Схема кадмия

Схема расположения опытов Зеемана и основные результаты для простейшего случая, который удалось осуществить для очень узкой зелено-голубой линии кадмия, сводятся к следующему. Между полюсами сильного электромагнита (рис. 31.1), способного обеспечить однородное поле в 10 000—15 000 Э, располагается источник ли- [c.621]

На рис. 276 изображена схема опыта Ферми. Здесь К—коллиматор тепловых нейтронов, изготовленный из кадмия Хе — герметическая камера с ксеноном, в которой происходит рассеяние нейтронов С и С" — счетчики нейтронов, регистрирующие нейтроны, рассеянные под углами 45 и 135°. В результате опыта было обнаружено очень слабое отличие в интенсивности рассеяния под углами 45 и 135°, которое можно интерпретировать либо как полное отсутствие взаимодействия между нейтроном и электроном, либо как чрезвычайно слабое взаимодействие, характеризующееся потенциалом V, не превышающим 5000 эв (при ширине ямы, равной классическому радиусу электрона [c.655]

Внутри активной зоны помещают регулирующие стержни с использованием материалов, хорошо поглощающих нейтроны (кадмий, бор и др.). При подъеме стержня скорость цепной реакции увеличивается, поэтому возрастает и мощность реактора изменением глубины погружения регулируют интенсивность цепной реакции в активной зоне, а следовательно, и ее тепловыделение. В процессе выгорания топлива стержни автоматически устанавливаются на определенной глубине. С этой целью в специальных каналах реактора размещают ионизационные камеры, связанные через электронную схему с кинематической системой, которая автоматически перемещает стержни и устанавливает их в новое положение, отвечающее заданной мощности. В аварийном режиме для прекращения цепного процесса специальные аварийные стержни мгновенно погружаются в каналы реактора. [c.234]

Возможна и другая схема обратного растворения кадмия [c.39]

Как уже указывалось, в основу схемы, приведенной в табл. 10, положен эталонный метод воспроизведения единицы длины по длине световой волны красно линии кадмия (Хр), которая при нормальной температуре 20° С, нормальном давлении 760 jti. рт. ст. и влажности воздуха, соответствующей 10 мм упругости водяного пара, принимается равной [c.79]

Только что набросанная грубая схема отделения эффектов, происходящих от медленных и быстрых нейтронов с помощью кадмия, может быть улучшена посредством измерений с различными толщинами кадмия, окружающего фольгу.Из ряда таких измерений можно сделать хорошую оценку уменьшения активности фольги, обусловленной резонансными нейтронами (с энергиями, превышающими тепловые). Это уменьшение является результатом наличия кадмия, а также результатом просачивания тепловых нейтронов через кадмиевый фильтр. Этим путем может быть сделана очень точная оценка как Л , так и Л . Практически такой путь используется для того, чтобы приблизиться к идеальному тепловому детектору, использованному в воображаемых экспериментах в предыдущих разделах. [c.195]

Из соответствующего полупроводникового материала — сернистого кадмия ( dS) или сернистого цинка (ZnS), алмаза, хлористого серебра (Ag l) — приготовляется пластинка небольших размеров, которая включается в специальную радиотехническую схему. На [c.42]

Детальное исследование свойств медленных нейтронов было проведено в серии опытов, схема которых изображена на рис. 110 (И — источник, окруженный замедлителем 3 d —лист кадмия толщиной 1 MM-, П — поглотитель, толщину которого можно было изменять, п Д — детектор). Измерение активности детектора А проводилось в четырех вариантах опыта (при разных толщинах иоглотителя) [c.302]

Взаимодействие антинейтрино из ядерного реактора, вблизи которого была расположена установка, с одним из протонов ядер мншени по схеме (83.5) приводит к образованию нейтрона и позитрона. Позитрон вскоре после образования аннигилирует, образуя два Y-кванта (с энергией аннигиляции), которые регистрируются детекторами Д и Д2, включенными в схему совпадений. Нейтрон в результате последовательных столкновений с протонами замедляется, диффундирует и захватывается кадмием, давая несколько Y-квантов (с общей энергией до 10 Мэе), которые также регистрируются детекторами Д1 и Дг- [c.642]

