Новый тип памяти ДНК

В начальный период промышленного функционирования эффективность САПР, как правило, ниже проектируемой. Это объясняется рядом причин — продолжают выявляться новые дефекты, не обнаруженные ранее на стадии опытного функционирования. База данных находится в состоянии наполнения и иногда дает меньше информации, чем память проектировщика. При этом многие проектировщики еще не успевают полностью преодолеть психологический барьер. Однако указанные причины сравнительно быстро устраняются и начинается период стабильного функционирования САПР с высокой эффективностью, который длится недолго. При эксплуатации выясняется, что действующая САПР нуждается в дальнейшем развитии. [c.31]

Введение поправки 5 не требует новой измерительной информации, поскольку сигналы поверхностных термопар /ц н 21 дают возможность определить величины рц и Р21. а парциальное давление пара в набегающем потоке воздуха Ро определяется с помощью отсосного психрометра, который необходим для измерения температуры и относительной влажности воздуха. Некоторое усложнение (6.7) по сравнению с (6.5) практически не увеличивает рабочего времени вычислительной машины при обработке экспериментальных данных. В память ЭВМ вводят известную, зависимость р ( ). [c.132]

Программу на входном языке системы называют исходным модулем, а программу после трансляции — объектным модулем. Объектные модули могут объединяться в новый модуль с помощью редактора связи и называются в том случае загрузочным модулем, который может быть загружен в оперативную память и выполнен или записан в библиотеку. Поиск модулей в библиотеках, их запись, трансляция и другие системные действия обычно выполняются под управлением супервизора согласно заданию, записанному на языке управления заданиями. [c.57]

Для ввода графической информации в оперативную память ЭВМ используется световое перо (СП). Нажатием клавиши пульта управления вызывается на экране ЭЛТ маркер. Световым пером касаются маркера (затвор СП открыт) и двигают СП в нужную точку экрана. Нажатием специальной клавиши пульта управления координаты новой точки заносятся в буферное ЗУ. [c.139]

Выбираются другие случайные значения параметров синтеза, удовлетворяющие ограничениям, и вычисляется целевая функция Атах- Если новое значение Атах меньше предыдущего, то оно идет в память машины вместе с соответствующими параметрами синтеза, а прежние значения сбрасываются. [c.146]

Изменяют один из параметров синтеза, например а, на малую величину Ла. Оставляя все другие параметры неизменными, вычисляют целевую функцию при измененном значении параметра а = = а1 + Ь.а. Если целевая функция уменьшилась, то выбранное направление изменения параметра а правильное и в память машины идут новые значения параметра а = а Л-Аа и целевой функции Дтах-Если же Лтах увеличилось, то надо изменить знак приращения Да на обратный, т. е. вычислить Дтах при а = й1—Да. Тогда Дтах либо уменьшится, либо останется без изменений, если достигнут минимум по параметру а. [c.147]

Выбираются другие случайные значения параметров синтеза, проверяются ограничения и вычисляется величина целевой функции Лтах. Еслн новая величина Дтах меньше полученной на предыдущем этапе, то она идет в память машины вместе с со- [c.355]

Блок 4 осуществляет ввод в память ЭВМ параметров распределений сроков службы при рассмотрении каждого очередного интервала расчетного периода. Этим блоком осуществляется замена прежних параметров новыми при сохранении тех из них, которые постоянны для всей задачи. [c.48]

При переходе на обработку новой детали достаточно ввести в память системы новую программу обработки, добавить недостающие инструменты в инструментальные магазины и переделать или изготовить новые приспособления-спутники. [c.13]

На рис. 6 приведена функциональная схема электродинамического вибростенда, при помощи которого реализуется ударное воздействие на изделие способами передаточной функции (блок /2) и амплитуд элементарных сигналов (блок 2<У). Сигнал возбуждения 1 через усилитель 2 мощности поступает на вибровозбудитель <3, на рабочей платформе которого закреплено испытуемое изделие с датчиком Реакцию изделия на ударное воздействие регистрирует датчик, закрепленный на рабочей платформе. Через усилитель 5 предварительный сигнал б реакции поступает на аналого-цифровой преобразователь 7 и буферную память 8, с которой этот сигнал приходит соответственно в блок 15 вычисления новой передаточной функции и блок Э вычисления ударного спектра, С последнего вычисленный ударный спектр попадает в блок 11 сравнения, куда также поступает информация о заданном ударном спектре с блока 10 выдачи данных. Разница полученного и заданного ударных спектров, а также информация о требуемых параметрах сигнала реакции с блока 13 выдачи данных поступает в блок 14 формирования требуемого сигнала отклика. Новая вычисленная передаточная функция поступает в блок 16 запоминания передаточной функции, откуда одновременно со сформированным требуемым сигналом реакции этот сигнал поступает на блок 17 деления преобразования Фурье на передаточную функцию, Полученное отношение сигналов через буферную память 18 сигнала возбуждения и цифро-аналоговый преобразователь 19 попадает на усилитель [c.346]

