Критическая напряженность поля

В результате этого процесса происходит пробой газов, который совершается мгновенно, т. е. за время порядка 10 сек. Этот пробой на основе ударной ионизации носит название электрического пробоя, он не зависит от времени приложения напряжения, не связан с нагревом материала, как тепловой пробой, так как ударная ионизация происходит мгновенно и зависит только от критической напряженности поля. Электрический пробой типичен для газов и неполярных других диэлектриков. [c.30]

Рис. 21.5. Критическая напряженность поля Я р в функции температуры Г (а) и критическая плотность тока У р в функции напряженности поля Н (б) для сверхпроводниковых сплавов второго рода 1 — РЬ—Bi 2 — 2Мо—Re

Механизм процесса адгезии частиц под действием электрического поля Б жидкой среде можно иллюстрировать с помощью рис. VII, 6. Частицы, имеющие положительные заряды, движутся к - катоду и прилипают к нему. Затем происходит поляризация прилипших частиц, которые под действием электрической индукции становятся диполями. С ранее прилипшими частицами будут взаимодействовать другие частицы, в результате чего происходит образование нитеобразных агрегатов. При определенном расстоянии между катодом и прилипшими частицами может иметь место взаимодействие, в результате чего и происходит пробой. С уменьшением размеров прилипших частиц увеличивается число контактов между частицами, образующими нитевидные агрегаты, и растет критическая напряженность поля. [c.232]

Из соотношений (7.4-7.5) следует, что для излучения видимого диапазона частот (с 1 эВ) критическая напряженность поля составляет Ес = Ъ 10 В/см, а критическая интенсивность 1с = 10 Вт/см . Видно, что критическая напряженность поля гораздо меньше атомной напряженности Еа. = Б 10 в/см, и соответственно, критическая интенсивность гораздо меньше атомной интенсивности / = 3 10 Вт/см . [c.168]

Если исходить из физического содержания данного выше определения атомного поля, то очевидно, что численное значение атомного поля будет различным для различных атомов, находящихся в основном состоянии, тем более, различным для возбужденных атомов и атомарных ионов. Действительно, во всех этих конкретных состояниях атомов и атомарных ионов энергии связи электрона отличаются и весьма существенно. Кроме того, в атомарных ионах отличается и их заряд. Однако эти частные значения атомных полей мы будем в соответствии с традицией называть критическими напряженностями поля критическими полями), оставив термин атомное поле за приведенной выше величиной Р = Ра [c.251]

В случае высоковозбужденных (ридберговских) состояний атома водорода и многоэлектронных атомов критическая напряженность поля дается выражением [c.251]

Из соотношения (ЮЛ) видно, что уже при п = 10 критическая напряженность поля составляет величину порядка 10" В/см, а при п = 100 она порядка 1 В/см. [c.251]

Более сложная ситуация возникает с оценкой критической напряженности поля для многозарядных атомарных ионов. [c.251]

Рис. 10.5. Вероятность надбарьерной ионизации основного состояния атома водорода в единицу времени низкочастотным полем (кривая 1). Расчеты работы [10.15]. Кривая 2 — экстраполяция формулы АДК в надбарьерную область. Вертикальная прямая соответствует критической напряженности поля, разделяющей туннельный

Таким образо.м, выражение для критической напряженности поля, необходимой, чтобы сдвинуть границу с пло- [c.40]

Если сферические включения располагаются в материале так, что образуют кубическую решетку с постоянной Ь (рис. 1-9), т. е. объемная плотность их упаковки равна а=4, тг /36 , то формула для критической напряженности поля, необ.ходимой, чтобы сдвинуть доменную границу с плоскости такой решетки, составленной из включений, может быть записана с.тедующим образом [1-16] [c.41]

При т, превышающих Ткр, конфигурация становится нестабильной и дислокация самопроизвольно расширяется, занимая положения 2, 3, 4. В положении 4 части дислокационной петли С п С имеют винтовые компоненты противоположного знака, т. е. они движутся навстречу друг другу в одной и той же плоскости скольжения и взаимно уничтожаются. В результате этого происходит разделение дислокации на две внешнюю и внутреннюю (положение 5). Внешняя дислокация разрастается-до поверхности кристалла, а внутренняя занимает исходное состояние. После этого весь процесс начинается сначала и будет продолжаться до тех пор, пока приложены внешние напряжения. Число дислокаций, генерируемых источником Франка — Рида, неограниченно, но в общем случае не все внешние дислокационные петли покидают кристалл. Число дислокаций увеличивается до тех пор, пока в результате взаимодействия упругих полей дислокаций суммарное обратное напряжение не сбалансирует критическое напряжение сдвига Ткр, необходимое для действия источника. После этого источник становится неактивным. [c.111]