Теоретическая оценка давала для этой реакции сечение о еор 6-10 см (для антинейтрино, вылетающих из реактора), что примерно на 20 порядков ниже сечений, обычно измеряемых в ядерной физике. Эти 20 порядков были выиграны за счет следующих факторов. Во-первых, в качестве источника был использован мощный реактор, дававший поток антинейтрино, равный примерно lOi ча-стиц/см -с. Во-вторых, для регистрации был использован-жидкий сцинтиллятор с колоссальным объемом 5000 литров. В-третьих, вся установка была помещена глубоко под землей и отделена мощной защитой от реактора. В результате фон от космических лучей и от других (не антинейтринных) излучений из реактора был столь низким, что можно было регистрировать очень редкие события. В опыте был использован жидкий сцинтиллятор с высоким содержанием водорода и обогащенный кадмием. На ядрах водорода шла реакция (9.22). Возникающий в этой реакции позитрон аннигилировал с электроном вещества на два Кванта (см. гл. VII, 6), дававших первую вспышку. Нейтрон за несколько микросекунд замедлялся до надтепловых скоростей, после чего захватывался кадмием (см. гл. XI, 3, п. 4). Получившееся ядро, возбужденное при захвате на 9,1 МэВ, испускало каскад 7-квантов, которые давали вторую вспышку. Эти пары вспышек регистрировались схемой запаздывающих совпадений (см. ниже 6, п. 3), что позволяло уверенно отделять нужные события от фоновых излучений. Регистрировались примерно 3 события в час, и проведение всего опыта заняло около полугода. В результате для экспериментального сечения было получено значение сТэксп = = (11 4)- 1(И см , хорошо согласующееся с теоретическим. Это — самое маленькое сечение, измеренное человеком. [c.502]

Рис. 295. Схема расщепления уровней и сверхтонкая структура линий кадмия, dl, И8ООА. 5Ф,—

Для большинства металлов плоскостями скольжения являются плоскости с наиболее плотной упаковкой атомов, а направление скольжения всегда совпадает с самым плотноупакованным направлением в плоскости скольжения. В табл. 1 приведены плоскости и направления скольжения, установленные для некоторых наиболее распространенных и практически используемых металлов. В гексагональной плотноупа-кованной структуре (рис. 1.1) базисная плоскость (0001) является наиболее плотной по упаковке и самой развитой плоскостью скольжения для таких гексагональных металлов, как цинк, кадмий, магний. На рис. 1.1 показаны три плотноупакованных направления скольжения <1120> в базисной плоскости, но для упрощения схемы атомы изобра- [c.7]

Таким образом, последующее разрушение хемосор-биррванного комплекса по схеме ЛГе(ОН)адс + -ЬОН-адо Ме(0Н)2-/пНг0 лимитируется ионной концентрацией в адсорбционном слое, и в отсутствие гидратированных ионов скорость растворения металла оказывается исчезающе малой, особенно в области низких температур. Некоторое (приблизительно двухкратное для цинка и кадмия) увеличение скорости химического связывания воды в интервале от —20 до -f20° (при PIPq=, см. рис. 27,6) следует отнести за счет эффекта повышения ионного произведения воды от 1,0-10-20 при —10°С до 1,0-10- —при 25°С. [c.58]

Действующим в настоящее время ОСТ 85000-39 Меры длины концевые плоскопараллельные установлена система последовательной передачи размеров от эталона длины (основной световой волны кадмия) до изделия включительно. Условия воспроизведения длины основной световой волны кадмия изложены в ОСТ 7762. Промежуточным звеном в этой метрологической схеме служат рабочие длины волн криптона и гелия эти волны являются производными от основно световой волны и применяются для обеспечения взаи.м-ного соответствия поверок концевых мер первого разряда (на абсолютном интерференционном компараторе) и второго разряда при относительном интерференционном методе измерения. Следующим основным звеном метрологической цепи в этой системе являются плоскопараллельные концевые меры длины, подразделяющиеся, в свою очередь, на разряды и классы. Поскольку почти все заводские измерения исходят из соответственным образом аттестованных плоскопараллельных концевых мер, практически длина световой волны кадмия является исходной мерой в системе измерения длин. [c.72]