И сегодня, на новом этапе своего развития, мы помним, что нынешнее лицо общества Знание во многом сформировано благодаря усилиям Ивана Ивановича Артоболевского, память о котором будет жить долгие и долгие годы. [c.7]

Операторы обмена информацией могут записывать данные в банк либо читать их в оперативную память. При записи модели фигуры производится просмотр каталога банка, и если не было дублирования символических имен моделей, определяются свободное место каталога и хранилища, имеющиеся резервы памяти в указанных частях банка. При выполнении всех условий производится запись массивов модели фигуры из оперативной во внешнюю память. При этом новая модель всегда записывается вслед за ранее записанными, т. е. в хранилище организуется последовательный файл, каждая запись и блок которого могут быть прочитаны по индексу, определяемому из каталога банка. [c.222]

Процесс ползучести до дефор.мации (см. рис. 7.29) продолжается в течение времени = ср° (Се) — Ф° (Св), где Се = = Гщо/ ( 2 — Ё1). В точке Е происходит новый реверс деформи-рования, и в память М добавляется состояние Т = п = = [гд е 0 Се], где 0к = 0 ке + 6п = — ег) / (Се)гд (а, Г ). [c.204]

В конце программы, т. е, в кадре № 50, нажимаем кнопку 18 и вводим программу в память. Следует отметить, что введенные данные легко просматриваются и исправляются простым вписыванием новых данных или их стиранием. [c.202]

Второй полуцикл начинается с реверса нагружения (снова ё > > 0) при этом в память материала включаются параметры новой поворотной точки D — fj,)/(e2 — Ei), 0а = [c.34]

В точке G происходит новый реверс и в память добавляется [c.62]

В последнем случае в качестве нового (последнего) элемента R в память заносится текущие значения г, ё, i и г, и начинается новый этап нагружения. При начальном нагружении (когда память М представляет собой пустое множество), параметры ё , 0 , в приведенных формулах заменяются на г, ё, г , ё/е последний вектор совпадает с вектором /. [c.104]

В законе от 18 жерминаля П1 года Республики (7 апреля 1795 г.) в одном из пунктов декрета говорилось Как могут друзья равенства терпеть пестроту и неудобство мер, хранящих еще память о позорном феодальном рабстве Закон предлагал гражданам дать доказательства своей преданности единству и неделимости республики, пользуясь уже теперь новыми мерами в своих расчетах и сделках . [c.20]

Изменение программно-математического обеспечения, приводящее к нарушению функциональной взаимозаменяемости, требует введения нового опознавательного номера программно-математического обеспечения блока или нового идентификатора в память модифицированного запоминающего устройства. Изменение в документации на программно-математическое обеспечение блока отражается в конечной части номера соответствующей документации, отделенной от головной части номера с помощью тире. Изменение в программно-математическом обеспечении вспомогательного оборудования требует только изменения документации. [c.229]

Широкие перспективы для вычислительной техники открывает возможность создания голографических систем памяти с большой информационной емкостью. Такую память можно использовать в новом поколении вычислительных машин. [c.259]

Голография с записью в резонансных средах, в которой пространственная память голограммы органически объединена с временной памятью фотонного эха, открывает принципиально новую возможность запоминать, а затем воспроизводить процессы, связанные с изменением состояний во времени и пространстве. [c.726]

Очевидно, что в процессе эксплуатации БД нуждается Г реорганизации. Современные СУБД имеют программы реорганизации, перераспределяющие БД, что позволяет освобождать память от исключенных записей и пересылать на освободившееся место записи из области переполнения БД. Под реорганизацией понимают копирование старой БД на другое устройство с исключением удаленных записей и повторную загрузку сущес1вующнх записей с получением дубликата БД. При этом стараются часто используемые записи перевести на быстродействующие носители, а редко используемые — на медленнодействующие. По сути дела реорганизация БД — это объединение старой БД и файла изменений в новую БД. Вся реорганизация должна проводиться под контролем СУБД. [c.126]

