жизни более чем 10-3—10 2 с) и спектры флуоресценции (времена л изни 10 — 10 с). Далее на рис. 1.29 приведен электронно-колебательновращательный спектр испускания молекулы ВО в условиях газового разряда, а на рис. 1.34 схема образования спектра флуоресценции. [c.45]

Для целей изучения фотохимических реакций или возбуждения фотолюминесценции возможно выделять вариоиллюминатором отдельные широкие спектральные области в соответствии с широкими полосами активного поглощения. Легко выделить из спектра всю ультрафиолетовую область, экранировав все видимое и инфракрасное излучение. При этом следует подчеркнуть, что на выходе прибора получают излучение достаточно большой плотности, так как оно все приходится на одно и то же отверстие выходной щели. [c.138]

Наиболее полно исследованы растворы органических вен1,сств, в частности растворы красителей. Фотолюминесценция )тих растворов сравнительно очень яркая и может изучаться наиболее простыми средствами, так как она лежит в видимой области спектра, доступной иепосредствепному наблюдению глазом. [c.531]

Спектральные закономерности фотолюминесценции не ограничиваются вышеуказанным законом Стокса—Ломмеля. Как установил В. Л. Левшин, для растворов сложн7лх органических красителей имеет место более глубокая связь между спектрами поглощения и пспускания. Оба спектра находятся как бы в зеркальном соответствии друг с другом. Электронно-колебательный ) спектр люминесценции является зеркальным отображением первой полосы спектра поглощения (рис. 406). В ряде случаев этот закон вы- [c.531]

Независимость спектров фоголюлинесценции от рода возбуждения. Многочисленными работами установлено, что для растворов спектр фотолюминесценции, как правило, не зависит от длины волны возбуждающего света. [c.533]

Экспериментально этот факт заключается в том, что при монохроматическом возбуждении во всей коротковолновой области поглощения одной какой-либо спектральной линией или узким спектральным участком возникает вся полоса фотолюминесценции (т. е. весь спектр с тождественным относительным расиределением иптепспвиостей по спектру). Абсолютная же интенсивность спектра эмиссии зависит от того, производится ли возбуждение в максимуме полосы поглощения, или нет. Спектр эмиссии претерпевает иногда небольшие изменения в коротковолновой своей части, когда возбуждение фотолюминесценции производится в так называемой антистоксовой области спектра, т. е. в области, где спектры поглощения и эмиссии перекрываются и где, следовательно, длина волны возбуждающего света уже больше длины волны коротковолнового участка спектра эмиссии. [c.533]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...