В настоящее время наиболее интенсивные работы проводятся на монокристаллах СбЗ. Вызвано это, с одной стороны, высокими пьезоэлектрическими свойствами данного кристалла по сравнению со всеми прочими кристаллами группы А В ( 33 = 10,32 X X 10" ( 55 = 5,18 10" ) [74], а с другой стороны, возможностью использовать кристаллы С(35 для усиления ультразвуковых волн [75] и построения как активных линий задержки, так и усилителей радиочастотного сигнала с двойным преобразованием. Поэтому использование в этих системах и преобразователей, и звукопро-вода из сульфида кадмия упрощает задачу их акустического согласования, что позволяет построить систему более широкополосную с меньшим отношением сигнала к шуму, который вызывается нежелательными отражениями ультразвуковых волн от торцевых граней звукопровода. Кроме того, использование преобразователей такого типа в интегральных схемах позволяет значительно упростить конструкцию указанных устройств. [c.326]

Полупроводниковые лазеры, в которых возбуждение осуш,е-ствляется при инжекции носителей через р—я-переход, получили название инжекционных ПКГ. Типичным представителем этой группы полупроводниковых квантовых генераторов является лазер на р— -переходе в арсениде галлия. Акцепторными примесями в кристалле арсенида галлия являются цинк, кадмий и др., донорными примесями — теллур, селен и др. Схема такого лазера приведена на рис. 42. Кристалл имеет размеры 0,5—1 мм . Верхняя его часть представляет собой полупроводник р-типа, нижняя — м-типа, между ними имеется р—п-переход. Толш,ина р—п-перехода 0,1 мкм, излучающий слой имеет несколько большую величину, 1—2 мкм, вследствие проникновения электронов и дырок через р— -переход в глубь кристалла. [c.61]

Удельное электрическое сопротивление сухого отвала определенное по четырехэлектродной схеме [19,30,51] составляет 20 Ом-м, pH водной вытяжки 3.5-4.5. При влажности 25% и более удельное сопротивление отвала резко снижается и не привышает 1.0 Ом- м. Химический состав отвала включает в себя до 30% сернистых соединений, а также в небольшом количествах медь, цинк, вольфрам, молибден, свинец, кобальт, кадмий, и некоторые другие металлы. Плотность отвала Башкирского медно-серного комбината (БМСК) составляет 1.9 г/см . [c.79]

Очистка растворов от меди и кадмия. Принципиальная схема очистки цинковых растворов от примесей цементацией приведена на рис. 28. В действительности же медно-кадмиевая очистка осуществляется в несколько стадий, с возвратом части кека для доиспользования цинка. На практике редко удается получить медный кек, не содержащий кадмия, и кадмиевый — не содержащий меди. Более того, показано [ 155], что кадмий при цементации его в отсутствие меди легко сбивается в комки, в результате чего нарушается процесс цементации. В связи с этим прй осаждении кадмия в раствор специально добавляют медь в количестве примерно I 10 к кадмию. Установлено, <по полное удаление кадмия возможно лишь в присутствии меди [ 156]. Показано, что причиной такого явления может служить образование тройного сплава Си — d-Zn с содержанием в нем меди более 40 % (ат). Установлено также, что [c.58]

Переработка медно-кадмиевых кеков. Выше бьшо указано, что меднокадмиевые кеки являются основным сырьем для получения кадмия. Наиболее подробно варианты технологических схем переработки меднокадмиевых кеков рассмотрены в работе [ 183]. Вместе с тем в конечном итоге все многообразие технологических схем можно свести к растворению медно-кадмиевых кеков и двукратному переосаждению кадмия с целью очистки его от примесей (рис. 31). Растворение медно-кадмие- [c.66]

Предложен способ отделения ионов тяжелых цветных металлов, в частности цинка, кадмия, железа от ионов щелочных металлов в нейтральных или кислых растворах с помощью ионного обмена. Отработанный раствор сульфатов цинка и натрия, использованный для обработки целлюлозного волокна, последовательно пропускают через колонки с сильнокислотным катионитом, например с леватитом S115 с высоким содержанием ДВБ ( 10%). Щелочные металлы десорбируют разбавленным раствором минеральной кислоты (<1-н. H2SO4), затем тяжелые металлы вымывают более концентрированным раствором кислоты (>3-н. H2SO4). В схеме предусмотрена рециркуляция растворов. [c.253]

Кадмий может быть извлечен из отходящих при обжиге цинковых и свинцовых руд газов по комбинированной ионообменноэкстракционной схеме [297]. Газы промывают, пропускают через [c.253]

Рис. 127. Схема ректификационной установки для рафинирования циика t — печь-миксер 2 — приемник свинцовой колонны 3 — свинцовая ректификационная колонна 4 — камера сжигания топлива 5 — зумпф-приемннк 6 — печь ликвациоиного разделения 7 — конденсатор 8 — кадмиевая ректификационная колонна 9 — конденсатор кадмия 10 — печь-мнксер для цинка