До сих пор, рассматривая электропроводность твердых тел, мы считали, что время релаксации т не зависит от электрического поля. В этих условиях плотность тока пропорциональна напряженности поля j=aS , т. е. электропроводность а является величиной, не зависящей от поля. Опыт показывает, однако, что независимость <г от наблюдается лишь в полях, напряженность которых меньше некоторого критического значения. При электропроводность изменяется по мере роста т. е. закон Ома перестает выполняться, Это является следствием изменения либо концентрации носителей заряда, либо их подвижности. [c.256]

С ростом напряженности поля энергия электронов повышается и при некотором критическом значении йкр становится возможным их переход из минимума А в минимум Б, где подвижность значи-17—221 257 [c.257]

Эти соотношения были получены для малой окрестности критической точки при приближении к пей по температуре (х = х), но к ней можно приближаться по любой термодинамической силе (давлению или напряженности поля). Найдем термодинамические величины ферромагнетика как функции магнитного поля х-Н) вдоль критической изотермы Т=Т р, Н- 0). Введем критические показатели для этого случая [c.253]

Сверхпроводимость — квантовое явление, возникающее вследствие Бозе-конденсации пар электронов проводимости. Двумя важнейшими макроскопическими признаками возникновения сверхпроводящего состояния являются 1) отсутствие сопротивления протекающему постоянному электрическому току при температуре ниже некоторой критической Тс, 2) выталкивание магнитного поля из объема сверхпроводника (эффект Мейснера). Существуют критическое магнитное поле Не и критическая плотность тока j , при превышении которых сверхпроводимость исчезает. Зависимость критической напряженности магнитного поля от температуры с хорошей точностью описывается формулой [c.448]

Нс2 0)—верхнее ( второе ) критическое значение напряженности поля при Т=0 К для сверхпроводника второго рода [c.653]

Сверхпроводимость— состояние некоторых проводников, когда их электрическое сопротивление становится пренебрежимо малым сверхпроводник имеет удельное сопротивление р в 10 раз меньше, чем медь, т. е. величину порядка 10 ом мм 1м. Сверхпроводимость появляется ниже определенной, так называемой критической температуры Т р. Наиболее высокая критическая температура 20,05°К зарегистрирована для твердого раствора ниобия, алюминия и германия, состав которого соответствует формуле Nbg Ово.з-Для остальных сверхпроводников эта температура ниже, около 4—10° К. Если сверхпроводник при Т < поместить в поперечное магнитное поле, то состояние сверхпроводимости сохраняется лишь ниже определенной, так называемой, критической напряженности магнитного поля Я р. Когда по сверхпроводнику, находящемуся в поперечном магнитном поле с Я-< Я,.р при температуре Т < Ткр пропускают электрический ток, то состояние сверхпроводимости сохраняется только ниже определенной, так называемой, критической плотности тока / р. Критические параметры Г р, Я р, Укр и закономерности их изменения играют важную роль при исследованиях. сверхпроводников. Обычно / р относят к определенным значениям напряженности поля Н и температуры Т. В сверхпроводящем состоянии магнитное поле за счет экранирующих токов в поверхностном слое проводника почти полностью вытесняется иЗ всего сечения за исключением этого слоя, где поле проникает на глубину, примерно, 5 10 МК.М. Различают сверхпроводники первого и второго рода. [c.277]

Титан-ниобий. Сплав с 22 ат. % Nb допускает высокие плотности тока (рис. 21.5, б). Критические значения напряженности поля Якр = 9,6 10 а/ж, Ткр = 9° К. В этом сверхпроводнике можно сохранить одну и ту же плотность тока при увеличении диаметра проволоки. Успешно применяются и тройные сплавы — Ti—Nb—Zr. Так, например, высокими сверхпроводящими свойствами обладает сплав 25% Ti, 65% Nb, 8% Zr, 2% добавки. [c.279]

Диэлектрик, находясь в электрическом поле, теряет свойства электроизоляционного материала, если напряженность поля превысит некоторое критическое значение. Это явление носит название пробоя диэлектрика или нарушения его электрической прочности. Значение напряжения, при котором происходит пробой диэлектрика, называется пробивным напряжением, а соответствующее значение напряженности поля — электрической прочностью диэлектрика. [c.58]

Особенностью пробоя газа в неоднородном поле является возникновение частичного разряда в виде короны в местах, где напряженность поля достигает критических значений, с дальнейшим переходом короны в искровой разряд и дугу при возрастании напряжения. [c.64]