Соверщенно недопустимо при изложении нового материала пользоваться какими-либо записками и конспектами. В то же время не следует создавать у учащихся впечатления, что все излагаемое очень легко и просто. Хуже всего, если у них создастся впечатление, что у преподавателя очень хорощая память, что он без труда запомнил все выводы и преобразования и, опираясь только на память, теперь пересказывает заученное учащимся. Надо, чтобы учащиеся видели и ощущ,али определенный творческий процесс, особенно при выводах формул. Вы- [c.13]

Вычисление значений целевой функции ио новым допустимым значениям входных параметров и сравнение нового значения целевой функции с предыдущими. Если это новое значение целевой функции больше предыдущего при поиске максимума или меньше предыдущего при поиске минимума, то оно вводится в память машины вместе с соответствующими значениямн входных параметров, а предыдущие устраняются из памяти. Если же сравнение новых и предыдущих значений целевой функции не удовлетворяет направлению поиска, то выбираются новые случайные значения входных параметров и т. д. Для сокращения вычислительных операций выбор значений входных параметров подчиняют некоторым закономерностям последовательности Фибоначчи, последовательности Хаара и т. п. [c.114]

Его жизнь оборвалась 9 марта 1851 года. Хоронили его ночью. Толпа из двухсот тысяч человек, освещая путь факелами, провожала его в последний путь. Звучали траурные мелодии, специально сочиненные в его память. Ученые, правительственные чиновники, члены королевской семьи, дипломаты, студенты, горожане восприняли его смерть как огромную утрату. За многое они были благодарны ему. И не в последнюю очередь за то, что он подарил миру новые тайны, раскрыв которые, ученые создали современную элетротехнику. [c.129]

В программируемых устройствах ( N ) алгоритмы работы реализуются с помощью программ, вводимых в память устройства, и могут быть изменены после изготовления устройства. Эти устройства появились позднее их строят на базе микропроцессоров. УЧПУ такого вида относят к четвертому поколению построены они по принципу малой вычислительной машины с полужестким или гибким заданием алгоритмов работы, памятью на одну или несколько программ, стандартными периферийными устройствами вычислительной техники (дисплей, печатающее устройство и др.), каналами связи с более мощными ЭВМ верхнего уровня. Появляется возможность выполнения новых функций формирование нестандартных циклов обработки, частичное или полное редактирование программы, коррекция систематических погрешностей, изменение алгоритма работы применительно к станкам различных групп и др. [c.547]

Начальное нагружение характеризуется диаграммой (гв а, Ту)) (линия О А иа рис. 7.29 М = Ро). Реверс в точке А нарушает усл эвие (1) уравнений (7.39), в память заносится состояние Т = = Рп = . га Рл гв а, Р1) С А = ГА/81]. Точка поворота А становится новым началом координат при построении диаграммы на следующем этапе АОЕ. [c.203]

А те, кто уже вступил в ряды многомиллионной армии создателей машин, читая книгу, получат возмои -ность не только проверить свои знания, память н эрудицию, но и познакомиться с некоторыми новыми вопросами, чтобы над ними поразмыслить и решить нельзя ли использовать полученную информацию на своем производственном участке. Если же эти почерпнутые знания станут импульсом для разработки изобретения или рационализаторского предложения и вы сможете внести свой посильный вклад в ускорение технического прогресса, основой которого является машиностроение,, автор будет, считать, что задача, которую он перед собой поставил, в значительной мере выполнена. [c.6]