Плавка — Классификация 278 — Моно-и полипроцессы 27 — Определение 277 — Схема системного анализа плавки 277 — Температурные интервалы плавки цветных сплавов 278 баббитов 308, 309 вольфрама 306 кадмия 309 латуней 306 молибдена 305 монелей 307 нихромов 307 [c.524]

В лампах, выпускаемых заводом Эталон , уменьшение плотности тока достигается введением дополнительной подогревной обмотки на внутреннем баллоне. Обмотка позволяет поддерживать необходимую для возбуждения спектра кадмия температуру внутри баллона при токе, проходящем через разряд, порядка 0,1—0,3 а. Как видно из приведенной схемы, лампы с накаленным катодом не требуют сложных агрегатов для их возбуждения, чрезвычайно 60 [c.60]

Как уже указывалось, потенциал в точке В может быть найден и графическим путем (рис. 33). На этой диаграмме нанесены поляризационные кривые для всех электродов. Для кадмия, по- t лярность которого в зависимости от со-противления может меняться, приведены как анодная, так и катодная кривые. Для цинка дан ряд суммарных поляризацион- ных кривых для различных значений коэффициента р. По этой диаграмме при различных сопротивлениях в цепи опре деляли токи и потенциал в точке В. Потенциал был найден графически по точке пересечения поляризационных кривых для меди и цинка при р = 500. Он оказался равным —0,2 в, т. е. был довольно близок к экспериментально определенному. Из рисунка видно, что в зависимости от сопротивления в ветви промежуточный кадмиевый электрод может работать как анодом (/ и III), так и катодом IV и V). В случае, когда кадмий работает анодом, значения токов (/i, /2, /3) определяли графически по схеме, приведенной на рис. 32,0 в случае функционирования кадмия в качестве катода — по схеме рис. 32, б. Сопоставление расчетных данных по потенциалам и токам с экспериментально найденными сделано в табл. 12. [c.81]

Из факта, что катодные контакты для оксидированного материала олее опасны, чем для неоксидированного, не следует делать заключения о необходимости отказа от анодирования. Поскольку эти контакты, независимо от того, оксидируется ли сплав или нет, требуют дополнительной защиты, анодная пленка может служить хорошим подслоем под лакокрасочное покрытие. Но при этом необходимо помнить, что повышенная чувствительность к контактной коррозии оксидированных сплавов вызывает настоятельную необходимость в применении надежных мер защиты. Таковыми могут быть нанесение на контактируемую катодную деталь анодных металлических покрытий, например цинка, кадмия, а также применение специальных прокладок, протекторов и лакокрасочных покрытий, например двух слоев цинкхроматного грунта АЛГ и двух слоев эмали ХВ-16. Выбор защитно-декоративных лакокрасочных покрытий и типовые схемы технологических процессов рассмотрены в работе [62]. [c.170]

Адаптивный интерферометр для измерения малых механических вибраций, собранный по аналогичной схеме, был экспериментально исследован в [9.26]. В этой работе запись динамических голограмм в кристаллах SBN Се осуш,ествлялась с помош,ью гелий-кадмие-вого лазера (к = 442 нм) во внешнем постоянном электрическом поле Eq = 3.6 кВ-см- . При используемой мощ,ности световых пучков Ро = 20 мВт) характерная частота среза /о = (2ят8, ) 10 Гц. Экспериментально достигнутый минимальный уровень регистрируемых колебаний зеркала порядка 1 А в диапазоне частот 10 4--ьЮ Гц и полосе Af 10" / определялся главным образом собственными шумами лазера. Такая же величина чувствительности была получена и при использовании в качестве записываюш,ей среды кристаллов LiNbOg на длине волны к = 475 нм. [c.222]