Критическая нанряженность электрического поля зависит от свойств материала суспензии. Суспензии благородных металлов, поверхность которых свободна от окисных пленок, имеют значительно меньшую критическую напряженность по сравнению с окисленными металлическими поверхностями. Окисная пленка является своеобразным изолятором, обусловливающим рост критической напряженности поля. Если критическая напряженность поля для окиси алюминия составляет 4000 В/см, то для частиц платины она снижается до 20 В/см. [c.232]

Как известно, соотношение между вероятностями выаужден-пого и спонтаипого рассеяния определяется коэффициентами Эйнштейна и числом рассеянных фотонов ) [1. 2]. Так как интенсивность лазерного излучения весьма высока, то при рассеянии лазерного иллучепия всегда много рассеян[ Ы фотонов, так что вынужденное рассеяние всегда доминирует над спонтанны. рассеянием. (В лекции 6 была сделана численная оценка критической напряженности поля, прп которой вероятности вынужденной и спонтанной релаксации в двухуровневой системе равны согласно этой оценке р 10 В,/см.) [c.120]

До снх пор молчаливо предполагалось, чю фропт падающей волпы плоский, т. е. рас.ходимость излучения равна нулю. Если теперь принять во внимание, что лазерное излучение всегда имеет конечную расходимость, то моишо получить соотношение для той напряженностн поля волны, при которой будет возникать самофокусировка. Очевидно, для возникновения самофокусировки необходимо, чтобы угол самофокусировки а превышал угол расходимости падающего излучения. Еслп положить угол расходимости равным Орал Х/а (А а) , а угол самофокусировки взять из соотношения (13), то условие а = ар,с5 достигается при так называемой критической напряженности поля [c.171]

Выражение (4.9) носит полуколичественный характер, так как получено в замках одномерной модели ионизации. Для высоковозбужденных состояний атома водорода значения критической напряженности поля найдены численно в работе [4.24]. Они зависят не только от главного, но и от параболических квантовых чисел рассматриваемого уровня. В табл. 4.1 приведены значения классического порога ионизации для случая высо- [c.83]

Толученные в предыдущем разделе формулы для величин штарковских сдвигов и расщеплений применимы, пока крайние компоненты соседних штарковских мультиплетов не пересекутся друг с другом. Оценка критической напряженности поля (см формулу (9.11) из книги [4.7]) в рас- [c.103]

Расчеты вероятности надбарьерной ионизации основного состояния атома водорода [10.15], выполненные в рамках метода Келдыша.-Файсала.-Риса, хорошо иллюстрируют различие между приближенной классической оценкой (10.2) и данными, полученными на основе формулы (10.6) (кривая 1 на рис. 10.5). Вертикальная прямая означает значение критической напряженности поля, при которой имеет место касание вершины потенциального барьера возмущенным уровнем энергии (она взята из результатов численных расчетов [10.16]). Видно, что истинное значение критической напряженности поля равно 0,2 а.е., что более чем вдвое превышает оценку 1/16 а.е. согласно (10.5). Таким образом, имеет место такая же ситуация для основного состояния, как и для высоковозбужденных состояний атома водорода. [c.261]

Из материала, приведенного в предыдущем разделе, видны две причины возникновения квазиконтинуума возбужденных атомных состояний в сильном внешнем поле — ионизационное уширение электронных состояний и их штарковское расщепление. Оба процесса определяют условие возникновение квазиконтинуума — Г( ) АЕ Р), где, как и выше Г( ) — ширина электронного состояния, а АЕ Р) — энергетическое расстояние между соседними уровнями. Очевидно, что переход от высоковозбужденных (ридберговских) состояний, для которых 71 1, к низковозбужденным состояниям, для которых 71 1, сильно увеличивает АЕ Р), а потому и величину критической напряженности поля, при которой достигается условие Г(F) АЕ Р). Можно избавиться и от проявления эффекта штарковского расщепления исходного состояния, выбрав в качестве такого так называемое циркулярное состояние, для которого выполняется следующее соотношением между главным (71), орбитальным (I) и магнитным т) квантовыми числами т = I = п — 1. Среди всех состояний с данным п циркулярное состояние имеет максимальное значение т, В линейно поляризованном электромагнитном поле правила отбора по т имеют вид Ат = 0. Это означает, что циркулярное состояние с фиксированным значением п связано лишь с состояниями с другими 71, т.е. с состояниями, для которых АЕ Р) велико (при 71 >1). [c.276]