Нельзя считать окончательно завершенной и работу, связанную с представлением в математических моделях теплоэнергетических установок термодинамических и теплофизических свойств рабочих тел и теплоносителей. Наибольшее количество исследований, выполненных в этом направлении, относится к наиболее распространенному в теплоэнергетике рабочему телу и теплоносителю — воде (водяному пару) [1,2]. В настоящее время широко используются два метода определения свойств воды и водяного пара при выполнении расчетных исследований на ЭЦВМ 1) представление соответствуюш,их свойств в виде явных или неявных функций от одной, двух или нескольких переменных 2) линейная или нелинейная интерполяция по узловым точкам таблиц, введенным в память ЭЦВМ. Наибольшего внимания, по-видимому, заслуживает работа [20], содержа-гцая рекомендованную Международным комитетом по формуляциям для водяного пара систему уравнений, предназначенную для технических расчетов. Однако, во-первых, эти уравнения достаточно сложны и, во-вторых, не содержат явных выражений для определения некоторых часто употребляемых в теплоэнергетических расчетах параметров. Оба эти обстоятельства приводят к суш ественным затратам машинного времени при использовании указанных уравнений. Второй метод определения свойств воды и водяного пара требует меньшего времени расчета на ЭЦВМ, но исходная информация по нему занимает больший объем запоминающего устройства ЭЦВМ. Таким образом, еш е предстоит большая работа по определению целесообразных областей применения каждого из указанных методов в зависимости от требуемой точности вычислений значений параметров, области их определения, характеристик используемой ЭЦВМ и т. д. Этот вывод в еще большей мере справедлив по отношению к новым рабочим телам и теплоносителям, широкое применение которых намечается на атомных электростанциях, в парогазовых и других комбинированных теплоэнергетических установках. [c.10]

Стремление к минимуму упругой энергии определяет внутр. структуру и взаимное расположение мартенситных кристаллов. Новая фаза образуется в форме тонких пластинок, определ. образом ориентированных относительно кристаллография, осей. Пластины, как правило, не являются монокристаллами, а представляют собой пакеты плоскопараллельных доменов — областей новой фазы, различающихся ориентацией кристаллич, решётки (между собой домены находятся в двойниковом отношении см. Доме/ш упругие, Деойникование), Интерференция полей напряжений от разл. доменов приводит к их частичному уничтожению. Дальнейшее уменьшение упругих полей достигается за счёт формирования ансамблей из закономерно расположенных пластин. Т. о. в результате М. п. возникает поли-кристаллич. фаза со своеобразным иерархия, порядком (ансамбли — пластины — домены) в расположении структурных составляющих (см. Гетерофазная структура). Деформирование материала с такой структурой происходит в осн. за счёт смещения доменных границ ( сверхупругость ). При нагреве дроисходит обратное превращение мартенситной фазы в исходную, и тело восстанавливает нервонач. форму, к-рую оно имело до М. п. (память формы). [c.49]

Наряду с разработкой новых полупродниковых ЭП интенсивно ведутся работы по созданию ЭП на молекулярном уровне (молекулярные ЭП) [8]. Для их реализации необходимы наличие в молекулярной системе ее менее двух различимых стабильных состояний системы, достаточно большое время их жизни и возможность избирательно переводить систему в каждое из этих состояний. Оценка плотности записи информации в молекулярном П. у. составляет 10 бит/мм . При использовании частотно-селективной записи (т, н. спектральная память) ее можно увеличить до значения 10 бит/мм [8]. Путь уменьшения размера ЭП приводит вслед за разработкой молекулярных ЭП к атомным ЭП, в к-рых в качестве носителя инфорлшции может выступать одиночный атом. Действительно, двухуровневый атом представляет собой бистабильный логич. элемент, переключение к-рого осуществляется при переходе атома из одного энергетич. состояния в другое под действием внеш. поля. [c.526]

Память ЦВМ представляет собой совокупность запоминающих устройств, способных воспринимать, хранить н выдавать машинные коды или слова — наборы известной длины из двоичных символов. Каждое слово может быть либо командой — предписанием, определяющим конкретные преобразования других слов или какое-либо иное действие ЦВМ, либо операндом— объектом, подлежащим преобразованию или участвующим в преобразовании. Команды могут выступать и в качестве операндов. Сло-ра заносятся в памяти ЦВМ и извлекаются из нее по адресам, т. е. номерам ячеек — элементарных запоминающих устройств, способных хранить одно слово. Минимальный объем ячейки современных ЦВМ, как правило, — восемь двоичных символов, объем которых кратен 1 байту. Запоминающее устройство характеризуется емкостью — числом элементарных ячеек объемом 1 байт. Иногда емкость запоминающего устройства указывают в битах — числом двоичных символов. Множитель 1024 (2 ) в характеристике емкости обозначают К. множитель 2 обозначают М, соответственно используют единицы емкости памяти—Кбайт и Мбайт. Несколько машинных слов могут образовывать более крупные единицы информации — записи. Различают устройства памяти произвольного доступа (обеспечивают в любой момент времени обращение к ячейке с любым адресом), прямого доступа (обеспечивают обрап ение к любой записи) и последовательного доступа, в которых после обращения к некоторой ячейке или записи возможно обращение только к соседней ячейке или записи. Различают также оператисное запоминающее устройство (03V)—электронное устройство высокого быстродействия произвольного доступа для записи и считывания, постоянное запоминающее устройство (ПЗУ) — однократной записи и произвольного доступа при считывании, перепрограммируемое постоянное запоминающее устройство (ППЗУ), допускающее стирание и новую запись всего содержимого, и внешние запоминающие устрой- [c.135]