Для получения электрохимической бумаги используется обычная неклееная газетная бумага. В ачестве простейшего электролита может использоваться водный раствор крахмала и иодистого калия. При токе 10 а в местах соприкосновения электродов появляется яркая синяя окраска. В качестве электролита могут применяться также растворы с иодистым цинком или иоди-стым кадмием и другие соединения. Выпускаются бумаги, окрашивающиеся в синий, фиолетовый, коричневый, зелено-коричневый, голубой, красный и зелено-черный цвета. Регистрация на электрохимических бумагах дает возможность получать и тоновые изображения. Недостатком метода является то, что при большой ширине бумаги К0личеств0 электродов будет исчисляться сотнями, что усложняет схему устройства. Процесс може/ происходить только при увлажненной бумаге. Электротермические р е ги стр и р у ю щ и е устройства используют специальные электротермические бумаги. Такая бумага изготовляется из бумажной массы, насыщенной углеродом. Одна сторона бумаги покрывается электропроводной пленкой — тонким слоем порошкообразного алюминия, а другая, на которой производится запись, покрыта тонкой пленкой состава, содержащего тиосульфат свинца и окись титана. [c.101]

Следует отметить, что в последнее время некоторыми авторами 1233, 234] для объяснения люминесценции типичных фосфоров предложена схема, которая совершенно аналогична схеме (рис. 58), впервые предложенной автором для интерпретации явлений люминесценции чистых щелочно-галоидных кристаллов. Так, Ламбе и Клик [233] в отличие от общепринятой точки зрения, согласно которой в типичных фосфорах (активированные сернистые соединения цинка и кадмия) люминесценция возникает в результате рекомбинации свободных электронов с ионизованными центрами свечения, полагают, что акт излучения происходит в результате рекомбинации свободной положительной дырки с локализованным электроном. При этом предполагается, что электронные уровни захвата обусловлены активирующей примесью, а дырочные уровни захвата присущи основанию фосфора. Именно поэтому спектр свечения определяется активирующей примесью. По модели Ламбе и Клика механизм явления в целом сводится к следующему. В результате возбуждения в валентной зоне возникают свободные положительные дырки, а в верхней зоне — электроны проводимости. Последние захватываются локальными уровнями, обусловленными активатором, а положительные дырки локализуются на дырочных уровнях захвата. По мере освобождения положительных дырок они рекомбинируют с локализованными электронами с испусканием света. Ламбе и Клик приводят ряд экспериментальных данных, подтверждающих эту схему. [c.142]

Аналогичную схему Ламбе, Клик и Декстер [234] предложили для объяснения люминесценции (краевого излучения) чистых кристаллов сернистого кадмия. В этом случае электронные и дырочные уровни захвата должны быть обусловлены микродефектами решетки основного вещества. [c.142]

Для штриховых мер, как уже упоминалось, основным эталоном длины является платино-иридиевый метр № 28, полученный Россией в 1889 г. на Международной конференции по установлению прототипа метра и измеренный в длинах световых волн красной линии кадмия. Передача размера от этого основного эталона к рабочим мерам показана на проверочной схеме штриховых мер (фиг. 61). Сличение (компарирование) штриховых мер осуществляется при помощи так называемых штриховых компараторов, которые разделяются на поперечные (фиг. 62) и продольные (фиг. 63 и 64) компараторы. Как видно из фиг. 63 и 64, продольные [c.85]

Сделаны они из стали, покрытой кадмием толщиной 0,25 мм. Размеры пластин примерно 50 смхЗО см. С каждой осью связаны тихоходные и быстроходные сельсины, указывающие на шкале пульта управления положение пластин. В разных точках графитового отражателя размещены ионизационные камеры, наполненные трехфторкстым бором для регистрации мощности по приборам, находящимся на пульте. Для точных отсчетов используется гальванометр, включснный в нулевую схему. [c.53]

При изучении спектров излучения элементов исходят из вычисленных волновых чисел и составляют схему спектральных термов. Для получения монохроматического света применяют источники,. в которых свечение вызывает электрический ток, проходящий через газ или пар. Отдельные спектральные линии излучения источника выделяют при помощи светофильтров пли монохроматоров. При и мер и 1ях длины с помощью световых воли при.ченяют лампы, заполпеииые 1п1ертны п) газами (криптоном, гелием, неоном), и лампы с ртутью и кадмием. [c.47]

В первой части поверочной схемы показана передача размера метра вторичным эталонам — платино-иридиевым метрам и интерференционным установкам для абсолютных измерений длины в длинах волн вторичных эталонных излучений криптона-86, ртути-198, кадмия-114 и стабилизированных гелий-неоновых лазеров, по своему метрологическому назначению играющим роль эталонов-копий, а также эталонным штриховым мерам, применяемым пр ( периодическом контроле правильности абсолютных измерений длины иа нтер-фереиционных установках метрологических институтов с использованием вторичных эталонных длин волн. [c.68]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...