Применяют также сплавы N —А1 с добавками кремния (I—2%). Такие сплавы обладают очень высокой коэрцитивной силой (до 640 Э) при умеренной индукции (400—500 Гс) и пониженной критической скоростью охлаждения, что очень существенно при изготовлении массивных магнитов. Добавка меди к сплавам Fe—Ni—Л1 позволяет частично заменить дорогой никель и улучшить свойства сплава. Введение в сплав с 22% Ni до 6% Си повышает Не без снижения Вг. Наиболее высокие магнитные свойства достигаются при одновременном введении меди и кобальта. Последний повышает коэрцитивную силу и остаточную индукцию. Особое внимание следует уделить высококобальтовым сплавам (15—24% Со), которые подвергаются так называемой закалке в. иагнитном поле. Сущность этой закалки заключается в том, что нагретый до температуры закалки (около 1300°С) магнит быстро помещают между полюсами электромагнита (напряженность поля должна быть НС менее 120 ООО А/м) и так охлаждают до температуры ниже 500°С. Дальнейшее охлаждение проводят обычно па воздухе. После такой обработки магнит обладает резкой анизотропией магнитных свойств. Магнитные свойства очень высоки только в том направлении, в котором действовало внешнее магнитное поле в процессе закалки. [c.546]

Сопротивление скольжению Тл, как впервые отметил Зегер, обусловливает температурную зависимость критического напряжения сдвига металлов с г. п. у. и г. ц. к. решеткой. Сопротивление Тп складывается из температурно-независимой (тс) и температурнозависимой (тя) составляющих, при этом тс обычно отождествляется с сопротивлением дислокаций в параллельных плоскостях скольжения (полях дальнодействия), а ts — с пересечением дислокаций леса. Преодоление дислокаций леса существенно облегчается термической активацией. Для металлов с о. ц. к. решеткой температурная зависимость Тл слабее, чем температурная зависимость тП—н, и в отличие от г. п. у. и г. ц. к. кристаллов ее практически можно не учитывать. [c.220]

Выражение (3.31) справедливо при значениях напряженности поля Е, не превышающих некоторое критическое значение Е р, т. е. при Е<Екр, при которых подвижности носителей заряда не зависят от напряженности электрического поля и остаются постоянньпии. При Е>Е р носители заряда приобретают за время свободного пробега между столкновениями дрейфовую составляющую скорости, сравнимую со скоростью теплового движения и. При этом происходит насыщение скорости дрейфа, она перестает возрастать вследствие увеличения числа столкновений в единицу времени. Поэтому при Е>Е с ростом напряженности подвижность уменьшается, эта зависимость выражается эмпирической формулой [c.60]

Сверхпроводники и криопроводники. Явление сверхпроводимости было открыто нидерландским физиком X. Камерлинг-Оннесом в 1911 г. Согласно современной теории, основные положения которой были развиты в работах Д. Бардина, Л. Купера, Дж. Шриф-фера (теория БКШ), явление сверхпроводимости металлов можно объяснить следующим образом. При температурах, близких к абсолютному нулю, меняется характер взаимодействия электронов между собой и атомной решеткой, так что становится возможным притягивание одноименно заряженных электронов и образование так называемых электронных (куперовских) пар. Поскольку куперовские пары в состоянии сверхпроводимости обладают большой энергией связи, обмена энергетическими импульсами между ними и решеткой не наблюдается. При этом сопротивление металла становится практически равным нулю. С увеличением температуры некоторая часть электронов термически возбуждается и переходит в одиночное состояние, характерное для обычных металлов. При достижении критической температуры (Т ) все куперовские пары распадаются и состояние сверхпроводимости исчезает. Аналогичный результат наблюдается при определенном значении магнитного поля (критической напряженности Я р или критической индукции Акр), которое может быть создано как собственным током, так и посторонними источниками. Критическая температура и критическаяс напряженность магнитного поля являются взаимосвязанными величинами. Эта зависимость для чистых металлов может быЪ приближенно представлена следующим выражением [c.122]

Следовательно, если идеальный сверхпроводник поместить в магнитное поле, то некоторой температуре T piзначение критической напряженности магнитного поля Якрг- При Н> H pi и температуре Т р, сверхпроводящее состояние исчезает. [c.123]

В сильных электрических полях на чиная с критической напряженности которая обычно равна (1 ч- 5)-10 В/м в жидкости переход иона из положения временного закрепления в другое про исходит не только в результате теп ловых колебаний частиц, а и под влия нием электрического поля. Поэтому растет подвижность иона и начиная с некоторого значения плотности тока /о плотность тока / увеличивается по закону [c.142]

Все газы и пары, в том числе и пары металлов, при низких напряженностях электрического поля не являются проводниками. Однако, если напряженность поля превзойдет некоторое критическое значение, обеспечивающее начало ударной и фотоионизации, то газ может стать проводником с электронной и ионной электропроводностью. Сильно ионизированный газ при равенстве числа электронов числу положительных ионов в единице объе.ма представляет собой особую проводящую среду, носящую название плазмы. [c.187]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...