Таким образом, исследования, проведенные различными методами, особенно прямым методом авторадиографии, показывают, что наследственность или своеобразная память по отношению к дефектам исходной структуры существует в различных металлах и сплавах. Она зависит от характера исходной дефектности, особенно дислокационной структуры, состава и условий термической обработки деформированного сплава. Образование совершенной структуры (там, где она была дефектной) и формирование дефектной структуры (там, где ее не было), в частности образование границ новых рекристаллизованных зерен,— процесс, который требует термической активации и, следовательно, времени. Процесс этот идет неравномерно. Авторадиографический анализ показывает, что залечивание одних участков границы идет быстрее, чем других, что, возможно, связано с неравномерным распределением примесей и неоднородным строением границ. В некоторых случаях дефекты структуры, связанные с границами зерен или другими дислокационными образованиями, весьма устойчивы и не залечиваются при многократной рекристаллизации или фазовой перекристаллизации. Особенно стабилизируются дефекты примесями, взаимодействующими с ними. При правильно выбранных условиях рекристаллизации можно создать более благоприятное распределение охрупчивающих примесей и уменьшить их концентрацию на образованных после рекристаллизации границах зерна. [c.214]

Для примера на рис. 1.10 представлен процесс деформирования, состоящий из пяти этапов. Нулевой этап (начальное нагружение) представляет диаграмма /° (г ). После реверса в точке в память материала заносится информация о текущем состоянии о", е, С = а/е как тройка чисел [ i, е , С ]. На этапе R1R2 значение v равно единице параметр С определяется как (о — o i)/(e — е ) диаграмма деформирования — (—2г ). Этот этап будем называть первым. Точка представляет новый реверс в память в дополнение к е,, l] переходят значения [сгг, 82, Са = о — — [c.21]

О. Г. Соколова [4] при изучении тонкой и сверхтонкой структур железомарганцевых (е+у) сплавов обнаружен ряд новых явлений найдены условия зарождения и стабилизации е-фазы. Обнаружено явление сверхпластичности в районе прямого и обратного 7 е-перехода и механические последействия (механическая память), выявлена роль указанных процессов на физические, механические и коррозионно-механические свойства. На основании этих исследований была предложена для технического использования немагнитная двухфазная сталь марки Г20С2. Исследование таких важных эксплуатационных характеристик как ударная вязкость, сопротивление вязкому и хрупкому разрушению, характер разрушения, проведенное в ЦНИИЧМ им. И. П. Бардина, расширило возможности практического использования этой стали. [c.11]

XPLUS (I, J) и YPLUS (I, J) — для хранения и у соответственно. Эти массивы заданы эквивалентными F(I, J,NF) для NF = 3, 4 и 5. Поэтому легко распечатать эти массивы с помощью вызова подпрограммы PRINT. Отметим, что новые массивы занимают память, уже зарезервированную для F, и не требуют дополнительной памяти. [c.255]

Рукопись этой монографии (точнее ее первые пять глав) была подготовлена совместно с А.И. Потаповым и направлена в издательство Наука в 1989 году. Она получила положительный отзыв, но по ряду причин, в том числе в связи с серьезными переменами в стране, не была опубликована. Затем, в середине девяностых годов, Александр Иванович увлекся новыми идеями и хотел написать другую, более фундаментальную и интересную, на его взшяд, книгу. Однако судьба распорядилась иначе. Несмотря на прошедшие годы, интерес к этим исследованиям в стране не пропал и, более того, появились новые, совершенно неожиданные приложения в других областях физики и механики. В научной же литературе, как отечественной, так и мировой, до сих пор нет обобщающих работ подобного плана. Ученики и коллеги А.И. Весницкого в память о своем учителе и друге решили издать его монографию. В этот вариант книги добавлена новая глава, отражающая исследования А.И. Весницкого последних лет, и небольшое дополнение, в котором вводятся основные понятия и определения из теории волн, используемые в основном тексте. [c.10]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...